具有保留的光學性質的耐刮擦的制品的制作方法與工藝

具有保留的光學性質的耐刮擦的制品本申請根據35U.S.C.§119要求2013年9月13日提交的美國臨時申請系列第61/877,568號的優先權，以及2013年5月7日提交的美國臨時申請系列第61/820,407號的優先權，上述申請的內容是本申請的基礎并通過參考完整地結合于此。背景本發明涉及用于顯示器蓋板玻璃應用的、具有耐刮擦性和保留的光學性質的制品,具體來說，涉及包含具有耐刮擦性的光學膜結構的制品,其中該制品在可見光譜上呈現85％或更大的平均透光率。如本文所使用，術語“可見光譜”包含約380nm-約780nm的波長。蓋板玻璃制品常常用于保護電子產品中的關鍵裝置，用于提供用來輸入和/或顯示和/或許多其它功能的用戶界面。這種產品包括移動裝置例如智能手機、mp3播放器和平板計算機。這些應用常常要求耐刮擦性和涉及最大透光率以及最小反射比的較強的光學性能特征。此外，蓋板玻璃應用要求當觀看角度變化時，以反射和/或透射的方式呈現或觀察到的顏色不顯著改變。這是因為，如果反射或透射隨著觀看角度發生顯著程度的變化，產品的用戶將察覺到顯示器的顏色或亮度的變化，這會降低觀察到的顯示器的質量。在苛刻操作條件下使用之后，現有的蓋板玻璃制品常常呈現刮擦。證據表明在單一事件中出現的尖銳接觸導致的損壞是移動裝置中所用的蓋板玻璃制品中可見刮擦的主要來源。一旦蓋板玻璃制品上出現顯著的刮擦，產品的外觀會劣化，因為刮擦導致光散射增加，這可導致顯示器上的圖象的亮度、清晰度和對比度顯著降低。顯著的刮擦還可影響觸敏顯示器的精確性和可靠性。因此，這些刮擦甚至是更不顯著的刮擦是難看的，并可影響產品性能。單一事件刮擦損壞可與摩損損壞相對比。蓋板玻璃通常不經歷摩損損壞，因為摩損損壞通常通過來自硬的對表面物體(例如砂、碎石和砂紙)的往復滑動接觸來產生。相反，蓋板玻璃制品通常只經歷與軟的物體如手指的往復滑動接觸。此外，摩損損壞可產生熱量，這可降解膜材料中的化學鍵，導致制品發生薄片剝離或其它類型的損壞。此外，因為摩損損壞經歷的時間段常常比導致刮擦的單一事件的時間更長，經歷摩損損壞的膜材料還可發生氧化，這進一步降低膜和所得制品的耐久性。導致刮擦的單一事件通常不涉及與導致摩損損壞的事件相同的情況，因此常常用來阻止摩損損壞的解決方案不能阻止制品中的刮擦。此外，已知的刮擦和摩損損壞解決方案常常降低光學性質。因此，本領域需要呈現耐刮擦性和良好光學性能新的制品以及該制品的制造方法。概述本發明的第一方面涉及一種制品，該制品包含具有相反的主要表面和相反的次要表面的無機氧化物基材以及設置在該無機氧化物基材的相反的主要表面中的至少一個上的光學膜結構。根據一種或多種實施方式的制品在可見光譜上(例如,380nm–780nm)呈現85％或更大的平均透光率。在具體實施方式中,制品呈現的總反射比(其包含鏡面反射比和漫反射比)等于或小于不含設置在其上面的光學膜結構的無機氧化物基材的總反射比。一種或多種實施方式的制品呈現基本上平坦的透明度光譜(或反射比光譜)或者透明度(或反射比)在可見光譜上是基本上恒定的。制品還可在(L,a*,b*)比色系統中呈現顏色,從而透明度顏色或反射比坐標與參考點的距離約小于2。在一種或多種實施方式中,參考點可為L*a*b*顏色空間(或顏色坐標a*＝0,b*＝0)中的原點(origin)(0,0)或者無機氧化物基材的顏色坐標。在一種或多種實施方式中,無機氧化物基材可包含無定形基材、晶體基材或其組合。在利用無定形基材的實施方式中,無定形基材可包含玻璃基材，該玻璃基材可為強化的或非強化的。無定形基材的示例包含鈉鈣玻璃、堿性鋁硅酸鹽玻璃、含堿的硼硅酸鹽玻璃和/或堿性硼鋁硅酸鹽玻璃。晶體基材的示例包含強化的玻璃陶瓷基材、非強化的玻璃陶瓷基材、單一晶體基材(例如,單晶基材例如藍寶石)或其組合。根據一種或多種實施方式,光學膜結構賦予制品以耐刮擦性。例如,如通過本文所述的金剛石貝爾克維奇(Berkovitch)壓頭測試所測量，光學膜結構可包含硬度為至少16Gpa的至少一個層,。在其它實施方式中,當貼著碳化硅球對表面測量時,光學膜結構呈現的摩擦系數可小于0.3。光學膜結構可包含含硅的氧化物、含硅的氮化物、含鋁的氮化物(例如,AlN和AlxSiyN)、含鋁的氮氧化物(例如,AlOxNy和SiuAlvOxNy)、含鋁的氧化物或其組合。在一些實施方式中,光學膜結構包含透明的介電材料，例如SiO2、GeO2、Al2O3、Nb2O5、TiO2、Y2O3和其它類似材料及其組合。一種或多種實施方式的光學膜結構可具有層狀結構,或具體來說具有至少兩個層(例如,第一層和第二層)，從而第一層設置在無機氧化物基材和第二層之間。在一種或多種實施方式中,光學膜結構的第一層可包含含硅的氧化物、含硅的氮化物、含鋁的氧化物、含鋁的氮氧化物(例如,AlOxNy和SiuAlvOxNy)、含鋁的氮化物(例如,AlN和AlxSiyN)或其組合。具體來說,第一層可包含Al2O3,AlN,AlOxNy或其組合。在另一種選項中,第一層還可包含透明的介電材料，例如SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合。在其中光學膜結構包含AlN或AlOxNy的實施方式中,AlN或AlOxNy可包含無定形結構、微晶結構或其組合。附加的或可選的,AlN或AlOxNy可包含多晶結構。在一種或多種實施方式中,光學膜結構可結合一種或多種改性劑。或者,光學膜結構可不含改性劑。在一種或多種具體實施方式中,可將至少一種改性劑結合進入利用AlN的光學膜結構。在這種實施方式中,可用至少一種改性劑摻雜AlN或與AlN形成合金。示例性改性劑包含BN,Ag,Cr,Mg,C和Ca。在一種變體中,光學膜結構呈現導電性質。在這種實施方式中,光學膜結構可結合改性劑，該改性劑中包含Mg和/或Ca。光學膜結構的第一層可包含第一子層和第二子層。在這種實施方式中,第一子層可設置在第二子層和無機氧化物基材之間。在一種變體中,第一子層可包含Al2O3，第二子層可包含AlN。在一種或多種實施方式中,第一子層可包含AlOxNy，第二子層可包含AlN。在另一種變體中,第一層包含3個子層(例如,第一子層、第二子層和第三子層)。在這種實施方式中,第一子層和第三子層可包含AlN，第二子層可包含透明的介電材料例如SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合。在一種或多種實施方式中,光學膜結構的第一層可包含組成梯度。該組成梯度可包含氧含量梯度、氮含量梯度、硅含量梯度和/或鋁含量梯度。在一種或多種實施方式中,組成梯度可包含硅/鋁組成梯度,其中硅和鋁的原子％沿著第一層的厚度彼此獨立地變化或彼此相關地發生變化。在其它實施方式中，組成梯度可包含氧/氮組成梯度,其中氧和氮的原子％沿著第一層的厚度彼此獨立地變化或彼此相關地發生變化。在具體實施方式中,第一層的氧含量和/或硅含量可朝著遠離無機氧化物基材的方向沿著第一層的厚度降低。在另一種實施方式中,鋁和/或氮含量梯度可朝著遠離無機氧化物基材的方向沿著第一層的厚度增加。在一個或多個實施例中,第一層可包含氧含量梯度且包含AlN。在這種實施方式中,鄰近第二層的第一層可不含氧。在具體實施例中,第一層中的組成梯度沿著第一層的厚度是恒定的。在其它具體實施例中,第一層中的組成梯度沿著第一層的厚度不是恒定的。在其它更具體實施例中,第一層中的組成梯度沿著第一層的厚度為逐步變化的形式，且逐步形式的組成梯度可為恒定的或不恒定的。根據一種或多種實施方式,第一層包含折射率梯度。第一層的折射率可沿著第一層的厚度增加或降低或以其它方式進行變化，從而改善本文所述的光學膜結構和/或制品的光學性質。在一種或多種實施方式中,光學膜結構的第二層包含透明的介電材料，例如SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合。任選地,光學膜結構可包含設置在光學膜結構的第二層上的額外的膜或層。在一種變體中,制品可包含包裹的膜。包裹的膜可設置在無機氧化物基材的一個或多個相反的次要表面和/或一個或多個相反的主要表面上。在其中包裹的膜設置在無機氧化物基材的一個或多個相反的主要表面上的實施方式中,包裹的膜可設置在無機氧化物基材和光學膜結構之間。包裹的膜還可形成光學膜結構的一部分(例如,光學膜結構的第一子層)。制品可任選地包含鈍化膜或中間層。在一種或多種實施方式中,中間層可設置在光學膜結構和無機氧化物基材之間。在一種或多種替代實施方式中,中間層可為光學膜結構的一部分。例如,一種或多種實施方式,中間層可形成光學膜結構的第一層或第一子層的部分。在一種或多種實施方式中,光學膜結構的厚度可為至少約1μm或至少約2μm。當光學膜結構包含層狀結構時,第一層的厚度可大于光學膜結構的第二層的厚度。本發明的第二方面涉及形成如本文所述的制品的方法。在一種或多種實施方式中,所述方法包含提供無機氧化物基材(如本文其它地方所提供)，以及于約0.5毫托-約10毫托的壓力下在無機氧化物基材上設置低應力光學膜結構。光學膜結構可呈現至少16Gpa的硬度。光學膜結構可如本文所述的層狀結構。在一種或多種實施方式中,所述方法包含使用真空沉積技術來在無機氧化物基材上設置光學膜結構。真空沉積技術可包含化學氣相沉積、物理氣相沉積、熱蒸發和/或原子層沉積。在一種或多種實施方式中,所述方法還包含例如通過使用改性劑摻雜光學膜結構，來增加光學膜結構的電導率。可用來增加光學膜結構的電導率的示例性改性劑包含Mg、Ca及其組合。所述方法的一種或多種實施方式可包含增加光學膜結構的潤滑性。在具體實施方式中,增加光學膜結構的潤滑性包含將BN結合進入光學膜結構。在一種或多種實施方式中,該方法可包含降低光學膜結構的應力。在具體實施方式中,該方法可包含通過將BN、Ag、Cr或其組合中的一種或多種結合進入光學膜結構，來降低光學膜結構的應力。根據一種或多種實施方式,該方法可包含將氧和/或氮引入光學膜結構。在一實施例中，該方法可任選地包含在光學膜結構中構建氧含量梯度和/或氮含量梯度。在一種變體中,氧含量梯度包含氧含量沿著遠離無機氧化物基材的方向沿著光學膜結構的厚度降低。在一種變體中,氮含量梯度包含氮含量沿著遠離無機氧化物基材的方向沿著光學膜結構的厚度增加。該方法還可包含構建硅含量梯度和/或鋁含量梯度。在一種或多種實施方式中,該方法可包含將一種或多種源材料(例如,硅和/或鋁)沉積到無機氧化物基材上來形成光學膜結構，并改變一種或多種加工條件例如供應到一種或多種源材料的功率來在光學膜結構中構建硅含量梯度和/或鋁含量梯度。在一種或多種實施方式中,該方法包含在光學膜結構和無機氧化物基材之間設置中間層，或者將中間層結合進入光學膜結構。在以下的詳細描述中提出了本發明的其它特征和優點，其中的部分特征和優點對本領域的技術人員而言，根據所作描述就容易看出，或者通過實施包括以下詳細描述、權利要求書以及附圖在內的本文所述的各種實施方式而被認識。應理解，前面的一般性描述和以下的詳細描述都僅僅是示例性的，用來提供理解權利要求的性質和特性的總體評述或框架。所附附圖提供了對本發明的進一步理解，附圖被結合在本說明書中并構成說明書的一部分。附圖說明了本發明的一個或多個實施方式，并與說明書一起用來解釋各種實施方式的原理和操作。附圖簡要說明圖1顯示根據一種或多種實施方式的制品。圖2顯示根據一種或多種實施方式的制品。圖3顯示根據一種或多種實施方式的制品。圖4顯示根據一種或多種實施方式的制品。圖4A顯示圖4所示制品的具體實施方式。圖5顯示根據一種或多種實施方式的制品。圖5A顯示圖5所示制品的具體實施方式。圖6A是圖4和5所示的制品的氧或硅含量的圖片。圖6B是圖4和5所示的制品的氮或鋁含量的圖片。圖7的圖顯示圖2的制品的光學膜結構的厚度和折射率之間的關系。圖8的圖顯示圖3的制品的光學膜結構的厚度和折射率之間的關系。圖9的圖顯示圖4的制品的光學膜結構的厚度和折射率之間的關系。圖10A的圖顯示圖5的制品的光學膜結構的厚度和折射率之間的關系。圖10B的圖顯示根據一種或多種替代實施方式的制品的光學膜結構的厚度和折射率之間的關系。圖11是等高線圖，其顯示根據實施例1的光學膜結構的顏色透明度。圖12是等高線圖，其顯示根據實施例2的光學膜結構的顏色透明度。圖13是等高線圖，其顯示根據實施例3的光學膜結構的顏色透明度。圖14是等高線圖，其顯示根據實施例4的光學膜結構的顏色透明度。圖15是等高線圖，其顯示根據實施例5的光學膜結構的顏色透明度。圖16是等高線圖，其顯示根據實施例6的光學膜結構的顏色透明度。圖17是等高線圖，其顯示根據實施例7的光學膜結構的顏色透明度。圖18是等高線圖，其顯示根據實施例8的光學膜結構的顏色透明度。圖19A是用于實施例1的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖19B的圖表顯示用于實施例1的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖19C的圖表顯示用于實施例1的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖20A是用于實施例2的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖20B的圖表顯示用于實施例2的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖20C的圖表顯示用于實施例2的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖21A是用于實施例3的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖21B的圖表顯示用于實施例3的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖21C的圖表顯示用于實施例3的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖22A是用于實施例4的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖22B的圖表顯示用于實施例4的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖22C的圖表顯示用于實施例4的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖23A是用于實施例5的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖23B的圖表顯示用于實施例5的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖23C的圖表顯示用于實施例5的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖24A是用于實施例6的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖24B的圖表顯示用于實施例6的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖24C的圖表顯示用于實施例6的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖25A是用于實施例7的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖25B的圖表顯示用于實施例7的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖25C的圖表顯示用于實施例7的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖26A是用于實施例8的以透明度表示的亮度L*的等高線圖。圖26B的圖表顯示用于實施例8的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的距離d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖26C的圖表顯示用于實施例8的以透明度表示的特定顏色點(a*,b*)的log10d,該特定顏色點(a*,b*)對應于如通過在L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的坐標軸所示的SiO2和Al2O3膜厚度。