透光性氧化鋯燒結(jié)體和其制造方法以及其用途與流程

本發(fā)明涉及具有高的透光性和強度的氧化鋯燒結(jié)體和其制造方法。
背景技術(shù)：
：以氧化鋯為主成分、且具有透光性的燒結(jié)體(以下，也稱為“透光性氧化鋯燒結(jié)體”)與玻璃、氧化鋁相比，機械特性優(yōu)異。因此，研究了透光性氧化鋯燒結(jié)體作為以不僅需要光學(xué)特性還需要機械特性的用途為目的的原材料。例如，專利文獻1中公開了，作為適于齒科用材料、外裝構(gòu)件等的原材料的透光性氧化鋯燒結(jié)體。該透光性氧化鋯燒結(jié)體是含有3mol％的氧化釔的氧化鋯燒結(jié)體。專利文獻2中公開了，作為適于齒科用材料、特別是齒列矯正托架的原材料的透光性氧化鋯燒結(jié)體。該透光性氧化鋯燒結(jié)體是含有8mol％的氧化釔的氧化鋯燒結(jié)體。專利文獻3中公開了，作為適于用來得到齒科用材料、特別是假牙和假牙的磨坯(millblank)的原材料的氧化鋯燒結(jié)體。該氧化鋯燒結(jié)體是含有氧化釔和氧化鈦的氧化鋯燒結(jié)體。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：日本國專利公開2008-050247號公報專利文獻2：日本國專利公開2009-269812號公報專利文獻3：日本國專利公開2008-222450號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題以往的氧化鋯燒結(jié)體由于氧化鋯中的穩(wěn)定化劑的含量變高，透光性變高的同時強度降低。另一方面，由于穩(wěn)定化劑的含量變低，以往的氧化鋯燒結(jié)體的透光性變低的同時強度變高。如此，以往的氧化鋯燒結(jié)體僅透光性或強度中的任一者高。本發(fā)明的目的在于，解決這些課題，提供兼具高的透光性和高的強度的氧化鋯燒結(jié)體。用于解決問題的方案本研究人等對具有透光性的氧化鋯燒結(jié)體進行了研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)：通過控制晶體顆粒內(nèi)的組織結(jié)構(gòu)，成為兼具強度和透光性的燒結(jié)體。進而發(fā)現(xiàn)：這樣的晶體顆粒內(nèi)的組織結(jié)構(gòu)可以通過使鑭固溶于氧化鋯而控制。即，本發(fā)明以以下的[1]至[10]為主旨。[1]一種氧化鋯燒結(jié)體，其特征在于，包含具有立方晶域和正方晶域的晶體顆粒，且固溶有穩(wěn)定化劑和鑭。[2]根據(jù)上述[1]所述的氧化鋯燒結(jié)體，其中，以cukα為射線源的粉末x射線衍射譜圖中由2θ＝30±2°處的半值寬度算出的平均微晶直徑為255nm以下。[3]根據(jù)上述[1]或[2]所述的氧化鋯燒結(jié)體，其中，以cukα為射線源的粉末x射線衍射譜圖中由2θ＝30±2°處的半值寬度算出的平均微晶直徑為100nm以下。[4]根據(jù)上述[1]至[3]中任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其中，鑭含量為1mol％以上且10mol％以下。[5]根據(jù)上述[1]至[4]中任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其中，穩(wěn)定化劑為由氧化釔、氧化鈧、氧化鈣、氧化鎂和氧化鈰組成的組中的至少1種。[6]根據(jù)上述[1]至[5]中任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其中，彎曲強度為500mpa以上。[7]根據(jù)上述[1]至[6]中任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體，其中，以試樣厚度為1mm、以d65光源為射線源的總透光率為45％以上。[8]一種上述[1]至[7]中任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體的制造方法，其特征在于，包括如下工序：混合工序，將氧化鋯原料、穩(wěn)定化劑原料和鑭原料混合而得到混合粉末；成型工序，將所得混合粉末成型而得到成型體；燒結(jié)工序，將所得成型體以1650℃以上的燒結(jié)溫度進行燒結(jié)而得到燒結(jié)體；和，降溫工序，以超過1℃/分鐘的降溫速度從燒結(jié)溫度降溫直至1000℃。[9]根據(jù)上述[8]所述的制造方法，其中，前述燒結(jié)工序包括一次燒結(jié)和二次燒結(jié)，所述一次燒結(jié)是以1000℃以上且低于1650℃進行焙燒而得到一次燒結(jié)體，所述二次燒結(jié)是將該一次燒結(jié)體以1650℃以上進行燒結(jié)。[10]一種齒科用構(gòu)件，其包含上述[1]至[7]中任一項所述的氧化鋯燒結(jié)體。以下，對本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體進行說明。本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體是在氧化鋯中固溶有鑭的鑭固溶氧化鋯燒結(jié)體，而不是在燒結(jié)體中單純地包含鑭(la)。通過鑭固溶，燒結(jié)體的晶體顆粒的組織結(jié)構(gòu)變微細。本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體(以下，也稱為“本發(fā)明的燒結(jié)體”)中，鑭固溶于氧化鋯可以通過粉末x射線衍射(以下，記作“xrd”)譜圖而確認。本發(fā)明的燒結(jié)體在以cukα射線(λ＝0.15418nm)為射線源的xrd測定中具有2θ＝30±2°的峰(以下，稱為“主峰”)。主峰是正方晶氧化鋯的xrd峰(2θ＝30.0±2°)和立方晶氧化鋯的xrd峰(2θ＝29.6±2°)重復(fù)而成的峰，并且是本發(fā)明的燒結(jié)體的xrd譜圖中的衍射強度最強的xrd峰。由主峰求出的晶格常數(shù)(latticeparameter)大于未固溶鑭的氧化鋯燒結(jié)體的晶格常數(shù)，因此可以確認，本發(fā)明的燒結(jié)體中鑭固溶于氧化鋯。例如，本發(fā)明的燒結(jié)體含有鑭和3mol％的氧化釔時，其晶格常數(shù)大于僅含有等量的氧化釔的氧化鋯燒結(jié)體的晶格常數(shù)。晶格常數(shù)大可以通過xrd譜圖中主峰向低角度側(cè)移動來確認。進而，本發(fā)明的燒結(jié)體優(yōu)選的是，實質(zhì)上不含有由鑭和鋯形成的復(fù)合氧化物或鑭氧化物(以下，也稱為“鑭氧化物等”)。通過不含鑭氧化物等，本發(fā)明的燒結(jié)體成為透光性更高的燒結(jié)體。不含鑭氧化物等可以通過本發(fā)明的燒結(jié)體的xrd譜圖中不具有相當于除氧化鋯的xrd峰之外的xrd峰來確認。作為鑭氧化物等，可以舉出：la2zr2o7和la2o3。本發(fā)明的燒結(jié)體的鑭含量優(yōu)選為1mol％以上。通過含有2mol％以上的鑭，晶體顆粒中的域容易變微細。需要說明的是，鑭含量(mol％)是氧化物換算的鑭相對于燒結(jié)體中的氧化鋯、穩(wěn)定化劑和氧化物換算的鑭(la2o3)的總計的摩爾比率。由于使全部鑭固溶于氧化鋯，因此，本發(fā)明的燒結(jié)體的鑭的含量優(yōu)選為10mol％以下。通過使鑭的含量為10mol％以下，鑭氧化物等的析出被進一步抑制，并且，本發(fā)明的燒結(jié)體的強度容易變高。作為優(yōu)選的鑭含量，可以舉出：1mol％以上且10mol％以下、進一步為1mol％以上且7mol％以下、而且進一步為2mol％以上且10mol％以下、而且進一步為2mol％以上且7mol％以下、而且進一步為2mol％以上且6.5mol％以下、而且進一步為3mol％以上且6.5mol％以下。鑭為鑭系元素，本發(fā)明的燒結(jié)體優(yōu)選不含除鑭之外的鑭系元素。作為除鑭之外的鑭系元素，例如可以舉出：銪(eu)、鎘(gd)、鋱(tb)、鏑(dy)、鈥(ho)、鉺(er)、銩(tm)、鐿(yb)或镥(lu)。包含除鑭之外的鑭系元素時，變得不易得到包含立方晶域和正方晶域的晶體顆粒。因此，優(yōu)選不含超過作為不可避免的雜質(zhì)包含的量的、除鑭之外的鑭系元素。優(yōu)選本發(fā)明的燒結(jié)體不含除鑭之外的鑭系元素，如果考慮組成分析的測定誤差，則可以例示本發(fā)明的燒結(jié)體中的除鑭之外的鑭系元素的含量為0.6mol％以下。本發(fā)明的燒結(jié)體包含穩(wěn)定化劑。穩(wěn)定化劑固溶于氧化鋯中。通過鑭和穩(wěn)定化劑固溶于氧化鋯，即使在室溫等低溫環(huán)境下也成為本發(fā)明的燒結(jié)體的晶體顆粒(crystalgrain)包含立方晶域和正方晶域的狀態(tài)。穩(wěn)定化劑優(yōu)選為由氧化釔(y2o3)、氧化鈧(sc2o3)、氧化鈣(cao)、氧化鎂(mgo)和氧化鈰(ceo2)組成的組中的至少1種。由于工業(yè)上容易利用，因此，穩(wěn)定化劑由氧化鈣、氧化鎂和氧化釔組成的組中的至少任一者，進一步優(yōu)選為氧化釔。本發(fā)明的燒結(jié)體所包含的穩(wěn)定化劑可以舉出：2mol％以上且7mol％以下、進一步為2mol％以上且5mol％以下、而且進一步為2.1mol％以上且4.9mol％以下、而且進一步為2mol％以上且4mol％以下。需要說明的是，穩(wěn)定化劑含量(mol％)是穩(wěn)定化劑相對于燒結(jié)體中的氧化鋯、穩(wěn)定化劑和氧化物換算的鑭(la2o3)的總計的摩爾比率。本發(fā)明的燒結(jié)體為氧化鋯燒結(jié)體，是以氧化鋯為主成分的燒結(jié)體。因此，本發(fā)明的燒結(jié)體中所含的穩(wěn)定化劑和鑭的總含量只要低于50mol％即可。本發(fā)明的燒結(jié)體的氧化鋯含量只要超過50mol％即可，進一步優(yōu)選為60mol％以上、而且進一步為80mol％以上、而且進一步超過83mol％、而且進一步為90mol％以上。