本發明涉及西蘭花栽培技術領域，尤其涉及一種提高西蘭花產量的栽培方法。
背景技術：
隨著西蘭花的種植面積增加，如何提升單位土地的產量并且保證西蘭花的營養價值，已經成為一個亟待解決的問題。西蘭花由于種植密度增加，年年輪作，土壤肥力和通透性已經在一定程度上有所下降，使西蘭花產量和營養價值下降。因此，科學栽培西蘭花方法成為目前需要解決的技術問題。
技術實現要素：
基于背景技術存在的技術問題，本發明提出了一種提高西蘭花產量的栽培方法，為西蘭花的生長提供了豐富而合理的營養物質，又改善保護了土壤的生態環境，同時對常見廢棄物進行了高效的再利用，提高西蘭花的產量。
本發明提出的一種提高西蘭花產量的栽培方法，包括以下步驟：
s1、選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔100-120cm處挖一個坑，每個坑內放入朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，淺翻入土；
s2、向s1所得土壤中撒播西蘭花種子，待西蘭花花球生長期再均噴施一次防蟲害噴灑液，至西蘭花花球成熟，得到西蘭花。
優選地，s1中，選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔100-120cm處挖一個坑，坑深30-40cm，坑直徑10-15cm，每個坑內放入1.5-2.5kg朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，施用量為30-45kg/667m3，淺翻入土。
優選地，s1中西蘭花底肥采用如下工藝制備：將尿素、石楠葉、蕨菜根、芹菜葉、活性污泥、鋸末混合，密封腐熟，加入陶粒、硼砂、高嶺土、杉木炭、淀粉復合物混合均勻得到西蘭花底肥。
優選地，s1的西蘭花底肥制備工藝中，密封腐熟時間為80-90天，密封腐熟溫度為28-30℃。
優選地，s1中西蘭花底肥采用如下工藝制備：按重量份將60-80份尿素、5-12份石楠葉、4-10份蕨菜根、5-12份芹菜葉、4-12份活性污泥、4-10份鋸末混合，密封腐熟80-90天，密封腐熟溫度為28-30℃，加入2-4份陶粒、1-3份硼砂、1-3份高嶺土、1-2份杉木炭、2-6份淀粉復合物混合均勻得到西蘭花底肥。
優選地，s1的西蘭花底肥制備工藝中，淀粉復合物采用如下工藝制備：將玉米淀粉、二甲基亞砜攪拌，加入吡啶攪拌均勻，加入鄰苯二甲酸酐，升溫，攪拌，冷卻，加入無水乙醇沉淀，過濾，低溫干燥，粉碎得到淀粉復合物。
優選地，s1的西蘭花底肥制備工藝中，淀粉復合物采用如下工藝制備：將玉米淀粉、二甲基亞砜攪拌2-4h，攪拌溫度為60-70℃，加入吡啶攪拌均勻，加入鄰苯二甲酸酐，升溫至85-95℃，攪拌40-80min，冷卻，加入無水乙醇沉淀，過濾，低溫干燥，粉碎得到淀粉復合物。
優選地，s1的西蘭花底肥制備工藝中，淀粉復合物采用如下工藝制備：按重量份將30-50份玉米淀粉、100-140份二甲基亞砜攪拌2-4h，攪拌溫度為60-70℃，加入2-6份吡啶攪拌均勻，加入1-3份鄰苯二甲酸酐，升溫至85-95℃，攪拌40-80min，冷卻，加入無水乙醇沉淀，過濾，低溫干燥，粉碎得到淀粉復合物。
本發明的西蘭花栽培方法科學有效，能夠提高西蘭花對營養物質的吸收效果，為西蘭花提供更好的營養，保證西蘭花快速的生長，本發明栽培土壤具有良好的物理化學性狀，保證西蘭花底肥施加后，土壤中的水、氣、熱狀況的協調，疏松透氣，保肥保水效果好。
在西蘭花底肥中，石楠葉、蕨菜根、芹菜葉、鋸末是日常生活中常見的廢棄物，混合發酵后，可為西蘭花的生長提供豐富的營養物質，與無機肥料搭配使用，不僅能快速促進西蘭花的生長發育，又能保護土壤環境，提高肥料的利用率；而在淀粉復合物中，玉米淀粉在吡啶催化下與鄰苯二甲酸作用，制品具有大量吸附位點，而且親水性好，力學性能優異，一方面由于含有天然大分子鏈，經過改性之后增加了與金屬離子的絡合位點，吸附效果好，另一方面淀粉本身屬于可降解資源，對環境無污染，便于處理，與陶粒、硼砂、高嶺土、杉木炭配合，可顯著改善土壤通透性，施加到土壤中，可吸附固定部分營養物質，進一步減少養分的流失，又能吸附重金屬等有害物質，改善土壤的環境，促進根部呼吸發育，增強植株長勢，并能降低根部潰爛現象的發生。
本發明為西蘭花的生長提供了豐富而合理的營養物質，改善保護了土壤的生態環境，而且對常見廢棄物進行了高效的再利用，同時使最終所得西蘭花的產量提高了24-28％以上，有很好的食用價值。
具體實施方式
下面，通過具體實施例對本發明的技術方案進行詳細說明。
實施例1
一種提高西蘭花產量的栽培方法，包括以下步驟：
s1、選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔100-120cm處挖一個坑，每個坑內放入朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，淺翻入土；
s2、向s1所得土壤中撒播西蘭花種子，待西蘭花花球生長期再均噴施一次防蟲害噴灑液，至西蘭花花球成熟，得到西蘭花。
實施例2
一種提高西蘭花產量的栽培方法，包括以下步驟：