圖27顯示根據一種或多種實施方式的層在可見光譜上的反射率％。圖28顯示根據一種或多種實施方式的層在可見光譜上的透明度％。圖29A是用于實施例11的光學膜結構的以反射比表示的a*的等高線圖。圖29B是用于實施例11的光學膜結構和基材的以反射比表示的a*的等高線圖。圖29C是用于實施例11的光學膜結構和基材的以反射比表示的b*的等高線圖。圖29D是用于實施例11的光學膜結構和基材的以反射比表示的b*的等高線圖。圖29E是用于實施例11的光學膜結構和基材的以反射比表示的在L*a*b*顏色空間中a*和b*距離原點(0,0)的距離的等高線圖。圖29F是用于光學膜結構和基材的以反射比表示的a*和b*距離基材的顏色坐標的距離的等高線圖。圖30A是用于實施例11的光學膜結構的以透明度表示的a*的等高線圖。圖30B是用于實施例11的光學膜結構和基材的以透明度表示的a*的等高線圖。圖30C是用于實施例11的光學膜結構的以透明度表示的b*的等高線圖。圖30D是用于實施例11的光學膜結構和基材的以透明度表示的b*的等高線圖。圖30E是用于實施例11的光學膜結構和基材的以透明度表示的在L*a*b*顏色空間中a*和b*距離原點(0,0)的距離的等高線圖。圖30F是用于光學膜結構和基材的以透明度表示的a*和b*距離基材的顏色坐標的距離的等高線圖。詳細描述下面詳細參考本發明的各種實施方式，這些實施方式的例子在附圖中示出。只要有可能，在所有附圖中使用相同的附圖標記來表示相同或類似的部分。參考圖1,本發明的第一方面涉及制品100，其包含具有主要相反的側面112,114和相反的次要側面116,118的無機氧化物基材110，以及設置在無機氧化物基材110的一個相反的主要側面112上的光學膜結構120。除了設置在相反的主要側面112上以外或者作為替代，可將光學膜結構設置在另一個相反的主要側面114上和/或相反的次要側面116,118的一個或兩個上。當應用于本文所述的光學膜結構時,術語"膜"可包括通過任意已知方法形成的一個或多個層,包括離散的沉積或連續的沉積方法。這些層可相互直接接觸。所述層可由相同的材料或多于一種不同材料來形成。在一種或更多種替代實施方式中,這些層可包括在其間設置的不同材料的中間層。在一個或多個實施方式中，所述膜可包括一種或更多種連續和不間斷的層和/或一種或更多種不連續和間斷的層(即,相互鄰近形成的具有不同材料的層)。如本文所使用，術語“設置”包括使用任意已知方法把材料涂覆、沉積和/或形成到表面上。設置的材料可構造如本文所定義的層或膜。短語"設置在"包括把材料形成到表面上從而材料與表面直接接觸的情況，和還包括其中在表面上形成材料且其中在設置的材料和表面之間存在一種或更多種中間材料的情況。中間材料可構造如本文所定義的層或膜。根據一種或多種實施方式的,制品100在可見光譜上呈現85％或更大的平均透明度。在一種或多種實施方式中,制品100的總反射比是15％或更小。如本文所使用，術語“透明度”定義為在給定波長范圍內通過材料(例如,制品、無機氧化物基材或光學膜結構或它們的部分)傳輸的入射光功率的百分比。如本文所使用，術語“反射比”類似地定義為在給定波長范圍內從材料(例如,制品、無機氧化物基材或光學膜結構或它們的部分)反射的入射光功率的百分比。使用特定的線寬來測定透明度和反射比。在一種或多種實施方式中,表征透明度和反射比的光譜分辨率小于5nm或0.02eV。在一個或多個具體實施例中,制品100在可見光譜上可呈現下述平均透明度：約85％或更大,約85.5％或更大,約86％或更大,約86.5％或更大,約87％或更大,約87.5％或更大,約88％或更大,約88.5％或更大,約89％或更大,約89.5％或更大,約90％或更大,約90.5％或更大,約91％或更大,約91.5％或更大,約92％或更大,約92.5％或更大,約93％或更大,約93.5％或更大,約94％或更大,約94.5％或更大,約95％或更大,約96％或更大,約97％或更大,約98％或更大,或者約99％或更大。在一個或多個其它實施例中,制品的總反射比可為約15％或更小,約14％或更小,約13％或更小,約12％或更小,約11％或更小,約10％或更小,約9％或更小,約8％或更小,約7％或更小,或者約6％或更小。在一些具體實施方式中,制品的總反射比是約6.8％或更小,約6.6％或更小,約6.4％或更小,約6.2％或更小,約6％或更小,約5.8％或更小,約5.6％或更小,約5.4％或更小,約5.2％或更小,約5％或更小,約4.8％或更小,約4.6％或更小,約4.4％或更小,約4.2％或更小,約4％或更小,約3.8％或更小,約3.6％或更小,約3.4％或更小,約3.2％或更小,約3％或更小,約2.8％或更小,約2.6％或更小,約2.4％或更小,約2.2％或更小,約2％或更小,約2.8％或更小,約2.6％或更小,約2.4％或更小,約2.2％或更小,約2％或更小,約1.8％或更小,約1.6％或更小,約1.4％或更小,約1.2％或更小,約1％或更小,或約0.5％或更小。根據一種或多種實施方式,制品100的總反射比等于或小于無機氧化物基材110的總反射比。在其它實施方式中,制品的總反射比與無機氧化物基材的總反射比相差小于約20％,或10％。根據一種或多種實施方式的,制品100在可見光譜上呈現85％或更大的平均透光率。術語“透光率”指通過介質傳輸的光的量。透光率的測量是在介質上入射的光和離開介質的光(其沒有被介質反射或吸收)的量之間的比例。換句話說,透光率是既沒有被介質反射又沒有被介質吸收的入射光的部分。術語“平均透光率”指乘以發光效率函數的透光率的光譜平均值，由CIE標準觀察員描述。制品100可在可見光譜上呈現下述平均透光率：85％或更大,85.5％或更大,86％或更大,86.5％或更大,87％或更大,87.5％或更大,88％或更大,88.5％或更大,89％或更大,89.5％或更大,90％或更大,90.5％或更大,91％或更大,91.5％或更大,92％或更大,92.5％或更大,93％或更大,93.5％或更大,94％或更大,94.5％或更大,或者95％或更大。制品100包含前表面101和光學性質，從而當從前表面以不同于法向入射的角度觀看制品時,制品不提供反射比色調,或提供的反射比色調是中性或無色的。換句話說,從除了直接在前表面101前面以外的角度觀看時,反射是無色的。附加的或可選的,即使觀看角度變化，從制品反射的顏色基本上不變化。在一種或多種實施方式中,在傳輸的光的法向入射時，制品在(L,a*,b*)比色系統中呈現顏色透明度和/或反射比，且距離參考點的顏色坐標距離約小于2。在一種或多種實施方式中,參考點可為顏色坐標a*＝0,b*＝0，或參考點可為無機氧化物基材110的顏色坐標。在一種或多種具體實施方式中,透明度和/或反射比顏色坐標距離可小于1或甚至小于0.5。在一種或多種具體實施方式中,透明度和/或反射比顏色坐標距離可為1.8,1.6,1.4,1.2,0.8,0.6,0.4,0.2,0以及在它們之間的所有范圍和子范圍。當參考點是顏色坐標a*＝0,b*＝0時,顏色坐標距離通過下述公式計算,當參考點是無機氧化物基材110的顏色坐標時,顏色坐標距離通過下述公式計算,無機氧化物基材如圖1-5所示,無機氧化物基材110包含設置在至少一個相反的主要表面(112,114)上的光學膜系統120,220,320,420,520。無機氧化物基材110包含次要表面116,118,其可包含或不包含設置在其上面的膜或材料。無機氧化物基材110可包含無定形基材、晶體基材或其組合。在一種或多種實施方式中,無定形基材可包含玻璃基材，其可為強化的或非強化的。合適的玻璃基材的示例包含鈉鈣玻璃基材、堿性鋁硅酸鹽玻璃基材、含堿的硼硅酸鹽玻璃基材和堿性硼鋁硅酸鹽玻璃基材。在一些變體中,玻璃基材可不含氧化鋰。在一種或多種替代實施方式中,無機氧化物基材110可包含晶體基材例如玻璃-陶瓷基材(其可為強化的或非強化的)或可包含單晶結構,例如藍寶石。在一種或多種具體實施方式中,無機氧化物基材110包含無定形基底(例如,玻璃)和晶體包覆物(例如,藍寶石層、多晶氧化鋁層和/或尖晶石(MgAl2O4)層)。無機氧化物基材110可為基本上平坦的板，但其它實施方式可利用彎曲的或以其它方式成形或雕刻的無機氧化物基材。無機氧化物基材110可為基本上光學無色、透明和無光散射的。無機氧化物基材110的折射率可為約1.45-約1.55。如在這種基材的一個或多個主要相反的表面112,114上所測量，無機氧化物基材110可表征為具有高平均撓曲強度(如本文所述，當與沒有強化的無機氧化物基材相比時)或高表面失效應變(如本文所述，當與沒有強化的無機氧化物基材相比時)。附加的或可選的,出于美學和/或功能原因，無機氧化物基材110的厚度可沿著其一個或更多個維度變化。例如,與無機氧化物基材110的更靠近中央的區域相比，無機氧化物基材110的邊緣可較厚。無機氧化物基材110的長度、寬度和厚度大小也可根據制品應用或用途變化。可使用各種不同方法來提供無機氧化物基材110。例如,當無機基材110包含玻璃基材時，玻璃基材成型方法的示例包括浮法玻璃工藝，以及下拉法例如熔合拉制法和狹縫拉制法。由浮法玻璃工藝制備的玻璃基材可具有光滑表面和均勻厚度，其通過在熔融的金屬(通常是錫)的床上浮起熔融的玻璃來制備。在一個示例性過程中，將熔融玻璃進料到熔融錫床表面上，形成浮動玻璃帶。當玻璃帶沿著錫浴流動時，溫度逐漸降低直到玻璃帶固化成可從錫抬起到輥上的固體玻璃基材。一旦離開浴，可進一步對玻璃基材進行冷卻和退火來降低內部應力。下拉法制備的玻璃基材具有均勻厚度，其具有相對完好的表面。因為玻璃基材的平均撓曲強度受到表面瑕疵的量和尺寸的控制,因此接觸程度最小的完好表面具有較高的初始強度。當隨后對所述高強度玻璃基材進行進一步強化(例如化學強化)時，所得的強度可高于表面已經進行過磨光和拋光的玻璃基材的強度。可以將下拉法制造的玻璃基材拉至厚度約小于2毫米。另外，下拉法玻璃基材具有非常平坦光滑的表面，可以不經高成本的研磨和拋光就用于最終應用。所述熔合拉制法使用拉制容器，例如該拉制容器包含溝槽，用來接受熔融的玻璃原料。這些溝槽沿著溝槽的長度，在溝槽兩側具有頂部開放的堰。當在溝槽內裝入熔融材料的時候，熔融的玻璃從堰上溢流。在重力的作用下，熔融玻璃作為兩個流動的玻璃膜從拉制容器的外表面流下。這些拉制容器的外表面向下和向內延伸，使得它們在拉制容器下方的邊緣處結合。兩個流動的玻璃膜在該邊緣處結合，從而熔合并形成單一流動玻璃基材。所述熔合拉制法的優點在于,由于從溝槽溢流的兩塊玻璃膜會熔合在一起，因此制得的玻璃基材的任一外表面都沒有與設備的任意部件相接觸。因此,熔合拉制的玻璃基材的表面性質不受這種接觸的影響。狹縫拉制法與熔合拉制法不同。在狹縫拉制法中,把熔融的玻璃原材料提供到拉制容器。所述拉制容器的底部具有開放的狹縫，所述開放狹縫具有沿著狹縫的長度延伸的噴嘴。熔融的玻璃流過所述狹縫/噴嘴，以連續的基材的形式通過該狹縫/噴嘴下拉，并進入退火區。在一些實施方式中，玻璃基材所用組合物配料中可包含0-2摩爾％的選自下組的至少一種澄清劑：Na2SO4、NaCl、NaF、NaBr、K2SO4、KCl、KF、KBr和SnO2。一旦形成，可強化玻璃基材，來形成強化的玻璃基材。應指出，還可使用與玻璃基材相同的方式強化玻璃陶瓷基材。如本文所使用，術語"強化的基材"可指經過化學強化的玻璃基材或玻璃陶瓷基材,例如通過用較大的離子與玻璃或玻璃陶瓷基材表面中較小的離子進行離子交換，從而進行化學強化。但是，可使用本技術領域所公知的其它強化方法例如熱回火來強化玻璃基材。本文所述的強化的基材可通過離子交換過程進行化學強化。在離子交換過程中，通常將玻璃或玻璃陶瓷基材在熔鹽浴中浸沒一段預定的時間，玻璃或玻璃陶瓷基材表面上或者表面附近的離子與鹽浴中的較大金屬離子發生交換。在一個實施方式中，所述熔融鹽浴的溫度約為400-430℃，預定的時間約為4-8小時。把較大的離子結合進入玻璃或玻璃陶瓷基材通過在靠近表面的區域中或在位于和鄰近基材表面的區域中形成壓縮應力來強化基材。在中央區域或相距基材表面一定距離的區域中誘導相應的拉伸應力來平衡壓縮應力。利用這種強化過程的玻璃或玻璃陶瓷基材可更具體地描述為化學強化的玻璃或玻璃陶瓷基材或離子交換的玻璃或玻璃陶瓷基材。在一示例中，強化的玻璃或玻璃陶瓷基材中的鈉離子可以被來自熔鹽浴(例如硝酸鉀鹽浴)中的鉀離子替換，但是具有較大原子半徑的其它堿金屬離子(例如銣或銫)也可以替換玻璃中的較小的堿金屬離子。根據具體實施方式中，玻璃或玻璃陶瓷中較小的堿金屬離子可被Ag+替換。類似的，其它的堿金屬鹽，例如但不限于硫酸鹽、磷酸鹽、鹵化物等，可以用于所述離子交換過程。在低于玻璃網絡可松弛的溫度的溫度下用較大的離子替換較小的離子，在化學強化的基材的整個表面產生離子分布，其產生應力曲線。進入的離子的較大的體積在表面上產生壓縮應力(CS)，在強化的基材中心產生張力(中心張力，或者CT)。壓縮應力與中心張力的關系如下式所示:其中t是強化的玻璃或玻璃陶瓷基材的總厚度，壓縮層深度(DOL)是交換深度。交換深度可描述為強化的玻璃或玻璃陶瓷基材之內的深度(即,從玻璃基才的表面到玻璃或玻璃陶瓷基材中央區域的距離),在該深度通過離子交換過程促進進行離子交換。在一種實施方式中,強化的玻璃或玻璃陶瓷基材的表面壓縮應力可為300MPa或更大,例如,400MPa或更大,450MPa或更大,500MPa或更大,550MPa或更大,600MPa或更大,650MPa或更大,700MPa或更大,750MPa或更大或800MPa或更大。強化的玻璃或玻璃陶瓷基材的壓縮層深度可為15μm或更大,20μm或更大(例如,25μm,30μm,35μm,40μm,45μm,50μm或更大)和/或中央張力可為10MPa或更大,20MPa或更大,30MPa或更大,40MPa或更大(例如,42MPa,45MPa,或50MPa或更大)但小于100MPa(例如,95,90,85,80,75,70,65,60,55MPa或更小)。在一種或更多種具體實施方式中,強化的玻璃或玻璃陶瓷基材具有下述的一種或更多種:表面壓縮應力大于500MPa,壓縮層深度大于15μm,和中央張力大于18MPa。雖然無意受限于理論，據信表面壓縮應力大于500MPa和壓縮層深度大于約15μm的強化的玻璃或玻璃陶瓷基材通常具有比非強化的玻璃或玻璃陶瓷基材(或者,換句話說,沒有經過離子交換或以其它方式強化的玻璃基材)更大的失效應變。可用于無機氧化物基材的玻璃的示例可包括堿性鋁硅酸鹽玻璃組合物或堿性硼鋁硅酸鹽玻璃組合物,但設想了其它玻璃組合物。這些玻璃組合物的特征可以是可離子交換的。本文所用的“可離子交換的”是指具有以下特性的基材：其包含能夠用尺寸更大或更小的同價態陽離子交換位于基材表面處或附近的陽離子的組成。一種示例性玻璃組分包含SiO2、B2O3和Na2O，其中，(SiO2+B2O3)≥66摩爾％，并且Na2O≥9摩爾％。在一種實施方式中,玻璃組合物包含至少6重量％的鋁氧化物。在其它實施方式中，無機氧化物基材包括的玻璃組成包含一種或多種堿土金屬氧化物，從而堿土金屬氧化物的含量至少為5重量％。在一些實施方式中,合適的玻璃組合物還包含K2O、MgO和CaO中的至少一種。在具體實施方式中,無機氧化物基材中所用的玻璃組合物可包含61-75摩爾％SiO2；7-15摩爾％Al2O3；0-12摩爾％B2O3；9-21摩爾％Na2O；0-4摩爾％K2O；0-7摩爾％MgO；和0-3摩爾％CaO。適用于無機氧化物基材的其它示例玻璃組合物包含：60-70摩爾％SiO2；6-14摩爾％Al2O3；0-15摩爾％B2O3；0-15摩爾％Li2O；0-20摩爾％Na2O；0-10摩爾％K2O；0-8摩爾％MgO；0-10摩爾％CaO；0-5摩爾％ZrO2；0-1摩爾％SnO2；0-1摩爾％CeO2；小于50ppmAs2O3；和小于50ppmSb2O3；其中12摩爾％≤(Li2O+Na2O+K2O)≤20摩爾％且0摩爾％≤(MgO+CaO)≤10摩爾％。