當今，使用無機化合物的光電技術主要是基于硅技術(大于80％的市場)以及基于“薄層”技術(主要地CdTe和CIGS(銅銦鎵硒)，代表20％的市場)。光電市場的增長看起來是指數的(在2010年累積40GW，在2011年累積67GW)。不幸地，這些技術遭受以下缺點：限制了它們滿足這個增長的市場的能力。這些缺點包括從機械和安裝觀點來看關于硅的較差柔性，以及用于“薄層”技術的元素的毒性和稀缺性。具體地，鎘、碲和硒是有毒的。此外，銦和碲是稀有的，這尤其對它們的成本具有影響。由于這些原因，尋求免除銦、鎘、碲和硒的使用或減少其比例。已經推薦的用于替換CIGS中的銦的一種路線是使用(Zn2+，Sn4+)對來替換它。在這一背景下，尤其已經提出了化合物Cu2ZnSnSe4(被稱為CZTS)。現今這種材料被認為是就效力而言對于CIGS的最重大的后繼者，但是具有硒的毒性的缺點。關于硒和碲，已經提出了很少的替代解決方案，并且它們通常證明是不利的。的確已經測試了如SnS、FeS2和Cu2S的化合物，但是，盡管它們具有有利的本征特性(間隙、傳導率等)，它們并未證明是足夠化學穩定的(例如：在與空氣和水份接觸時Cu2S非常容易地轉化為Cu2O)。就本發明人所知道的，迄今為止沒有公開用于獲得良好的光電效力而沒有與在光電系統中使用的元素的毒性和/或稀缺性相關的問題的令人滿意的解決方案。確切地說，本發明的一個目的是提供對于在目前光電技術中使用的那些的替代性無機化合物，這使得可能避免上述問題。為此，本發明提出了使用一種新穎的無機材料家族，對于這些無機材料諸位發明人現在已經出人意料地展示了它們被證明具有良好的效力，并且它們具有不需要使用或以非常低的含量使用稀有或有毒的金屬(如上述In、Te或Cd)的優點，并且還提供了使用陰離子的可能性，例如減少含量的Se或Te，或者甚至不使用這種類型的陰離子的可能性。本發明的主題之一是一種新穎的材料，該新穎的材料包含至少一種具有式(I)的化合物：Bi1-xMxCu1-y-εM’yOS1-zM”z(I)其中：M是選自組(A)的一種元素或多種元素的混合物，該組由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金屬組成，M’是選自組(B)的一種元素或多種元素的混合物，該組由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd組成，M”是鹵素，x、y和z是小于1、特別地小于0.6、尤其小于0.5、例如小于0.2的數字，其中數字x、y或z中的至少一個是非零的，并且0≤ε<0.2。在它們存在時，元素M、M’和M”通常是分別占據元素Bi、元素Cu和元素S的位置的取代元素。術語“包含至少一種具有式(I)的化合物的材料”是指固體，一般呈分散的形式(粉末、分散體)或呈在載體上的涂層或連續或不連續層的形式，并且其包含對應于式(I)的化合物或甚至由該化合物組成。術語“稀土金屬”是指來自由釔和鈧和周期表中具有在57與71(含)之間的原子序數的元素組成的組中的元素。根據本發明，元素M可以優選選自元素Sb、Pb、Ba和稀土金屬。元素M可以例如是镥。根據本發明，元素M’可以優選選自元素Ag、Zn和Mn。元素M’可以例如是元素Ag。根據本發明，元素M”可以尤其是元素I。在本發明的第一變體中，根據本發明的具有式(I)的化合物對應于下式：Bi1-xMxCu1-εOS(Ia)，其中x≠0，ε是零或非零的數字并且M是選自組(A)的一種元素或多種元素的混合物，該組由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金屬組成。根據本發明的此變體的一個實施例，M是選自稀土金屬的一種元素或多種元素的混合物。