本發(fā)明的燒結(jié)體也可以包含氧化鋁(al2o3)。通過含有氧化鋁，特別是強度高的燒結(jié)體中的透光性容易變高。本發(fā)明的燒結(jié)體包含氧化鋁時，氧化鋁含量優(yōu)選為100重量ppm以上且2000重量ppm以下、進一步優(yōu)選為200重量ppm以上且1000重量ppm以下。氧化鋁的含量(重量ppm)是氧化物換算的鋁(al2o3)相對于燒結(jié)體中的氧化鋯、穩(wěn)定化劑和氧化物換算的鑭(la2o3)的總重量的重量比率。本發(fā)明的燒結(jié)體具有上述組成，但也可以包含不可避免的雜質(zhì)。作為不可避免的雜質(zhì)，可以舉出：鉿(hf)和除鑭之外的稀土元素(ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu)。作為本發(fā)明的燒結(jié)體的優(yōu)選的組成，可以舉出以下的摩爾組成。氧化鋯(zro2)：90mol％以上且95mol％以下穩(wěn)定化劑：2mol％以上且5mol％以下鑭(la2o3)：2mol％以上且6.5mol％以下作為本發(fā)明的燒結(jié)體的特別優(yōu)選的組成，可以舉出以下的摩爾組成。氧化鋯(zro2)：92mol％以上且94mol％以下穩(wěn)定化劑：2mol％以上且4mol％以下鑭(la2o3)：3mol％以上且5mol％以下上述組成中的穩(wěn)定化劑優(yōu)選為氧化釔。本發(fā)明的燒結(jié)體在晶體顆粒中具有立方晶域和正方晶域。通過在晶體顆粒中包含立方晶域和正方晶域，不僅透光性高，而且強度變高。本發(fā)明中，域是指，晶體顆粒中的微晶(crystallite)或微晶的集合體中的至少任一者，即，同一晶體結(jié)構(gòu)連續(xù)而成的部分。另外，立方晶域是指晶體結(jié)構(gòu)為立方晶熒石型結(jié)構(gòu)的域；以及，正方晶域是指晶體結(jié)構(gòu)為正方晶熒石型結(jié)構(gòu)的域。本發(fā)明的燒結(jié)體在其晶體顆粒中具有立方晶域和正方晶域可以通過xrd譜圖的rietveld解析來確認。即，通過xrd譜圖的rietveld解析，可以確認本發(fā)明的燒結(jié)體包含立方晶和正方晶。并且，通過rietveld解析算出的立方晶和正方晶的各微晶直徑小于晶粒直徑，因此可以確認，晶體顆粒中包含立方晶域和正方晶域。本發(fā)明的燒結(jié)體包含具有立方晶域和正方晶域的晶體顆粒，優(yōu)選由具有立方晶域和正方晶域的晶體顆粒形成。本發(fā)明的燒結(jié)體包含上述域，因此，其晶體結(jié)構(gòu)包含立方晶熒石型結(jié)構(gòu)和正方晶熒石型結(jié)構(gòu)。進而，本發(fā)明的燒結(jié)體優(yōu)選實質(zhì)上不含單斜晶。此處，實質(zhì)上不含單斜晶可以舉出：xrd譜圖中沒有確認到單斜晶的xrd峰。立方晶域和正方晶域的鑭濃度可以相同，但本發(fā)明的燒結(jié)體中，晶體顆粒中的立方晶域和正方晶域的各鑭濃度也可以不同，進而立方晶域的鑭濃度可以高于正方晶域的鑭濃度。本發(fā)明中，各域中的鑭濃度可以通過透射式電子顯微鏡(以下，記作“tem”)觀察中的組成分析來觀察。本發(fā)明的燒結(jié)體的由主峰的半值寬度(以下，記作“fwhm”)算出的平均微晶直徑(averagecrystallitesize；以下，也簡單稱為“平均微晶直徑”)優(yōu)選為255nm以下。通過平均微晶直徑為250nm以下、進一步為200nm以下、而且進一步為150nm以下、而且進一步為130nm以下，透光性容易變高。進而，通過平均微晶直徑為100nm以下、進一步為60nm以下、而且進一步為50nm以下、而且進一步為30nm以下，光散射被進一步抑制。由此本發(fā)明的燒結(jié)體的透光性變得更高。優(yōu)選平均微晶直徑小，但本發(fā)明的燒結(jié)體中，可以舉出：通常為2nm以上、進一步為5nm以上、而且進一步為10nm以上、而且進一步為15nm以上。本發(fā)明的燒結(jié)體的平均微晶直徑為255nm以下可以通過本發(fā)明的燒結(jié)體的xrd譜圖中fwhm為0.1536°以上來確認。因此，本發(fā)明的燒結(jié)體的fwhm優(yōu)選為0.1536°以上。fwhm越大，平均微晶直徑變得越小。例如，對于fwhm，平均微晶直徑為250nm以下時成為0.154°以上，200nm以下時成為0.1635°以上，150nm以下時成為0.178°以上，130nm以下時成為0.187°以上，以及100nm以下時成為0.25℃以上。fwhm優(yōu)選為0.3°以上、進一步優(yōu)選為0.4°以上。另一方面，結(jié)晶性越高，xrd峰的fwhm變得越小，但通常的xrd測定中能夠測定的fwhm僅為40°左右。作為本發(fā)明的燒結(jié)體的主峰的fwhm，可以舉出：1°以下、進一步為0.7°以下。需要說明的是，本發(fā)明的晶體顆粒中所含的、立方晶和正方晶的各微晶直徑可以通過本發(fā)明的燒結(jié)體的xrd譜圖的rietveld解析來求出。即，通過rietveld法，將本發(fā)明的燒結(jié)體的xrd譜圖分為源自立方晶的xrd峰和源自正方晶的xrd峰。求出分離后的各晶體結(jié)構(gòu)的xrd峰的半值寬度，根據(jù)所得半值寬度，通過以下的謝勒公式可以求出微晶直徑。d＝k×λ/((β-b)×cosθ)上述式中，d為各晶體的微晶直徑(nm)、k為謝勒常數(shù)(1.0)、λ為cukα的波長(0.15418nm)、β為半值寬度(°)、b為裝置常數(shù)(0.1177°)、和θ為xrd峰的衍射角(°)。求出半值寬度時的xrd峰是：正方晶為2θ＝30.0±2°的xrd峰、和立方晶為2θ＝29.6±2°的xrd峰。本發(fā)明的燒結(jié)體的平均晶粒直徑(averagecryatalgrainsize)可以舉出：20μm以上且100μm以下、進一步為30μm以上且90μm以下。通過平均晶粒直徑為該范圍，成為透光性高的燒結(jié)體。本發(fā)明中，平均晶粒直徑可以通過平面測量法(planimetricmethod)來測定。本發(fā)明的燒結(jié)體的密度優(yōu)選高。根據(jù)穩(wěn)定化劑和鑭的量而密度不同。本發(fā)明的燒結(jié)體的密度可以舉出：6.0g/cm3以上且6.2g/cm3以下、進一步為6.0g/cm3以上且6.12g/cm3以下。本發(fā)明的燒結(jié)體具有高的透光性(translucency)。因此，本發(fā)明的燒結(jié)體的以試樣厚度為1mm、以d65光源為射線源的總透光率(以下，也簡單稱為“總透光率”)為45％以上。透光性越高越優(yōu)選，總透光率優(yōu)選為50％以上、而且進一步優(yōu)選為55％以上。平均微晶直徑越大，有總透光率變得越高的傾向。例如，鑭含量為2.5mol％以上時，平均微晶直徑為25nm以上，由此，總透光率變?yōu)?5％以上。本發(fā)明的燒結(jié)體的透光性只要滿足上述總透光率即可，以試樣厚度為1mm、以d65光源為射線源的直線透射率(以下，也簡單稱為“直線透射率”)為1％以上、進一步為3％以上、而且進一步為10％以上、而且進一步為20％以上、而且進一步為30％以上，由此成為透明性(transparency)更高的燒結(jié)體，故優(yōu)選。本發(fā)明的燒結(jié)體的直線透射率的上限可以舉出：70％以下、進一步為66％以下。另一方面，以本發(fā)明的燒結(jié)體的試樣厚度為1mm、以d65光源為射線源的擴散透射率(以下，也簡單稱為“擴散透射率”)優(yōu)選為10％以上、進一步優(yōu)選為15％以上、而且進一步優(yōu)選為20％以上。作為更優(yōu)選的擴散透射率，可以舉出：30％以上且65％以下。本發(fā)明的燒結(jié)體具有高的強度。作為本發(fā)明的燒結(jié)體的彎曲強度，可以舉出：500mpa以上、進一步600mpa以上。能夠應(yīng)用的用途廣泛，因此，本發(fā)明的燒結(jié)體的強度優(yōu)選為800mpa以上、進一步優(yōu)選為1000mpa以上。本發(fā)明中的強度以依據(jù)iso/dis6872測定的二軸彎曲強度計，可以舉出：500mpa以上且1600mpa以下、進一步為600mpa以上且1500mpa以下。另外，本發(fā)明中的強度以依據(jù)jisr1601測定的三點彎曲強度計，可以舉出：500mpa以上且1500mpa以下、進一步為600mpa以上且1200mpa以下。本發(fā)明的燒結(jié)體優(yōu)選與含有8mol％氧化釔的氧化鋯燒結(jié)體等由立方晶氧化鋯形成的透光性氧化鋯燒結(jié)體具有等同以上的斷裂韌性。由此，本發(fā)明的燒結(jié)體可以作為使用以往的透光性氧化鋯燒結(jié)體的構(gòu)件而使用。作為本發(fā)明的燒結(jié)體的斷裂韌性，可以舉出：1.7mp·m0.5以上、進一步為1.8mpa·m0.5以上、而且進一步為2mpa·m0.5以上、而且進一步為2.2mpa·m0.5以上。本發(fā)明中，斷裂韌性可以通過依據(jù)jisr1607的if法或sepb法中的任一者來測定。接著，對本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體的制造方法進行說明。本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體可以通過如下制造方法而制造，所述制造方法包括如下工序：混合工序，將氧化鋯原料、穩(wěn)定化劑原料和鑭原料混合而得到混合粉末；成型工序，將所得混合粉末成型而得到成型體；燒結(jié)工序，將所得成型體以1650℃以上的燒結(jié)溫度進行燒結(jié)而得到燒結(jié)體；和，降溫工序，以超過1℃/分鐘的降溫速度從燒結(jié)溫度降溫直至1000℃。混合工序中，將氧化鋯原料、穩(wěn)定化劑原料和鑭原料混合而得到混合粉末。氧化鋯原料、穩(wěn)定化劑原料和鑭原料只要均勻混合即可，混合方法可以為濕式混合或干式混合，均可。