適用于無機氧化物基材的又一示例玻璃組合物包含：63.5-66.5摩爾％SiO2；8-12摩爾％Al2O3；0-3摩爾％B2O3；0-5摩爾％Li2O；8-18摩爾％Na2O；0-5摩爾％K2O；1-7摩爾％MgO；0-2.5摩爾％CaO；0-3摩爾％ZrO2；0.05-0.25摩爾％SnO2；0.05-0.5摩爾％CeO2；小于50ppmAs2O3；和小于50ppmSb2O3；其中14摩爾％≤(Li2O+Na2O+K2O)≤18摩爾％且2摩爾％≤(MgO+CaO)≤7摩爾％。在具體實施方式中,適用于無機氧化物基材的堿性鋁硅酸鹽玻璃組合物包含氧化鋁、至少一種堿金屬以及在一些實施方式中大于50摩爾％的SiO2，在其它實施方式中至少為58摩爾％的SiO2，以及又在其它實施方式中至少為60摩爾％的SiO2，其中比例其中組分的比例以摩爾％計且改性劑是堿金屬氧化物。在具體實施方式中,這種玻璃組合物包含:58-72摩爾％SiO2、9-17摩爾％Al2O3、2-12摩爾％B2O3、8-16摩爾％Na2O、和0-4摩爾％K2O，其中比例又在另一種實施方式中,無機氧化物基材可包含堿性鋁硅酸鹽玻璃組合物，其包含:64-68摩爾％SiO2；12-16摩爾％Na2O；8-12摩爾％Al2O3；0-3摩爾％B2O3；2-5摩爾％K2O；4-6摩爾％MgO；和0-5摩爾％CaO,其中：66摩爾％≤SiO2+B2O3+CaO≤69摩爾％；Na2O+K2O+B2O3+MgO+CaO+SrO>10摩爾％；5摩爾％≤MgO+CaO+SrO≤8摩爾％；(Na2O+B2O3)-Al2O3≤2摩爾％；2摩爾％≤Na2O-Al2O3≤6摩爾％；和4摩爾％≤(Na2O+K2O)-Al2O3≤10摩爾％。在替代實施方式中,無機氧化物基材可包含堿性鋁硅酸鹽玻璃組合物，其包含:2摩爾％或更多的Al2O3和/或ZrO2,或4摩爾％或更多的Al2O3和/或ZrO2。當無機氧化物基材110包含晶體基材時,基材可包含單晶，其可包含Al2O3。這種單晶基材稱作藍寶石。其它適用于晶體基材的材料包含多晶氧化鋁層和/或尖晶石(MgAl2O4)。任選地,晶體基材100可包含玻璃陶瓷基材,其可為強化的或非強化的。合適的玻璃陶瓷的示例可包含Li2O-Al2O3-SiO2體系(即LAS-體系)玻璃陶瓷、MgO-Al2O3-SiO2體系(即MAS-體系)玻璃陶瓷和/或包含主要晶體相的玻璃陶瓷，該晶體相包含β-石英固溶體、β-鋰輝石ss、堇青石和二硅酸鋰。玻璃陶瓷基材可使用本文所述的玻璃基材強化過程進行強化。在一種或多種實施方式中,MAS-體系玻璃陶瓷基材可在Li2SO4熔融鹽中進行強化,由此可進行兩個Li+交換一個Mg2+。根據一個或多個實施方式的無機氧化物基材110的厚度可為約100微米-5毫米。示例無機氧化物基材110的厚度是約100μm-約500μm(例如,100,200,300,400或500μm)。其它示例無機氧化物基材110的厚度是約500μm-約1000μm(例如,500,600,700,800,900或1000μm)。無機氧化物基材110的厚度可大于約1mm(例如,約2,3,4,或5mm)。在一種或更多種具體實施方式中,無機氧化物基材110的厚度可為2mm或更小或者小于1mm。無機氧化物基材110可進行酸拋光或以其它方式處理，以去除或減少表面瑕疵的影響。光學膜結構本文所述的光學膜結構具有耐刮擦性,其可通過光學膜結構的硬度和/或形成光學膜結構的一個或多個層的硬度來表征。在一種或多種具體實施方式中,如通過金剛石貝爾克維奇壓頭測試所測量，光學膜結構的硬度是約16GPa或更大,約17GPa或更大,約18GPa或更大,約19GPa或更大,約20GPa或更大,約22GPa或更大。如本文所使用，“貝爾克維奇壓頭測試”包含通過下述在表面上測量硬度的測試：使用貝爾克維奇壓頭擠壓表面以形成具有距離表面的壓痕深度為至少約100nm的壓痕。光學膜結構120可具有至少一個層，如通過金剛石貝爾克維奇壓頭測試所測量，該至少一個層的硬度是約16GPa或更大,約17GPa或更大,約18GPa或更大,約19GPa或更大,約20GPa或更大,約22GPa或更大。在一種或多種實施方式中,光學膜結構具有耐刮擦性，其通過刮擦深度的降低來測量。具體來說，當與不含光學膜結構的無機氧化物基材110中的刮擦深度相比時，包含光學膜結構的制品可呈現刮擦深度降低。使用金剛石貝爾克維奇壓頭以10微米/秒的速度使用160mN的負載沿著制品(在光學膜結構的側面上)的表面刮擦至少100μm的長度來刮擦具有設置在其上面的光學膜結構的制品時，所得刮擦深度比相同情況下(即,使用相同的壓頭、負載、速度和長度)在無機氧化物基材110(不含設置其上的光學膜結構)上形成的所得刮擦深度小至少約30％,至少約31％,至少約32％,至少約33％,至少約34％,至少約35％,至少約36％,至少約37％,至少約38％,至少約39％,至少約40％,至少約41％,至少約42％,至少約43％,至少約44％,至少約45％,至少約46％,至少約47％,至少約48％,至少約49％,至少約50％,至少約51％,至少約52％,至少約53％,至少約54％,至少約55％,至少約56％,至少約57％,至少約58％,至少約59％,至少約60％(以及在它們之間的所有范圍和子范圍)。當制品利用無定形基材(例如,強化的玻璃基材和/或非強化的玻璃基材)、晶體基材(例如,強化的玻璃陶瓷基材,非強化的玻璃陶瓷玻璃基材,和單晶基材例如藍寶石)或其組合時，可存在光學膜結構的這種耐刮擦的性質。此外,當使用金剛石貝爾克維奇壓頭,以10微米/秒的速度對制品刮擦至少1mm,至少2mm,至少3mm,至少4mm或至少5mm的長度時，可存在光學膜結構的這種耐刮擦的性質。在一種或多種實施方式中,光學膜結構具有耐刮擦性，從而當用金剛石貝爾克維奇壓頭以10微米/秒的速度使用160mN的負載沿著制品的表面刮擦至少100μm的長度來刮擦包含光學膜的制品時，所得刮擦的刮擦深度小于250nm,小于240nm,小于230nm或小于220nm。本文所述的刮擦深度可從光學膜結構的原始的和未被破壞的表面來測量。換句話說,刮擦深度不包含可能繞著刮擦的邊緣累積的任何光學膜結構的量，這種累積因金剛石貝爾克維奇壓頭穿入光學膜結構導致的光學膜結構材料的錯位造成。在一種或多種實施方式中,當與包含藍寶石的裸無機氧化物基材110相比以及與包含化學強化的玻璃的裸無機氧化物基材110相比時，制品100呈現刮擦深度降低。在一種或多種具體實施方式中,相對于包含化學強化的玻璃的裸無機氧化物基材110制品100的刮擦深度降低比裸藍寶石基材相對于裸化學強化的玻璃基材刮擦深度降低大至少兩倍。例如,當與裸強化的玻璃基材相比時，裸藍寶石基材可呈現30-40％的刮擦深度降低；然而,當與裸強化的玻璃基材相比時，制品呈現60-75％或更大的刮擦深度降低。在一種或多種具體實施方式中,當與包含化學強化的玻璃的裸無機氧化物基材110相比時，制品100的刮擦深度降低是至少50％,至少55％,至少60％,至少65％,至少70％,至少75％或至少85％,以及在它們之間的所有范圍和子范圍。在一種或多種實施方式中,光學膜結構呈現耐刮擦性，其通過刮擦寬度的降低來測量。具體來說，當與不含光學膜結構的無機氧化物基材110中的刮擦深度相比時，包含光學膜結構的制品可呈現刮擦寬度降低。使用金剛石貝爾克維奇壓頭以10微米/秒的速度使用160mN的負載沿著制品(在光學膜結構的側面上)的表面刮擦至少100微米的長度來刮擦具有如本文所述的設置在其上面的光學膜結構的制品時，所得刮擦寬度比相同情況下(即,使用相同的壓頭、負載、速度和長度)在不含設置其上的光學膜結構的無機氧化物基材110上形成的刮擦寬度小至少約30％,至少約31％,至少約32％,至少約33％,至少約34％,至少約35％,至少約36％,至少約37％,至少約38％,至少約39％,至少約40％,至少約41％,至少約42％,至少約43％,至少約44％,至少約45％(和在它們之間的所有范圍和子范圍)。當制品利用無定形基材(例如,強化的玻璃基材和/或非強化的玻璃基材)、晶體基材(例如,強化的玻璃陶瓷基材,非強化的玻璃陶瓷玻璃基材,和單晶基材例如藍寶石)或其組合時，可存在這種光學膜結構的耐刮擦的性質。此外,當使用金剛石貝爾克維奇壓頭,以10微米/秒的速度對制品刮擦至少1mm,至少2mm,至少3mm,至少4mm或至少5mm的長度時，可存在光學膜結構的這種耐刮擦的性質。在一種或多種實施方式中,光學膜結構具有耐刮擦性，從而當用金剛石貝爾克維奇壓頭以10微米/秒的速度使用160mN的負載沿著制品的表面刮擦至少100微米的長度來刮擦包含光學膜的制品時，所得刮擦的刮擦寬度小于20nm,小于19nm,小于18nm,小于17nm,小于約16nm,小于約15nm,小于約14nm,小于約13nm,小于約12nm,小于約11nm,小于約10nm,小于約9nm,小于約8nm,小于約7nm,小于約6nm,小于約5nm,小于約4nm,小于約3nm,以及在它們之間的所有范圍和子范圍。本文所述的刮擦寬度可從光學膜結構的原始的和未被破壞的表面來測量。換句話說,刮擦寬度不包含可能繞著刮擦的邊緣累積的任何光學膜結構的量，這種累積因金剛石貝爾克維奇壓頭穿入光學膜結構導致的光學膜結構材料的錯位造成。在一些實施方式中,光學膜阻止微觀延展性刮擦和/或橫向刮擦的形成。微觀延展性刮擦包含具有無限制長度的材料中的單一凹槽。橫向刮擦是微觀延展性刮擦導致形成的裂紋或刮擦。橫向刮擦的長度是類似地不受限制的，但相對于形成該橫向刮擦的微觀延展性刮擦橫交取向。在一種或多種實施方式中,當使用石榴石砂紙測試評估時，本文所述的具有光學膜結構的制品可呈現耐刮擦性。石榴石砂紙測試用于復制或模擬結合進入移動電子裝置(如移動電話)時的本文所述的制品日常使用條件。在使用150-粒度(grit)石榴石砂紙(由3M供應)手動擦拭表面一次之后，當用肉眼觀察時，本文所述的制品在其表面上基本上不含任何刮擦。在一種或多種實施方式中,本文所述的具有光學膜結構的制品還呈現耐磨損性。在一些實施方式中,耐磨損性通過本技術領域所公知的測試來測量，例如使用耐摩擦色牢度試驗機(Crockmeter)、泰伯(Taber)磨耗試驗機和其它類似的標準儀器的那些測試。例如,使用耐摩擦色牢度試驗機來測定進行摩擦的表面的色牢度抗摩擦性。耐摩擦色牢度試驗機使得表面與安裝在受力臂端部的摩擦尖端或“手指”直接接觸。耐摩擦色牢度試驗機提供的標準手指是15毫米(mm)直徑的固體丙烯酸類桿。將清潔的標準摩擦布料小片安裝在所述丙烯酸類手指上。然后以900克的壓力將所述手指放置在樣品上，所述臂在樣品上機械地重復地往復移動，以觀察耐久性/色牢度耐磨擦性能的變化。本文所述的測試中使用的耐摩擦色牢度試驗機是機動化的模型，其提供60轉/分鐘的均勻的行程數。在ASTM測試步驟F1319-94中描述了耐摩擦色牢度試驗機測試，其標題為“用來測試由商用復制產品得到的圖像的耐磨性和抗污性的標準測定方法(StandardTestMethodforDeterminationofAbrasionandSmudgeResistanceofImagesProducedfromBusinessCopyProducts)”，該文的全部內容通過引用納入本文。本文所述的涂覆的制品的色牢度耐磨擦性能或者耐用性是通過按照ASTM測試方法F1319-94所述進行特定次數的擦拭之后進行光學(例如反射比、霧度或透明度)測量來確定的。一次“擦拭”定義為用摩擦尖端或者手指進行兩次沖擊或者一個循環。如圖1-5所示，光學膜結構可包含一個或多個層。這些層中的一個或多個可賦予光學膜結構和所得制品100以耐刮擦的性質，還同時提供光學管理功能(例如,提供減反射和/或無色透明性質)。在一種或多種替代實施方式中,光學膜結構中最厚的層向光學膜結構和所得制品提供耐刮擦的性質。可改變光學膜結構的層的厚度，來調節光學膜結構和/或制品的耐刮擦性。附加的或可選的,光學膜結構的一個或多個層可包含特殊的材料和/或材料性質，從而調節光學膜結構和/或制品的光學性質。例如,層可包含透明的介電材料例如SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合。光學膜結構的厚度可為1微米或更大。在一種或多種具體實施方式中,光學膜結構的厚度可為約2μm或更大。在一種或多種替代實施方式中,光學膜結構的厚度可為約1μm-約20μm,約1μm-約15μm,約1μm-約10μm,約1μm-約8μm,約1μm-約5μm,約1.5μm-約20μm,約2μm-約20μm,約2.5μm-約20μm,約3μm-約20μm和在它們之間的所有范圍和子范圍。在一些實施方式中,光學膜結構的厚度可為約0.5μm-約5μm,或約1μm-約3μm。具體的光學膜結構120的厚度可為約1.1μm,約1.3μm,約1.4μm,約1.5μm,約1.6μm,約1.7μm,約1.8μm,約1.9μm,約2.1μm,約2.2μm,約2.3μm,約2.4μm,約2.5μm,約2.6μm,約2.7μm,約2.8μm,約2.9μm,約3.0μm,約4μm,約5μm,約6μm,約7μm,約8μm,約9μm,約10μm,約15μm,或約20μm。根據一種或多種實施方式的光學膜結構在可見光譜區可為基本上清澈或透明的。在一種或多種實施方式中,光學膜結構保持或降低制品100的反射率，且不包含用于故意增大制品100反射率的任何材料。在一種或多種實施方式中,光學膜結構的平均折射率是約1.8-2.2。所述光學膜結構可包含以下材料中的一種或多種：含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物、含鋁的氮化物(例如,AlN和AlxSiyN)、含鋁的氮氧化物(例如,AlOxNy和SiuAlvOxNy,其中x和y大于0)和含鋁的氧化物。在一種或多種實施方式中,SiuAlvOxNy包含一種組成，其中(u+v)＝1且(x+y)＝1。在一種或多種實施方式中,AlOxNy包含一些組成，其中x+y＝1且x<0.5。合適的含鋁的氧化物的一個示例包含Al2O3。在一種或多種實施方式中,光學膜結構包含單一層，該單一層包含AlOxNy,或SiuAlvOxNy。在一種或多種替代實施方式中,光學膜結構可包含AlOxNy或SiuAlvOxNy,其中x可為約0-約1。在一種或多種替代實施方式中,光學膜結構還可包含其它金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬硼化物、金剛石類碳材料和/或其組合。除了鋁和硅以外，示例性金屬包含B,Ti,V,Cr,Y,Zr,Nb,Mo,Sn,Hf,Ta和W。在一種或多種實施方式中,光學膜結構可包含AlN,AlOxNy,SiAlN,SiuAlvOxNy和鋁氧化物和/或硅氧化物中的至少一種。任選地,包含AlN和鋁氧化物的光學膜結構可不含含鋁的氮氧化物。在一種或多種替代實施方式中,光學膜結構可包含AlN和含鋁的氮氧化物。任選地,包含AlN和含鋁的氮氧化物的光學膜結構可不含含鋁的氧化物。在具體實施方式中,光學膜結構可包含鋁氮氧化物，其中氧和氮的量可變化，從而光學膜結構中存在含鋁的氧化物、AlN和含鋁的氮氧化物中的全部三種。光學膜結構可包含硅，從而光學膜結構包含SiO2,SiOxNy,AlxSiyN,SiuAlvOxNy,和Si3N4中的一種或多種，且氧,氮,硅和/或鋁的量可變化來提供這些材料中的任一種、多種和全部。在一種或多種實施方式中,可選定光學膜結構中所用的材料來優化光學膜結構的光學性質。例如,光學膜結構中可利用Al2O3,SiO2,SiOxNy,SiuAlvOxNy和AlOxNy來使得當觀察角度從法向入射(即,0度)變化到傾斜入射時的反射比顏色點的變化盡可能減小。傾斜入射可為大于0度到小于90度(例如,10度或更大,20度或更大,30度或更大,40度或更大,50度或更大,60度或更大,70度或更大,75度或更大,80度或更大,85度或更大,86度或更大,87度或更大,88度或更大,89度或更大或89.5度或更大)。在一種或多種具體實施方式中,可調節光學膜結構中氧和/或氮的量或者光學膜結構的一個或多個層中氧和/或氮的量，從而光學膜結構在約500nm的波長處的折射率大于1.9。在一種或多種具體實施方式中,可調節氧含量和/或氮含量，從而光學膜結構或光學膜結構的一個或多個層在約500nm的波長處呈現的折射率是1.92或更大,1.94或更大,1.96或更大,1.98或更大,2.0或更大,2.2或更大,2.4或更大或2.5或更大。