t +&0 t +皿r 個
[0033] NaF+Na2C〇3+2BaBr2+6H3B〇3+4NaB〇2 一化sBa]炬3〇e)2F+C〇2 t +&0 t +皿r 個
[0034] NaF+NagCOg+SBaO+GHgBOg+BaFg 一 ^3832 炬3〇6) 2F+CO2 t +&0 t +HF 個。
[00巧]本發明所述的氣測酸頓軸雙折射晶體，化學式為化3Ba2炬3〇e) 2?，分子量為459. 37， 屬于六方晶系，空間群為P6 (3)/m，晶胞參數為a = 7. 3490 (6) A，C = 12.6340似A， V = 590.93(12)A\ Z=2,為負單軸晶體，nc<n。，透過范圍是180-3300nm;雙折射率在 0. 090(3300nm)-0. 240(180nm)之間；晶體易于生長、易于切割、易于研磨、易于拋光和易于 保存，在空氣中穩定，不易潮解，不溶于水；在制備方法中采用高溫烙體法（自烙體自發結晶 法、烙體提拉法、烙體頂部巧晶法)或助烙劑法生長晶體。所獲得的晶體在空氣中穩定，不易 潮解，不溶于水。能夠用于制作格蘭型棱鏡、渥拉斯頓棱鏡、洛匈棱鏡或光束分離偏振器等 偏振分束棱鏡，在光學和通訊領域有重要應用。
【附圖說明】
[003引圖1為用于紅外-深紫外波段的NasBas化0e) 2F雙折射晶體的結構圖；
[0037]圖2為用于紅外-深紫外波段的NasBas化〇e)2F雙折射晶體的X畑圖；
[003引圖3用于紅外-深紫外波段的NasBas化0e)2F雙折射晶體的照片；
[0039] 圖4為本發明模形雙折射晶體偏振分束器示意圖；
[0040] 圖5為本發明光隔離器示意圖；
[0041] 圖6為本發明光束位移器7]^意圖，其中1為入射光，2為0光，3為e光，4為光軸， 5為化3B32化〇6) 2?晶體，6透光方向，7光軸面。
【具體實施方式】
[004引實施例1，烙體頂部巧晶法生長NasBas化0e) 2尸：
[0043] 按化學方程式；NaF+Na2C〇3+2BaC〇3+6H3B〇3- 化sBaa 炬306) 2F+C化 t +&0 t 制 備化3Ba2 炬3〇6)2尸，所用原料（分析純）：NaF25. IMg、NaaCOs63. SWg、BaC〇3236. 832g、 H3BO3222. 616g，（其中的化、Ba、B與F的摩爾比為3:2:6:1)具體步驟如下：
[0044] 將稱量后的原料放入研鉢中混合研磨，然后裝入〇 lOOmmX 100mm笛金巧巧中，加 熱至溫度82(TC得混合烙體，恒溫48小時；
[0045] 在混合烙體表面生長晶體；先將混合烙體降溫至803C，再將巧晶固定在巧晶桿 上，從巧晶桿頂部下巧晶至混合烙體表面，W 20r/min的轉速旋轉巧晶桿，同時W 〇-15mm/h 的速度向上提拉晶體；
[0046] 待單晶生長到所需尺度后，加大提拉速度，使晶體脫離烙體液面，W溫度5C A的 速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可得到50X31X8mm3軸頓測氧氣雙折射晶體， 晶體透明區域大，將所得晶體進行透過測試，結果表明透過范圍為180-3300nm，折射率為 0.090-0. 240。
[0047] 實施例2，烙體提拉法生長NasBas化〇e) 2尸：
[0048] 按化學方程式；NaF+2化OH+2BaC〇3+6H3B〇3 - 化sBaa 化06)2F+C化 t +&〇 個 制備化3B32炬3〇6)2尸，所用原料（分析純）：NaF25. 194g、化0H48. 012g、BaC〇3236. 832g、 H3B化222. 616g (其中的化、Ba、B與F的摩爾比為3:2:6:1)具體步驟如下：
[0049] 將稱量后原料放入研鉢中混合研磨，然后裝入OlOOmmXlOOmm笛金巧巧中，加熱 至溫度82(TC得混合烙體，恒溫10小時；
[0050] 在混合烙體中生長晶體；先將混合烙體降溫至804C，再將巧晶固定在巧晶桿上， 從巧晶桿頂部下巧晶至混合烙體中，W 25r/min的轉速旋轉巧晶桿，同時W 0. 〇5mm/h的速 度向上提拉晶體；
[0051] 待單晶生長到所需尺度后，加大提拉速度，使晶體脫離烙體液面，W溫度10°C A 的速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可得到30X26X9mm3的軸頓測氧氣雙折射晶 體。