為了得到更均勻的混合粉末，混合方法優(yōu)選為濕式混合，更優(yōu)選為利用濕式球磨機或濕式攪拌研磨機中的至少任一者進行的濕式混合。氧化鋯原料為氧化鋯或其前體，可以舉出：bet比表面積為4～20m2/g的氧化鋯粉末。穩(wěn)定化劑原料可以舉出：由氧化釔、氧化鈧、氧化鈣、氧化鎂和氧化鈰組成的組中的至少1種(穩(wěn)定化劑)的粉末或其前體、進一步為氧化釔的粉末或其前體。進而，氧化鋯原料優(yōu)選為包含穩(wěn)定化劑的氧化鋯粉末。這樣的氧化鋯粉末成為氧化鋯原料和穩(wěn)定化劑原料。氧化鋯粉末所含有的穩(wěn)定化劑優(yōu)選為由氧化釔、氧化鈧、氧化鈣、氧化鎂和氧化鈰組成的組中的至少1種，更優(yōu)選為氧化釔。作為含穩(wěn)定化劑的氧化鋯粉末，優(yōu)選為含有2mol％～7mol％的穩(wěn)定化劑的氧化鋯粉末、進一步優(yōu)選為bet比表面積為4～20m2/g、且含有2mol％～7mol％的穩(wěn)定化劑的氧化鋯粉末。含穩(wěn)定化劑的氧化鋯粉末所含有的穩(wěn)定化劑量優(yōu)選為2mol％～5mol％、進一步優(yōu)選為2mol％～4mol％。鑭原料可以舉出包含鑭的化合物，可以舉出：由氧化鑭、氫氧化鑭、硝酸鑭、硫酸鑭、氯化鑭、碳酸鑭和燒綠石型la2zr2o7組成的組中的至少1種，優(yōu)選為氧化鑭或la2zr2o7中的至少任一者。混合粉末可以包含氧化鋁原料。氧化鋁原料可以舉出：包含鋁的化合物，可以舉出：由氧化鋁、氫氧化鋁、碳酸鋁和尖晶石組成的組中的至少1種、進一步為氧化鋁。作為優(yōu)選的氧化鋁，可以舉出：α型氧化鋁或γ型氧化鋁中的至少任一者、進一步為α型氧化鋁?；旌戏勰┑慕M成只要為期望的比率即可，可以舉出：以氧化物換算計、氧化鋯為超過83mol％且97mol％以下、穩(wěn)定化劑為2mol％以上且7mol％以下、鑭為1mol％以上且10mol％以下。作為優(yōu)選的混合粉末的組成，可以舉出以下的摩爾組成。氧化鋯(zro2)：90mol％以上且95mol％以下穩(wěn)定化劑：2mol％以上且5mol％以下鑭(la2o3)：2mol％以上且6.5mol％以下作為特別優(yōu)選的混合粉末的組成，可以舉出以下的摩爾組成。氧化鋯(zro2)：92mol％以上且94mol％以下穩(wěn)定化劑：2mol％以上且4mol％以下鑭(la2o3)：3mol％以上且5mol％以下上述組成中的穩(wěn)定化劑優(yōu)選為氧化釔。成型工序中，將混合粉末成型而得到成型體。只要可以得到期望形狀的成型體即可，成型方法是任意的。作為成型方法，可以舉出：由加壓成型、注射成型、片成型、擠出成型和澆鑄成型組成的組中的至少1種，優(yōu)選為加壓成型或注射成型中的至少任一者。另外，所得成型體的形狀是任意的，例如可以舉出：圓板狀、圓柱狀和多面體狀等形狀、齒列矯正托架、半導(dǎo)體制造夾具、其他復(fù)雜形狀。燒結(jié)工序中，通過將成型體燒結(jié)，得到晶體結(jié)構(gòu)為立方晶等高溫型晶體結(jié)構(gòu)的燒結(jié)體。因此，燒結(jié)工序中，將所得成型體以1650℃以上的燒結(jié)溫度進行燒結(jié)。認為，通過以1650℃以上進行燒結(jié)，燒結(jié)體的晶體結(jié)構(gòu)變?yōu)楦邷匦途w結(jié)構(gòu)。具有高溫型晶體結(jié)構(gòu)的燒結(jié)體經(jīng)過降溫工序，由此，晶體顆粒中的晶體結(jié)構(gòu)生成立方晶域和正方晶域，可以得到包含本發(fā)明的燒結(jié)體的晶體結(jié)構(gòu)的燒結(jié)體。燒結(jié)溫度優(yōu)選為1700℃以上、進一步優(yōu)選為1725℃以上、而且進一步優(yōu)選為1750℃以上。使用通用的焙燒爐時，燒結(jié)溫度可以舉出：2000℃以下、進一步為1900℃以下、而且進一步為1800℃以下。如果以上述燒結(jié)溫度燒結(jié)，則燒結(jié)方法是任意的。作為燒結(jié)方法，例如可以舉出：由常壓燒結(jié)、加壓燒結(jié)和真空燒結(jié)組成的組中的至少任一者，優(yōu)選為常壓燒結(jié)和加壓燒結(jié)。作為本發(fā)明的制造方法中的、優(yōu)選的燒結(jié)工序，可以舉出：僅以常壓燒結(jié)進行的燒結(jié)方法(以下，也稱為“一步燒結(jié)法”)；或，包括將成型體以1000℃以上且低于1650℃進行焙燒而得到一次燒結(jié)體的一次燒結(jié)和將該一次燒結(jié)體以1650℃以上進行燒結(jié)的二次燒結(jié)的燒結(jié)工序(以下，也稱為“兩步燒結(jié)法”)。一步燒結(jié)法只要將燒結(jié)工序供至常壓燒結(jié)(pressurelesssintering)而可以得到本發(fā)明的燒結(jié)體即可。常壓燒結(jié)是指，燒結(jié)時對成型體不施加外部的力而單純地進行加熱由此進行燒結(jié)的方法。常壓燒結(jié)中，只要將成型工序中得到的成型體進行常壓燒結(jié)而形成燒結(jié)體即可。燒結(jié)溫度只要為1600℃以上即可，優(yōu)選為1700℃以上且1900℃以下。燒結(jié)氣氛為氧化氣氛或還原氣氛均可。由于簡便，因此，優(yōu)選為大氣氣氛。兩步燒結(jié)法中，將成型體進行一次燒結(jié)由此形成一次燒結(jié)體，將該一次燒結(jié)體進行二次燒結(jié)。一次燒結(jié)優(yōu)選的是，將成型體以1000℃以上且低于1650℃進行燒結(jié)。一次燒結(jié)的氣氛優(yōu)選為氧化氣氛或還原氣氛中的至少任一者，優(yōu)選為大氣氣氛。作為優(yōu)選的一次燒結(jié)，可以舉出：大氣中、1000℃以上且低于1650、進一步為1400℃以上且1520℃以下的常壓燒結(jié)。由此，所得一次燒結(jié)體的組織變微細。此外，在一次燒結(jié)體的晶體顆粒內(nèi)不易生成氣孔。二次燒結(jié)中，將一次燒結(jié)體以1650℃以上、進一步1700℃以上、而且進一步1725℃以上、而且進一步1750℃以上進行燒結(jié)。為了得到具有高的強度的燒結(jié)體，二次燒結(jié)溫度優(yōu)選為2000℃以下、進一步優(yōu)選為1900℃以下、而且進一步優(yōu)選為1800℃以下。通過使二次燒結(jié)溫度為2000℃以下，不易生成粗大的晶體顆粒。為了得到更高密度的燒結(jié)體，二次焙燒優(yōu)選為熱等靜壓(以下，記作“hip”)處理。hip處理的時間(以下，記作“hip時間”)優(yōu)選為至少10分鐘。hip時間如果至少為10分鐘，則在hip處理中燒結(jié)體的氣孔充分被去除。hip處理的壓力介質(zhì)(以下，也簡單稱為“壓力介質(zhì)”)可以舉出：氬氣、氮氣、氧氣等，一般的氬氣是簡便的。hip處理的壓力(以下，也簡單稱為“hip壓力”)優(yōu)選為5mpa以上、進一步優(yōu)選為50mpa以上。通過hip壓力為5mpa以上，燒結(jié)體中的氣孔的去除得到進一步促進。關(guān)于壓力的上限，沒有特別指定，使用通常的hip裝置時，hip壓力為200mpa以下。hip處理中，優(yōu)選的是，在由非還原性的材質(zhì)形成的容器中配置成型體或一次燒結(jié)體。由此，源自發(fā)熱體等hip裝置的材質(zhì)的還原成分所導(dǎo)致的燒結(jié)體的局部的還原被抑制。作為非還原性的材質(zhì)，可以舉出：由氧化鋁、氧化鋯、富鋁紅柱石、氧化釔、尖晶石、氧化鎂、氮化硅和氮化硼組成的組中的至少1種、進一步氧化鋁或氧化鋯中的至少任一者。降溫工序中，以超過1℃/分鐘的降溫速度從燒結(jié)溫度降溫直至1000℃。通過使降溫速度為超過1℃/分鐘、進一步為5℃/分鐘以上、而且進一步為8℃/分鐘以上，可以得到透光性高的燒結(jié)體。降溫速度為1℃/分鐘以下時，生成析出物、單斜晶，因此，所得燒結(jié)體變?yōu)橥腹庑缘偷臒Y(jié)體。由此，所得燒結(jié)體的透光性明顯變低。為了得到具有更高的透光性的鑭固溶氧化鋯燒結(jié)體，從焙燒溫度降溫至1000℃優(yōu)選的是，使降溫速度為10℃/分鐘以上、進一步為15℃/分鐘以上、而且進一步為30℃/分鐘以上、而且進一步為50℃/分鐘以上。本發(fā)明的制造方法中，也可以具有如下退火工序：對降溫工序后的燒結(jié)體進行熱處理。通過將燒結(jié)體供至退火工序，可以使燒結(jié)體的透光性更高。退火工序可以舉出：在氧化氣氛中、以900℃以上且1200℃以下、進一步980℃以上且1030℃以下對燒結(jié)體進行處理。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供兼具高的透光性和高的強度的氧化鋯燒結(jié)體。本發(fā)明的燒結(jié)體與以往的透光性陶瓷相比，透光性和機械強度高。因此，作為齒列矯正托架等要求審美性的齒科用構(gòu)件使用時，可以減小其尺寸。由此，可以作為審美性更高的齒科用構(gòu)件而使用。附圖說明圖1為實施例1的氧化鋯燒結(jié)體的xrd譜圖的rietveld解析結(jié)果圖2為實施例1的氧化鋯燒結(jié)體的tem觀察圖(圖中比例為100nm)(圖2的a)亮視野圖像、圖2的b)釔的元素映射圖、圖2的c)鋯的元素映射圖、圖2的d)鑭的元素映射圖)圖3為實施例1的氧化鋯燒結(jié)體的sem觀察圖(圖中比例為50μm)圖4為實施例1的氧化鋯燒結(jié)體的外觀圖5為實施例1的氧化鋯燒結(jié)體的變角光度光譜圖6為實施例1的氧化鋯燒結(jié)體的uv-vis光譜(a)總透光率、b)直線透射率)圖7為實施例1的氧化鋯燒結(jié)體的水熱劣化試驗前后的xrd譜圖(a)水熱劣化處理前、b)水熱劣化試驗后)圖8為實施例11的氧化鋯燒結(jié)體的拉曼光譜(a)斷裂面、b)表面)圖9為比較例3的氧化鋯燒結(jié)體的xrd譜圖圖10為比較例4的氧化鋯燒結(jié)體的xrd譜圖圖11為實施例35的氧化鋯燒結(jié)體的xrd譜圖的rietveld解析結(jié)果圖12為實施例35的氧化鋯燒結(jié)體的tem觀察圖(圖中比例為100nm)(圖12的a)亮視野圖像、圖12的b)釔的元素映射圖、圖12的c)鋯的元素映射圖、圖12的d)鑭的元素映射圖)圖13為實施例38的氧化鋯燒結(jié)體的tem觀察圖(圖中比例為100nm)(圖13的a)亮視野圖像、圖13的b)釔的元素映射圖、圖13的c)鋯的元素映射圖、圖13的d)鑭的元素映射圖)具體實施方式實施例以下，根據(jù)實施例和比較例對本發(fā)明進行具體說明。