該化合物可以然后對應于例如式Bi1-xLuxCuOS，其中x≠0并且ε＝0。在本發明的第二變體中，根據本發明的具有式(I)的化合物對應于下式：BiCu1-y-εM’yOS(Ib)，其中y≠0，ε是零或非零的數字并且M’是選自組(B)的一種元素或多種元素的混合物，該組由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd組成。根據本發明的此變體的一個實施例，M’是選自元素Ag和Zn的一種元素或多種元素的混合物。該化合物可以然后對應于例如式BiCu1-yAgyOS或對應于式BiCu1-yZnyOS，其中y≠0并且ε＝0。在本發明的第三變體中，根據本發明的具有式(I)的化合物對應于下式：BiCuOSzM”1-z(Ic)，其中z≠0，ε是零或非零的數字并且M”是鹵素。根據本發明的此變體的一個實施例，M”是元素I，并且該化合物然后對應于式BiCuOSzI1-z，其中z≠0并且ε＝0。本發明的主題還是獲得根據本發明的材料的各種途徑。由此，在第一變體中，本發明的主題是一種用于制備根據本發明的材料的第一方法，該方法包括固態研磨至少包含以下項的混合物的步驟：鉍和銅的無機化合物，以及任選地選自Bi和來自由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金屬組成的組(A)的元素的至少一種元素的至少一種氧化物、硫化物、氧硫化物、鹵化物或鹵氧化物，以及任選地選自Cu和來自由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd組成的組(B)的元素的至少一種元素的至少一種氧化物、硫化物、氧硫化物、鹵化物或鹵氧化物。根據此變體，研磨至少包含鉍和銅的無機化合物的呈固體形式的混合物。優選地，存在于該混合物中的鉍和銅的無機化合物至少是化合物Bi2O3、Bi2S3和Cu2S。此研磨可以根據本身已知的任何手段進行。該混合物可以尤其被置于瑪瑙研缽中。該研磨可以例如用行星式研磨機進行。為了促進研磨，有可能將研磨珠粒加入到呈固體形式的混合物中，這些研磨珠粒例如由不銹鋼珠粒、特種鉻鋼珠粒、瑪瑙珠粒、碳化鎢珠粒或氧化鋯珠粒組成。可以根據希望的產物調節研磨時間。該研磨時間可能尤其是在20分鐘與96小時之間、尤其在1小時與72小時之間。在該混合物中的鉍和銅的無機化合物可以呈顆粒的形式，這些顆粒具有小于50μm、特別地小于10μm、例如小于1μm的粒徑。此處所提及的這些顆粒的尺寸可典型地通過掃描電子顯微鏡(SEM)來測量。在第二變體中，本發明的主題是通過進行包括以下步驟的沉淀反應用于制備根據本發明的材料的一種第二方法：(a)制備至少一種包含以下項的溶液：呈鉍的無機化合物的至少一種鹽的形式的金屬前體，以及任選地選自Bi和來自由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金屬組成的組(A)的元素的至少一種元素的至少一種氧化物、硫化物、氧硫化物、鹵化物或鹵氧化物，以及(b)制備至少一種包含以下項的溶液：呈銅的無機化合物的至少一種鹽的形式的金屬前體，以及任選地選自Cu和來自由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd組成的組(B)的元素的至少一種元素的至少一種氧化物、硫化物、氧硫化物、鹵化物或鹵氧化物，并且(c)任選地制備至少一種包含硫源的溶液，(d)通過混合在步驟(a)、(b)和任選地(c)結束時獲得的溶液而沉淀，(e)過濾，并且如果需要的話洗滌在步驟(d)結束時獲得的具有式(I)的化合物。該方法在于使用可溶的金屬前體進行沉淀反應以便在包含具有式(I)的化合物的材料中獲得取代元素的均勻的混合物。