可調節光學膜結構的具體層中的氧含量和/或氮含量。例如,可以上述方式調節包含AlOxNy,SiOxNy,和/或AlxSiyN的光學膜結構的層中的氧含量和/或氮含量。在一種或多種實施方式中,可選定光學膜結構中所用的材料來優化光學膜結構的耐刮擦性。例如,Si3N4和/或AlN可占光學膜結構120中所用材料的至少50重量％。Si3N4和/或AlN可任選地占光學膜結構120中所用材料的55重量％或更多,60重量％或更多,65重量％或更多,70重量％或更多或者75重量％或更多。附加的或可選的,可改良氧含量來調節硬度,和/或可使用摻雜劑和合金來改良光學膜結構120的潤滑性。選定用于光學膜結構的材料可帶來離子擴散阻擋性質。在一種或多種實施方式中,光學膜結構可提供擴散阻擋，其阻擋鈉離子和/或鉀離子從無機氧化物基材110擴散進入設置在無機氧化物基材上的其它膜或層(例如,光學膜結構自身或任何透明的導電氧化物層,減反射層或其它的這種層)。在一種或多種實施方式中,光學膜結構可包含具有小晶粒多晶結構的AlN。在一種或多種具體實施方式中,光學膜結構可包含具有無定形和/或微晶結構的AlN。雖然無意受限于理論，但據信在光學膜結構中包含至少一些無定形結構帶來各向同性機械性質，這可阻止在光學膜結構中形成裂紋和/或耗散來自裂紋的能量或導致形成裂紋的力。在圖2所示的實施方式中,制品200包含設置在無機氧化物基材110的相反的主要表面112,114中的一個上的光學膜結構220。圖2所示的光學膜結構220包含第一層222和第二層224。第一層222包含第一子層226和第二子層228，從而第一子層226設置在無機氧化物基材110和第二子層228之間。在一種或多種實施方式中,第一層222可包含含鋁的氧化物、含鋁的氮氧化物、AlN或其組合，第二層224可包含透明的介電材料例如SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合。在一種或多種具體實施方式中,第一層222可包含Al2O3,AlN,AlOxNy,SiAlN,SiuAlvOxNy或其組合。在一種變體中,第一子層226可包含Al2O3。在另一種變體中,第一子層可包含AlOxNy。又在另一種變體中,第二子層228包含AlN。在一種實施方式中,光學膜結構220包含第一層222和第二層224，該第一層222包括包含Al2O3的第一子層226和包含AlN的第二子層228,該第二層224包含透明的介電材料(例如,SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合)。在另一種實施方式中,光學膜結構220包含第一層222和第二層224，該第一層222包括包含AlOxNy的第一子層226和包含AlN的第二子層228,該第二層224包含透明的介電材料(例如,SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合)。在其中于第二層224中利用Al2O3的實施方式中,可改變氮氣和氧氣濃度來形成Al2O3,AlOxNy和/或AlN，以形成光學膜結構的層。在一種或多種具體實施方式中,第二子層228可包含AlN,AlOxNy,SiAlN,SiuAlvOxNy或其組合,且比第一子層226和/或第二層224更厚或厚得多。在一種或多種實施方式中,第二子層228的厚度大于或顯著大于第一子層226和第二層224的厚度之和。在一種變體中,第二子層228的厚度可為1μm或更大。例如,第二子層228的厚度可為約1μm-約3μm或具體來說約2μm-約3μm。具體實施方式可包含第二子層228，其厚度是約1.1μm或更大,約1.2μm或更大,約1.3μm或更大,約1.4μm或更大,約1.5μm或更大,約1.6μm或更大,約1.7μm或更大,約1.8μm或更大,約1.9μm或更大,約2μm或更大,約2.1μm或更大,約2.2μm或更大,約2.3μm或更大,約2.4μm或更大,約2.5μm或更大,約2.6μm或更大,約2.7μm或更大,約2.8μm或更大,約2.9μm或更大,或約3μm或更大。在其中第二子層228包含AlN的實施方式中,第二子層的厚度可為約2μm或更大。例如,第二子層的厚度可為約2.2μm或更大,約2.3μm或更大,約2.4μm或更大,約2.5μm或更大,約2.6μm或更大,約2.7μm或更大,約2.8μm或更大,約2.9μm或更大,或約3μm或更大。本文在實施例中列舉第一子層226和第二層224的示例性厚度，其可進行改變來提供本文所述的光學性質。在一些實施方式中,使用較厚的第二子層228(例如,具有大于約5μm,或大于約10μm的厚度)提供增強的光學性質。例如,在一些情況下，使用較厚的子層228減少或消除隨角度不同發生的同色異譜(angularmetamerism)。當觀察角度是傾斜入射時，隨角度不同發生的同色異譜導致觀察的透明度或反射比發生顏色變化。在光學膜的一些設計中,反射光譜或透射光譜在可見光譜上包含振蕩。在某些情況下，當觀察角度從法向入射變化到傾斜入射時，這些振蕩進行移動。當光源的線寬較窄(例如,F02光源中光譜組件的線寬),振蕩中的這種移動更容易通過顏色變化來觀察(以透明度或反射比變化的方式)(并因此存在隨角度不同發生的同色異譜)。當光源的線寬較寬(例如,D65光源中光譜組件的線寬),振蕩中的這種移動不那么容易或者不能通過顏色變化來觀察(以透明度或反射比變化的方式)(并因此減少或消除隨角度不同發生的同色異譜)。雖然無意受限于理論，但據信使用較厚的第二子層至少減少或甚至可消除在全部或特殊光源下的隨角度不同發生的同色異譜。這種光源包含如CIE所測定的標準光源,例如A光源(表示鎢絲發光),B光源(日光模擬光源),C光源(日光模擬光源),D系列光源(表示天然日光),和F系列光源(表示各種類型的熒光發光)。在具體實施方式中,使用較厚的第二子層可減少或消除在F02光源下的隨角度不同發生的同色異譜。當觀察角度是傾斜入射并與法向入射成約0度-約80度,約0度-約75度,約0度-約70度,約0度-約65度,約0度-約60度,約0度-約55度,約0度-約50度,約0度-約45度,約0度-約40度,約0度-約35度,約0度-約30度,約0度-約25度,約0度-約20度,約0度-約15度,約5度-約80度,約5度-約80度,約5度-約70度,約5度-約65度,約5度-約60度,約5度-約55度,約5度-約50度,約5度-約45度,約5度-約40度,約5度-約35度,約5度-約30度,約5度-約25度,約5度-約20度,約5度-約15度,以及在它們之間的所有范圍和子范圍時，通過使用較厚的第二子層可減少或甚至消除隨角度不同發生的同色異譜。對于與法向入射成約0度-約80度的所有傾斜入射角度而言，光學膜可呈現減少的隨角度不同發生的同色異譜。第一子層226的折射率可為約1.45-約1.8。在一種或多種具體實施方式中,第一子層226的折射率可為約1.6-約1.75。例如,第一子層226的折射率可包含1.45,1.46,1.47,1.48,1.49,1.5,1.51,1.52,1.53,1.54,1.55,1.56,1.57,1.58,1.59,1.60,1.61,1.62,1.63,1.64,1.65,1.66,1.67,1.68,1.69,1.70,1.71,1.72,1.73,1.74,1.76,1.77,1.78,1.79,1.8以及在它們之間的所有范圍和子范圍,其可存在于沿著第一子層的多個位置。第二子層228的折射率可為約1.8-約2.2。在一種或多種實施方式中,第二子層的折射率可為約2.0-約2.15。例如,第二子層228的折射率可包含1.8,1.82,1.84,1.86,1.88,1.90,1.92,1.94,1.96,1.98,1.99,2.0,2.02,2.04,2.06,2.08,2.1,2.12,2.14,2.15,2.16,2.18,2.2以及在它們之間的所有范圍和子范圍,其可存在于沿著第二子層的多個位置。第二層224的折射率可為約1.4-約1.6。在具體實施方式中,第二層224的折射率可為約1.45-約1.55。例如,第二層224的折射率可包含1.4,1.42,1.44,1.46,1.48,1.50,1.52,1.54,1.56,1.58,1.6以及在它們之間的所有范圍和子范圍,其可存在于沿著第二層的多個位置。圖7總體顯示圖2所示的光學膜結構220的光學性質。在該圖片中，x軸上的厚度數值表示在遠離無機氧化物基材110方向上的光學膜結構220的厚度。在y軸上提供光學膜結構220的折射率數值，以顯示沿著光學膜結構的厚度的折射率變化。圖7的圖片沒有考慮無機氧化物基材110(或在無機氧化物基材110和光學膜結構220之間的任意其它層)或空氣(設置在光學膜結構220上的任意其它層)的折射率。無機氧化物基材110和第一子層226之間的界面由附圖標記600表示,第一子層226和第二子層228之間的界面由附圖標記610表示,第二子層228和第二層224之間的界面由附圖標記620表示，且第二層224和空氣之間的界面由附圖標記630表示。如圖7所示,第一子層226和第二層224的折射率小于第二子層228的折射率。在具體實施方式中,第一子層226的折射率是約1.75,第二子層的折射率是約2.1，第二層224的折射率是約1.5。在圖7中,第二子層228的厚度大于第一子層226和第二層224的厚度。在圖3所示的實施方式中,制品300包含設置在無機氧化物基材110的相反的主要表面112,114中的一個上的光學膜結構320。圖3所示的光學膜結構320包含第一層322和第二層324。第一層322包含第一子層326,第二子層328和第三子層330。在圖3所示的實施方式中,在第一層320中，第二子層328在第一子層326和第三子層330之間。第一子層326設置在無機氧化物基材110和第二子層328之間，同時第三子層330設置在第二子層328和第二層324之間。在一種或多種實施方式中,第一層322可包含含鋁的氧化物,含鋁的氮氧化物,AlN或其組合，并還可包含透明的介電材料(例如,SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合)。在一種或多種具體實施方式中,第一層322可包含Al2O3,AlN,AlOxNy或其組合,且還可包含透明的介電材料(例如,SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合)。第二層324可包含透明的介電材料(例如,SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合)。在一種變體中,第一子層326可包含AlN,第二子層328可包含SiO2，第三子層330可包含AlN。在另一種變體中,第一子層326可包含AlN,第二子層328可包含Al2O3，第三子層330可包含AlN。在其中于第二子層328和第二層324中利用Al2O3的實施方式中,可改變氮氣和氧氣濃度來形成Al2O3或AlN，從而形成光學膜結構的層。在一種或多種具體實施方式中,第一子層326和第三子層330各自的厚度或它們的厚度之和可大于或顯著大于第二子層328或第二層324的厚度。在一種或多種實施方式中,第一子層326和第三子層330各自的厚度或它們的厚度之和可大于或顯著大于第二子層328和第二層324的厚度之和。在一種變體中,第一子層326和/或第三子層330各自的厚度或它們的厚度之和可為約1μm或更大。例如,第一子層326和/或第三子層330各自的厚度或它們的厚度之和可為約1.1μm或更大,約1.2μm或更大,約1.3μm或更大,約1.4μm或更大,約1.5μm或更大,約1.6μm或更大,約1.7μm或更大,約1.8μm或更大,約1.9μm或更大,或約2μm或更大。在其中第一子層326和/或第三子層330包含AlN的實施方式中,這些子層326,328各自的厚度或它們的厚度之和可為約2μm或更大。例如,第一子層326和/或第三子層328各自的厚度或它們的厚度之和可為約2.1μm或更大,約2.2μm或更大,約2.3μm或更大,約2.4μm或更大,約2.5μm或更大,約2.6μm或更大,約2.7μm或更大,約2.8μm或更大,約2.9μm或更大,或約3μm或更大。在一種或多種實施方式中,第一子層326可具有與第三子層330相同或不同的厚度。第一子層326的厚度可大于或小于第三子層330的厚度。在一種或多種實施方式中,第二子層328和第二層324的厚度相同。在一種或多種替代實施方式中,光學膜結構320具有厚/薄/厚/薄的厚度形式，其中第一和第三子層326,330是較厚的，第二-子層328和第二層324相對于第一和第三子層326,330是較薄的。第一子層326的折射率可為約1.7-約2.1。例如,第一子層326的折射率可包含1.70,1.72,1.74,1.76,1.78,1.80,1.82,1.84,1.86,1.88,1.90,1.92,1.94,1.96,1.98,2.0,2.1以及在它們之間的所有范圍和子范圍。在一種或多種替代實施方式中,折射率與第一子層326的硬度增加相關。第三子層330的折射率可為約1.7-約2.1。在一種或多種實施方式中,第三子層330的折射率可為約2.0-約2.1。例如,第三子層330的折射率可包含1.70,1.72,1.74,1.76,1.78,1.80,1.82,1.84,1.86,1.88,1.90,1.92,1.94,1.96,1.98,2.0,2.1以及在它們之間的所有范圍和子范圍。在一種或多種替代實施方式中,折射率與第一子層326的硬度增加相關。第二子層328的折射率可為約1.45-約1.8。在一種或多種實施方式中,第二子層328的折射率可為約1.65-約1.75。例如,第二子層328的折射率可為1.45,1.46,1.48,1.50,1.52,1.54,1.56,1.58,1.60,1.62,1.64,1.65,1.66,1.67,1.68,1.69,1.70,1.71,1.72,1.73,1.74,1.75,1.76,1.78,1.8以及在它們之間的所有范圍和子范圍。第二層324的折射率可為約1.45-約1.8。在一種或多種實施方式中,第二子層328的折射率可為約1.45-約1.55。例如,第二子層328的折射率可為1.45,1.46,1.47,1.48,1.49,1.50,1.51,1.52,1.53,1.54,1.55,1.56,1.58,1.60,1.62,1.64,1.65,1.66,1.67,1.68,1.69,1.70,1.71,1.72,1.73,1.74,1.75,1.76,1.78,1.8以及在它們之間的所有范圍和子范圍。圖8總體顯示圖3所示的光學膜結構320的光學性質。在該圖片中，x軸上的厚度數值表示在遠離無機氧化物基材110方向上的光學膜結構320的厚度。在y軸上提供光學膜結構320的折射率數值，以顯示沿著光學膜結構的厚度的折射率變化。圖8的圖片沒有考慮無機氧化物基材110(或在無機氧化物基材110和光學膜結構320之間的任意其它層)或空氣(設置在光學膜結構320上的任意其它層)的折射率。無機氧化物基材110和第一子層326之間的界面由附圖標記700表示,第一子層326和第二子層328之間的界面由附圖標記710表示,第二子層328和第三子層330之間的界面由附圖標記720表示,第三子層330和第二層324之間的界面由附圖標記730表示，且第二層324和空氣之間的界面由附圖標記740表示。如圖8所示,第一子層326和第三子層330的折射率大于第二子層328的折射率和第二層324的折射率。在圖8所示的實施方式中,第一子層326和第三子層330的折射率顯示為彼此相等，且第二子層328和第二層324的折射率顯示為彼此相等。在一種或多種替代實施方式中,第一子層326的折射率可不同于第三子層330的折射率，第二子層328的折射率可不同于第二層324的折射率。在圖8中,第一和第三子層326,330的厚度顯示為大于第二子層328和第二層324的厚度。此外,第三子層330的厚度顯示為大于第一子層324的厚度；然而,第一子層324的厚度可大于第三子層330的厚度。在圖4所示的實施方式中,制品400包含設置在無機氧化物基材110的相反的主要表面112,114中的一個上的光學膜結構420。