然而，本發(fā)明不限定于實施例。(密度的測定)燒結(jié)體試樣的實測密度通過利用阿基米德法測定水中重量而求出。(平均晶粒直徑的測定)對燒結(jié)體試樣進行平面研削后，依次使用9μm、6μm和1μm的金剛石磨粒進行鏡面研磨。將研磨面以1400℃保持1小時，進行熱蝕刻后，進行sem觀察，根據(jù)所得sem觀察圖，通過平面測量法求出平均晶粒直徑。(晶體結(jié)構(gòu)的鑒定)對燒結(jié)體試樣的由xrd測定得到的xrd譜圖進行鑒定分析，由此，鑒定各燒結(jié)體試樣的晶體結(jié)構(gòu)、和確認雜質(zhì)層的有無。xrd測定是使用一般的粉末x射線衍射裝置(裝置名：ultimaiii、rigakucorporation制)對經(jīng)過了鏡面研磨的燒結(jié)體試樣進行的。xrd測定的條件如以下所述。射線源：cukα射線(λ＝0.15418nm)測定模式：步進掃描掃描條件：每秒0.04°發(fā)散狹縫：0.5deg散射狹縫：0.5deg受光狹縫：0.3mm測量時間：1.0秒測定范圍：2θ＝20°～80°xrd譜圖的鑒定分析使用xrd解析軟件(商品名：jade7、mid株式會社制)。(平均微晶直徑的測定)對于利用與晶相的鑒定同樣的測定方法得到的xrd譜圖的2θ＝27°～30°的范圍，使用謝勒公式求出燒結(jié)體試樣的平均微晶直徑。d＝k×λ/((β-b)×cosθ)上述式中，d為平均微晶直徑(nm)、k為謝勒常數(shù)(1.0)、λ為cukα的波長(0.15418nm)、β為半值寬度(°)、b為裝置常數(shù)(0.1177°)、和θ為主峰的衍射角(°)。需要說明的是，主峰將相當于氧化鋯的立方晶(111)面的峰與相當于正方晶(111)面的峰重復(fù)的峰設(shè)為單一峰。另外，半值寬度使用rigakucorporation制的integralanalysisforwindows(version6.0)而求出。(rietveld解析)對利用與晶體結(jié)構(gòu)的鑒定同樣的測定方法得到的xrd譜圖進行rietveld解析，由此求出燒結(jié)體試樣中的立方晶和正方晶的各晶體結(jié)構(gòu)的比率、微晶直徑和晶格常數(shù)。rietveld解析使用通用的程序(rietan-2000)。根據(jù)所得晶格常數(shù)，基于以下式子，求出正方晶中的y2o3濃度。yo1.5＝(1.0223-cf/af)/0.001319y2o3＝100×yo1.5/(200-yo1.5)上述式中，yo1.5為氧化釔濃度，cf和af分別為rietveld解析中求出的正方晶熒石型結(jié)構(gòu)的c軸和a軸的晶格常數(shù)。(透射率的測定)通過依據(jù)jisk321-1的方法的方法，測定試樣的總透光率(totaltransmittance；以下記作“tt”)、擴散透射率(defractiontransmittance；以下記作“df”)和直線透射率(in-linetransmittance；以下記作“pt”)。對測定試樣照射標準光d65，利用積分球檢測透過該測定試樣的光束，由此測定光透射率。測定使用一般的濁度計(裝置名：濁度計ndh2000、nippondensoku制)。測定試樣使用直徑16mm、厚度1.0mm的圓板狀成型體。先于測定地，對測定試樣的兩面進行研磨，進行鏡面研磨使得表面粗糙度ra為0.02μm以下。(透射率的波長依賴性的測定)作為燒結(jié)體試樣的透射率的波長依賴性，通過uv-vis測定光譜總透光率(spectraltotaltransmittance；以下，記作“s-tt”)和光譜直線透射率(spectralin-linetransmittance；以下，記作“s-pt”)。測定條件如以下所示。光源：氘代氫燈、和、鹵素?zé)魷y定波長：200～800nm測定步距：1nmuv-vis測定使用一般的雙光束方式的分光光度計(裝置名：v-650型、日本分光株式會社制)。測定試樣使用直徑16mm、厚度1.0mm的圓板狀成型體。先于測定地，對測定試樣的兩面進行研磨，進行鏡面研磨使得表面粗糙度ra為0.02μm以下。(透射光的角度分布的測定)透射光的角度分布使用變角光度計(裝置名：gp-200、株式會社村上色彩技術(shù)研究所制)來測定。測定試樣使用直徑16mm、厚度1.0mm的圓板狀成型體。先于測定地，對測定試樣的兩面進行研磨，進行鏡面研磨使得表面粗糙度ra為0.02μm以下。(元素分布的觀察)通過tem觀測測定晶體顆粒中的元素分布。先于測定地，試樣進行基于fib(集束離子束)的薄片化加工。加工后，進行離子減薄精加工和碳蒸鍍，作為測定試樣。tem觀察使用一般的tem(裝置名：em-2000fx、日本電子制)，以加速電壓200kv進行觀測。(二軸彎曲強度的測定)通過依據(jù)iso/dis6872的二軸彎曲強度測定，測定試樣的二軸彎曲強度。測定試樣的厚度設(shè)為1mm，對經(jīng)過兩面鏡面研磨的試樣進行測定。(三點彎曲強度的測定)通過依據(jù)jisr1601“精細陶瓷的彎曲強度試驗方法”的方法，測定試樣的3點彎曲強度。測定試樣使用進行鏡面研磨使得表面粗糙度ra為0.02μm以下的試樣。另外，對于1個試樣測定5次強度，利用其平均值作為三點彎曲強度。(斷裂韌性的測定)通過依據(jù)jisr1607的方法，利用if法和sepb法測定試樣的斷裂韌性。作為測定試樣，將進行鏡面研磨使得表面粗糙度ra為0.02μm以下的材料作為試樣。對于一個試樣進行5次測定，將其平均值作為試樣的斷裂韌性值。if法中的測定條件如以下所示。壓痕負載：5kgf燒結(jié)體的彈性模量：205gpa將通過if法得到的斷裂韌性值作為kic(if)，將通過sepb法得到的斷裂韌性值作為kic(sepb)。(水熱劣化試驗)在熱水氣氛下，對燒結(jié)體試樣進行處理并進行劣化評價。將純水和燒結(jié)體試樣放入不銹鋼制的耐壓容器中，將其以140℃保持24小時，作為水熱劣化試驗。保持后，對經(jīng)過回收的燒結(jié)體試樣進行xrd測定。由以下式求出所得xrd譜圖中所含的相當于單斜晶的xrd峰的比率，求出燒結(jié)體試樣的單斜晶的體積分率(以下，也稱為“單斜晶率”)。x＝(im(111)+im(11-1))/(im(111)+im(11-1)+it(111)+ic(111))此處，x為試樣的單斜晶率、im(111)為相當于單斜晶(111)面的xrd峰強度、im(11-1)為相當于單斜晶(11-1)面的xrd峰強度、it(111)為相當于正方晶(111)面的xrd峰強度、和ic(111)為相當于立方晶(111)面的xrd峰強度。(熱導(dǎo)率測定)通過激光閃光法測定燒結(jié)體試樣的熱導(dǎo)率。測定使用激光閃光法熱常數(shù)測定裝置(裝置名：tc-1200rh、advanceriko,inc.制)。合成例(la2zr2o7粉末的合成)通過固相法，合成la2zr2o7粉末。即，將氧化鋯(商品名：tz-0y、東曹株式會社制)與氧化鑭(純度99.99％、和光純藥株式會社制)混合而得到混合粉末。混合以在乙醇溶劑中、利用使用氧化鋯制的直徑10mm球的球磨機的濕式混合來進行?；旌虾蟮幕旌戏勰┻M行干燥和煅燒而得到煅燒粉末。煅燒條件設(shè)為：在大氣中、以1100℃進行10小時的熱處理。將所得煅燒粉末在與上述混合同樣的條件下進行濕式混合并干燥。將干燥后的粉末在大氣中、以1400℃進行2小時焙燒，由此得到作為la2zr2o粉末(以下，也稱為“l(fā)zo粉末”)的白色粉末。通過xrd測定，確認了所得白色粉末為la2zr2o7單相。實施例1以lzo粉末相對于bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)的重量比率成為20重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末，將其混合而得到混合粉末?；旌先缦逻M行：利用使用直徑10mm的氧化鋯球的球磨機，在乙醇溶劑中進行120小時的濕式混合。將所得混合粉末在大氣中、以80℃進行干燥作為原料粉末。利用基于模具加壓的一軸加壓將原料粉末進行成型，得到預(yù)成型體。一軸加壓的壓力設(shè)為50mpa。對所得預(yù)成型體進行冷等靜壓(以下，記作“cip”)處理，由此得到直徑20mm和厚度約3mm的圓柱狀成型體。cip處理的壓力設(shè)為200mpa。將該成型體在大氣中、以升溫速度為100℃/小時、燒結(jié)溫度1450℃和燒結(jié)時間2小時進行一次燒結(jié)，由此得到一次燒結(jié)體。將所得一次燒結(jié)體配置于帶蓋的氧化鋯制的容器，對其進行hip處理，由此得到hip處理體，將其作為本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。hip處理條件設(shè)為：作為壓力介質(zhì)的99.9％的氬氣氣氛中、升溫速度600℃/小時、hip溫度1750℃、hip壓力150mpa、和保持時間1小時。hip處理后，從燒結(jié)溫度降溫至室溫而得到hip處理體。需要說明的是，從hip溫度至1000℃的降溫速度為83℃/分鐘。將所得hip處理體在大氣中、以1000℃進行1小時的熱處理，由此得到無色且具有透光性的燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的rietveld解析結(jié)果示于圖1、tem觀察圖示于圖2和sem觀察圖示于圖3。根據(jù)圖1的xrd譜圖，可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體不含有鑭氧化物等。另外，表1中示出基于sem-eds的、晶體顆粒內(nèi)部和晶界的組成分析結(jié)果。