分別制備前體的各種溶液，并且然后混合在一起，由此獲得均勻的混合物和亞微米粒徑。在某些情況中，該沉淀可以通過升高溫度進行尤其為了獲得更好的結晶化。通過說明，這種沉淀可以以以下方式進行：(a)-(b)提供可溶金屬前體的溶液。有可能例如在堿性pH下制備溶液，其中：-通過與強絡合聚羧酸陰離子如檸檬酸根、乳酸根、酒石酸根等絡合使元素Bi和組(A)中的元素穩定，-通過加入過量的還原劑(例如硫代硫酸鈉、肼等)以銅(I)的形式使銅穩定，-銅和組(B)的元素可以通過堿性pH(Al、Zn)的作用保持在堿性介質中可溶或者通過加入離子絡合配體如氨基配體(氨、乙二胺、有機胺等)在堿性介質中穩定，(c)提供包含硫源例如硫離子的溶液，(d)將在步驟(a)和(b)結束時獲得的溶液與在步驟(c)結束時獲得的溶液混合。可以調節混合速度和混合溫度以便控制所獲得的固體顆粒的形態和尺寸。(e)加熱并且攪拌持續足以獲得希望的化合物的結晶的時間。然后過濾并且洗滌該化合物以去除沒有保留在該固體組合物中的離子，并且然后在烘箱中干燥。在第三變體中，本發明的主題是用于制備根據本發明的材料的一種第三方法，該方法包括以下步驟：(a’)提供至少包含以下項的混合物：呈分散形式的鉍和銅的無機化合物，以及任選地選自Bi和來自由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金屬組成的組(A)的元素的至少一種元素的至少一種氧化物、硫化物、氧硫化物、鹵化物或鹵氧化物，以及任選地選自Cu和來自由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd組成的組(B)的元素的至少一種元素的至少一種氧化物、硫化物、氧硫化物、鹵化物或鹵氧化物，以及任選地硫源，(b’)在水熱條件下并且優選地在攪拌下將該混合物溶解在水或水性介質中，并且(c’)冷卻所獲得的溶液，由此獲得具有式(I)Bi1-xMxCu1-y-εM’yOS1-zM”z的化合物的顆粒，其中x、y、z和ε具有上述定義。在步驟(b’)中使用的水性介質尤其可以是一種溶劑，例如在回流下的乙二醇或離子液體的混合物。在步驟(c’)結束時，可以進行解附聚步驟，例如使用超聲波探頭。優選地，在步驟(a’)的混合物中提供的鉍和銅的無機化合物至少是Bi2O3和Cu2O。根據另一個可能的實施例，可以使用鉍和銅的可溶鹽。具體地，在步驟(a’)中不存在這些無機化合物的氧化物的情況下，步驟(b’)有利地在氧源(如水、硝酸鹽或碳酸鹽)的存在下進行。步驟(a’)中使用的硫源可以選自硫、硫化氫H2S以及其鹽，有機硫化合物(硫醇、硫醚、硫代酰胺等)，優選無水或水合的硫化鈉。優先地，不考慮其確切性質，處于分散形式的這些氧化物在步驟(a’)中以具有小于10μm、特別地小于5μm并且優先地小于1μm的粒徑的顆粒的形式、典型地粉末的形式使用。這種粒徑可以例如通過例如使用如微粉磨機或濕式球磨機的裝置預先研磨這些氧化物(分開地或更有利地在氧化物的混合物情況下，這種研磨可以在該氧化物的混合物上進行)來獲得。在步驟(b’)中，該溶解在“水熱條件”下進行。對于本說明書的目的來說，術語“水熱條件”意思是該步驟在大于180℃的溫度下在水的飽和蒸汽壓下進行。當進行研磨時，步驟(b’)的溫度可以是小于240℃，或者甚至小于210℃，例如在180℃與200℃之間。可替代地，步驟(b’)可以在沒有預先研磨下進行，在這種情況下，然而，優選的是在高于240℃、優選高于250℃的溫度下進行該步驟。優選地，在步驟(b’)中，將該混合物放置在低于這些水熱條件的溫度下(典型地在室溫并且在大氣壓下)的水中，并且然后緩慢地升高該溫度，有利地以小于10℃/分鐘、例如在0.5與5℃/分鐘之間、典型地2.5℃/分鐘的速率，典型地在密閉介質中(使用如水熱高壓罐，尤其帕爾高壓罐(Parrbomb)的裝置)操作，直到達到該操作溫度。