本發明涉及一種納米Fe3-xSnxO4材料的制備方法,特別涉及一種氣相化學運輸法制備納米Fe3-xSnxO4材料的方法,屬于錫鐵納米材料制備領域。
背景技術:
錫以及錫的多元氧化物具有良好的半導體性能,其中Fe3-xSnxO4廣泛的應用于制備鐵氧磁性材料、電力變壓器鐵芯、氣敏材料、多相催化劑以及磁性記憶材料等等。尤其是作為鐵氧體磁性材料,主要用于磁性天線、電感器、變壓器、磁頭、耳機、繼電器、振動子、延遲線、傳感器、微波吸收材料、電磁鐵、加速器高頻加速腔、磁場探頭、磁性基片、磁場屏蔽、高頻淬火聚能、電磁吸盤、磁敏元件(如磁熱材料作開關)等。
Fe3-xSnxO4的制備方法主要是高溫固相反應,在1300℃以上的高溫條件下通過固相反應法進行合成,此方法雖然工藝簡單,但是過高的反應溫度會導致產物晶粒生長過大,產品粒度粗,在幾十甚至上百微米粒級,僅適用于制備鐵氧體材料和吸波材料等初級用途。
而納米級的Fe3-xSnxO4具有優良的催化和氣敏性能,可以廣泛的應用于制備催化劑以及氣敏器件。納米Fe3-xSnxO4的主要制備方法是濕化學合成法,主要包括利用共沉淀和離子交換法,首先將鐵和錫的可溶性氯鹽或者硝酸鹽配成特定比例溶液后,再添加氨水或者NaOH溶液調整pH,使錫和鐵共同沉淀,獲得羥基錫鐵化合物沉淀物,經過有機溶劑的反復過濾、洗滌,將雜質離子洗脫后,最后將沉淀物在200-600℃的溫度下進行焙燒脫水,獲得錫鐵尖晶石產品,濕化學合成法的主要優點是獲得產品粒均勻、可控,尤其在制備納米尺度的顆粒產品。但是濕法過程不可避免使用到各種有機溶劑洗滌劑,會產生一定環境污染;另外濕法合成產率低、制備工藝復雜。然而多元氧化物制備過程中,不同元素的沉淀性質存在差異,導致獲得產品中,元素存在偏析,均勻性不佳,嚴重影響產品質量。
氣相化學運輸是一種制備高品質單晶物質的方法,主要用于合成溶液體系極其不穩定的多元氯化、硫化、碘化、氧化物等,此方法也用于稀有金屬以及稀土元素的分離回收等工藝。氣相化學運輸法制備的產品純度高、晶體結構可控。
技術實現要素:
針對現有的制備納米Fe3-xSnxO4材料的方法存在流程長,產率低等不足,本發明的目的是在于提供一種焙燒溫度低、時間短的通過氣相運輸方法制備高純度、粒徑均勻的Fe3-xSnxO4材料的制備方法,該方法工藝簡單、高效,有利于工業化生產。
為了實現上述技術目的,本發明提供了一種氣相化學運輸法制備納米Fe3-xSnxO4材料的方法,該方法是將SnO2置于含CO和CO2混合氣氛中,于850~950℃溫度下進行一段焙燒,焙燒煙氣直接引入裝有納米羥基鐵粉末的爐中,在875~975℃溫度下進行二段焙燒,即得納米Fe3-xSnxO4。
本發明的技術方案主要針對SnO2性質穩定,在1300℃以下很難與其他物質發生反應的問題,提出一種制備納米Fe3-xSnxO4材料的全新思路。本發明的技術方案將Fe3-xSnxO4材料的制備分兩段進行,一段反應過程中,通過控制還原氣氛,可以將SnO2還原成易揮發的SnO;二段反應過程中以納米羥基鐵粉末為原料,其在高溫下加熱生成納米鐵氧化物,而新生成的納米鐵氧化物與氣相SnO接觸進行氣固原位反應,氣態SnO有極高的活性,新生成的納米鐵氧化物反應活性也較高,在適當的溫度條件下,兩者反應變得容易,生成高純度的晶相均勻穩定的納米Fe3-xSnxO4產物。兩段焙燒溫度均控制在1000℃以下,且二段氣固反應為原位反應,產物中不會有液相出現,便于對產物粒度組成的控制,使Fe3-xSnxO4保持原有的納米鐵氧化物前軀體粒徑,使產品的粒徑均勻。
優選的方案,含CO和CO2混合氣氛中CO的體積百分比含量為10~15.5%。
優選的方案,一段和二段的焙燒時間為10~30min。