需要說明的是，基于sem-eds的分析是不對燒結(jié)體實施熱蝕刻處理而進行的。根據(jù)表1可以確認，晶體顆粒內(nèi)與晶界附近的平均組成為等同程度，因此，本實施例的燒結(jié)體的晶體顆粒內(nèi)和晶界中的組成沒有差異，為均質(zhì)的燒結(jié)體。[表1]進而，根據(jù)圖2的(a)可以確認到立方晶域和正方晶域。可以確認，平均晶粒直徑為88.3μm，而該域為50nm左右，小于晶粒直徑。由此可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體在晶體顆粒中具有正方晶域和立方晶域。需要說明的是，通過rietveld解析，可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的立方晶為48.4重量％和正方晶為51.6重量％、立方晶的晶格常數(shù)為a＝0.51872nm、正方晶的晶格常數(shù)為af＝0.50975nm和cf＝0.51917nm、立方晶的微晶直徑為21nm、正方晶的微晶直徑為32nm。需要說明的是，該rietveld解析為可靠性因子rwp＝20％和s＝1.28。由晶格常數(shù)求出的正方晶的y2o3濃度為1.48mol％。另外，根據(jù)基于tem觀察的元素映射，可知，存在有鑭存在的區(qū)域和鑭基本不存在的區(qū)域(圖2的(d))。根據(jù)rietveld解析結(jié)果和該元素映射認為，鑭存在的區(qū)域為固溶有鑭的立方晶的區(qū)域，而鑭不存在的區(qū)域為正方晶的區(qū)域。由此可以確認，本實施例的燒結(jié)體中，立方晶域與正方晶域相比，鑭濃度高。由tem觀察得到的立方晶域和正方晶域的尺寸與平均微晶直徑、以及由rietveld解析得到的正方晶和立方晶的各微晶直徑一致。根據(jù)這些結(jié)果可以確認，本實施例的燒結(jié)體中，立方晶域為立方晶的微晶、和正方晶域為正方晶的微晶。接著，將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的概況示于圖4、測角光度光譜示于圖5、和uv-vis光譜示于圖6。根據(jù)圖4可以確認，通過本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的背面的線圖，可以確認本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體具有透光性。進而，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的擴散透射率(df)為24.28％，根據(jù)圖5和6可以確認，其基本為直線透射光附近的角度的擴散透射率，直線方向上具有高的透射率，并且在300nm～800nm的可見光的波長范圍內(nèi)具有高的透光性。由此可以確認，本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體具有更高的透明度。進而，水熱劣化試驗后的單斜晶率為0％，可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體不易劣化。將水熱劣化試驗后的xrd譜圖示于圖7。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表2。實施例2使hip處理溫度為1700℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表2。實施例3使hip處理溫度為1800℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表2。實施例4使hip處理壓力為54mpa，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表2。實施例5使hip處理時間為15分鐘，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表2。實施例6使一次燒結(jié)的溫度為1425℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表2。實施例7以lzo粉末的重量比率成為15重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為82.1μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例8以lzo粉末的重量比率成為17.5重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末、和使hip處理溫度為1700℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為48.2μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例9以lzo粉末的重量比率成為17.5重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末、使一次燒結(jié)的溫度為1500℃、和使hip處理壓力為15mpa，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表2。實施例10以lzo粉末的重量比率成為25重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末、和使hip處理溫度為1700℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為45.6μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例11以lzo粉末的重量比率成為17.5重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末、和使hip處理溫度為1725℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為61.2μm。將評價結(jié)果示于表2。進而，進行二軸強度彎曲評價后的試驗片的研磨表面和斷裂面的拉曼分析。拉曼分析使用一般的顯微拉曼裝置(裝置名：nrs-5100、日本分光株式會社制)，將測定激光波長設(shè)為532nm來進行。將所得拉曼光譜示于圖8。根據(jù)圖8的研磨表面的拉曼光譜，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體沒有確認到除歸屬于正方晶和立方晶的峰之外。另一方面，斷裂面中，除歸屬于正方晶和立方晶的峰之外，確認到源自單斜晶的峰(550cm-1、500cm-1、470cm-1、380cm-1、190cm-1和180cm-1)。由此可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體在彎曲試驗中正方晶向單斜晶轉(zhuǎn)換，因此其強度變高。實施例12以lzo粉末的重量比率成為25重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末、和使hip處理溫度為1725℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為67.2μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例13作為氧化鋯粉末，使用比表面積為14m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3y、東曹株式會社制)、使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、和以la2o3粉末的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為46.9μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例14使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、以la2o3粉末的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末、和使hip處理時間為15分鐘，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。平均晶粒直徑為33.0μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例15使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、以la2o3粉末的重量比率成為7.5重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末、和使hip處理溫度為1725℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為85.3μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例16使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、以la2o3粉末的重量比率成為7.5重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末、和使hip處理溫度為1700℃，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為61.3μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例17使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、以la2o3粉末的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末、和使hip處理后的降溫速度為80℃/分鐘，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為80.2μm。