本發明涉及一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,屬于功能防護材料制備領域。
技術背景
防彈性能高、質量輕,二次抗彈能力強的防護材料是裝甲領域研究的目標。Wilkins在1960年首先提出了雙層陶瓷-金屬防彈結構,此后,許多學者對陶瓷-金屬復合靶板的防彈性能和機理進行了研究并取得大量的成果。研究表明,復合材料中陶瓷材料在侵徹過程中能破壞彈頭,降低其子彈動能,其強度,硬度,耐高溫性能,韌性等指標是影響復合材料防護性能的關鍵因素。因此,高性能的陶瓷及其復合材料成為了裝甲材料的研究熱點。
金屬陶瓷既保持陶瓷的高強度,高硬度,耐高溫,化學穩定性強等優點,又有較好的韌性以及可塑性,被認為是極具潛力的結構陶瓷材料。其中,鈦的碳化物和硼化物是近年來發展較快的兩種金屬陶瓷。碳化鈦(TiC)由于熔點高,耐磨性好,硬度大,目前已在切削工具,噴沙嘴等結構材料等方面投入使用。鈦的硼化物通常分為TiB和TiB2兩種,其中TiB2陶瓷具有較高熔點,高硬度,良好的導電性,可用電加工手段成型,但是TiB2的燒結性能和斷裂韌性比較差,在很大程度上限制了其應用。TiB陶瓷可通過鈦合金粉與B源粉末(如B粉,TiB2粉,B4C粉等)在較低溫度下原位反應形成,生成的TiB陶瓷繼承了TiB2陶瓷的一系列優點,斷裂韌性更高,而且降低了燒結溫度。尤為重要的是,使用鈦合金粉與B4C粉在較低燒結溫度下發生原位反應,可同時生成TiB,TiB2與TiC,最終的燒結產物兼具TiB,TiB2與TiC單相陶瓷的優點,而且與單相陶瓷相比,具有更高的強度,高溫硬度,斷裂韌性和耐磨性,總體性能提升很大,是未來復合防護材料中陶瓷材料的理想選擇。但是由于TiB-TiC-TiB2-B4C復相陶瓷制備工藝復雜,成本高,產物致密度不高,截止目前為止,還沒有將其應用到防護材料的報導。
技術實現要素:
有鑒于此,本發明的目的是提供一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,所述方法采用放電等離子燒結系統,通過TC4粉和B4C粉在較低的溫度下發生的原位反應,實現TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速可控低成本制備。
本發明的目的由以下技術方案實現:
一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,所述方法步驟如下:
(1)將TC4粉和B4C粉加入球磨罐中,球磨使混合均勻,干燥,得到混合粉體;
其中,所述TC4粉和B4C粉的質量比為3~5.67:1;
所述TC4粉的粒徑優選≤60微米;B4C粉的粒徑優選≤15微米;
所述球磨優選采用SM-QB行星式球磨機;
球磨參數優選為:球磨介質為無水乙醇;球料比為3:1;球磨機轉速為300r/min,球磨時間為0.5~1h;
其中,磨球優選由質量比為1:1的大瑪瑙球和小瑪瑙球組成;所述大瑪瑙球的直徑為10mm,小瑪瑙球的直徑為5mm;
所述干燥過程優選為:
先將球磨完成后的混合泥漿于70~80℃下進行真空干燥,待球磨介質揮發完畢后,于30~80℃下干燥0.5~1h;
所述真空干燥優選采用真空旋轉蒸發儀,其轉速為40~100r/min;
(2)采用放電等離子燒結系統對所述混合粉體進行燒結處理,得到本發明所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷;
其中,燒結過程為:
在初始真空度<15Pa,初始壓力為0.2~1MPa下,先以60~120℃/min的升溫速率進行升溫,當溫度升至800℃時,調節升溫速率為10~20℃/min,當溫度高于1000℃、且真空度<15Pa時,調節升溫速率為30~60℃/min,并同時加壓,待溫度升至1100~1700℃,壓力達5~50MPa后,保溫保壓3~15min;然后保持壓力不變,隨爐冷卻至900℃以下,卸除壓力,隨爐冷卻至100℃以下。
有益效果:
(1)本發明所述方法選用TC4粉和B4C粉的混合粉末為原料,采用放電等離子燒結系統進行燒結,電場會在燒結過程中清潔和活化所述混合粉末的顆粒表面,使混合粉末在較低的燒結溫度下充分反應,燒結得到的TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷致密度高,硬度高,強度高,綜合性能良好;所述TiB-TiB2復合陶瓷致密度高達99.3%,維氏硬度值高達28.1GPa,可應用于防護材料領域;
(2)本發明的生產工藝簡單易行,周期短,實用性強,利于工業化。
附圖說明
圖1為實施例1~5中制備的TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的厚度與致密度值。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明作詳細的闡述。
以下實施例中所述TC4粉由北京泰欣隆有限公司生產,其平均粒徑為45微米,純度≥99.8%;其各組分的質量百分含量(wt%)如表1所示:
表1
所述B4C粉由牡丹江金剛鉆碳化硼有限公司生產,其平均粒徑為10微米,純度為99.8%;
所述無水乙醇由北京市通廣精細化工公司生產。
所述復合陶瓷理論密度計算公式:
其中,M總為混合粉總質量,MTiB,MTiC MB4C,MTiB2分別為TiB,TiC,B4C和TiB2的理論質量,ρTiB=4.50g/cm3,ρTiC=4.93g/cm3,
所述維氏硬度的測量采用LECO公司生產的LM700AT顯微硬度測試儀。
所述實際密度根據國標GB/T 1423-1996《貴金屬及其合金密度的測試方法》中規定的方法進行。
所述致密度D的計算公式為:D=ρ實際/ρ理論×100%,其中,ρ實際表示實際密度。
實施例1
一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,所述方法步驟如下:
(1)將45.36g TC4粉和15.12g B4C粉加入SM-QB行星式球磨機的球磨罐中,并按球料比為3:1加入磨球和過量的無水乙醇;在300r/min的轉速下,球磨0.5h,得到混合泥漿;將所述混合泥漿倒入真空旋轉蒸發儀中,在轉速為100r/min、水浴溫度為80℃條件下轉蒸0.5h,得到混合粉末前體;將混合粉末前體放入電熱恒溫鼓風干燥箱中,于60℃下干燥1h,得到混合粉末。
其中,磨球由質量比為1:1的大瑪瑙球和小瑪瑙球組成;所述大瑪瑙球的直徑為10mm,小瑪瑙球的直徑為5mm。
(2)將60.48g混合粉末放入內徑為60mm的石墨模具中,再用石棉氈包裹石墨模具,放入放電等離子燒結系統中,設置爐腔內初始真空度<15Pa,初始壓力為0.5MPa,先以100℃/min的升溫速率進行升溫,當溫度升至800℃時,原位反應開始發生,此階段有明顯放氣現象,爐腔內氣壓值升高,調節升溫速率為10℃/min,當溫度高于1000℃、且真空度<15Pa時,調節升溫速率為30℃/min,并同時加壓,待溫度升至1100℃,壓力達5MPa后,保溫保壓3min;然后先保持壓力不變,隨爐冷卻至900℃以下,卸除壓力,再隨爐冷卻至100℃以下,取出燒結后的陶瓷塊體,使用乙醇和去離子水清洗陶瓷的表面,得到本實施例所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷。
所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的實際密度為4.28g/cm3,理論密度為4.31g/cm3;如圖1所示,TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的厚度為5mm,致密度為99.3%。對所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷維氏硬度測量,300gf的試驗力下,保持10秒,得到維氏硬度值為28.1GPa。
實施例2
一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,所述方法步驟如下:
(1)將49.15g TC4粉和11.33g B4C粉加入SM-QB行星式球磨機的球磨罐中,并按球料比為3:1加入磨球和過量的無水乙醇;在300r/min的轉速下,球磨1h,得到混合泥漿;將所述混合泥漿倒入真空旋轉蒸發儀中,在轉速為80r/min、水浴溫度為80℃條件下轉蒸0.5h,得到混合粉末前體;將混合粉末前體放入電熱恒溫鼓風干燥箱中,于60℃下干燥1h,得到混合粉末。
