一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚及其生產方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及陶瓷磚生產技術領域，尤其是設及一種一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚及 其生產方法。
【背景技術】
[0002] 目前市場上大多數透明玻璃與釉上彩陶瓷復合板產品大多采用二次燒成生產工 藝：即首先經過漉道害進行第一次高溫燒成，普遍采用的溫度一般為1160~1220°C，先制 備好經絲網印花或膠漉印花的釉上彩陶瓷素巧，然后再布上二次燒低溫透明烙塊干粒，再 進入漉道害中進行第二次燒成，普遍燒成溫度為1050~Iiocrc，主要目的是使釉上彩陶瓷 巧體與透明烙塊復合在一起，半成品再經過拋光處理，從而制得透明玻璃與釉上彩陶瓷復 合板成品。
[0003] 采用高溫素燒的主要目的是排除巧體中的大多數有機物，從而減少二次釉燒對微 晶玻璃層釉面的影響，減少生產控制難度，提高生產穩定性。
[0004] 當前建筑陶瓷市場競爭日趨激烈，但由于采用二次燒成生產工藝繁瑣，其總周期 均超過四小時W上（即生產周期長），因此造成產品的生產成本較高，占地面積大，一次性 投資大，特別是在高能耗的劣勢顯現的更為突出，據此，越來越多廠家進一步研制出一次高 溫燒成工藝，目前普遍采用的溫度一般為1160~1220°C、時間為60~180分鐘的條件下， 同時微晶玻璃層也有減薄的趨勢，W使產品在市場上成本更具有競爭力； 陽〇化]但無論是傳統意義上二次燒成和的高溫一次燒成技術，在近幾年市場終端推廣， 仍存在如下幾個比較突出的問題：
[0006] (1)無論是二次燒成還是一次燒成技術，微晶玻璃層和陶瓷基板的膨脹系數相差較 大，復合后仍然存在后期龜裂和容易導致切割開裂，因此減薄微晶玻璃層是比較有效的方 向；
[0007] 似目前一次燒成傳統工藝中，為了確保生巧強度，巧體配方中粘±含量一般都要 超過20%，而配方中其它絕大部分是天然瓷砂原料，巧體總體燒失量比較大，一般超過4% W上，而且由于巧釉在高溫中一次同步完成，對透明微晶干粒的技術水平和生產過程管理 要求非常苛刻，總體制成率與二次燒成相比難度大大增加，而且目前絕大多數最終產品的 耐酸堿指標普遍很難達到。
[0008] (3)二次燒成中，一次素燒磚型控制存在比較大的困難，因而技術上很難實現微晶 玻璃層減薄；而一次燒成一旦減薄，相關縮釉針孔缺陷增多，防污能力大大降低，生產控制 難度太大。
【發明內容】
[0009] 本發明的目的是通過引入一種增強建筑陶瓷大規格地磚生巧強度和降低總體燒 失量的巧體配方技術，在確保工業化生產所需的生巧強度的同時配合一種高亮高白化妝± 配方，大幅減少燒成過程中巧體排氣對微晶玻璃層烙融過程中產生負面影響，有效解決傳 統一次燒成微晶玻璃陶瓷復合磚生產中容易出現的縮釉、針孔、黑屯、、耐酸堿、吸污等最突 出的技術瓶頸難題的一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚。本發明的另一目的是提供一種通過降低 燒成溫度一百多度，有效規避了巧體中大量的拋光磚廢渣可能引起的發泡現象，實現建筑 陶瓷廢料的循環再利用的一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚及其生產方法。
[0010] 本發明的技術解決方案是：所述一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚，其特殊之處在于，該 陶瓷磚巧料按重量份由W下組份組成：
[0011] 粘± 10~巧巧礦化劑0~日份 裡瓷石 0~1日份 拋光渣74~85份解膠劑0~1.2份增強劑 0~化5份。
[0012] 作為優選：所述陶瓷磚巧料配方按重量份進一步由W下組份組成：
[0013] 粘± 10份模質止 3份測巧石 2份 鏈瓷石 10份拋光渣 75份六偏憐酸銷 0.2份 水玻璃0。6化H聚憐酸鋼0,2份增強劑 0~化5份；
[0014] 采用低燒失量的巧料配方，總體燒失量控制為小于3%。
[0015] 作為優選：所述礦化劑選用W下的一種或其組合：
[0016] 儀質±、燒滑石、棚巧石、蛋石。
[0017] 作為優選：所述增強劑選用W下的一種或其組合：
[0018] 簇甲基淀粉鋼、復合陰離子酸化酸巧鋼。
[0019] 本發明的另一技術解決方案是所述一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚的生產方法，其特 征在于，包括W下生產工序：