將評價結(jié)果示于表2。實施例18使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、以la2o3粉末的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末、和使hip處理后的降溫速度為20℃/分鐘，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為40.2μm、三點彎曲強度為827mpa。將評價結(jié)果示于表2。實施例19使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、以la2o3粉末的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末、和使hip處理后的降溫速度為10℃/分鐘，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為88.5μm。將評價結(jié)果示于表2。[表2]實施例20以la2o3粉末相對于bet比表面積為7m2/g的含4mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-4ys、東曹株式會社制)的重量比率成為5重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末，將其混合而得到混合粉末?；旌先缦逻M行：利用使用直徑10mm的氧化鋯球的球磨機，在乙醇溶劑中進行120小時的濕式混合。將所得混合粉末在大氣中、以80℃進行干燥作為原料粉末。利用基于模具加壓的一軸加壓將原料粉末成型而得到預(yù)成型體。一軸加壓的壓力設(shè)為50mpa。將所得預(yù)成型體進行冷等靜壓(以下，記作“cip”)處理，由此得到直徑20mm、和厚度約3mm的圓柱狀成型體。cip處理的壓力設(shè)為200mpa。將該成型體在大氣中、以升溫速度為100℃/小時、燒結(jié)溫度1450℃、和燒結(jié)時間2小時進行一次燒結(jié)，由此得到一次燒結(jié)體。將所得一次燒結(jié)體配置于帶蓋的氧化鋯制的容器，對其進行hip處理由此得到hip處理體，得到其作為本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。hip處理條件設(shè)為：作為壓力介質(zhì)的99.9％的氬氣氣氛中、升溫速度600℃/小時、hip溫度1650℃、hip壓力150mpa、和保持時間1小時。hip處理后，從燒結(jié)溫度降溫至室溫而得到hip處理體。需要說明的是，從hip溫度至1000℃的降溫速度為83℃/分鐘。將所得hip處理體在大氣中、以1000℃進行1小時的熱處理，由此得到無色且具有透光性的燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表3。實施例21使原料的氧化鋯粉末為bet比表面積為7m2/g的含5mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-5ys、東曹株式會社制)、使la2o3粉末的重量比率為10重量％、和使hip處理溫度為1750℃，除此之外，利用與實施例20同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表3。實施例22作為原料的氧化鋯粉末，使用bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)和bet比表面積為7m2/g的含4mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-4ys、東曹株式會社制)，以氧化釔量相對于氧化鋯計成為3.3mol％的方式稱量兩者，以la2o3粉末相對于其的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末，將它們混合而得到混合粉末。使用該混合粉末、和使hip處理溫度為1750℃，除此之外，利用與實施例20同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表3。實施例23作為原料的氧化鋯粉末，使用bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)，以la2o3粉末相對于其的重量比率成為7.5重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末。使用該混合粉末、和使hip處理溫度為1750℃，除此之外，利用與實施例20同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表3。[表3]實施例24作為原料的氧化鋯粉末，將bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)與bet比表面積為16m2/g的含2mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-2y、東曹株式會社制)混合而形成含2.45mol％氧化釔的氧化鋯粉末。以la2o3粉末相對于該粉末的重量比率成為10.5重量％的方式，添加la2o3粉末，除此之外，利用與實施例1同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為36.9μm。將評價結(jié)果示于表4。實施例25利用與實施例24同樣的方法將氧化鋯粉末混合，作為含2.5mol％氧化釔的氧化鋯粉末。使用所得氧化鋯粉末、和使la2o3粉末的重量比率為10重量％，除此之外，利用與實施例1同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為54.4μm。將評價結(jié)果示于表4。實施例26利用與實施例24同樣的方法將氧化鋯粉末混合，作為含2.6mol％氧化釔的氧化鋯粉末。使用所得氧化鋯粉末、和使la2o3粉末的重量比率為11重量％，除此之外，利用與實施例1同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為42.6μm。將評價結(jié)果示于表4。實施例27利用與實施例24同樣的方法將氧化鋯粉末混合，作為含2.8mol％氧化釔的氧化鋯粉末。使用所得氧化鋯粉末、和使la2o3粉末的重量比率為10重量％，除此之外，利用與實施例1同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為46.3μm。將評價結(jié)果示于表4。實施例28利用與實施例24同樣的方法將氧化鋯粉末混合，作為含2.8mol％氧化釔的氧化鋯粉末。使用所得氧化鋯粉末、和使la2o3粉末的重量比率為9.2重量％，除此之外，利用與實施例1同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為45.2μm。將評價結(jié)果示于表4。[表4]實施例29作為原料的氧化鋯粉末，使用bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)，以la2o3粉末相對于其的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末。添加相對于氧化鋯粉末與la2o3粉末的總計重量為500重量ppm的cao粉末(和光純藥株式會社、99.9％)，得到混合粉末。使用該混合粉末、和使hip處理溫度為1750℃，除此之外，利用與實施例20同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。xrd測定的結(jié)果可以確認，燒結(jié)體的晶相僅為氧化鋯的峰，不含cao等除氧化鋯之外的晶相。由此可以確認，cao與y2o3同樣地作為穩(wěn)定化劑發(fā)揮作用。所得燒結(jié)體為無色且具有透光性的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的組成如下：zro2為92.88mol％、y2o3為2.88mol％、cao為0.12mol％和la2o3為4.13mol％。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為21.3μm。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表5。實施例30使用mgo粉末(商品名：500a、ubematerials株式會社制)代替cao粉末，除此之外，利用與實施例29同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。xrd測定的結(jié)果可以確認，燒結(jié)體的晶相僅為氧化鋯的峰，不含mgo等除氧化鋯之外的晶相。由此可以確認，mgo與y2o3同樣地作為穩(wěn)定化劑發(fā)揮作用。所得燒結(jié)體為無色且具有透光性的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的組成如下：zro2為92.83mol％、y2o3為2.88mol％、mgo為0.17mol％和la2o3為4.13mol％。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為24.7μm。將評價結(jié)果示于表5。實施例31作為原料的氧化鋯粉末，使用bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)，以la2o3粉末相對于其的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末。