混合的情況下，它們各自的比 表面積可以等于或大于2. 0m2/g。
[0062] 在下文中，將更充分地描述本發明的發明示例和對比示例。提供這些示例有助于 充分地理解本發明，且不應將本發明解釋為局限于這里提出的示例。
[0063][發明示例]
[0064] 通過利用氧化鋯球作為混合/分散媒介將材料粉體（基于下面的表1中描述的組 合物和含量）與乙醇/甲苯、分散劑和粘合劑混合，然后執行球磨工藝二十小時來制備料 漿。然后采用刮板法利用小的涂機將混合的料漿制成厚度為大約2. 0 ym的片以及厚度為 大約10 y m至13 y m的片。
[0065] 將Ni內電極印刷在大約2. 0 ym的片上，從而形成有源層。對于上覆蓋層和下覆蓋 層，將大約10 y m至13 y m的片堆疊成具有二十五層的厚度。將這些片堆疊來形成條（bar)。 利用切割機將壓縮條切割成具有3216尺寸的芯片。使芯片成為可塑體，接下來，在還原氣 氛中在大約ll〇〇°C至1250°C的溫度下燒制兩小時，然后在大約1000°C的溫度下進行熱處 理三小時以再氧化。將燒制的芯片放置二十四小時。然后按下面所描述的來測量芯片的特 性。
[0066] 表1是針對lOOmol的基粉。
[0067]表1
[0068]
[0069]
[0070]
[0071][評價]
[0072] 在lKHz和IV的條件下利用LCR測量儀測量芯片的介電損耗和室溫電容C。選取十 個樣品，在施加50V的直流電六十秒之后測量芯片的室溫絕緣電阻。在大約-55°C至125°C 的范圍內測量TCC。通過在125°C和lVr = 7. 5V/ ym的條件下執行高溫IR電壓升壓測試 來評價高溫可靠性。下面的表2中列出了結果。
[0073]表2
[0074]
[Gu/a」 夢UR漢叨/」、1外丄王漢叨/jviyumn樂一pi'jyju赴禺H、J'日里勹、丁得丄uumo丄駐粉 0.05mol的情況下，在還原氣氛中的燒制工藝過程中易引起還原，且難以控制晶粒生長。在 第一附加組分中金屬的含量超過每lOOmol基粉6. OOmol的情況下，燒制溫度升高且得不到 期望的介電常數。在第二附加組分中金屬的含量小于每lOOmol基粉0. 20mol的情況下， 高溫加速壽命性能劣化且TCC不穩定。在第二附加組分中金屬的含量超過每lOOmol基粉 3. OOmol的情況下，燒結溫度升高且不能獲得期望的介電常數。在第三附加組分中金屬的小 于每lOOmol基粉0. 05mol的情況下，高溫加速壽命性能劣化且TCC不穩定。在第三附加組 分中金屬的含量超過每lOOmol基粉0. 5mol的情況下，CXR值減小。在第四附加組分中金 屬的含量小于每lOOmol基粉0. 05mol的情況下，高溫加速壽命性能劣化。在第四附加組分 中金屬的含量超過每lOOmol基粉0. 35mol的情況下，CXR值減小。在第五附加組分中Si 和/或A1的含量小于每lOOmol基粉0. 5mol的情況下，要在高于期望溫度的溫度下執行燒 制工藝。在第五附加組分中Si和/或A1的含量超過每lOOmol基粉4. Omol的情況下，難 以控制晶粒的生長。
[0076] 如上面所闡述的，根據本發明的示例性實施例，介電陶瓷組合物具有高介電常數 和高溫可靠性，同時能夠在還原氣氛中以低溫燒制，由此可以使用Ni內電極。
[0077] 根據本發明的示例性實施例的介電陶瓷組合物可以應用到諸如電容器、感應器、 壓電裝置、變阻器或電熱調節器的電子組件。
[0078] 雖然已結合示例性實施例示出并描述了本發明，對本領域技術人員明顯的是，在 不脫離由權利要求限定的本發明的精神和范圍的情況下，可以做修改和改變。
【主權項】
1. 一種介電陶瓷組合物，所述介電陶瓷組合物包括： 基粉，由組合物式BaniCTi1 xZrx)03表示，其中，0? 995彡m彡1.0 lO且0〈x彡0? 10 ; 第一附加組分，為包括Mg、Sr、Ba和Zr中的至少一種金屬的氧化物或碳氧化物，第一附 加組分的含量在每IOOmol的基粉0? 05mol至6. OOmol的范圍內； 第二附加組分，為包括 Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 和Lu中的至少一種金屬的氧化物，第二附加組分的含量在每IOOmol的基粉0. 20mol至 3. OOmol的范圍內； 第三附加組分，為包括Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一種金屬的氧化物，第三附 加組分的含量在每IOOmol的基粉0? 