[0020] (1)巧料經濕法球磨、噴霧干燥工序后干壓成型制得陶瓷生巧；
[0021] 似陶瓷生巧干燥后施底釉，經印制印花裝飾成為釉上彩巧，然后應用干式皮帶布 料機，在釉上彩巧上布施透明微晶玻璃烙塊干粒，形成干粒層；
[0022] 樹干粒層表面噴施甲基纖維素固定后入漉道害燒成，燒成溫度為1000 °c~ 1048°C，時間為65~150分鐘，制成半成品；
[0023] (4)出害的半成品經刮平定厚、粗拋、精拋、磨邊、倒角、風干、檢選、分色、分級后制 成為成品，成品吸水率小于3,微晶玻璃層厚度為0. 3~1. 0mm。
[0024] 作為優選：所述工序似進一步包括： 陽02引 （2. 1)生巧干燥后施底釉，在巧溫65~70°C、W300X300托盤測量單位的條件下 噴水10克、且實施所述底釉的數量為300X300托盤測量單位60 +1克，制備成釉巧待用； [00%] (2.2)施底釉后釉巧再經過數字噴墨、膠漉、平板印刷中的一種或者多種印花裝飾 制成釉上彩巧，然后應用干式皮帶布料機，在釉上彩巧上W1. 5~3. 5Kg/m2的布料量布施 粒徑為80~200目的透明微晶玻璃烙塊干粒，形成干粒層，干粒層表面噴適量施甲基纖維 素固定最后進入漉道害燒成。其它指標符合JCT994-2006微晶玻璃陶瓷復合磚標準。 [0027] 作為優選：所述工序（2. 1)中的底釉由W下重量份的組分組成： W28]HG-I烙塊81~90份，高嶺±8~12份，石英2~7份；
[0029] 所述底釉的化學成份按重量百分比由W下組分組成：
[0030] Si化扣~65% A1::0,'I~10%CaO6 ~9% M拂 2 ~5% Na,0 0 ~1%K：.〇 日~6% B:化 2 ~3% ZnO5~10%ZrO, 4 ~5% BaO+Ti0,沖。0, + 化0 0 ~2%。
[0031] 作為優選：所述HG-I烙塊的化學成份按重量百分比由W下組分組成：
[0032] Si化 55.2 份 Al:化 6.93 份 K:0 L36 份 NaO 32 份CaO12.36 份MgO0.36 份 ZnO4. 08 份BaO3. 08 份Ti化 5. 53 份Fe),化 0.20份 ZrO, 1.05汾 阿)0 0.：!"%、 B：.〇 7. 39 份。
[0033] 作為優選：所述工序（2. 2)中微晶玻璃烙塊由W下重量份的組分組成：
[0034] Si化 巧~72% Al觀 4~10% CaOI~7% MgO 0 ~5% Na.O+K^O 3 ~10% Li'_，0 0 ~3% BaO3~10%BA 0~5% ZnO 1 ~5%。
[0035] 與現有技術相比，本發明的有益效果：
[0036] (1)本發明巧體采用低溫燒成工藝，有效規避了巧體中大量的拋光磚廢渣可能引起 的發泡現象，實現了陶瓷廢料的循環再利用；同時配方中大幅降低了粘±含量，引入多種巧 體增強技術，不但確保了工業化生產所需要的生巧強度，而且大幅減少了燒成過程中巧體 排氣對微晶玻璃層烙融過程中導致的負面影響，引入高亮高白化妝±配方，W上幾點綜合 工藝措施均能夠更有效解決經過傳統一次燒成縮釉、針孔、黑屯、、耐酸堿、吸污等最突出的 生產技術瓶頸難題，降低生產難度，大幅拓寬了色料的色域范圍，提升產品熱穩定性能和耐 酸堿性能，減少后期龜裂和冷加工開裂，確保優異的產品性能。
[0037]似本發明采用釉燒溫度為1000~1048。比傳統一次高溫燒成工藝技術相比，燒 成溫度降低一百多度，至少節約15~20%左右的能耗成本，符合國家節能減排政策；與傳 統二次燒成工藝相比，減少一條素燒害爐，工序簡單而生產效率更高；
[0038]樹整體工藝中烙塊膨脹系數和巧料膨脹系數差異很小，微晶玻璃厚度能夠實現有 效減薄，解決整體磚型問題，極大地提升產品熱穩定性能和保證了產品耐酸堿性能，減少后 期龜裂和冷加工開裂存在的可能性，改善了微晶玻璃復合板產品的產品品質；
[0039] (4)無論采用傳統二次燒還是高溫一次燒成，其裝飾過程都需要在高溫1200°C左右 完成，而本發明采用技術其燒成溫度范圍內，可W大幅度拓寬色料的色域范圍，從而可W獲 得更加豐富多彩的微晶產品。
[0040] 腳本工藝原料來源容易，產品實施簡單，便于工業化推廣。
【附圖說明】
[0041] 圖I是本發明一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚生產方法流程圖。
【具體實施方式】 陽0創【實施例1】
[0043] 該一次燒微晶玻璃陶瓷復合磚的生產方法，其步驟如下：
[0044] (1)配制陶瓷磚巧料，所述陶瓷磚巧料配方按由W下重量份的組分組成：
[0045] 粘± 巧份鎊質± 3份測巧石 2份 拋光渣 80份六偏憐酸錯0.2份水玻璃0.6份 H聚憐酸錯