1.一種用于生長碳納米管的設備，其特征在于：包括反應腔，反應腔上端設有進料管、供氣管，供氣管套設在進料管外側，進料管下端連接超聲霧化器，供氣管下端連接環形罩，反應腔內設有等離子發射器，反應腔下端連接出料管，反應腔外側連接第一加氣腔，第一加氣腔上端設有加氣口，第一加氣腔外圍設有加熱裝置，出料管外側連接第二加氣腔，第二加氣腔與第一加氣腔貫通連接，所述反應腔與出料管內壁均設有若干個噴氣嘴，反應腔內壁上的噴氣嘴的入氣口與第一加氣腔連接，出料管內壁上的噴氣嘴的入氣口與第二加氣腔連接。
2.按照權利要求1所述的一種用于生長碳納米管的設備，其特征在于：所述超聲霧化器底端與供氣管底端等高。
3.按照權利要求1所述的一種用于生長碳納米管的設備，其特征在于：所述反應腔底部呈凹形。
4.按照權利要求1所述的一種用于生長碳納米管的設備，其特征在于：所述噴氣嘴的出氣口傾斜向下。