本發明是一種用于冷軋或熱軋的考登高耐候結構鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉，具體是一種考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉。
背景技術：
考登鋼(Corten Steel)即高耐候結構鋼，分兩大類，Corten A，CortenB，又稱之為耐大氣腐蝕結構鋼。在鋼中加入少量的耐候和耐硫合金元素，如Cu、P、Cr、Ni等，使其在金屬基體表面上形成保護層，進而提高鋼材的耐候性能。考登鋼目前主要以板、管、構件方式應用在車輛、集裝箱、建筑塔架等長期暴露在大氣中的結構件上。此外考登鋼還大量地應用在工作環境比較惡劣，且必須有一定抗腐蝕性的構件或元件中，如火力發電機組使用的空氣預熱器，脫硫裝置的煙氣加熱器等。火力發電機組空氣預熱器傳熱元件在工作中會受到煙氣中的CO2、SO2、SO3等氣體的侵蝕，因此空氣預熱器的傳熱元件根據燃料的種類來決定傳熱元件的材質。如果燃料為含硫較高的原煤，空氣預熱器冷端工作溫度在硫酸的露點以下的傳熱元件就必須使用表面涂搪瓷的傳熱元件。在當下煙氣脫硝工藝條件下，空氣預熱器工作在硫酸露點以下的幾率更高，腐蝕更嚴重。在火電廠煙囪鋼套筒工程中，硫酸的露點腐蝕甚至要使用昂貴的鈦合金復合板才能夠保持可達約二十年使用壽命。
詳見附圖1所示的考登鋼的典型化學組成及分析。
目前的通用的做法是采用脫碳鋼(零碳鋼)進行表面涂耐酸搪瓷來解決這一問題，但這種做法不僅成本較高，而且一旦腐蝕到了金屬表面就會急劇加速傳熱元件的腐蝕。采用考登鋼進行表面涂耐酸搪瓷就會解決這個問題，從而提高煙氣加熱器傳熱元件的使用壽命，也能為諸如煙囪套筒工程的選材提供更多選擇。
鱗爆缺陷嚴重影響搪瓷制品質量，現代搪瓷工藝表明，造成鱗爆的直接原因是氫溢出造成，部分元素如Si、P、S都是能與氫發生反應形成揮發性氫氧化物的元素，從而形成搪瓷后氫鱗爆的不利結果，尤其考登鋼添加了0.5-1.25％Cr元素給搪瓷帶來了兩種明顯不利影響。一種是增加了鱗爆概率，另一種嚴重影響了密著效果。為此，設計考登鋼防鱗爆瓷釉要比Q235B、Q345防鱗爆瓷釉防鱗爆性能更好，密著性能更強(大量增加密著劑)，表面張力更低(添加降低表面張力最有效氧化物V2O5)。在這種思路指導下，本發明提出了一種考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉。
技術實現要素：
本發明提供一種考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉，具體為：
考登鋼防鱗爆底釉的重量百分比：
上述的考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉的制作方法，具體為：
按權利要求1所述化學組成換算的化工原料重量配比配方，充分攪拌混勻，在1300℃回轉爐中熔制，然后冷淬制成。
一種應用上述的考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉制作考登鋼構件雙面搪燒的工藝，具體為：
將球磨好的考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉漿，根據產品，調好容重和附著量，進行浸搪或噴粉，瓷層厚度控制在0.1-0.3毫米，燒成參考溫度控制在850-900℃，根據視瓷面色相、光澤和密著確定燒成時間，浸搪容重控制在168-175(克/100毫升)，濕式噴粉控制在162-168(克/100毫升)。
上述的應用考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉制作考登鋼構件雙面搪燒的工藝，其特中：實行兩搪二燒，面釉根據不同的功能性面釉確定。
本發明相對于現有技術具有如下有益效果：
本發明提供的考登鋼雙面搪瓷防鱗爆瓷底釉，具有以下特點：實際用中，應在降低成本的同時，對金屬表面涂耐酸搪瓷提高元件的使用壽命，也能為諸如煙囪套筒工程的選材提供更多選擇，顯著防止傳熱元件的腐蝕；另外，防鱗爆性能好，密著性能更強，表面張力更低。
圖1是考登鋼化學組成圖。
具體實施方式
下面對本發明做進一步的描述。
考登鋼構件雙面防鱗爆瓷釉主要指其底釉和功能性的面釉，依二搪二燒工藝燒成，其搪瓷底釉的組分及各組分的重量百分含量是：Al2O3 3～5，SiO2 55～65％，B2O3 15～20％，Na2O+K2O+Li2O 10-15％，CaF2 2-5％，ZrO2 3-6％，CoO+NiO 4-8％，BaMoO4+Sb2O3 1-3％，V2O5 1-3％。
按上述化學組成換算的化工原料重量配比配方，充分攪拌混勻，在1300℃回轉爐中熔制，然后冷淬制成；
考登鋼構件雙面搪燒工藝，將球磨好的釉漿，根據不同產品，調好容重和附著量，進行浸搪或噴粉，瓷層厚度控制在0.1-0.3毫米，燒成參考溫度控制在850-900℃，燒成時間視瓷面色相、光澤和密著而定。浸搪容重控制在168-175(克/100毫升)，濕式噴粉控制在162-168(克/100毫升)。考登鋼構件雙面搪燒工藝實行兩搪二燒，面釉可以根據不同功能采用不同的功能性面釉。
本發明技術方案的保護范圍在Q345GNHL，Q345GNH，Q295GNHL等各級別的3-40mm等不同厚度經酸洗、拋丸、噴砂等表面處理，或未處理的熱軋考登鋼板，鋼管，角鋼，工字鋼等結構型材的雙面搪瓷。
雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發明，任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的修改和完善，因此本發明的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。