[005引實施例3，烙體提拉法生長NasBas化0e) 2尸：
[0053] 按化學方程式；NaF+2化Cl+2BaC〇3+細3BO3- 化sBaa 炬306) 2F+C化 t +&0 t +肥 1 個 制備化3B32炬3〇6)2尸，所用原料（分析純）：NaF25. 194g、化C170. 128g、BaC〇3236. 832g、 H3B化222. 616g (其中的化、Ba、B與F的摩爾比為3:2:6:1)具體步驟如下：
[0054] 將稱量后原料放入研鉢中混合研磨，然后裝入OlOOmmXlOOmm笛金巧巧中，加熱 至溫度82(TC得混合烙體，恒溫20小時；
[00巧]在混合烙體中生長晶體；先將混合烙體降溫至808 C，再將巧晶固定在巧晶桿上， 從巧晶桿頂部下巧晶至混合烙體中，W 20r/min的轉速旋轉巧晶桿，同時W 0. 〇5mm/h的速 度向上提拉晶體；
[0056] 待單晶生長到所需尺度后，加大提拉速度，使晶體脫離烙體液面，W溫度5C A的 速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可得到35X26X 11mm3的軸頓測氧氣雙折射晶 體。
[0057] 實施例4,烙體提拉法生長NasBas化〇e) 2尸：
[0058] 按化學方程式；NaF+2NaBr+2BaC〇3+6H3B〇3- 化sBaa 炬306) 2F+C化 t +&0 t +HBr 個 制備化3Ba2 炬3〇e)2F，所用原料（分析純）：NaF25. 194g、NaBrl23. 468g、BaC〇3236. 832g、 H3B化222. 616g (其中的化、Ba、B與F的摩爾比為3:2:6:1)具體步驟如下：
[0059] 將稱量后原料放入研鉢中混合研磨，然后裝入OlOOmmXlOOmm笛金巧巧中，加熱 至溫度82(TC得混合烙體，恒溫30小時；
[0060] 在混合烙體中生長晶體；先將混合烙體降溫至804C，再將巧晶固定在巧晶桿上， 從巧晶桿頂部下巧晶至混合烙體中，W 15r/min的轉速旋轉巧晶桿，同時W 0. 〇5mm/h的速 度向上提拉晶體；
[0061] 待單晶生長到所需尺度后，加大提拉速度，使晶體脫離烙體液面，W溫度10°C A 的速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可得到33X18X7mm3的軸頓測氧氣雙折射晶 體。
[006引實施例5,烙體自發結晶法生長NasBas化0e) 2尸：
[0063]按化學方程式；NaF+2化0+2Ba (N03) 2+6H3BO3 - 化sBaa 化〇6) 2F+NO2 t +&〇 個 制備化3B32 化〇6)2尸，所用原料（分析純）；NaF25. 194g、化074. 375g、Ba(N〇3)2313. 620g、 HsB化222. 616g (其中的化、Ba、B與F的摩爾比為3:2:6:1)具體步驟如下：
[0064] 將稱量后原料放入研鉢中混合研磨，然后裝入OlOOmmXlOOmm笛金巧巧中，加熱 至溫度82(TC得混合烙體，恒溫20小時；
[0065] 在混合烙體中生長晶體；先將混合烙體降溫至81(TC，再將巧晶固定在巧晶桿上， 從巧晶桿頂部下巧晶至混合烙體中，W化/min的轉速(不旋轉巧晶桿)，同時W 0. 〇5mm/h的 速度向上提拉晶體；
[0066] 待單晶生長到所需尺度后，加大提拉速度，使晶體脫離烙體液面，W溫度1(TC A 的速率降至室溫，然后緩慢從爐膛中取出，即可得到42X35X7mm3的軸頓測氧氣雙折射晶 體。
[0067] 實施例6,助烙劑法生長NasBas化〇e) 2尸：
[0068] 按化學方程式；NaF+Na2C〇3+2BaO+6H3B〇3+0.她aFs- 化sBaa 炬306) 2F+C化 t +&0 t + HF t 制備化3833炬3〇6)2尸，所用原料（分析純）；化巧5. 194g、Na2C〇363. 597g、Ba0184. 008g、 H3BO3222. 616g、BaF263. 115g(其中的化、Ba、B、F 與 BaFs 的摩爾比為 3:2:6:1:0. 6,等同