添加相對于氧化鋯粉末與la2o3粉末的總計重量為1000重量ppm的bet比表面積為200m2/g的γ氧化鋁粉末(商品名：tm-300d、大明化學(xué)工業(yè)株式會社制)，得到混合粉末。使用該混合粉末，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。所得燒結(jié)體為無色且具有透光性的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為52.1μm。三點彎曲強度為856mpa。將評價結(jié)果示于表5。實施例32作為氧化鋁粉末，添加bet比表面積6.7m2/g的α氧化鋁粉末(商品名：akp-30、住友化學(xué)株式會社制)250重量ppm，除此之外，利用與實施例31同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。所得燒結(jié)體為無色且具有透光性的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為78.5μm。三點彎曲強度為842mpa。將評價結(jié)果示于表5。實施例33作為氧化鋁粉末，添加bet比表面積6.7m2/g的α氧化鋁粉末(商品名：akp-30、住友化學(xué)株式會社制)500重量ppm，除此之外，利用與實施例31同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。所得燒結(jié)體為無色且具有透光性的燒結(jié)體。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為78.5μm。三點彎曲強度為844mpa。將評價結(jié)果示于表5。[表5]※1實施例29的y2o3濃度為：y2o32.88mol％以及cao0.12mol％的總計※2實施例30的y2o3濃度為：y2o32.88mol％以及mgo0.17mol％的總計根據(jù)表5可以確認，使用cao或mgo作為穩(wěn)定化劑的情況下，也可以得到總透光率為68％以上、且二軸彎曲強度為1200mpa的兼具透光性和強度的燒結(jié)體。另外可以確認，包含氧化鋁的情況下，也成為兼具透光性和強度的燒結(jié)體。實施例34作為原料的氧化鋯粉末，使用bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)，以la2o3粉末相對于其的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末。利用基于模具加壓的一軸加壓將原料粉末成型，得到預(yù)成型體。一軸加壓的壓力設(shè)為50mpa。對所得預(yù)成型體進行cip處理，由此得到直徑20mm、和厚度約3mm的圓柱狀成型體。cip處理的壓力設(shè)為200mpa。將該成型體在大氣中、以升溫速度為100℃/小時、燒結(jié)溫度1775℃、和燒結(jié)時間1小時進行常壓燒結(jié)，由此得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。從燒結(jié)溫度至1000℃的平均的降溫速度設(shè)為16.7℃/分鐘。本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為12.1μm。將評價結(jié)果示于表6。[表6]根據(jù)表6，實施例34的燒結(jié)體的二軸彎曲強度為1000mpa以上、并且總透光率為50％以上。由此可以確認，通過一步燒結(jié)法，可以得到兼具透光性和強度的燒結(jié)體。實施例35使用la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)代替lzo粉末、以la2o3粉末的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末、和使hip處理后的降溫速度為80℃/分鐘，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。將結(jié)果示于表7。將本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的rietveld解析結(jié)果示于圖11、tem觀察圖示于圖12。根據(jù)圖11的xrd譜圖可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體不含有鑭氧化物等。進而，根據(jù)圖12的(a)可以確認到50nm左右的立方晶域和正方晶域。平均晶粒直徑為55.8μm，而該域為50nm左右，可以確認小于晶粒直徑。由此可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體在晶體顆粒中具有正方晶域和立方晶域。需要說明的是，根據(jù)rietveld解析可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的立方晶為68.5重量％和正方晶為31.5重量％、立方晶的晶格常數(shù)為a＝0.51836nm、正方晶的晶格常數(shù)為af＝0.51096nm和cf＝0.52067nm、立方晶的微晶直徑為36nm、正方晶的微晶直徑為32nm。需要說明的是，該rietveld解析的可靠性因子為rwp＝18％和s＝1.49。由晶格常數(shù)求出的正方晶的y2o3濃度為1.27mol％。三點彎曲強度為609mpa、斷裂韌性kic(sepb)為2.74mpa·m0.5和熱導(dǎo)率為1.81w/mk。實施例36使從hip溫度至1000℃的降溫速度為40℃/分鐘，除此之外，利用與實施例35同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。三點彎曲強度為893mpa、斷裂韌性kic(sepb)為2.74mpa·m0.5。實施例37使從hip溫度至1000℃的降溫速度為30℃/分鐘，除此之外，利用與實施例35同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。三點彎曲強度為1016mpa、斷裂韌性kic(sepb)為2.93mpa·m0.5。實施例38使從hip溫度至1000℃的降溫速度為20℃/分鐘，除此之外，利用與實施例35同樣的方法制作本實施例的燒結(jié)體。將本實施例的tem觀察圖示于圖13。xrd測定的結(jié)果可知，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體不含有鑭氧化物等。進而，根據(jù)圖13的(a)可以確認到50nm左右的立方晶域和正方晶域。平均晶粒直徑為77.9μm，而該域為50nm左右，可以確認小于晶粒直徑。由此可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體在晶體顆粒中具有正方晶域和立方晶域。需要說明的是，根據(jù)rietveld解析可以確認，本實施例的氧化鋯燒結(jié)體的立方晶為58.0重量％和正方晶為42.0重量％、立方晶的晶格常數(shù)為a＝0.51718nm、正方晶的晶格常數(shù)為af＝0.51082nm和cf＝0.52028nm、立方晶的微晶直徑為28nm、正方晶的微晶直徑為35nm。需要說明的是，該rietveld解析的可靠性因子為rwp＝18％和s＝1.40。由晶格常數(shù)求出的正方晶的y2o3濃度為1.46mol％。三點彎曲強度為895mpa、斷裂韌性kic(sepb)為3.32mpa·m0.5。將實施例35和38的結(jié)果示于表7。[表7]根據(jù)表7可以確認，降溫速度變慢時，正方晶域增加。另外，伴隨于此，斷裂韌性和三點彎曲強度變高。由此可以確認，通過降低降溫速度，由此有機械強度提高的傾向。比較例1將bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：3ys、東曹株式會社制)作為本比較例的原料粉末。利用基于模具加壓的一軸加壓將原料粉末成型，得到預(yù)成型體。通過進行cip處理，得到直徑20mm、和厚度約3mm的圓柱狀成型體。cip的壓力設(shè)為200mpa。將該成型體在大氣中、以升溫速度為100℃/小時、燒結(jié)溫度1450℃、和燒結(jié)時間2小時進行一次燒結(jié)，由此得到一次燒結(jié)體。將所得一次燒結(jié)體配置于帶蓋的氧化鋁制容器，對其進行hip處理。hip處理條件設(shè)為：作為壓力介質(zhì)的99.9％的氬氣氣氛中、升溫速度600℃/小時、hip溫度1750℃、hip壓力150mpa、和保持時間1小時。hip處理后，從hip溫度至1000℃的降溫速度設(shè)為83℃/分鐘，將其冷卻。將所得hip處理體在大氣中、以1000℃進行1小時的熱處理，由此得到本比較例的氧化鋯燒結(jié)體。所得氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為1.80μm。將所得氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表8。本比較例的氧化鋯燒結(jié)體的二軸彎曲強度顯示出超過1gpa的高的強度，但總透光率為39.00％，透光性明顯低。比較例2將bet比表面積為7m2/g的含8mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：8ys、東曹株式會社制)作為本比較例的原料粉末，除此之外，利用與比較例1同樣的方法得到本比較例的氧化鋯燒結(jié)體。所得氧化鋯燒結(jié)體的平均晶粒直徑為52.9μm。將所得氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表8。本比較例的氧化鋯燒結(jié)體的總透光率為62.00％，具有高的透光性。然而，二軸彎曲強度為253mpa，可以確認為強度非常低的燒結(jié)體。