圖4所示的光學膜結構420包含第一層422和第二層424。第一層422包含含硅的氧化物、含硅的氮氧化物、氮化硅、含鋁的氧化物、含鋁的氮氧化物(例如,AlOxNy和SiuAlvOxNy)、含鋁的氮化物(例如,AlN和AlxSiyN)或其組合。第二層424可包含透明的介電材料(例如,SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合)。第一層422可包含氧含量梯度,氮含量梯度,硅含量梯度和鋁含量梯度以及它們的不同組合中的至少一種。如本文所使用，術語"梯度"指層的組成中的元素的原子％變化。可在層的多個子層中出現元素的原子％變化。在一些情況下,可利用彼此具有不同的元素的原子％的最多達10,20,30,40,50,60,70,80,90,100,110,120或甚至130個子層來形成具有梯度的層。在包含氧梯度的層中,在該層和無機氧化物基材110之間的界面之處或附近的組成中的氧(原子％)的量，可不同于在該層和另一層(例如,第一層和第二層)之間的界面之處或附近的以及在它們之間的其它區域的組成中的氧(原子％)的量。在一種或多種實施方式中,組成梯度可包含硅/鋁組成梯度,其中硅和鋁的原子％沿著第一層的厚度彼此獨立地或彼此相關地發生變化。在其它實施方式中，組成梯度可包含氧/氮組成梯度,其中氧和氮的原子％沿著第一層的厚度彼此獨立地或彼此相關地發生變化。在一種或多種實施方式中,無機氧化物基材110和第一層422之間的界面之處或附近的氧和氮的比例可大于第一層422和第二層424之間的界面之處或附近的氧和氮的比例。例如,在第一層422中于無機氧化物基材110和第一層422之間的界面之處或附近可存在非常少的氮或不存在氮，和/或在第一層422中于第一層422和第二層424之間的界面之處或附近可存在非常少的氧或不存在氧。在一種或多種實施方式中,無機氧化物基材110和第一層422之間的界面之處或附近的硅和鋁的比例可大于第一層422和第二層424之間的界面之處或附近的硅和鋁的比例。例如,在第一層422中于無機氧化物基材110和第一層422之間的界面之處或附近可存在非常少的鋁或不存在鋁，和/或在第一層422中于第一層422和第二層424之間的界面之處或附近可存在非常少的硅或不存在硅。在一種或多種實施方式中,氧含量梯度和/或氮含量梯度可通過沉積過程中引入(即,進入其中將光學膜結構沉積到無機氧化物基材上的沉積腔室)的氧氣和/或氮氣體的流量來控制。為了增加氧或氮含量,增加氧或氮的流量。在一些實施方式中,可通過控制引導到鋁和/或硅源材料上的功率(例如,當使用濺射來形成光學膜結構時,控制引導到鋁和/或硅濺射靶上的功率)來控制鋁和/或硅梯度。為了增加鋁或硅含量,增加引導至鋁和/或硅源材料的功率。第一層422中的氧和/或硅含量可沿著第一層422的厚度t、超著遠離無機氧化物基材110的方向降低,如圖6A所示。氧含量和/或硅含量梯度可沿著第一層422的整體厚度t延伸。在另一種變體中,氧含量和/或硅含量梯度可沿著第一層422的厚度t的一部分延伸,而第一層422的剩余部分可不包含氧含量和/或硅含量梯度,并由此可具有恒定的氧和/或硅含量(其可不含氧和/或硅)。例如,如下文所更加詳細描述，氧含量和/或硅含量梯度可持續直到光學膜結構和無機氧化物基材110之間的界面或在無機氧化物基材110和包含氧含量和/或硅含量梯度的層之間的任意其它層(例如中間層)。或者,氧含量和/或硅含量梯度可在距離無機氧化物基材110一定距離處停止，或在設置在無機氧化物基材110和第一層422之間的中間層處停止。在一種或多種實施方式中,第一層422的氧含量和/或硅含量可在光學膜結構420和無機氧化物基材110之間的界面附近為最大，并在第一層422和第二層424之間的界面附近為最小。在一種或多種實施方式中,第一層422的組成可取決于第一層422的氧含量和/或硅含量。例如,第一層422可在鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域中包含最高的氧含量和/或硅含量。第一層422可在鄰近第二層424的第一層422的區域中包含最低的氧含量和/或硅含量,例如如圖5中所示的實施方式。在一種或多種具體實施方式中,鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域可包含最高的氧含量且不包含氮含量(即y＝0)。在一種這種具體實施方式中,鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域可包含Al2O3、SiO2或其組合。在一種或多種實施方式中,第一層422可包含鋁含量梯度和/或氮含量梯度。第一層422中的鋁含量和/或氮含量可沿著第一層422的厚度t、朝著厚度t遠離無機氧化物基材110的方向增大,如圖6B所示。鋁含量和/或氮含量梯度可沿著第一層422的整體厚度t延伸。在另一種變體中,鋁含量和/或氮含量梯度可沿著第一層422的厚度t的一部分延伸,而第一層422的剩余部分可不包含鋁含量和/或氮含量梯度,并由此可具有恒定的鋁和/或氮含量(其可不含鋁和/或氮)。例如,如下文所更加詳細描述，鋁含量和/或氮含量梯度可持續直到光學膜結構和無機氧化物基材110之間的界面或在無機氧化物基材110和包含鋁含量和/或氮含量梯度的層之間的任意其它層(例如中間層)。或者,鋁含量和/或氮含量梯度可在距離無機氧化物基材110一定距離處停止，或在設置在無機氧化物基材110和第一層422之間的中間層處停止。在一種或多種實施方式中,第一層422的鋁含量和/或氮含量可在光學膜結構420和無機氧化物基材110之間的界面附近為最低，并在第一層422和第二層424之間的界面附近為最大。圖6B顯示第一層424的相對鋁含量和/或氮含量。在一種或多種實施方式中,取決于第一層422的硅含量,氧含量,鋁含量和/或氮含量，第一層422包含硅氧化物,硅氮氧化物,氮化硅,含鋁的氧化物,含鋁的氮氧化物(例如,AlOxNy和SiuAlvOxNy)或含鋁的氮化物(例如,AlN和AlxSiyN)。例如,第一層422可在鄰近第二層424的第一層422的區域包含最低的硅含量和/或氧含量,如圖6A所示。還如圖6A所示，第一層422可在鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域中包含最高的氧含量和/或硅含量。圖4A顯示一種實施方式，其中第一層422包含硅梯度、鋁梯度、氧梯度和氮梯度。在圖4A中,硅和氧含量沿著遠離無機氧化物基材110的厚度方向降低，鋁和氮含量沿著遠離無機氧化物基材110的厚度方向增加。雖然圖4A顯示硅、鋁、氧和氮中每一種的相對量；然而,應指出硅、鋁、氧和氮的含量變化可以不是線性的或一致的，且可在第一層422的不同厚度處存在SiO2,SiOxNy,SiuAlvOxNy,AlxSiyN和AlN的混合物。在鄰近無機氧化物基材110的區域和鄰近第二層424的區域之間,第一層422可包含AlOxNy,其中x和y取決于存在的氮的量，并可隨著氮含量沿著遠離無機氧化物基材110的方向沿著厚度t增加而改變。此外，在鄰近無機氧化物基材110的區域和鄰近第二層424的區域之間,第一層422可包含SiuAlvOxNy(其中(u+v)＝1和(x+y)＝1)或SiOxNy其中x和y取決于存在的氮和/或鋁的量，并可隨著氮含量和/或鋁含量朝著遠離無機氧化物基材110方向沿著厚度t增加而改變。在另一種實施方式中,第一層包含SiuAlvOxNy和/或SiOxNy，其中在沿著厚度t的第一層422的至少一個區域中,x或y可等于零。在一種或多種具體實施方式中,鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域可不包含氮含量且包含最高的氧含量(即y＝0)。在一種這樣的具體實施方式中,鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域可包含SiO2。在另一種具體實施方式中,鄰近第二層424的第一層422的區域可包含最高的氮含量和/或最高的鋁含量和最低的氧含量和/或最低的硅含量。在這種實施方式中,鄰近第二層424的第一層422的區域可包含AlN,Si3N4或AlxSiyN。在一種或多種實施方式中,鄰近無機氧化物基材110的第一層422包含SiO2或富含硅和/或氧且可缺少或缺乏鋁和/或氮。在一種或多種實施方式中,鄰近第二層424的第一層422包含AlN或富含鋁和/或氮且可缺少或缺乏硅和/或氧。在另一種實施方式中,第一層包含AlOxNy，其中在沿著厚度t的第一層422的至少一個區域中,y可等于零。在一種或多種具體實施方式中,鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域可包含最高的氧含量且不包含氮含量(即y＝0)。在一種這樣的具體實施方式中,鄰近無機氧化物基材110的第一層422的區域可包含Al2O3。在一種或多種實施方式中,可調節層422的組成，從而將當觀察角度從法向入射(即,0度)變化到傾斜入射時的反射比顏色點的變化盡可能減小。在這種實施方式中,層422的組成是梯度化的，從而在第一層422和第二層424之間的界面附近,第一層包含AlN,AlxSiyN,Si3N4,SiuAlvOxNy(其中x<0.1)或AlOxNy(其中x<0.1)。在一種或多種具體實施方式中,第一層422的厚度大于或顯著大于第二層424。在一種變體中,第一層422的厚度可為1μm或更大。例如,第一層422的厚度可為1.1μm或更大,1.2μm或更大,1.3μm或更大,1.4μm或更大,1.5μm或更大,1.6μm或更大,1.7μm或更大,1.8μm或更大,1.9μm或更大,2μm或更大,2.1μm或更大,2.2μm或更大,2.3μm或更大,2.4μm或更大,2.5μm或更大,2.6μm或更大,2.7μm或更大,2.8μm或更大,2.9μm或更大,或3μm或更大。在圖4所示的實施方式中,第一層422的折射率可為約1.6-約2.1。例如,第一層422的折射率可包含1.6,1.62,1.64,1.66,1.68,1.70,1.72,1.74,1.76,1.78,1.80,1.82,1.84,1.86,1.88,1.90,1.92,1.94,1.96,1.98,2.0,2.1以及在它們之間的所有范圍和子范圍。第二層424的折射率可為約1.45-約1.55。例如,第二層424的折射率可包含1.45,1.46,1.47,1.48,1.49,1.50,1.51,1.52,1.53,1.54,1.55以及在它們之間的所有范圍和子范圍。如下文所更加詳細描述,光學膜結構420的第一層422可具有折射率梯度。在其中于第二層424中利用Al2O3的一種實施方式中,可改變氮氣和氧氣濃度來形成Al2O3,AlOxNy和/或AlN中的任一種，以形成光學膜結構的層。在一種或多種替代實施方式中,光學膜結構420可不包含第二層424并可只包含第一層422。圖9總體顯示圖4所示的光學膜結構420的光學性質。在該圖片中，x軸上的厚度數值表示在遠離無機氧化物基材110方向上的光學膜結構420的厚度。在y軸上提供光學膜結構420的折射率數值，以顯示沿著光學膜結構的厚度的折射率變化。圖9的圖片沒有考慮無機氧化物基材110(或在無機氧化物基材110和光學膜結構420之間的任意其它層)或空氣(或設置在光學膜結構420上的任意其它層)的折射率。無機氧化物基材110和第一層422之間的界面由附圖標記800表示,第一層422和第二層424之間的界面由附圖標記810表示,第二層424和空氣之間的界面由附圖標記820表示。如圖9所示,第一層422的折射率沿著遠離無機氧化物基材110(或無機氧化物基材-第一層界面800)的方向沿著厚度增加。在一種或多種實施方式中,折射率隨著第一層422中的氧含量的變化而變化。在圖9中,對于第一層422的更多部分而言，第一層422的折射率大于第二層424的折射率。換句話說,第一層422的較大部分的折射率高于第二層424的折射率。在圖9中,第一層422的厚度顯示為大于第二層424的厚度。圖5顯示制品500，其包含設置在無機氧化物基材110的相反的主要表面112,114中的一個上的光學膜結構520。圖5所示的光學膜結構520包含第一層522和第二層524。第一層522包含含硅的氧化物、含硅的氮氧化物、氮化硅、含鋁的氧化物、含鋁的氮氧化物(例如,AlOxNy和SiuAlvOxNy)、含鋁的氮化物(例如,AlN和AlxSiyN)或其組合。第二層524可包含透明的介電材料(例如,SiO2,GeO2,Al2O3,Nb2O5,TiO2,Y2O3和其它類似材料及其組合)或其組合。第一層522包含第一子層526和第二子層528。如參考光學膜結構420所述，第一子層526可包含氧含量梯度、氮含量梯度、硅含量梯度和鋁含量梯度及其不同組合。在一種或多種實施方式中,取決于第一子層526的氧含量、硅含量、氮含量和/或鋁含量，第一子層526包含含硅的氧化物,含硅的氮氧化物,氮化硅,含鋁的氧化物,含鋁的氮氧化物(例如,AlOxNy和SiuAlvOxNy),含鋁的氮化物(例如,AlN和AlxSiyN),和/或它們的組合。在具體實施方式中,第一子層526可不含AlN和/或Si3N4。換句話說,一個或多個具體實施方式的第一子層526全部厚度t包含氧,但氧的量沿著厚度t變化。第二子層528可包含AlN和/或Si3N4。在一種或多種實施方式中,第二子層528可不含任何故意包含的氧。因此,在一種或多種實施方式中,第一層522的氧含量梯度可只沿著第一子層526的厚度t延伸,而第二子層528可不含氧。圖5A顯示一種實施方式，其中第一子層526包含硅梯度、鋁梯度、氧梯度和氮梯度。在圖5A中,硅和氧含量沿著遠離無機氧化物基材110的厚度方向降低，鋁和氮含量沿著遠離無機氧化物基材110的厚度方向增加。雖然顯示硅、鋁、氧和氮中每一種的相對量；然而,應指出硅、鋁、氧和氮的含量變化可以不是線性的或一致的，且可在第一子層526的不同厚度處存在SiO2,SiOxNy,SiuAlvOxNy,AlxSiyN和AlN的混合物。在一種或多種實施方式中,第一子層可以不包含AlN和可以只包含SiO2,SiOxNy,SiuAlvOxNy,和/或AlxSiyN,第二子層可包含AlN。在一種或多種實施方式中,氧、硅、鋁和/或氮含量沿著遠離無機氧化物基材110的方向沿著第一層422或第一子層526的厚度t的降低或增加可為恒定的。在一種或多種替代實施方式中,氧、硅、鋁和/或氮的降低或增加不是恒定的。在其中氧、硅、鋁和/或氮的降低或增加不是恒定的這種實施方式中,應理解氧、硅、鋁和/或氮沿著遠離無機氧化物基材110的方向沿著厚度t的部分將降低或保持恒定；然而作為總的趨勢，第一層422或第一子層526的各氧、硅、鋁和/或氮含量將沿著遠離無機氧化物基材110的方向沿著厚度t降低或增加。例如,本文所述的具有氧含量梯度的光學膜結構的層不包含氧含量沿著遠離無機氧化物基材110的方向沿著厚度t的增加。其中氧含量沿著第一層422或第一子層526的厚度t的部分降低或保持恒定的實施方式的氧含量梯度,可稱作"逐步形式的"氧含量梯度或可描述為具有沿著第一層422或第一子層526的厚度逐步地降低的氧含量。在一種或多種具體實施方式中,沿著更靠近無機氧化物基材110的第一層422或第一子層526的厚度，氧含量可以更慢的速率降低，且沿著更靠近第二層424或第二子層528的第一層422或第一子層526的厚度，氧含量可以更快的速率降低。換句話說,沿著第一層422或第一子層526的厚度的氧含量降低速率可沿著遠離無機氧化物基材110的方向增加。因此,氧含量梯度可沿著遠離無機氧化物基材的方向沿著厚度t線性地或非線性地增加。這些類型的梯度(即,逐步地、恒定的、更快/更慢的速率、線性的和非線性的)等效地適用于本文所述的硅含量梯度、鋁梯度和氮梯度，其中硅含量、鋁含量和/或氮含量沿著第一層422或第一子層526的厚度增加和降低。在一種或多種實施方式中,可調節第二子層528的厚度來優化光學膜結構的硬度。在一種或多種具體實施方式中,可相對于第一子層526來調節第二子層528的厚度。在一種或多種具體實施方式中,第二子層528比第一子層526或第二層524更厚或顯著更厚。