s1、選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔100-120cm處挖一個坑，坑深30cm，坑直徑15cm，每個坑內放入1.5kg朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，施用量為45kg/667m3，淺翻入土；
西蘭花底肥采用如下工藝制備：將尿素、石楠葉、蕨菜根、芹菜葉、活性污泥、鋸末混合，密封腐熟，加入陶粒、硼砂、高嶺土、杉木炭、淀粉復合物混合均勻得到西蘭花底肥；
s2、向s1所得土壤中撒播西蘭花種子，待西蘭花花球生長期再均噴施一次防蟲害噴灑液，至西蘭花花球成熟，得到西蘭花。
實施例3
一種提高西蘭花產量的栽培方法，包括以下步驟：
s1、選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔100-120cm處挖一個坑，坑深40cm，坑直徑10cm，每個坑內放入2.5kg朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，施用量為30kg/667m3，淺翻入土；
西蘭花底肥采用如下工藝制備：將尿素、石楠葉、蕨菜根、芹菜葉、活性污泥、鋸末混合，密封腐熟85天，密封腐熟溫度為29℃，加入陶粒、硼砂、高嶺土、杉木炭、淀粉復合物混合均勻得到西蘭花底肥；
上述淀粉復合物采用如下工藝制備：將玉米淀粉、二甲基亞砜攪拌，加入吡啶攪拌均勻，加入鄰苯二甲酸酐，升溫，攪拌，冷卻，加入無水乙醇沉淀，過濾，低溫干燥，粉碎得到淀粉復合物；
s2、向s1所得土壤中撒播西蘭花種子，待西蘭花花球生長期再均噴施一次防蟲害噴灑液，至西蘭花花球成熟，得到西蘭花。
實施例4
一種提高西蘭花產量的栽培方法，包括以下步驟：
s1、選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔105-115cm處挖一個坑，坑深32cm，坑直徑14cm，每個坑內放入1.8kg朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，施用量為40kg/667m3，淺翻入土；
西蘭花底肥采用如下工藝制備：按重量份將65份尿素、10份石楠葉、6份蕨菜根、10份芹菜葉、6份活性污泥、8份鋸末混合，密封腐熟82天，密封腐熟溫度為29.5℃，加入2.5份陶粒、2.5份硼砂、1.5份高嶺土、1.8份杉木炭、3份淀粉復合物混合均勻得到西蘭花底肥；
上述淀粉復合物采用如下工藝制備：將玉米淀粉、二甲基亞砜攪拌3h，攪拌溫度為65℃，加入吡啶攪拌均勻，加入鄰苯二甲酸酐，升溫至90℃，攪拌60min，冷卻，加入無水乙醇沉淀，過濾，低溫干燥，粉碎得到淀粉復合物；
s2、向s1所得土壤中撒播西蘭花種子，待西蘭花花球生長期再均噴施一次防蟲害噴灑液，至西蘭花花球成熟，得到西蘭花。
實施例5
一種提高西蘭花產量的栽培方法，包括以下步驟：
s1、選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔105-115cm處挖一個坑，坑深38cm，坑直徑11cm，每個坑內放入2.2kg朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，施用量為35kg/667m3，淺翻入土；
西蘭花底肥采用如下工藝制備：按重量份將75份尿素、6份石楠葉、8份蕨菜根、8份芹菜葉、10份活性污泥、6份鋸末混合，密封腐熟88天，密封腐熟溫度為28.5℃，加入3.5份陶粒、1.5份硼砂、2.5份高嶺土、1.2份杉木炭、5份淀粉復合物混合均勻得到西蘭花底肥；
上述淀粉復合物采用如下工藝制備：按重量份將30份玉米淀粉、140份二甲基亞砜攪拌2h，攪拌溫度為70℃，加入2份吡啶攪拌均勻，加入3份鄰苯二甲酸酐，升溫至85℃，攪拌80min，冷卻，加入無水乙醇沉淀，過濾，低溫干燥，粉碎得到淀粉復合物；
s2、向s1所得土壤中撒播西蘭花種子，待西蘭花花球生長期再均噴施一次防蟲害噴灑液，至西蘭花花球成熟，得到西蘭花。
實施例6
一種提高西蘭花產量的栽培方法，包括以下步驟：
s1、選擇土壤疏松，排水良好的沙壤土，每隔105-115cm處挖一個坑，坑深35cm，坑直徑12cm，每個坑內放入2kg朽木渣，上面覆一層麻衣，之后用原沙壤土填實，澆透水，等土自然曬干，再施用西蘭花底肥，施用量為38kg/667m3，淺翻入土；
西蘭花底肥采用如下工藝制備：按重量份將70份尿素、8份石楠葉、7份蕨菜根、9份芹菜葉、8份活性污泥、7份鋸末混合，密封腐熟85天，密封腐熟溫度為29℃，加入3份陶粒、2份硼砂、2份高嶺土、1.5份杉木炭、4份淀粉復合物混合均勻得到西蘭花底肥；
上述淀粉復合物采用如下工藝制備：按重量份將50份玉米淀粉、100份二甲基亞砜攪拌4h，攪拌溫度為60℃，加入6份吡啶攪拌均勻，加入1份鄰苯二甲酸酐，升溫至95℃，攪拌40min，冷卻，加入無水乙醇沉淀，過濾，低溫干燥，粉碎得到淀粉復合物；
s2、向s1所得土壤中撒播西蘭花種子，待西蘭花花球生長期再均噴施一次防蟲害噴灑液，至西蘭花花球成熟，得到西蘭花。
以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。