比較例3使用bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)、以lzo粉末相對于含氧化釔的氧化鋯粉末的重量比率成為20重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加lzo粉末、和使hip處理中的降溫速度為1℃/分鐘，除此之外，在與比較例1同樣的條件下制作燒結(jié)體。將本比較例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表8、xrd譜圖示于圖9。根據(jù)圖9可以確認，本比較例的燒結(jié)體為包含單斜晶的氧化鋯燒結(jié)體。進而，總透光率為44％以下，透光性明顯低。比較例4使用bet比表面積為14m2/g的氧化鋯粉末(商品名：0y、東曹株式會社制)、以la2o3粉末(純度99.99％、和光純藥株式會社制)相對于含氧化釔的氧化鋯粉末的重量比率成為10重量％的方式，向氧化鋯粉末中添加la2o3粉末，除此之外，在與比較例1同樣的條件下制作本比較例的氧化鋯燒結(jié)體。需要說明的是，該氧化鋯粉末不含穩(wěn)定化劑。將本比較例的氧化鋯燒結(jié)體的評價結(jié)果示于表8、xrd譜圖示于圖10。所得氧化鋯燒結(jié)體為不具有透光性的燒結(jié)體。另外，根據(jù)xrd譜圖可以確認，本比較例的氧化鋯燒結(jié)體為單斜晶與la2zr2o7的混相。進而，本比較例的氧化鋯燒結(jié)體不具有主峰，無法求出其平均微晶直徑。比較例5使用氧化鐿粉末10重量％代替lzo粉末20重量％、和使用bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：tz-3ys、東曹株式會社制)，除此之外，利用與實施例1同樣的方法得到本比較例的氧化鋯燒結(jié)體。將結(jié)果示于表8。xrd測定的結(jié)果，本比較例的氧化鋯燒結(jié)體僅可以確認到氧化鋯立方晶的峰。由此可以確認，固溶有作為鑭系元素的鐿的氧化鋯燒結(jié)體不存在具有立方晶域和正方晶域的晶體顆粒。[表8]※1表中“-”表示未測定※2比較例5的la2o3的含量為yb2o3的含量實施例39(混合物的制作)在bet比表面積為7m2/g的含3mol％氧化釔的氧化鋯粉末(商品名：3ys、東曹株式會社制)中，以la2o3粉末的重量比率成為10重量％的方式，混合la2o3粉末，然后利用與實施例1同樣的方法進行濕式混合，得到混合粉末。將混合粉末與包含蠟、增塑劑和熱塑性樹脂的有機粘結(jié)劑混合，得到氧化鋯混合物。(注射成型和燒結(jié)體的制作)通過注射成型將所得氧化鋯混合物成型，形成長度70mm×寬度30mm×厚度2mm的板狀成型體。將成型體在大氣中、以450℃進行加熱，去除有機粘結(jié)劑，然后在大氣中、以1450℃進行2小時焙燒，得到一次燒結(jié)體。將所得一次燒結(jié)體配置于帶蓋的氧化鋯制的容器，對其進行hip處理，由此得到hip處理體，將其作為本實施例的氧化鋯燒結(jié)體。hip處理條件設(shè)為：作為壓力介質(zhì)的99.9％的氬氣氣氛中、升溫速度600℃/小時、hip溫度1750℃、hip壓力150mpa、和保持時間1小時。hip處理后，從燒結(jié)溫度降溫至室溫而得到hip處理體。需要說明的是，從hip溫度至1000℃的降溫速度為83℃/分鐘。將所得hip處理體在大氣中、以1000℃進行1小時的熱處理，由此得到無色且具有透光性的燒結(jié)體。所得燒結(jié)體為固溶有鑭與氧化釔的氧化鋯燒結(jié)體，其組成如下：zro2為92.99mol％、y2o3為2.88mol％和la2o3為4.13mol％，平均晶粒直徑為54.5μm。將結(jié)果示于表9。實施例40使一次燒結(jié)溫度為1475℃，除此之外，利用與實施例39同樣的方法得到燒結(jié)體。所得燒結(jié)體的組成如下：zro2為92.99mol％、y2o3為2.88mol％和la2o3為4.13mol％。將結(jié)果示于表9。實施例41使一次燒結(jié)溫度為1475℃、和使從hip溫度至1000℃的降溫速度為20℃/分鐘，除此之外，利用與實施例39同樣的方法得到燒結(jié)體。所得燒結(jié)體的組成如下：zro2為92.99mol％、y2o3為2.88mol％和la2o3為4.13mol％，平均晶粒直徑為35.5μm。將結(jié)果示于表9。[表9]根據(jù)這些結(jié)果可以確認，注射成型中也可以得到與加壓成型等同的氧化鋯燒結(jié)體。實施例42使成型體的形狀為齒列矯正托架形狀，除此之外，利用與實施例39同樣的方法進行成型、脫脂、焙燒和hip處理，制作由鑭固溶氧化鋯燒結(jié)體形成的齒列矯正托架(長度3.6mm×寬度3.3mm×高度2.5mm)。實施例43使從hip溫度至1000℃的降溫速度為30℃/分鐘，除此之外，利用與實施例42同樣的方法制作由鑭固溶氧化鋯燒結(jié)體形成的齒列矯正托架。實施例44使從hip溫度至1000℃的降溫速度為20℃/分鐘，除此之外，利用與實施例42同樣的方法制作由鑭固溶氧化鋯燒結(jié)體形成的齒列矯正托架。實施例45使一次燒結(jié)溫度為1475℃、和使從hip溫度至1000℃的降溫速度為20℃/分鐘，除此之外，利用與實施例42同樣的方法制作由鑭固溶氧化鋯燒結(jié)體形成的齒列矯正托架。實施例46使一次燒結(jié)溫度為1475℃、hip處理中將一次燒結(jié)體配置于未使用的氧化鋁制容器、和在hip處理后不進行熱處理，除此之外，利用與實施例42同樣的方法制作由鑭固溶氧化鋯燒結(jié)體形成的齒列矯正托架。所得齒列矯正托架具有透光性。測定例1(轉(zhuǎn)矩強度試驗)測定實施例42至46中得到的齒列矯正托架的轉(zhuǎn)矩強度。將齒列矯正托架作為試樣固定于基座，使不銹鋼鋼線(0.019×0.025英寸)通過試樣的槽部來固定。試樣的槽部的表面形成hip處理后的狀態(tài)。使基座旋轉(zhuǎn)，測定托架斷裂時的轉(zhuǎn)矩強度，測定其作為試樣的轉(zhuǎn)矩強度。測定對各試樣進行三次，將其平均值作為試樣的轉(zhuǎn)矩強度。將測定結(jié)果的轉(zhuǎn)矩強度示于表10。另外，作為齒列矯正托架使用的、由透光性氧化鋁形成的齒列矯正托架(長度4.4mm×寬度3.7mm×高度3.0mm)的轉(zhuǎn)矩強度也一并示于表10。[表10]轉(zhuǎn)矩強度(kgf·cm)實施例420.41實施例430.51實施例440.52實施例450.59實施例460.63透光性氧化鋁0.50可以確認，本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體的轉(zhuǎn)矩強度與市售的透光性氧化鋁制的齒列矯正托架具有等同的轉(zhuǎn)矩強度。齒列矯正托架越大，轉(zhuǎn)矩強度變得越高。相對于此，實施例的齒列矯正托架雖然小于透光性氧化鋁的托架，但是具有等同程度的轉(zhuǎn)矩強度。即可以確認，本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體可以使齒列矯正托架更小，與以往的具有透光性的齒列矯正托架相比，不顯眼，可以作為具有優(yōu)異的審美性的齒列矯正托架使用。測定例2(轉(zhuǎn)矩強度試驗)將對實施例42和45中得到的齒列矯正托架的槽部的表面進行了鏡面研磨而成的材料作為試樣，除此之外，利用與測定例1同樣的方法測定轉(zhuǎn)矩強度。將結(jié)果示于表11。[表11]根據(jù)上述的結(jié)果可以確認，對槽部進行研磨，由此轉(zhuǎn)矩強度提高。實施例42的齒列矯正托架與通過表面研磨由透光性氧化鋁形成的齒列矯正托架相比成為高的轉(zhuǎn)矩強度，可以確認具有實用性的強度。測定例3(等離子體蝕刻試驗)使用反應(yīng)性等離子體蝕刻裝置(裝置名：dem-451、anelvacorporation制)，對試樣的耐等離子體特性進行評價。即，對于各試樣，在以下的條件下對試樣進行等離子體照射，測定蝕刻深度和蝕刻速率。等離子體輸出功率：300w照射時間：4小時反應(yīng)氣體：cf425.2sccmo26.3sccmar126sccm測定試樣使用實施例1和實施例13的氧化鋯燒結(jié)體。另外，將作為現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造設(shè)備使用的石英玻璃用作比較試樣。先于測定地，對各試樣的表面進行鏡面研磨直至表面粗糙度變?yōu)?.02μm以下。等離子體蝕刻試驗后，利用依據(jù)jisb0601-1994的方法，測定試樣的蝕刻面的中心線平均粗糙度(ra)、最大高度(ry)和十點平均高度(rz)。測定使用激光顯微鏡(裝置名：vk-9500/vk-9510、keyencecorporation制)。將結(jié)果示于表12。[表12]ra為相對于蝕刻后的蝕刻面的平均高度的凹凸程度，其越大，表示蝕刻面上凹凸越多。ry表示在蝕刻后的蝕刻面上，蝕刻最推進的部分與蝕刻最不推進的部分的差，ry越大，表示局部越產(chǎn)生深的蝕刻。rz表示蝕刻面的平均凹凸的深度。因此，rz越大，表示蝕刻面整體的凹凸越深。由此可以確認，本發(fā)明的燒結(jié)體與石英玻璃相比，具有高的耐等離子體特性。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體兼具高的透光性和高的強度。因此，可以用于要求審美性的齒科修補材料、齒科矯正用構(gòu)件等齒科用構(gòu)件。進而，本發(fā)明的氧化鋯燒結(jié)體具有高的設(shè)計性，因此，可以作為時鐘、珠寶飾品等裝飾構(gòu)件使用，進而，可以作為半導(dǎo)體制造裝置用構(gòu)件的耐等離子體構(gòu)件使用。需要說明的是，將2015年1月15日申請的日本專利申請2015-5981號、和2015年11月30日申請的日本專利申請2015-233643號的說明書、權(quán)利要求書、摘要和附圖的全部內(nèi)容引用至此，作為本發(fā)明的說明書的公開內(nèi)容被引入。附圖標記說明◎：相當于單斜晶氧化鋯的峰※：相當于la2zr2o7的xrd峰當前第1頁12