在一種或多種實施方式中,第二子層528的厚度大于或顯著大于第一子層526和第二層524的厚度之和。在一種變體中,第二子層528的厚度可為1μm或更大。例如,第二子層528的厚度可為約1μm-約3μm或具體來說約2μm-約3μm。第二子層528的具體實施方式的厚度可為約1.1μm或更大,約1.2μm或更大,約1.3μm或更大,約1.4μm或更大,約1.5μm或更大,約1.6μm或更大,約1.7μm或更大,約1.8μm或更大,約1.9μm或更大,約2μm或更大,約2.1μm或更大,約2.2μm或更大,約2.3μm或更大,約2.4μm或更大,約2.5μm或更大,約2.6μm或更大,約2.7μm或更大,約2.8μm或更大,約2.9μm或更大,或約3μm或更大。在其中第二子層528包含AlN的實施方式中,第二子層的厚度可為2μm或更大。例如,第二子層528的厚度可為約2.2μm或更大,約2.3μm或更大,約2.4μm或更大,約2.5μm或更大,約2.6μm或更大,約2.7μm或更大,約2.8μm或更大,約2.9μm或更大,或約3μm或更大。第一子層526的折射率可為約1.6-約2.1。例如,第一子層326的折射率可包含1.6,1.62,1.64,1.66,1.68,1.70,1.72,1.74,1.76,1.78,1.80,1.82,1.84,1.86,1.88,1.90,1.92,1.94,1.96,1.98,2.0,2.1以及在它們之間的所有范圍和子范圍。第二子層528的折射率可為約2.0-約2.1。例如,第二子層的折射率可包含2.0,2.01,2.02,2.03,2.04,2.05,2.06,2.07,2.08,2.09,2.1以及在它們之間的所有范圍和子范圍。第二層524的折射率可為約1.45-約1.55。例如,第二層524的折射率可包含1.45,1.46,1.47,1.48,1.49,1.50,1.51,1.52,1.53,1.54,1.55以及在它們之間的所有范圍和子范圍。如下文所更加詳細描述,光學膜結構522的第一層520可具有折射率梯度。在其中于第二層524中利用Al2O3的一種實施方式中,可改變氮氣和氧氣濃度來形成Al2O3,AlOxNy和/或AlN中的任一種或多種，以形成光學膜結構的層。圖10A總體顯示圖5所示的光學膜結構520的光學性質。在該圖片中，x軸上的厚度數值表示在遠離無機氧化物基材110方向上的光學膜結構520的厚度。在y軸上提供光學膜結構520的折射率數值，以顯示沿著光學膜結構的厚度的折射率變化。圖10A的圖片沒有考慮無機氧化物基材110(或在無機氧化物基材110和光學膜結構520之間的任意其它層)或空氣(設置在光學膜結構520上的任意其它層)的折射率。無機氧化物基材110和第一子層526之間的界面由附圖標記900表示,第一子層526和第二子層528之間的界面由附圖標記910表示,第二子層528和第二層524之間的界面由附圖標記920表示，且第二層524和空氣之間的界面由附圖標記930表示。如圖10A所示,第一子層526的折射率沿著遠離無機氧化物基材110(或無機氧化物基材-第一子層526界面900)的方向沿著第一子層526的厚度增加。在一種或多種替代實施方式中,第一子層526的折射率隨著第一子層526中的氧含量的變化而改變。此外,沿著第一子層526的大部分厚度，第一子層526的折射率大于第二層524的折射率。沿著第二子層的整體厚度，第二子層的折射率大于第二層524的折射率。在圖10A中,第一和第二子層526,528的厚度顯示為大于第二層524的厚度。此外,第一和第二子層526,528的厚度顯示為大致相等；然而在一些實施方式中，第一和第二子層526,528中之一的厚度可大于第一和第二子層中的另一個的厚度。圖10B總體顯示圖5所示的光學膜結構的替代實施方式的光學性質。在圖10B所示的實施方式中,第二-子層528的折射率與第二層524的折射率相同。在一種或多種實施方式中,第二子層528的組成可與第二層524的至少一部分相近或相同。在10B所示的圖片中，x軸上的厚度數值表示在遠離無機氧化物基材110方向上的光學膜結構520的厚度。在y軸上提供光學膜結構520的折射率數值，以顯示沿著光學膜結構的厚度的折射率變化。圖10B的圖片沒有考慮無機氧化物基材110(或在無機氧化物基材110和光學膜結構520之間的任意其它層)或空氣(或設置在光學膜結構520上的任意其它層)的折射率。無機氧化物基材110和第一子層526之間的界面由附圖標記1000表示,第一子層526和第二子層528之間的界面由附圖標記1010表示,第二子層528和第二層524之間的界面由附圖標記1020表示，且第二層524和空氣之間的界面由附圖標記1030表示。如圖10B所示,第一子層526的折射率沿著遠離無機氧化物基材110(或無機氧化物基材-第一子層526界面900)的方向沿著第一子層526的厚度增加。在一種或多種替代實施方式中,第一子層526的折射率隨著第一子層526中的氧含量的變化而改變。此外,沿著第一子層526的厚度的至少一部分，第一子層526的折射率小于第二層524的折射率。沿著第二子層的整體厚度，第二子層的折射率與第二層524的折射率相同。在圖10B中,第一和第二子層526,528的厚度顯示為大于第二層524的厚度；然而,如有需要，第一子層526、第二子層528和第二層524的厚度可相對于彼此而言相等或可更厚或更薄，從而提供所需的耐刮擦性和光學性質。此外,第一和第二子層526,528的厚度顯示為大致相等；然而在一些實施方式中，第一和第二子層526,528中之一的厚度可大于第一和第二子層中的另一個的厚度。在圖4和5所示的實施方式中,光學膜結構的第一層422,522可具有折射率梯度。折射率梯度可涉及第一層422,522中的氧和/或氮含量梯度，或可由第一層422,522中的組成梯度產生。圖2和3所示的第一層222,322也可具有折射率梯度。在這種實施方式中,光學膜結構的第一層的折射率可沿著遠離無機氧化物基材110的方向沿著厚度t增加。例如,折射率梯度可為約1.45-約2.2,或具體來說為約1.7-約2.1。在利用氧含量梯度的實施方式中,可調節氧含量來優化沿著可見光譜的光學性質。類似地，在利用氮含量梯度的實施方式中,可調節氮含量來優化沿著可見光譜的光學性質。在一種或多種實施方式中,第一層222,322,422,522不含硅或不含鋁。在一種或多種具體實施方式中,第一層222,322,422,522包含AlN或Si3N4,然而在第一層222,322,422,522中的AlN或Si3N4和無機氧化物基材110之間設置氧化物。可選定該氧化物來調節光學性質，從而制品在可見光譜上呈現約85％或更大的平均透明度,如本文其它地方所述。在一種或多種實施方式中,可選定氧化物來調節光學性質，從而制品在可見光譜上呈現的總反射率等于或小于不含本文所述的光學膜結構的無機氧化物基材110的總反射率。在一種或多種實施方式中,可選定氧化物來調節光學性質，從而制品在(L,a*,b*)比色系統中呈現顏色透明度或反射比,從而距離參考點的顏色坐標距離小于約2,如本文其它地方所述。在一種或多種實施方式中,本文所述的光學膜結構不含納米結構或故意添加的納米結構,例如顆粒。故意添加的納米結構是為了這種納米結構的性質(例如,為了增加光學膜結構或在該結構中的任意層的表面積，為了提供防眩光性質等)而特意引入光學膜結構的顆粒。在一種或多種實施方式中,本文所述的光學膜結構不含多孔層或具有故意添加的孔隙率的層。故意添加的孔隙率包含處理光學膜結構來提供或增加孔隙率或者將形成孔的材料包含進入光學膜結構以提供或增加孔隙率。在一種或多種實施方式中,第二層224,324,424,524排除鋁或鋁氮氧化物。在一種或多種實施方式中,本文所述的光學膜結構可包含改性劑來增強或抑制一種或多種性質。在一種或多種具體實施方式中,可將改性劑結合進入光學膜結構以增強光學膜結構的電導率。在這種實施方式中,可用Mg和/或Ca改性或摻雜光學膜結構，從而控制電導率。可將其它改性劑摻雜劑例如Si和/或Ge結合進入本文所述的光學膜結構,具體來說，結合進入包含AlN的光學膜結構的層。在一種或多種實施方式中,使用Si和/或Ge改性劑或摻雜劑使得折射率受到控制,且不改變本文所述的光學膜結構的給定層的氧或氮含量。換句話說,使用Si和/或Ge使得光學膜結構之內的給定層的折射率受到控制，且無需改變氧或氮含量。此外,當少量使用時，Si還可增強AlN硬度(即,用來提供AlNxSiy其中y<0.1,和x+y＝1)。如有需要，硼還可與本文所述的任意材料形成合金。例如,AlN可與硼形成合金以提供AlxByN,其中x+y＝1。結合少量的硼可為光學膜結構之內的具體的層或整個光學膜結構提供改善的潤滑性。結合硼還可為光學膜結構之內的具體的層或整個光學膜結構提供增加的硬度。包含氮或氮化物的本文所述的光學膜結構的層可任選地包含碳改性劑或摻雜劑。在一種或多種實施方式中,碳改性劑或摻雜劑可作為合金使用，從而在光學膜結構之內形成碳化物。或者,光學膜結構可不含改性劑或摻雜劑或者不含故意添加的改性劑或摻雜劑。在一種或多種替代實施方式中,可將包含六方BN的改性劑或摻雜劑結合進入光學膜結構，從而改善光學膜結構的光學性質。例如,可將六方BN結合進入光學膜結構，從而增加光學膜結構的一個或多個層的折射率。以這種方式改性或摻雜的光學膜結構的層可包含AlN,Si3N4,SiOxNy,SiuAlvOxNy,AlxSiyN或AlOxNy。任選地,可將包含六方BN,Ag,Cr和/或其它大原子的改性劑結合進入光學膜結構，從而改善光學膜結構的機械性質。具體來說，可通過將包含六方BN,Ag,Cr和/或其它大原子的改性劑結合進入光學膜結構，來管控光學膜結構中的應力。雖然無意受限于理論，但使用某些原子摻雜AlN,Si3N4,SiOxNy,SiuAlvOxNy,AlxSiyN或AlOxNy層可使得膜松弛并具有更小的應力。當遭受力(例如單一事件刮擦)時,松弛的膜不趨于薄片式地分開，這阻止刮擦損壞并還阻止光學損壞。原子的示例包含銀(Ag)、釔(Y)、銦(In)和錫(Sn),和元素周期表第5周期的其它元素。此外，使用磷作為摻雜劑還可為光學膜結構提供松弛效果。松弛的膜還對通過在造成刮擦的滑動接觸事件中出現的力進行的牽拉分離具有抗性。因此,將某些原子包含進入光學膜結構使得膜具有所需的硬度，且沒有不利的拉伸或壓縮。這樣，包含某些原子為調節光學膜結構的光學性質提供額外的自由度。在一種或多種實施方式中,可將六方BN改性劑結合進入光學膜結構，以賦予光學膜結構潤滑性。六方BN可具有類似于石墨烯的片狀結構。在一種或多種實施方式中,光學膜結構的摩擦系數可小于包含AlN,Si3N4,SiOxNy,SiuAlvOxNy,AlxSiyN或AlOxNy但沒有將六方BN改性劑結合進入光學膜結構的其它光學膜結構的摩擦系數。例如,當使用碳化硅球對表面測量時,包含AlN,Si3N4,SiOxNy,SiuAlvOxNy,AlxSiyN或AlOxNy和結合了六方BN改性劑的光學膜結構的摩擦系數可小于約0.3。在一種或多種實施方式中,摩擦系數可為約0.28或更小,約0.26或更小,約0.24或更小,約0.22或更小,約0.20或更小,約0.18或更小,約0.16或更小,約0.14或更小,約0.12或更小或約0.1或更小。在一種或多種實施方式中,可將改性劑結合進入包含AlN,Si3N4,SiOxNy,SiuAlvOxNy,AlxSiyN或AlOxNy的光學膜結構的層中。例如,在圖2所示的實施方式中,可將改性劑結合進入包含AlN或AlOxNy的第二子層226中。在圖3所示的實施方式中,第一子層326和/或第三子層330可結合改性劑。在圖4所示的實施方式中,第一層422可結合改性劑。在圖5所示的實施方式中,第一子層526或第二子層528可結合改性劑。在一種或多種實施方式中,可將包含氟的改性劑結合進入本文所述的第二層224,324,424,524。在這種實施方式中,氟改性劑降低第二層和所得光學膜結構的摩擦系數。可將氟改性劑結合進入光學膜結構的其它的層中。在一種或多種實施方式中,本文所述的第二層包含SiO2和含有氟的改性劑。在一種或多種實施方式中,本文所述的光學膜結構排除紅外反射層或材料。光學膜結構還可排除具有專門調節到紅外區域的光學性質的層或材料。如圖1所示,無機氧化物基材110包含相反的次要表面116,118。在一種或多種實施方式中,制品100可包含包裹的膜(未顯示)，其可設置在相反的次要表面116,118和/或相反的主要表面112,114上。在這種實施方式中,包裹的膜可設置在無機氧化物基材110和光學膜結構120,220,320,420,520之間。或者,包裹的膜可形成第一層222,322,422,522的全部或一部分。在具體實施方式中,包裹的膜可形成第一子層226,326,526的全部或一部分。包裹的膜可包含Al2O3。包裹的膜可提供用于本文所述的第一子層226,326,526和第一層424的成核層。成核層可影響第一子層226,326,526或第一層424的開始的幾個原子層的原子的原子排列(即第一子層226,326,526或第一層424和包裹的膜之間的界面與成核層相距小于10nm)。本文所述的制品可包含設置在該制品上面的額外的膜或層。例如,制品可包含減反射膜和/或鈍化膜。示例性減反射膜可包含單一層或多個層(例如,4層膜、6層膜等)。當使用具有多個層的減反射膜時,這些層可包含不同的折射率且可包含具有高折射率(H)和低折射率(L)的層，其中“高”和“低”是相對于彼此而言的并是減反射膜的已知范圍。可設置這些層，從而高和低折射率層交替。在一種或多種實施方式中,可在無機氧化物基材110和本文所述的光學膜結構之間設置中間層。在具體實施方式中,中間層可包含膜或者有機材料、無機材料或其組合的層，用于維持制品的平均撓曲強度。中間層可為幾個層的復合體，該幾個層可具有彼此相同或不同的組成。在一種或多種具體實施方式中,中間層包含聚合物。示例性聚合物包含聚酰亞胺、聚硅氧烷、聚醚砜、聚砜、聚乙基醚酮、聚對二甲苯、聚四氟乙烯等。中間層還可包含類金剛石碳。中間層可具有阻止在光學膜結構中形成的裂紋橋接進入無機氧化物基材的平均失效應變、斷裂韌度或模量性質。在一種或多種實施方式中,中間層可形成本文所述的光學膜結構的第一子層。在這種實施方式中,包含中間層的第一子層的厚度可為約300nm。應理解，光學膜結構的其它的層的厚度可大于300nm，從而光學膜結構整體具有如本文其它地方所述的厚度。當中間層作為獨立的層在光學膜結構之間或作為光學膜結構的一部分來包含中間層時,光學膜結構(和/或在該結構之中的任意層)可進行調節來改變結構的光學性質。本文所述的光學膜結構可使用下述方法來設置在無機氧化物基材110上：真空沉積技術，例如化學氣相沉積(例如,等離子體增強化學氣相沉積),物理氣相沉積(例如,反應性或非反應性濺射或激光燒蝕),熱蒸發或電子束蒸發和/或原子層沉積。可改變用于設置本文所述的光學膜結構的加工條件，來調節光學膜結構的機械性質或光學膜結構的一個或多個具體層的機械性質。例如,在一種或多種實施方式中,在升高的壓力下沉積光學膜結構，以降低光學膜結構之內的應力。示例性升高的壓力包含約0.5毫托-約50毫托的壓力。在一種或多種實施方式中,升高的壓力包含10毫托。在一種或多種實施方式中,在高壓力下設置包含AlN的光學膜結構的層。在具體實施方式中,光學膜結構的其它的層例如不包含AlN的那些層可在較低壓力下設置。低壓力的示例包含約2毫托-約20毫托的壓力。本發明的第二方面涉及形成本文所述的制品的方法。在一種或多種實施方式中,所述方法包含提供無機氧化物基材,其可為如本文所述的具有相反的主要表面的強化的玻璃基材、非強化的玻璃基材、強化的玻璃陶瓷基材或非強化的玻璃陶瓷基材,以及在該無機氧化物基材的相反的主要表面中之一上設置光學膜結構。在一種或多種實施方式中,在約2毫托-約20毫托的壓力下，將光學膜結構設置在無機氧化物基材上，從而提供應力比在較低壓力下沉積的光學膜結構更低的光學膜結構。在一種或多種具體實施方式中,在約3毫托的壓力下設置光學膜結構。可利用的壓力可變化。請注意，這些只是示例且它們的精確的數值可根據所用的反應器、反應器加工(例如反應器形狀、尺寸、載氣、通量等)而變化。在一種或多種實施方式中,可通過真空沉積技術將光學膜結構設置在無機氧化物基材上。示例性真空沉積技術包含化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積，物理氣相沉積例如濺射、熱蒸發和原子層沉積。