一種鉭酸鋰基片黑化方法與流程

本發明涉及鉭酸鋰基片黑化領域，具體涉及一種鉭酸鋰基片黑化方法。

背景技術：

鉭酸鋰晶體是一種典型的多功能材料，具有良好的壓電、鐵電、熱釋電、聲光、電光、光折變及非線性等物理特性，在聲表面波器件、光通訊、激光及光電子領域中廣泛應用。鉭酸鋰晶體的壓電系數較大，因此適合制造低插入損耗聲表面波濾波器的基片。

鉭酸鋰晶體具有高的熱釋電系數，因此溫度變化會導致晶片表面產生大量靜電荷，這些靜電荷會在晶片間，尤其是叉指電極間自動釋放，達到一定程度會出現鉭酸鋰晶片開裂和叉指電極燒毀等問題。因為鉭酸鋰晶體是無色透明的，進行光刻工藝時，會產生漫反射導致電極線條精度降低。鉭酸鋰晶片經過還原處理，可以有效的避免靜電荷在晶片表面的積累，熱釋電效應明顯降低。這種還原處理后的鉭酸鋰晶片呈現褐色甚至黑色，因此稱為黑化，同時提高了光刻工藝的精度。

鉭酸鋰的黑化技術目前分為幾種。一種是將鉭酸鋰晶片放在和的還原氣氛中，進行高溫熱處理。這種工藝效率較高，但容易產生爆炸的危險，對設備要求較高同時容易出現退極化現象。另外一種是將鉭酸鋰晶片埋在還原劑構成的粉末中，低溫熱處理。還原劑為c、si、mg、al、fe、碳酸鋰、碳酸鎂、碳酸鈣等，配比不同，熱處理溫度不同，黑化的效果和退極化情況有顯著差異。

技術實現要素：

本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供一種鉭酸鋰基片黑化方法，降低熱釋電效應，同時保持鉭酸鋰晶片的壓電性能。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

一種鉭酸鋰基片黑化方法，其特征在于包括以下步驟：

s01：鉭酸鋰基片通過c粉或石墨粉埋覆在石英槽或耐高溫金屬槽中；

s02：在低真空度還原爐內，通入帶水蒸氣的，還原反應爐溫度控制在450-500℃，恒溫3~10h；

s03：與c粉發生反應生成、co與鉭酸鋰基片進行還原反應，尾氣處理后排放；

s04：還原反應結束后取出鉭酸鋰基片。

進一步的，所述的步驟s02中的水蒸氣的比例是30%~60%。

優選的，所述的的水蒸氣的比例是53%。

優選地，所述的的水蒸氣的比例是43%。

進一步的，所述的步驟s02中是流量為（0.5-1.5）l/min。

優選的，所述的是流量為1l/min。

進一步的，所述的步驟s01中c粉或石墨粉將鉭酸鋰基片完全覆蓋。

本發明的有益效果是：本發明提出的鉭酸鋰晶片黑化工藝方法，原材料c價格便宜成本低，通過反應生成的h2、co大部分與鉭酸鋰發生還原反應，效率高且生產安全。

具體實施方式

下面進一步詳細描述本發明的技術方案，但本發明的保護范圍不局限于以下所述。

【實施例1】

將鉭酸鋰基片放置于合適尺寸的石英槽中，埋覆在c粉中，完全覆蓋晶片。在低真空度還原爐內，通入帶h20氣氛n2，流量為0.5l/min，還原反應爐升溫到500℃，恒溫10h。h20與c粉發生反應生成h2、co與鉭酸鋰基片進行還原反應，尾氣處理后排放。還原反應結束后取出鉭酸鋰基片。

【實施例2】

將鉭酸鋰基片放置于合適尺寸的石英槽中，埋覆在c粉中，完全覆蓋晶片。在低真空度還原爐內，通入帶h20氣氛n2，流量為1l/min，還原反應爐升溫到500℃，恒溫5h。h20與c粉發生反應生成h2、co與鉭酸鋰基片進行還原反應，尾氣處理后排放。還原反應結束后取出鉭酸鋰基片。

【實施例3】

將鉭酸鋰基片放置于合適尺寸的石英槽中，埋覆在c粉中，完全覆蓋晶片。在低真空度還原爐內，通入帶h20氣氛n2，流量為1.5l/min，還原反應爐升溫到500℃，恒溫3h。h20與c粉發生反應生成h2、co與鉭酸鋰基片進行還原反應，尾氣處理后排放。還原反應結束后取出鉭酸鋰基片。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當理解本發明并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環境，并能夠在本文所述構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本發明的精神和范圍，則都應在本發明所附權利要求的保護范圍內。