在步驟(b’)中，該溶解具體地在攪拌下進行。這種攪拌尤其可以通過磁攪拌，例如通過將該水熱高壓罐放置在磁力攪拌器上進行，該組件被放置在加熱室(如烘箱)中。進行步驟(b’)持續足以獲得溶解的時間。典型地，將該溫度保持在至少190℃下持續至少12小時，例如持續48小時，或者甚至7天。在步驟(b’)中進行的溶解結束時，在步驟(c)中，典型地通過冷卻使所獲得的溶液達到室溫或更一般地達到在10℃與30℃之間的溫度，例如通過以至少1℃/分鐘的速率降低該溫度，優選通過更快速的冷卻，其中典型地至少3℃/分鐘、例如從3至5℃/分鐘的速率降低。這種冷卻類型典型地導致具有在50nm與5μm之間、典型地在100nm與1μm之間的長度和50nm厚度的顆粒。此外，不希望受具體理論的束縛，上述高的冷卻速率通常導致非常低的雜質含量(尤其Cu2S、Bi2O3和Cu2BiS3)。有利地，根據本發明的材料借助于以上呈現的第一固態研磨方法獲得。本發明的一個主題還是使用一種材料作為半導體、尤其用于光電化學或光化學應用、特別地用于提供光電流的用途，該材料包含至少一種具有式(I)的化合物：Bi1-xMxCu1-y-εM’yOS1-zM”z(I)其中：M是選自組(A)的一種元素或多種元素的混合物，該組由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金屬組成，M’是選自組(B)的一種元素或多種元素的混合物，該組由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd組成，M”是鹵素，x、y和z是小于1、特別地小于0.6、尤其小于0.5、例如小于0.2的數字，其中數字x、y和z的至少一個是非零的，并且0≤ε<0.2。在以上描述中指出的尤其關于元素M、M’和M”的內容適用于根據本發明的發明用途。存在于該半導體材料中的化合物是取代的無機材料、尤其是p型的。鉍、銅和/或硫的化學取代可以具有若干種作用。在等電子取代如用稀土金屬或用元素Sb取代元素Bi或可替代地用元素Ag取代元素Cu的情況中，這些取代可以尤其通過改變晶格參數和/或通過改變軌道的延伸及其能量位置由此導致間隙(價帶-導帶)的改變。關于異價取代，它們改變元素Cu的氧化態。將取代基引入到半導體的結構中可以，視情況而定，導致電荷載體數量的降低或增加。取代的材料可以尤其具有更高的傳導率，這導致相對于其未取代的形式的改進的傳導容量或者相反地更低的傳導率。在本發明的背景下，諸位發明人現在已經證實了對應于上述式(I)的材料，特別地在它們是p型時，當它們在比它們的間隙更長的波長下被輻射時，能夠提供光電流(即在足夠能量的入射光子的作用下在該材料中產生電子空穴對，所形成的帶電物質(電子和“空穴”，即不存在電子)自由移動以產生電流)。具體地，諸位發明人現在已經證實了本發明的材料看來是能夠產生光電效應的。總體上，光電效應是通過不同類型的兩種半導體化合物的組合使用獲得的，即：-一種具有p型半導體性質的第一化合物；以及-一種具有n型半導體性質的第二化合物。將這些化合物以本身已知的方式靠近彼此放置(即，直接接觸或至少在足夠小以確保光電效應的距離下)以形成p-n型結。由光吸收產生的電子空穴對在該p-n結處解離并且通過該n型半導體可以將這些受激發的電子傳遞給陽極，這些空穴本身通過該p型半導體被傳遞給陰極。在本發明的背景下，該光電效應典型地通過以下方式獲得：在兩個電極之間將也尤其是p型的一種具有上述式(I)的基于半導體的材料與一種n型半導體接觸放置，直接接觸或任選地通過一個附加的涂層(例如電荷收集涂層)與這些電極中的至少一個連接；并且使用合適的電磁輻射，典型地使用來自太陽光譜的光照射由此制成的光電裝置。