在一種或多種實施方式中,該方法包含改變光學膜結構的一種或多種性質。該一種或多種性質可包含電導率、潤滑性、應力、折射率、硬度、厚度、沉積速率和膜與環境的反應性，及其組合。改變導電性、潤滑性、應力和折射率性質中的一種或多種可包含將如本文所述的一種或多種改性劑結合進入光學膜結構。在一種或多種實施方式中,該方法包含增加光學膜結構的電導率。在具體實施方式中,增加光學膜結構的電導率包含使用可包含Mg、Ca或其組合的改性劑或摻雜劑摻雜光學膜結構。根據一種或多種實施方式的方法可包含增加光學膜結構的潤滑性。在一種或多種具體實施方式中,增加光學膜結構的潤滑性包含將BN結合進入光學膜結構。在一種或多種實施方式中,該方法包含降低光學膜結構中的應力。在這種實施方式中,降低應力包含將BN、Ag、Cr或其組合中的一種或多種結合進入光學膜結構。在一種或多種實施方式中,該方法包含將氧引入光學膜結構。引入氧可改變光學膜結構的折射率。在一種或多種實施方式中,該方法可包含在光學膜結構中構建氧含量梯度,如本文其它地方所述。實施例通過以下實施例進一步闡述本發明的不同實施方式。對本領域的技術人員而言，顯而易見的是可以在不偏離本發明的精神和范圍的情況下對本發明進行各種修改和變動。實施例1-8在下面的實施例中，設計了3層光學膜結構，并使用不同模型評估了樣品在可見光譜上的透明度。使用橢圓光度法來表征三層光學膜結構中每一層的折射率和消光系數。將每一層的折射率和消光系數信息用于已知的建模工具(例如,薄膜設計代碼)，以測定在實施例1-8中所述的光學膜結構的光學行為。上述表征和建模可與本文所述的光學膜結構的兩層、四層或其它的層構造一起使用。在實施例1-8中，所測量和所使用的折射率和消光系數信息來自光學膜結構，該光學膜結構使用在寬度和長度尺寸約為2"×2"的強化的玻璃基材上的離子束濺射過程來形成。該玻璃基材包含堿性硼鋁硅酸鹽玻璃，其組成包含約65摩爾％SiO2,約14摩爾％Al2O3；約5摩爾％B2O3；約14摩爾％Na2O；約2.5摩爾％MgO和約0.1摩爾％SnO2。玻璃基材被強化以呈現至少約700MPa的CS和至少約40μm的DOL。通過將玻璃基材在溫度為約400-430℃的熔融鹽浴中浸沒約4-約8小時，來形成該CS和DOL。光學膜結構的各層的厚度通過沉積時間來控制。沉積溫度保持為約200℃，且壓力保持為6.7x10-6托。在流量為約75sccm的氬氣、約4kW的DC電源存在下，光學膜結構的每一個層都從適當的靶濺射(例如,Ge靶用來形成包含鍺的氧化物,Si靶用來形成含硅的氧化物或Al靶用來形成含鋁的氧化物,氮化物或氮氧化物)。使用氧氣(流量是約2sccm)、氮氣(流量是約50sccm)和氬氣(流量是約25sccm)氣體的混合物，在約180W-約800W的功率下產生離子束。例如,當形成Al2O3時,在約600W的功率下形成離子束,當形成AlOxNy時,在約180W的功率下形成離子束,和當形成SiO2時,在約800W的功率下形成離子束。以約3埃/秒的速率形成Al2O3,以約1.6埃/秒的速率形成AlOxNy和以約5埃/秒的速率形成SiO2。在已知結構中,當觀察角度從法向入射(即,0度)變化到傾斜入射時，具有最低反射率的設計仍然顯示反射比顏色點變化。因此,低反射率區域(并無需是最低反射率區域)具有減少的顏色(即,低反射率區域更靠近(a*,b*)原點),這通過設計的兩個阻抗-匹配層的厚度和色散(dispersion)變化來實現。在實施例1中,光學膜結構的阻抗-匹配層包含Al2O3和SiO2層，其環繞著具有高折射率和較高硬度的層(例如,AlOxNy,其中x≥0)。具體來說，在實施例1中,制備具有光學膜結構的樣品，該光學膜結構包含第一子層Al2O3、第二子層AlOxNy和第二層SiO2,并使用橢圓光度法測量每一層的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度。AlOxNy層的厚度是恒定的。對于SiO2和Al2O3層的每一厚度,都預測根據實施例1的樣品的L*a*b*顏色坐標。圖11顯示根據實施例1的光學膜結構以透射率表示的顏色性能的等高線圖,其中所用條件為a*是零且b*是零。此外，(a*,b*)空間中設計的性能距離原點的距離形成接近真正無偏差的、白色(或無色)透明的度量。對于圖11中所示的等高線圖,AlOxNy厚度保持恒定為1850nm，且SiO2和Al2O3層的厚度分別從0變化到160nm以及從0變化到800nm,這使用如上所述的建模來完成。利用擬合包含這三種材料的層的折射率和消光系數的實驗測量的色散函數(Dispersionfunctions)。圖11所示的等高線圖限制到接近零的等高線,從而提供涉及低顏色解決方案(a*,b*)≈(0,0)對設計參數(即,SiO2層和Al2O3層厚度)的敏感性的數據。為了清楚，抑制了其它等高線水平。結果表明在其中最細的實線形式的等高線(其中a*＝0.0)和最厚虛線形式的等高線(其中b*＝0.0)相交或幾乎相交的區域，存在一致的解決方案。通過包含具有在圖11的這些交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有無色透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表1。表1：來自圖11的具有無色透明度的光學膜結構。在實施例2中,利用實施例1中所測量的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度；然而,AlOxNy層的厚度恒定為約2000nm。對于SiO2和Al2O3層的每一模擬的厚度,都預測根據實施例2的樣品的L*a*b*顏色坐標。相對于實施例1,AlOxNy層的厚度增加到2000nm，從而顯示等高線對AlOxNy層的厚度的依賴性。圖12是根據實施例2的用透射率表示的光學膜結構顏色性能等高線圖。通過包含具有在圖12的這些交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有無色透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表2。表2：來自圖12的具有無色透明度的光學膜結構。SiO2AlOxNyAl2O3光學膜結構743nm2000nm500nm光學膜結構867nm2000nm490nm光學膜結構962nm2000nm450nm光學膜結構1035nm2000nm350nm光學膜結構1163nm2000nm300nm光學膜結構1275nm2000nm380nm在實施例3中,利用實施例1中所測量的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度；然而,AlOxNy層的厚度恒定為約2250nm。圖13是根據實施例3用透射率表示的光學膜結構顏色性能的等高線圖,其中AlOxNy層的厚度恒定為2250nm。通過包含具有在圖13的這些交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有無色透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表3。表3：來自圖13的具有無色透明度的光學膜結構。SiO2AlOxNyAl2O3光學膜結構1348nm2250nm495nm光學膜結構1465nm2250nm490nm光學膜結構1560nm2250nm310nm光學膜結構1637nm2250nm350nm光學膜結構1772nm2250nm320nm在實施例4中,利用實施例1中所測量的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度；然而,AlOxNy層的厚度恒定為約2500nm。圖14是根據實施例4用透射率表示的光學膜結構顏色性能的等高線圖,其中AlOxNy層的厚度恒定為2500nm。通過包含具有在圖14的這些交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有無色透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表4。表4：來自圖14的具有無色透明度的光學膜結構。在實施例5中,利用實施例1中所測量的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度；然而,AlOxNy層的厚度恒定為約2750nm。圖15是根據實施例5用透射率表示的光學膜結構顏色性能的等高線圖,其中AlOxNy層的厚度恒定為2750nm。通過包含具有在圖15的這些交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有無色透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表5。表5：來自圖15的具有無色透明度的光學膜結構。SiO2AlOxNyAl2O3光學膜結構2242nm2750nm340nm光學膜結構2365nm2750nm330nm在實施例6中,利用實施例1中所測量的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度；然而,AlOxNy層的厚度恒定為約3000nm。圖16是根據實施例6用透射率表示的光學膜結構顏色性能的等高線圖,其中AlOxNy層的厚度恒定為3000nm。通過包含具有在圖16的這些交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有無色透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表6。表6：來自圖16的具有無色透明度的光學膜結構。SiO2AlOxNyAl2O3光學膜結構2442nm3000nm340nm光學膜結構2561nm3000nm320nm在實施例7中,利用實施例1中所測量的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度；然而,AlOxNy層的厚度恒定為約3250nm。圖17是根據實施例7用透射率表示的光學膜結構顏色性能的等高線圖,其中AlOxNy層的厚度恒定為3250nm。通過包含具有在圖17的該交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有無色透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表7。表7：來自圖17的具有無色透明度的光學膜結構。SiO2AlOxNyAl2O3光學膜結構2655nm3250nm330nm在實施例8中,利用實施例1中所測量的折射率和消光系數數值。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度；然而,AlOxNy層的厚度恒定為約3500nm。圖18是根據實施例8用透射率表示的光學膜結構顏色性能的等高線圖,其中AlOxNy層的厚度恒定為3250nm。通過包含具有在圖18的這些交叉點處的厚度的SiO2,Al2O3,和AlOxNy層，將提供具有接近無色(但不是完全無色)透明度的光學膜結構。這種光學膜結構見表8。表7：來自圖18的具有接近無色透明度的光學膜結構。SiO2AlOxNyAl2O3光學膜結構2755nm3500nm340nm如圖11-18所示,對于光學膜結構中較厚的AlOxNy層(例如,厚度約3500nm),對于參數空間的該區域而言，參數空間中的b*表面不再與零相交(即,b*表面參數空間不再在b*＝零和a*＝零處與a*參數空間相交)。因此,使用較厚的AlOxNy層時，調節其它的層(例如,SiO2和Al2O3層)來獲得無色或接近無色透明度的選擇更少。L*a*b*顏色空間中特定顏色點(a*,b*)距離原點(0,0)的距離由歐幾里德(Euclidean)距離給出圖19A,20A,21A,22A,23A,24A,25A和26A中所示的等高線圖分別顯示根據實施例1-8的樣品在相同范圍的設計空間上的亮度L*。圖19B,19C,20B,20C,21B,21C,22B,22C,23B,23C,24B,24C,25B,25C,26B和26C分別顯示實施例1-8的樣品的圖譜，其中在線性(圖19B,20B,21B,22B,23B,24B,25B和26B)和對數(圖19C,20C,21C,22C,23C,24C,25C和26C)比例下，假色表明距離原點的距離的數值d隨SiO2和Al2O3厚度的變化。將距離顏色原點(清澈/白色)的距離相對于設計參數作圖。圖19A,20A,21A,22A,23A,24A,25A和26A顯示透明度或亮度,其中更大的亮度表示更大的透明度。圖19B,19C,20B,20C,21B,21C,22B,22C,23B,23C,24B,24C,25B,25C,26B和26C中的深色區域表明在所示SiO2、Al2O3和AlOxNy層的厚度下，L*a*b*顏色空間中距離原點(0,0)的距離最小。當比較亮度和距離d時，可獲得SiO2、Al2O3和AlOxNy的合適厚度，從而透明度是最大化的，同時距離d(和顏色透明度)是最小化的。例如,在圖19A和19B,基于圖19B，SiO2層厚度為35nm、Al2O3層厚度為200nm且AlOxNy層厚度為1850nm的光學膜結構可具有無色透明度；然而,這種光學膜結構的亮度可為95％-96％。類似地，選定SiO2層厚度為90nm、Al2O3層厚度為100nm且AlOxNy層厚度為1850nm可提供99％的亮度；然而這種光學膜結構的距離d可大于2或3，由此不具有無色透明度。參考圖19C,20C,21C,22C,23C,24C,25C和26C,較深色的區域顯示對變化更不敏感的光學膜結構設計的層的厚度。因此,這些圖可用來選擇耐受質造過程的變化且仍然獲得所需的無色透明度的光學膜結構的層的厚度。實施例9使用濺射方法分別制備實施例9和比較例9A的各一個樣品。通過以下方式來制備各樣品：提供與實施例1-8中所用相同且長度和寬度尺寸都是50mm的基材。實施例9包含含有SiuAlvOxNy的層,其中u,v,x和y沿著層的厚度變化，以提供氧含量梯度、硅含量梯度、鋁含量梯度和氮含量梯度。比較例9A包含AlN層。如通過輪廓測定法所測量,實施例9的包含SiuAlvOxNy的層的厚度是約260nm,并通過使用硅和鋁靶以及氮和氧氣的濺射過程來形成。如通過輪廓測定法所測量,AlN層(不含梯度)的厚度是約250nm。以類似于實施例9的層的方式來形成比較例9A的不含梯度的層；然而,只利用鋁靶且只利用氮氣。形成實施例9和比較例9A的各層的總沉積時間是約6小時。圖27顯示包含SiuAlvOxNy梯度的實施例9的層和不含這種梯度的比較例9A的層的反射率％。與不含梯度的比較例9A的層相比，實施例9的層在可見光譜上呈現平坦的反射光譜(或透射光譜)。換句話說,相對于比較例9A的均勻的層，實施例9的層的反射率％振蕩的振幅降低。如圖27所示,實施例9的層在可見光譜上的反射率是基本上恒定的或變化不大于約20％。換句話說，實施例9的層的平均反射率是約16％，且最大值(例如,18％)和最小值(例如,14％)與16％的平均反射率相差小于約20％。為了比較，比較例9A的AlN層的反射率％顯示振蕩，從而在可見光譜上的反射率％從低至約8％變化到高達約27％。實施例10使用濺射方法分別制備實施例10和比較例10A的各一個樣品。通過以下方式來制備各樣品：提供與實施例1-8中所用相同且長度和寬度尺寸都是50mm的基材。實施例10包含一個層，該層含有121個含有SiuAlvOxNy的子層,其中u,v,x和y沿著層的厚度變化，以提供氧含量梯度、硅含量梯度、鋁含量梯度和氮含量梯度。將SiuAlvOxNy層的121個子層形成到玻璃基材的一個側面上。通過以下方式來形成所述的層：在氬氣流量是約20sccm,氮氣流量是40sccm和氧氣流量是2sccm時，于約3毫托的壓力下首先濺射硅靶。至少在開始的3分鐘供應4W的RF功率。在開始的3分鐘之后，形成DC電源，從50W開始以從鋁靶濺射鋁。DC電源每3分鐘增加20W，直到到達300W。