05mol至0? 50mol的范圍內； 第四附加組分，為包括V、Nb和Ta中的至少一種金屬的氧化物，第四附加組分的含量在 每IOOmol的基粉0. 05mol至0. 35mol的范圍內； 第五附加組分，為包括Si和Al中的至少一種金屬的氧化物，第五附加組分的含量在每 IOOmol的基粉0. 50mol至4. OOmol的范圍內， 其中，第一附加組分與第五附加組分的含量比在〇. 75至1. 50的范圍內。2. 如權利要求1所述的介電陶瓷組合物，其中，第三附加組分和第四附加組分的含量 是每 IOOmol 基粉為 0.1mol 至 0. 8mol。3. 如權利要求1所述的介電陶瓷組合物，其中，第一附加組分至第五附加組分中的至 少一種具有等于或大于2. 0m2/g的比表面積。4. 如權利要求1所述的介電陶瓷組合物，其中，第一附加組分和第五附加組分以化合 物的形式添加。5. -種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括陶瓷燒結體及第一外電極和第二外 電極，陶瓷燒結體具有介電層及交替地堆疊在陶瓷燒結體中的第一內電極和第二內電極， 第一外電極和第二外電極設置在陶瓷燒結體的兩端并電連接到第一內電極和第二內電極， 其中，介電層包含： 基粉，由組分式8&"1〇11:^：!)0 3表示，其中，0.995彡111彡1.010且0〈叉彡0.10; 第一附加組分，為包括Mg、Sr、Ba和Zr中的至少一種金屬的氧化物或碳氧化物，第一附 加組分的含量在每IOOmol的基粉0? 05mol至6. OOmol的范圍內； 第二附加組分，為包括 Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 和Lu中的至少一種金屬的氧化物，第二附加組分的含量在每IOOmol的基粉0. 20mol至 3. OOmol的范圍內； 第三附加組分，為包括Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一種金屬的氧化物，第三附 加組分的含量在每IOOmol的基粉0? 05mol至0? 50mol的范圍內； 第四附加組分，為包括V、Nb和Ta中的至少一種金屬的氧化物，第四附加組分的含量在 每IOOmol的基粉0. 05mol至0. 35mol的范圍內； 第五附加組分，為包括Si和Al中的至少一種金屬的氧化物，第五附加組分的含量在每 IOOmol的基粉0. 50mol至4. OOmol的范圍內， 其中，第一附加組分與第五附加組分的含量比在〇. 75至1. 50的范圍內。6. 如權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，第一內電極和第二內電極包含Ni或Ni 合金。7. 如權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，第三附加組分和第四附加組分的含量 是每IOOmol的基粉為0.1mol至0. 8mol。8. 如權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，第一附加組分至第五附加組分中的至 少一種具有等于或大于2. 0m2/g的比表面積。9. 如權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，第一附加組分和第五附加組分以化合 物的形式添加。
【專利摘要】本發明提供了一種介電陶瓷組合物及利用該組合物的多層陶瓷電容器。該介電陶瓷組合物包括由組合物式Bam(Ti1-xZrx)O3表示的基粉及第一附加組分至第五附加組分，其中，0.995≤m≤1.010且0<x≤0.10。具有該介電陶瓷附加組分的多層陶瓷電容器具有高介電常數及優異的高溫可靠性。
【IPC分類】H01G4/12, C04B35/49, H01G4/30
【公開號】CN105152648
【申請號】CN201510405411
【發明人】姜晟馨, 許康憲, 權祥勛, 趙俊燁, 金相赫
【申請人】三星電機株式會社
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2010年11月1日
【公告號】CN102115329A, US8164880, US20110157769