為了做到這一點，優選的是這些電極之一允許所使用的電磁輻射的通過。根據另一個具體方面，本發明的一個主題是光電裝置，這些光電裝置包括在空穴傳導材料與電子傳導材料之間的一個基于具有式(I)的p型化合物的層和一個基于n型半導體的層，其中：-該基于具有式(I)的化合物的層與該基于n型半導體的層相接觸；-該基于具有式(I)的化合物的層接近該空穴傳導材料；并且-該基于n型半導體的層接近該電子傳導材料。對于本說明書的目的來說，術語“空穴傳導材料”意思是能夠在該p型半導體與該電路之間循環電流的材料。在根據本發明的這些光電裝置中使用的n型半導體可以選自具有比具有式(I)的化合物更明顯的電子受體性質的任何半導體、或促進電子去除的化合物。優選地，該n型半導體可以是氧化物(例如ZnO或TiO2)或硫化物(例如ZnS)。在根據本發明的這些光電裝置中使用的空穴傳導材料可以是，例如，合適的金屬例如金、鎢或鉬；或沉積在載體上或與電解質接觸的金屬，如Pt/FTO(沉積在氟摻雜的二氧化錫上的鉑)；或例如沉積在玻璃上的導電氧化物如ITO(錫摻雜的氧化銦)；或p型導電聚合物。根據具體的實施例，該空穴傳導材料可包括上述類型的空穴傳導材料和氧化還原介體，例如包含I2/I-對的電解質，在這種情況下該空穴傳導材料典型地是Pt/FTO。該電子傳導材料可以是，例如，FTO或AZO(鋁摻雜的氧化鋅)，或n型半導體。在根據本發明的光電裝置中，在p-n結處產生的這些空穴通過該空穴傳導材料被提取并且這些電子通過上述類型的電子傳導材料被提取。在根據本發明的光電裝置中，優選的是該空穴傳導材料和/或該電子傳導材料是至少部分透明的、允許所使用的電磁輻射通過的材料。在這種情況下，該至少部分透明的材料有利地被放置在該入射電磁輻射源與該p型半導體之間。為此，該空穴傳導材料可以是例如選自金屬或導電玻璃的材料。可替代地或組合地，該電子傳導材料可以是至少部分透明的，并且然后選自例如FTO(氟摻雜的二氧化錫)、或AZO(鋁摻雜的氧化鋅)、或n型半導體。根據另一個有利的實施例，與該基于具有式(I)的p型化合物的層接觸的基于n型半導體的層也可以是至少部分透明的。在此，術語“部分透明的材料”意思是允許該入射電磁輻射的至少一部分通過的材料，用于提供光電流，并且該材料可以是：-不完全吸收該入射電磁場的材料；和/或-處于穿孔形式(典型地包括空穴、縫隙或空隙)的材料，該形式能夠允許該電磁輻射的一部分通過而這種輻射不遇到該材料。根據本發明使用的具有式(I)的化合物有利地以各向同性或各向異性的物體的形式使用，這些物體具有至少一個小于50μm、優選小于20μm、典型地小于10μm、優先地小于5μm、通常小于1μm、更有利地小于500nm、例如小于200nm、或甚至100nm的尺寸。典型地，該小于50μm的尺寸可以是：-在各向同性物體情況下的平均直徑；-在各向異性物體情況下的厚度或橫向直徑。根據一個第一變體，基于具有式(I)的化合物的物體是顆粒，典型地具有小于10μm的尺寸。這些顆粒優選地根據本發明的制備方法之一獲得。在此術語“顆粒”意思是各向同性或各向異性物體，其可以是單獨的顆粒或團聚體。此處所提及的這些顆粒的尺寸可典型地通過掃描電子顯微鏡(SEM)來測量。有利地，該具有式(I)的化合物是處于小片類型的各向異性顆粒、或幾十個至幾百個這種類型的顆粒的團聚體的形式，這些小片類型的顆粒典型地具有保持小于5μm(優先地小于1μm、更有利地小于500nm)的尺寸，具有典型地保持小于500nm、例如小于100nm的厚度。根據該第一變體描述的類型的顆粒可典型地以沉積在n型導電或半導體載體上的形式使用。