壓器，如圖2中第二調壓器)與輸出電壓相對較低的變壓器抽 頭通過銅排或電纜等導體相連接，反之，所述第一調壓器連接輸出電壓相對較高的變壓器 抽頭從而使電能從變壓器輸送到調壓器。
[0023] 同時，第一調壓器1通過銅排或電纜等導體連接到第一負載支路11，第二調壓器2 通過銅排或電纜等導體連接到第二負載支路21 ;其中第一負載支路11和第二負載支路21 另一端通過銅排或電纜等導體短接在一起形成公共連接端210,所述公共連接210端通過 銅排或電纜等導體與變壓器的〇電位端子相連接。
[0024] 在此處需要說明的是，本發明不僅僅限于本實施例中的12對硅棒的實施方案，通 過將第一支路11和第二支路21上的負載增加或減少，可得到硅棒對數不同的供電電路，如 下表所示：
故，按上表的組合方式，結合本實施例中的供電電路連接方式，可得到15對、18對、24 對、27對硅棒的供電電路。
[0025] 要說明的是，上表僅僅是一些實例，但不僅限于這些數量的組合，其中第一負載支 路11串聯的硅棒對數和第二負載支路21串聯的硅棒對數的數量還可以持續的增減，同時 負載支路的數量大于等于2條，且至少有2條所述負載之路上的負載數量不相等。
[0026] 實施例3 本實施例與實施例1和實施例2的區別在于，將其所述的變壓器3更換為獨立變壓器， 如圖3,即實施例1和2中每一個調壓器均各自連接一個變壓器， 參看圖3,其中與調壓器連接的一側為變壓器的二次側，另一側為一次側，變壓器的一 次側2個線圈為等效并聯的方式，由相同的電網提供電源輸入，而2個獨立變壓器二次側的 二次線圈則連接所述調壓器為負載支路供電。同時，在二次側回路中，二個變壓器的二次側 線圈具有一個公共連接點310,這個公共連接點310對2個變壓器線圈來說，均為0電位端。
[0027] 同時，第一調壓器通過銅排或電纜等導體連接到第一負載支路11，第二調壓器2 通過銅排或電纜等導體連接到第二負載支路21 ;其中第一負載支路11和第二負載支路21 另一端連接在一起形成公共連接端210,并與兩臺變壓器的公共連接點310連接在一起。其 中，第一調壓器1連接的變壓器的輸出電壓大于第二調壓器2所連接的變壓器的輸出電壓。
[0028] 要說明的是，其中第一負載支路11串聯的硅棒對數和第二負載支路21串聯的硅 棒對數的數量還可以持續的增減，同時負載支路的數量大于等于2條，且至少有2條所述負 載之路上的負載數量不相等。
[0029] 還需說明的是，在實際化學沉積法生產多晶硅的過程，作為負載的硅棒阻值是 在動態變化的，例如，硅棒在還原爐內初始狀態的直徑約為8mm，到出爐狀態時，直徑約為 150~180mm，在整個生產過程，硅棒的直徑都是不斷增加的動態變化過程，對于這種負載，伴 隨它直徑的增加，橫截面積不斷增大，而長度和電阻率都是不變的，那么其電阻值就是動態 變化的。一般情況下，出爐時的硅棒阻值是初始狀態硅芯電阻值的1/300的水平，故，本發 明所述電路還是一種特別應用于化學沉積法生產阻值動態變化的多晶硅硅棒的電路。
【主權項】
1. 一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電路，其特征在于，包括多個 獨立調壓器，每一個所述調壓器獨立連接一個負載支路，每一個所述負載支路的另一端連 接在一起形成一個公共連接端，且至少有2個所述負載之路上的負載數量不相等，輸入給 每一個所述調壓器的電壓經調壓后輸出給與其連接的負載支路。2. 根據權利要求1所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電路， 其特征在于，在任意2個所述負載支路中的，負載數量多的負載支路，其連接的調壓器的輸 出電壓大于負載數量少的負載支路所連接的調壓器的輸出電壓。3. 根據權利要求1-2任一項所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓 供電電路，其特征在于，每一個所述調壓器均連接同一變壓器，所述變壓器內不同電壓的電 壓抽頭分別對每一個所述調壓器進行供電。4. 根據權利要求3所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電路， 其特征在于，任意2個所述調壓器中，輸出電壓大的調壓器連接的抽頭的電壓大于輸出電 壓小的調壓器連接的抽頭的電壓。5. 根據權利要求1-2任一項所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓 供電電路，其特征在于，每一個所述調壓器獨立連接一個變壓器。6. 根據權利要求5所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電路， 其特征在于，所述變壓器相互連接形成的公共連接點與每一個所述公共連接端連接。7. 根據權利要求6所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電路， 其特征在于，所述公共連接點為零電位點。8. 根據權利要求5任一項所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供 電電路，其特征在于，任意2個所述調壓器中，輸出電壓大的調壓器所連接的變壓器的輸出 電壓大于輸出電壓小的調壓器所連接的變壓器的輸出電壓。9. 根據權利要求4或8所述的一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電 路，其特征在于，所述調壓器由晶閘管或IGBT組成。
【專利摘要】本發明公開了一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電路，其特征在于，包括多個獨立調壓器，每一個所述調壓器獨立連接一個負載支路，每一個所述負載支路的另一端連接在一起形成一個公共連接端，且至少有2個所述負載之路上的負載數量不相等，輸入給每一個所述調壓器的電壓經調壓后輸出給與其連接的負載支路。目的在于克服現有化學沉積法生產多晶硅的多晶硅硅棒調壓電源系統在多晶硅硅棒有并聯調壓的需要時，只能提供平衡的并聯支路方式連接負載，對每一個平衡的并聯支路進行調壓的問題，提供一種對阻值動態變化的負載進行不平衡并聯調壓供電電路。
【IPC分類】C01B33/021
【公開號】CN105110335
【申請號】CN201510621552
【發明人】伍超林, 譚兵
【申請人】四川英杰電氣股份有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年9月25日