本實用新型涉及一種壓力控制系統，具體涉及一種單晶爐壓力控制系統。
背景技術：
碳化硅單晶生長中，載氣一般使用氬氣，不同的排氣速度對生長晶體的多型有很大的影響。在確定生長時的溫度梯度后，影響碳化硅單晶生長最重要的因素就是控制壓力，但是目前的碳化硅單晶生長爐中還沒有比較穩定、控制精確的壓力控制系統。
技術實現要素：
發明目的：本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種控制精確，運行平穩的碳化硅單晶爐用壓力控制系統。
技術方案：為了解決上述技術問題，本實用新型所述的一種碳化硅單晶爐用壓力控制系統，它包括反應室，在所述反應室一側設有充氣管路，另一側設有主抽氣管路和壓力控制管路，在所述充氣管路上設有充氣閥和質量流量控制器，在所述主抽氣管路上設有第一機械泵和第一抽氣閥，在所述主抽氣管路上設有分抽氣管路，在所述分抽氣管路上設有分子泵和第二抽氣閥，在所述壓力控制管路上設有壓力傳感器、壓力控制閥、PID控制電路和第二機械泵，所述分抽氣管路與壓力控制管路相連。
所述分抽氣管路設在第一機械泵和第一抽氣閥之間的主抽氣管路上。
所述分抽氣管路與壓力傳感器前部的壓力控制管路相連。
有益效果：本實用新型與現有技術相比，其顯著優點是：本實用新型整體結構設置合理，設置由充氣閥和質量流量控制器組成的充氣管路，及第一機械泵、第一抽氣閥、分子泵和第二抽氣閥組成的抽氣管路，及壓力傳感器、PID控制電路、壓力控制閥和第二機械泵組成的壓力控制管路，確保控制精確，整體運行平穩可靠，為碳化硅單晶生長提供良好的壓力環境。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。
如圖1所示，本實用新型所述的一種碳化硅單晶爐用壓力控制系統，它包括反應室1，在所述反應室1一側設有充氣管路2，另一側設有主抽氣管路3和壓力控制管路4，在所述充氣管路2上設有充氣閥5和質量流量控制器6，在所述主抽氣管路3上設有第一機械泵7和第一抽氣閥8，在所述主抽氣管路3上設有分抽氣管路9，在所述分抽氣管路9上設有分子泵10和第二抽氣閥11，在所述壓力控制管路4上設有壓力傳感器12、壓力控制閥13、PID控制電路14和第二機械泵15，所述分抽氣管路9與壓力控制管路4相連；所述分抽氣管路9設在第一機械泵7和第一抽氣閥8之間的主抽氣管路上；所述分抽氣管路9與壓力傳感器12前部的壓力控制管路4相連。本實用新型整體結構設置合理，設置由充氣閥和質量流量控制器組成的充氣管路，及第一機械泵、第一抽氣閥、分子泵和第二抽氣閥組成的抽氣管路，及壓力傳感器、PID控制電路、壓力控制閥和第二機械泵組成的壓力控制管路，確保控制精確，整體運行平穩可靠，為碳化硅單晶生長提供良好的壓力環境。
本實用新型提供了一種思路及方法，具體實現該技術方案的方法和途徑很多，以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍，本實施例中未明確的各組成部分均可用現有技術加以實現。