根據本發明的覆蓋有具有式(I)的p型顆粒的ITO或金屬板因此可以例如充當光敏電極，該光敏電極用于可以尤其用作光電探測器的光電化學類型的裝置。典型地，使用上述類型的光敏電極的光電化學類型的裝置包括通常是鹽溶液的電解質，例如KCl溶液，典型地具有約1M的濃度，在該鹽溶液中浸入：-上述類型的光敏電極(覆蓋有根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒的ITO或金屬板)；-參比電極；以及-對電極；這三個電極典型地通過恒電位儀連接在一起。根據一個可能的實施例，該電化學裝置可以包括：-作為光敏電極：覆蓋有具有式(I)的化合物的顆粒的載體(例如ITO板)；-作為參比電極：例如，Ag/AgCl電極；以及-作為對電極：例如，鉑絲；這三個電極典型地通過恒電位儀連接在一起。當將這種類型的電化學裝置放置在光源下時，在輻射的作用下，電子空穴對形成并且被解離。當該電解質是水性溶液(通常是這種情況)時，在該電解質中的水在該光敏電極附近被產生的電子還原，從而產生氫和OH-離子。由此產生的OH-離子將通過該電解質朝向該對電極遷移；并且具有式(I)的化合物的空穴將通過ITO類型的導體被提取并且將進入外部電路中。最終，這些OH-離子的氧化使用靠近該對電極的空穴進行，產生氧氣。通過具有式(I)的化合物的光吸收誘發的這些電荷(空穴和電子)的運動產生光電流。該裝置尤其可以用作光電探測器，僅當該裝置被照射時產生光電流。如以上描述的光敏電極尤其可以通過以下方式來制備：通過濕法路線或任何涂覆方法(例如通過滴落流延、旋涂、浸涂、噴墨印刷或絲網印刷)，使用一種懸浮液(包括分散在溶劑中的上述類型的具有式(I)的化合物的顆粒)并且將這種懸浮液沉積在載體(例如覆蓋有ITO的玻璃板或金屬板)上。關于這個主題的另外的細節，可以參考文章：R.M.Pasquarelli,D.S.Ginley,R.O’Hayre，在化學學會評論(Chem.Soc.Rev)中，第40卷，第5406-5441頁，2011年中。優選地，在該懸浮液中存在的基于具有式(I)的化合物的顆粒具有如通過激光粒度測定法(例如使用馬爾文(Malvern)型激光粒度儀)測量的小于5μm的平均直徑。根據一個優選的實施例，可以將具有式(I)的化合物的顆粒預先分散在一種溶劑，例如松油醇或乙醇中。可以將包含具有式(I)的化合物的顆粒的懸浮液沉積在載體，例如覆蓋有導電氧化物的板上。根據本發明的一個第二變體，其被證明是非常適合于生產光電裝置，具有式(I)的化合物是處于基于具有式(I)的化合物的連續層的形式，該連續層的厚度是小于50μm、優選小于20μm、更有利地小于10μm、例如小于5μm并且典型地大于500nm。在此，術語“連續層”意思是在載體上產生的并且覆蓋所述載體的均相沉積物，不能通過在該載體上簡單沉積顆粒的分散體來獲得。典型地將根據本發明的這個具體變體的基于具有式(I)的p型化合物的連續層靠近n型半導體層放置，在空穴傳導材料與電子傳導材料之間，以形成旨在提供光電效應的光電裝置。在根據本發明的用途中的n型半導體可以是一種導電氧化物(例如ZnO或TiO2)或一種硫化物(例如ZnS)。此外，術語“基于具有式(I)的化合物”的層意思是包含優選地比例為按質量計至少50％、或者甚至比例為按質量計至少75％的具有式(I)的化合物的層。根據一個實施例，根據第二變體的該連續層主要由具有式(I)的化合物構成，并且它典型地包含按質量計至少95％、或者甚至按質量計至少98％并且更優先地按質量計至少99％的具有式(I)的化合物。根據這個實施例使用的基于具有式(I)的化合物的連續層可以采用若干形式。