其中,磨球優選由質量比為1:1的大瑪瑙球和小瑪瑙球組成;所述大瑪瑙球的直徑為10mm,小瑪瑙球的直徑為5mm。
(2)將60.48g混合粉末放入內徑為60mm的石墨模具中,再用石棉氈包裹石墨模具,放入放電等離子燒結系統中,設置爐腔內初始真空度<15Pa,初始壓力為0.2MPa,先以60℃/min的升溫速率進行升溫,當溫度升至800℃時,原位反應開始發生,此階段有明顯放氣現象,爐腔內氣壓值升高,調節升溫速率為20℃/min,當溫度高于1000℃、且真空度<15Pa時,調節升溫速率為60℃/min,并同時加壓,待溫度升至1700℃,壓力達50MPa后,保溫保壓15min;然后先保持壓力不變,隨爐冷卻至900℃以下,卸除壓力,再隨爐冷卻至100℃以下,取出燒結后的陶瓷塊體,使用乙醇和去離子水清洗陶瓷陶瓷的表面,得到本實施例所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷。
所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的實際密度為4.52g/cm3,理論密度為4.58g/cm3;如圖1所示,TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的厚度為4.73mm,致密度為98.7%。對所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷維氏硬度測量,300gf的試驗力下,保持10秒,得到維氏硬度值為27.8GPa。
實施例3
一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,所述方法步驟如下:
(1)將51.41g TC4粉和9.07g B4C粉加入SM-QB行星式球磨機的球磨罐中,并按球料比為3:1加入磨球和過量的無水乙醇;在300r/min的轉速下,球磨0.5h,得到混合泥漿;將所述混合泥漿倒入真空旋轉蒸發儀中,在轉速為80r/min、水浴溫度為80℃條件下轉蒸0.5h,得到混合粉末前體;將混合粉末前體放入電熱恒溫鼓風干燥箱中,于60℃下干燥1h,得到混合粉末。
其中,磨球優選由質量比為1:1的大瑪瑙球和小瑪瑙球組成;所述大瑪瑙球的直徑為10mm,小瑪瑙球的直徑為5mm。
(2)將60.48g混合粉末放入內徑為60mm的石墨模具中,再用石棉氈包裹石墨模具,放入放電等離子燒結系統中,設置爐腔內初始真空度<15Pa,初始壓力為1MPa,先以120℃/min的升溫速率進行升溫,當溫度升至800℃時,原位反應開始發生,此階段有明顯放氣現象,爐腔內氣壓值升高,調節升溫速率為10℃/min,當溫度高于1000℃、且真空度<15Pa時,調節升溫速率為40℃/min,并同時加壓,待溫度升至1350℃,壓力達20MPa后,保溫保壓5min;然后先保持壓力不變,隨爐冷卻至900℃以下,卸除壓力,再隨爐冷卻至100℃以下,取出燒結后的陶瓷塊體,使用乙醇和去離子水清洗陶瓷陶瓷的表面,得到本實施例所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷。
所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的實際密度為4.51g/cm3,理論密度為4.56g/cm3;如圖1所示,TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的厚度為4.75mm,致密度為98.9%。對所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷維氏硬度測量,300gf的試驗力下,保持10秒,得到維氏硬度值為27.4GPa。
實施例4
一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,所述方法步驟如下:
(1)將121.91g TC4粉和28.09g B4C粉加入SM-QB行星式球磨機的球磨罐中,并按球料比為3:1加入磨球和過量的無水乙醇;在300r/min的轉速下,球磨0.5h,得到混合泥漿;將所述混合泥漿倒入真空旋轉蒸發儀中,在轉速為80r/min、水浴溫度為80℃條件下轉蒸0.5h,得到混合粉末前體;將混合粉末前體放入電熱恒溫鼓風干燥箱中,于80℃下干燥0.5h,得到混合粉末。
其中,磨球優選由質量比為1:1的大瑪瑙球和小瑪瑙球組成;所述大瑪瑙球的直徑為10mm,小瑪瑙球的直徑為5mm。
(2)將150.0g混合粉末放入內徑為60mm的石墨模具中,再用石棉氈包裹石墨模具,放入放電等離子燒結系統中,設置爐腔內初始真空度<15Pa,初始壓力為0.5MPa,先以100℃/min的升溫速率進行升溫,當溫度升至800℃時,原位反應開始發生,此階段有明顯放氣現象,爐腔內氣壓值升高,調節升溫速率為15℃/min,當溫度高于1000℃、且真空度<15Pa時,調節升溫速率為40℃/min,并同時加壓,待溫度升至1450℃,壓力達10MPa后,保溫保壓5min;然后先保持壓力不變,隨爐冷卻至900℃以下,卸除壓力,再隨爐冷卻至100℃以下,取出燒結后的陶瓷塊體,使用乙醇和去離子水清洗陶瓷陶瓷的表面,得到本實施例所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷。
所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的實際密度為4.44g/cm3,理論密度為4.58g/cm3;如圖1所示,TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的厚度為11.95mm,致密度為96.9%。對所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷維氏硬度測量,300gf的試驗力下,保持10秒,得到維氏硬度值為26.9GPa。
實施例5
一種TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷的快速制備方法,所述方法步驟如下:
(1)將325.09g TC4粉和74.91g B4C粉加入SM-QB行星式球磨機的球磨罐中,并按球料比為3:1加入磨球和過量的無水乙醇;在300r/min的轉速下,球磨0.5h,得到混合泥漿;將所述混合泥漿倒入真空旋轉蒸發儀中,在轉速為40r/min、水浴溫度為70℃條件下轉蒸0.5h,得到混合粉末前體;將混合粉末前體放入電熱恒溫鼓風干燥箱中,于30℃下干燥1h,得到混合粉末。
其中,磨球優選由質量比為1:1的大瑪瑙球和小瑪瑙球組成;所述大瑪瑙球的直徑為10mm,小瑪瑙球的直徑為5mm。
(2)將400.0g混合粉末放入內徑為60mm的石墨模具中,再用石棉氈包裹石墨模具,放入放電等離子燒結系統中,設置爐腔內初始真空度<15Pa,初始壓力為0.5MPa,先以100℃/min的升溫速率進行升溫,當溫度升至800℃時,原位反應開始發生,此階段有明顯放氣現象,爐腔內氣壓值升高,調節升溫速率為15℃/min,當溫度高于1000℃、且真空度<15Pa時,調節升溫速率為50℃/min,并同時加壓,待溫度升至1450℃,壓力達10MPa后,保溫保壓5min;然后先保持壓力不變,隨爐冷卻至900℃以下,卸除壓力,再隨爐冷卻至100℃以下,取出燒結后的陶瓷塊體,使用乙醇和去離子水清洗陶瓷陶瓷的表面,得到本實施例所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷。
所述TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的實際密度為3.32g/cm3,理論密度為4.58g/cm3;如圖1所示,TiB-TiC-TiB2復合陶瓷的厚度為42.6mm,致密度為72.5%%。對所述TiB-TiC-TiB2-B4C復合陶瓷維氏硬度測量,300gf的試驗力下,保持10秒,得到維氏硬度值為24.2GPa。
本發明包括但不限于以上實施例,凡是在本發明精神的原則之下進行的任何等同替換或局部改進,都將視為在本發明的保護范圍之內。