優選的方案,納米羥基鐵粉末粒徑為100~500nm。納米羥基鐵粉末即氫氧化鐵沉淀前驅體是通過常規化學沉淀法得到,將其粒徑控制在100~500nm是本技術領域容易實現的。
相對現有技術,本發明申請的技術方案帶來的有益技術效果:
1)本發明制備納米Fe3-xSnxO4材料的過程溫度控制在1000℃以下,且反應時間控制在10~30min內,使反應條件溫和化,達到節能、降低成本的目的。克服了傳統的固相反應法制備Fe3-xSnxO4材料需在1300℃以上高溫下焙燒,且焙燒時間長的缺陷。
2)本發明申請的技術方案通過SnO氣態與納米鐵氧化物固態進行氣固原位反應,可以獲得純度高,晶相結構均勻穩定,而粒徑分布均勻的納米Fe3-xSnxO4產物,克服了現有的固相反應方法制備的產物由于有液相出現,難以對產物粒度組成的控制以及產品晶相不均勻,存在組分偏析等缺陷。
附圖說明
【圖1】是實施例1的產品XRD圖譜。
【圖2】是實施例1的產品掃描電鏡圖。
具體實施方式
以下實施例旨在進一步說明本發明內容,而不是限制本發明權利要求的保護范圍。
實施例1
以分析純的SnO2為原料,置于CO與CO2組成的焙燒氣氛中進行一段焙燒,焙燒溫度為950℃,焙燒氣氛為[CO/(CO+CO2)]為10%,焙燒煙氣直接隨氣流通入二段焙燒爐;二段焙燒爐中放置的納米氫氧化鐵粉末,平均粒度為200nm,二段焙燒爐的溫度為875℃,焙燒時間10min。焙燒結束后,關閉焙燒爐加熱裝置,并通入惰性氣氛(高純N2)保護冷卻至室溫,取出樣品,獲得高純納米Fe3-xSnxO4,經XRD定量分析,產品Fe3-xSnxO4(x=0.2),純度達到99.2%。產品XRD圖見圖1所示,產品中唯一的物相為Fe3-xSnxO4(x=0.2),說明產品純度高;產品掃描電鏡圖見圖2所示,產品粒度均勻,粒徑在200納米左右。
實施例2
以分析純的SnO2為原料,置于CO與CO2組成的焙燒氣氛中進行一段焙燒,焙燒溫度為870℃,焙燒氣氛為[CO/(CO+CO2)]為13.5%,焙燒煙氣直接隨氣流通入二段焙燒爐;二段焙燒爐中放置的納米氫氧化鐵粉末,平均粒度為500nm,二段焙燒爐的溫度為955℃,焙燒時間20min。焙燒結束后,關閉焙燒爐加熱裝置,并通入惰性氣氛(高純N2)保護冷卻至室溫,取出樣品,獲得高純納米Fe3-xSnxO4,經XRD定量分析,產品Fe3-xSnxO4(x=0.4),純度達到99.1%,產品粒度均勻,平均粒徑在500納米左右。
實施例3
以分析純的SnO2為原料,置于CO與CO2組成的焙燒氣氛中進行一段焙燒,焙燒溫度為850℃,焙燒氣氛為[CO/(CO+CO2)]為15.5%,焙燒煙氣直接隨氣流通入二段焙燒爐;二段焙燒爐中放置的納米氫氧化鐵粉末,平均粒度為250nm,二段焙燒爐的溫度為975℃,焙燒時間30min。焙燒結束后,關閉焙燒爐加熱裝置,并通入惰性氣氛(高純N2)保護冷卻至室溫,取出樣品,獲得高純納米Fe3-xSnxO4,經XRD定量分析,產品Fe3-xSnxO4(x=0.5),純度達到98.7%,產品粒度均勻,粒徑在250納米左右。
實施例4
以分析純的SnO2為原料,置于CO與CO2組成的焙燒氣氛中進行一段焙燒,焙燒溫度為850℃,焙燒氣氛為[CO/(CO+CO2)]為10%,焙燒煙氣直接隨氣流通入二段焙燒爐;二段焙燒爐中放置的納米氫氧化鐵粉末,平均粒度為400nm,二段焙燒爐的溫度為975℃,焙燒時間30min。焙燒結束后,關閉焙燒爐加熱裝置,并通入惰性氣氛(高純N2)保護冷卻至室溫,取出樣品,獲得高純納米Fe3-xSnxO4,經XRD定量分析,產品Fe3-xSnxO4(x=0.1),純度達到99.0%產品粒度均勻,粒徑在400納米左右。