該連續層可以尤其包含一種聚合物基質，以及分散在這種基質中的、基于具有式(I)的化合物的、尤其是在本發明的第一實施例中使用的類型的化合物的顆粒，這些顆粒典型地具有小于10μm或者甚至小于5μm的尺寸。典型地，該聚合物基質包括一種p型導電聚合物，該p型導電聚合物尤其可以選自聚噻吩的衍生物，更具體地選自聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT:PSS)衍生物。在該聚合物基質中存在的基于具有式(I)的化合物的顆粒優選地具有小于5μm的尺寸，該尺寸尤其可以通過SEM確定。現在將參照以下給出的示意性實例和附圖更詳細地說明本發明，其中：·圖1是在以下描述的實例4中使用的光電化學電池的橫截面的示意圖；·圖2是光電探測器裝置的橫截面的示意圖；·圖3是光電裝置的橫截面的示意圖；·圖4是根據本發明的光電裝置的橫截面的示意圖(未例示)。圖1示出了光電化學電池10，該電池包括：-光敏電極11，該光敏電極由基于覆蓋有2cm×1cm的ITO導電層的玻璃的載體12組成，在該載體的整個表面上已經沉積了約1μm厚的層13，該層是基于根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒14，將這些顆粒14預先分散在松油醇中并且然后通過涂覆(刮刀涂覆)沉積到導電玻璃板11上；-(Ag/AgCl)參比電極15；以及-對電極(鉑絲)16。將三個電極11、15和16浸入1MKCl的電解質17中。通過恒電位儀18連接這三個電極。圖2示出了光電探測器裝置20，該裝置包含根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒21。這個裝置包括約500nm厚的FTO層22，在該FTO層上電沉積基于ZnO的約1μm厚的層23。將基于根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒21的約1μm厚的層24通過沉積來自在乙醇中按質量計25％-30％的根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒的懸浮液的液滴而沉積在層23的表面上。將約1μm厚的金層25通過蒸鍍沉積在層24上。圖3示出了光電裝置30，該裝置包含根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒31。這個裝置包括約500nm厚的FTO層32，在該FTO層上電沉積基于ZnO的約1μm厚的層33。將基于根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒31的約1μm厚的層34通過沉積來自在乙醇中按質量計25％-30％的根據本發明的具有式(I)的顆粒的懸浮液的液滴而沉積在層33的表面上。將包含用作氧化還原介體的I2/I-對的電解質35通過沉積液滴而沉積在層34的表面上，并且在該電解質上通過蒸鍍沉積約1μm厚的金層36。圖4示出了光電裝置40，該光電裝置包括通過涂覆沉積到基于ZnO的層42上的基于根據本發明的具有式(I)的化合物的顆粒的層41，基于ZnO的層42是通過溶膠凝膠沉積制備的，層41與金層43接觸并且基于ZnO的層42與FTO層44接觸。使根據本發明的具有式(I)的化合物與n型半導體ZnO接觸的放置形成了p-n結。當該裝置被放置在光源下時，所產生的電子移動到該ZnO中并且所產生的空穴保留在根據本發明的具有式(I)的化合物中。使該ZnO與FTO(電子導體)接觸以從其中提取電子并且使根據本發明的具有式(I)的化合物與金(空穴導體)接觸以從其中提取空穴。然而，以下實例說明本發明并不限制范圍。實例實例1用于通過固態研磨制備BiCu0.5Ag0.5OS顆粒的方法通過在室溫下反應研磨、根據以下方案制備BiCu0.5Ag0.5OS粉末：將1.028g的Bi2S3、1.864g的Bi2O3、0.477g的Cu2S和0.744g的Ag2S在瑪瑙研磨珠粒的存在下置于瑪瑙研缽中。然后將該研缽覆蓋并且置于具有約500rpm轉速的Fritsch6號行星式研磨機中。持續研磨120分鐘直到獲得純相。所獲得的化合物C1的特征在于x射線衍射具有以下四方晶格參數：實例2用于通過固態研磨制備BiCuOS0.95I0.05顆粒的方法通過在室溫下反應研磨、根據以下方案制備BiCuOS0.5I0.5粉末：將1.028g的Bi2S3、1.864g的Bi2O3、0.906g的Cu2S和0.114g的CuI在瑪瑙研磨珠粒的存在下置于瑪瑙研缽中。然后將該研缽覆蓋并且置于具有約500rpm轉速的Fritsch6號行星式研磨機中。持續研磨120分鐘直到獲得純相。所獲得的化合物C2的特征在于x射線衍射具有以下四方晶格參數：實例3用于通過固態研磨制備BiCu0.7Zn0.3OS顆粒的方法通過在室溫下反應研磨、根據以下方案制備BiCu0.7Zn0.3OS粉末：將0.720g的Bi2S3、1.584g的Bi2O3、0.668g的Cu2S和0.349g的ZnS在瑪瑙研磨珠粒的存在下置于瑪瑙研缽中。然后將該研缽覆蓋并且置于具有約500rpm轉速的Fritsch6號行星式研磨機中。持續研磨120分鐘直到獲得純相。所獲得的化合物C3的特征在于x射線衍射具有以下四方晶格參數：實例4用于從可溶前體制備BiCu0.7Zn0.2OS顆粒的方法1)鉍前體溶液(0.1M下50mL)：將4mL的濃HNO3(商業上52.5％)加入到在容器中的2.425g的BiNO3.5H2O，并且然后用10mL的水稀釋該混合物。在另一個燒杯中，將3g的氫氧化鈉與3g的酒石酸二鈉(C4H4Na2O6·2H2O)混合。迅速混合所獲得的兩種溶液。白色沉淀物形成并且立即消失。所獲得的溶液具有透明的顏色。然后用水將其稀釋到50mL的體積。2)銅I和鋅(II)的前體的溶液(在0.1M(Cu+Zn)的陽離子濃度下50mL)將0.992g的五水合硫酸銅(CuSO4.5H2O)和0.285g的七水合硫酸鋅溶解在30mL的蒸餾水中。加入1.5mL的濃氨水(28％)并且獲得深藍色溶液。然后加入15g的五水合硫代硫酸鈉。將該混合物適度加熱(50℃)四小時。獲得無色溶液。優選使用密閉容器以避免銅(I)的氧化。3)Na2S的溶液將12.25g的Na2S.9H2O溶解于100mL的蒸餾水中。4)化合物的形成迅速混合預先制備的含有Bi和(Cu(+Zn)的溶液。白色沉淀物形成并且立即消失。將該混合物加熱到90℃的溫度。加熱Na2S溶液到90℃。在這兩種溶液處于希望的溫度時，將陽離子(Bi、Cu、Zn)溶液加入到Na2S溶液中。立即形成了黑色沉淀物。將該溶液在90℃下攪拌四小時。然后過濾，用蒸餾水洗滌并且在80℃在烘箱中干燥。在通過x射線衍射觀察所獲得的產物時，它具有單相。實例5化合物C1至C3在光電化學裝置中的用途使用圖1中描述的裝置，通過在相對Ag/AgCl的-0.8V的電勢下極化工作電極。在白熾燈(其色溫是2700K)下以交替的黑暗周期和光照周期輻射該體系。當將該體系放置在光中時，電流強度增加。這是一種光電流，其證實了化合物C1至C3中的每一種產生光電流的能力。這種光電流是陰極的(即負的)，這與這些化合物C1至C3中的每一種是p型半導體的事實一致。對于化合物C1至C5中的每一種，所獲得的光電流的測量如下：化合物光電流(μA.cm-2)化合物C175化合物C2150化合物C3100當前第1頁1 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