當DC電源增加時,RF功率、氬氣氣體流量、氮氣流量和氧氣流量是恒定的。在到達300WDC電源之后,在連續的步驟中將RF功率從400W降低到0W，且DC電源繼續以每3分鐘增加20W的方式增加功率，直到達到480WDC功率。然后，在連續的步驟中，以約0.2sccm的增量將氧氣流量從2sccm降低到0.25sccm氧,最后一次降低的量是0.05sccm。在氧流量降低到0.25sccm之后,沉積過程再繼續進行3小時，且在層中只形成AlN。換句話說,當氧以0.25sccm的流速流動時形成的子層包含AlN。在整個沉積過程中,氮和氬氣的流量是恒定的，壓力是恒定的。在沉積過程中或在流量、RF功率或DC功率的任何變化之間，沒有進行任何清潔步驟。比較例10A包含單一AlOxNy層。實施例10的包含SiuAlvOxNy的層的厚度與比較例10A的AlOxNy的單一層的厚度相同。實施例10通過使用硅和鋁靶以及氮氣和氧氣進行濺射來形成。以類似于實施例10的層的方式來形成比較例10A(不含梯度)；然而,只利用鋁靶且利用氧氣和氮氣。圖28顯示包含SiuAlvOxNy梯度的實施例10的層和不含這種梯度的比較例10A的層的透明度％。與比較例10A的不含梯度的層相比，實施例10的層在可見光譜上呈現平坦的透明度光譜。換句話說,相對于比較例10A的均勻的層，實施例10的層的透明度％振蕩的振幅降低。如圖28所示,實施例10的層在可見光譜上的透明度是基本上恒定的或變化不大于約4％。為了比較，比較例10A的AlOxNy層的反射率％顯示振蕩，從而在可見光譜上的透明度％從低至約78％變化到高達約93％。實施例10的梯度層還呈現如本文其它地方所述的耐刮擦性。雖然無意受限于理論，但據信當氧含量沿著層的厚度線性降低時，本文所述的光學膜結構的反射率％的振蕩的振幅,以及包含鋁含量、硅含量、氮含量和/或氧含量梯度的層(例如,第一層422和/或第一子層526和/或實施例9和實施例10的層)的反射率％的振蕩的振幅可降低到近似為零。實施例11在下面的實施例中，設計了設置在玻璃基材上的3層光學膜結構。按照與實施例1-8相同的方式，使用各種模型評估光學膜結構和玻璃基材在整個可見光譜上的透明度和反射比。再次使用橢圓光度法來表征三層光學膜結構中每一層的折射率和消光系數。將每一層的折射率和消光系數信息用于已知的建模工具(例如,薄膜設計代碼)，以測定光學膜結構和基材的光學行為。使用與實施例1-8中所用相同的基材，以與實施例1-8相同的方式形成光學膜結構。在實施例11中,光學膜結構的阻抗-匹配層包含Al2O3和SiO2層，其環繞著具有高折射率和較高硬度的層。具體來說，光學膜結構包含第一子層Al2O3,第二子層AlOxNy和第二層SiO2。如上所述，基于所測的折射率和消光系數數值，使用建模改變Al2O3和SiO2層的厚度。AlOxNy層的厚度恒定為2微米。對于SiO2和Al2O3層的每一厚度,都預測樣品的L*a*b*顏色坐標。圖29A顯示根據實施例11的光學膜結構和基材的a*反射比顏色性能的等高線圖。在等高線圖,數值為零表明光學膜結構和基材組合的反射比不含顏色。適用于SiO2層和Al2O3層的厚度包含沿著實線R,a*＝0.5和虛線R,a*＝-0.5之間的等高線的厚度，或在一些情況下,包含沿著兩虛線R,a*＝0之間的等高線的厚度。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜和基材呈現的a*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制光學膜和基材的顏色坐標和顏色坐標(a*＝0,b*＝0)之間的距離。對于0nm-500nm的Al2O3厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0nm-約60nm,且用于Al2O3和/或SiO2層的具體厚度落在實線R,a*＝0.5和虛線R,a*＝-0.5之間。在一種或多種實施方式中,對于0nm-500nm的Al2O3厚度,合適的SiO2層的厚度也可包含約0nm-約150nm的厚度；然而,使用落在實線R,a*＝0.5和虛線R,a*＝-0.5之間的更寬范圍的層厚度的厚度為制造提供更多靈活性(即,厚度的少量變化不會顯著影響a*數值)。為此,0nm-60nm的SiO2厚度和0nm-200nm的Al2O3層厚度可提供對光學膜厚度變化更大的容忍度，同時提供的光學膜和基材組合呈現的a*數值是約-0.5到約0.5,顏色坐標具有最小的距離顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離。圖29B顯示根據實施例11的光學膜結構和下面的基材的a*反射比顏色性能的等高線圖,且等高線顯示光學膜結構和基材的組合與裸基材(不含光學膜結構)之間的差異。在等高線圖中,用于作圖的量的數值為零時意指光學膜結構和基材的組合的顏色坐標與裸基材的顏色坐標相同。如圖29B所示,等高線進行轉換來適應基材。因此,從圖29A所示的那些修改實線R,a*＝0.5和虛線R,a*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度或在一些情況下,兩虛線R,a*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜和基材的組合呈現的a*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制光學膜和基材組合的顏色坐標和裸基材(不含光學膜)的顏色坐標之間的距離。對于0nm-500nm的Al2O3厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0nm-約60nm,且用于Al2O3和/或SiO2層的具體厚度落在實線R,a*＝0.5和虛線R,a*＝-0.5之間。在一種或多種實施方式中,對于0nm-500nm的Al2O3厚度,合適的SiO2層的厚度也可包含約0nm-約140nm的厚度；然而,使用落在實線R,a*＝0.5和虛線R,a*＝-0.5之間的更寬范圍的層厚度的厚度為制造提供更多靈活性(即,厚度的少量變化不會顯著影響a*的數值)。為此,使用厚度為約0nm-約60nm的SiO2層和厚度為約0nm-約200nm的Al2O3層可為光學膜厚度變化提供更大的容忍度，同時提供的光學膜和基材組合呈現的a*數值是約-0.5到約0.5。與基材組合時，在光學膜中使用這種SiO2和Al2O3層和2μm厚的AlOxNy層提供的制品呈現的顏色坐標與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離較近(例如,<2)。圖29C顯示根據實施例11的光學膜結構和基材的b*反射比顏色性能的等高線圖。在等高線圖,數值為零表明光學膜結構和基材的組合不含顏色。適用于SiO2層和Al2O3層的厚度包含沿著實線R,b*＝0.5和虛線R,b*＝-0.5之間的等高線的厚度，或在一些情況下,包含沿著兩虛線R,b*＝-0.5之間的等高線的厚度。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜和基材組合呈現的b*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離。對于0nm-約500nm的Al2O3層厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0-約40nm,或約170nm-約175nm,且Al2O3和SiO2層的更具體的厚度落在實線R,b*＝0.5和虛線R,b*＝-0.5之間。可使用厚度為約175nm的SiO2層，并可提供具有改善的b*反射比顏色性能的光學膜和基材的組合；然而,與該厚度的任意偏差都可導致b*數值變化。圖29D顯示根據實施例11的光學膜結構和基材的b*反射比顏色性能的等高線圖。等高線圖中的等高線顯示光學膜結構和基材的組合與裸基材(不含光學膜結構)之間的差異。在等高線圖中,用于作圖的量的數值為零時意指光學膜結構和基材的組合的顏色坐標與裸基材的顏色坐標相同。如圖29D所示,等高線進行轉換來適應基材。因此,從圖29C所示的那些修改實線R,b*＝0.5和虛線R,b*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度或在一些情況下,兩虛線R,b*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜和基材的組合呈現的b*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制光學膜和基材組合的顏色坐標和裸基材(不含光學膜)的顏色坐標之間的距離。對于0nm-約500nm的Al2O3層厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0-約30nm,或約170nm-約175nm,且Al2O3和SiO2的更具體的厚度落在實線R,b*＝0.5和虛線R,b*＝-0.5之間。與圖29C相比，圖29D中Al2O3層的厚度和厚度范圍不顯著變化。圖29E顯示SiO2和Al2O3層的厚度，在該SiO2和Al2O3層的厚度下制品(包含光學膜和基材)的反射比顏色坐標與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離約小于1,約小于0.5,約小于0.2和約小于0.1。圖29E表明當光學膜具有厚度為約0nm-約50nm的SiO2層和厚度為約0nm-約180nm的Al2O3層,且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線d＝0.1和虛線d＝1.0之間，并與2μm厚的AlOxNy層組合時,該光學膜呈現的以反射率表示的顏色坐標與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離約小于1。在另一實施例中,厚度為約0nm-約50nm的SiO2層、厚度為約0nm-約500nm的Al2O3層、2μm厚的AlOxNy層和玻璃基材的組合也呈現所需的反射比顏色性能。在另一實施例中,厚度為約75nm-約100nm的SiO2層、厚度為約250nm-約500nm的Al2O3層、2μm厚的AlOxNy層和玻璃基材的組合也呈現所需的反射比顏色性能；但SiO2和Al2O3層的這些厚度范圍對厚度變化的容忍度更低,發現在一些其它厚度上改善光學膜和基材的組合的透明度。圖29F顯示SiO2和Al2O3層的厚度，在該SiO2和Al2O3層的厚度下制品的顏色坐標與基材的顏色坐標的距離約小于1,約小于0.5,約小于0.2和約小于0.1。圖29F表明當玻璃基材與包含2μm厚的AlOxNy層、厚度為約0nm-約30nm或35nm的SiO2層和厚度為約0nm-約170nm的Al2O3層(且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線d＝0.1和虛線d＝1.0之間)的光學膜組合時,該玻璃基材和光學膜的組合呈現的以反射率表示的顏色坐標與基材的顏色坐標的距離約小于1。另一實施例包含基材和光學膜，該光學膜包含2μm厚的AlOxNy層、厚度為約30nm-約40nm的SiO2層和厚度為約260nm-約290nm的Al2O3層。又一實施例包含基材和光學膜，該光學膜包含2μm厚的AlOxNy層、厚度為約20nm-約40nm的SiO2層和厚度為約420nm-約450nm的Al2O3層。圖30A顯示根據實施例11的光學膜結構和基材的a*透明度顏色性能的等高線圖。在該等高線圖中,數值為零表明光學膜結構和基材組合不含顏色。SiO2層和Al2O3層的合適的厚度包含沿著實線T,a*＝0.5和虛線T,a*＝-0.5之間的等高線的厚度或在一些情況下,在兩條虛線T,a*＝-0.5之間的等高線的厚度，當與光學膜中的2μmAlOxNy層組合時,其將提供約-0.5到約0.5的a*數值。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜呈現的a*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制光學膜和基材的顏色坐標與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)之間的距離。對于0nm-約500nm的Al2O3層厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0-約160nm,且Al2O3和SiO2的更具體的厚度落在實線T,a*＝0.5和虛線T,a*＝-0.5之間。不可提供所需的a*透明度的厚度的示例包含厚度為約65nm-約105nm的SiO2層與厚度為約10nm-約120nm的Al2O3層組合,厚度為約20nm-約140nm的SiO2層與厚度為約185nm-約275nm的Al2O3層的組合,或厚度為約0nm-約125nm的SiO2層與厚度為約350nm-約420nm的Al2O3層的組合,因為這些厚度范圍和組合落在兩條虛線T,a*＝-0.5之間。圖30B顯示根據實施例11的光學膜結構和基材的a*透明度顏色性能的等高線圖。該等高線顯示光學膜結構和基材的組合與裸基材(不含光學膜結構)之間的差異。在該等高線圖中,用于作圖的量的數值為零時意指光學膜結構和基材的組合的顏色坐標與裸基材的顏色坐標相同。如圖30B所示,等高線進行轉換來適應基材。因此,從圖30A所示的那些修改實線T,a*＝0.5和虛線T,a*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度或在一些情況下,兩虛線T,a*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜和基材呈現的a*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制光學膜和基材的顏色坐標與裸基材(不含光學膜)的顏色坐標之間的距離。對于0nm-約500nm的Al2O3層厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0-約160nm,且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線T,a*＝0.5和虛線T,a*＝-0.5之間。不可提供所需的a*透明度的厚度的示例包含厚度為約65nm-約105nm的SiO2層與厚度為約0nm-約120nm的Al2O3層組合,厚度為約20nm-約120nm的SiO2層與厚度為約190nm-約275nm的Al2O3層的組合,或厚度為約0nm-約125nm的SiO2層與厚度為約330nm-約420nm的Al2O3層的組合,因為這些厚度范圍和組合落在兩虛線T,a*＝-0.5之間。圖30C顯示根據實施例11的光學膜結構和基材的b*透明度顏色性能的等高線圖。在該等高線圖,數值為零表明光學膜結構和基材的組合不含顏色。適用于SiO2層和Al2O3層的厚度包含沿著實線T,b*＝0.5和虛線T,b*＝-0.5之間的等高線的厚度，或在一些情況下,包含沿著兩虛線T,b*＝-0.5之間的等高線的厚度。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜和基材的組合呈現的b*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制光學膜結構和基材的顏色坐標和顏色坐標(a*＝0,b*＝0)之間的距離。對于0nm-約500nm的Al2O3層厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0-約90nm,且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線T,b*＝0.5和虛線T,b*＝-0.5之間。不可提供所需的b*透明度的厚度的示例包含厚度為約20nm-約80nm的SiO2層與厚度為約0nm-約250nm的Al2O3層的組合,厚度為約20nm-約80nm的SiO2層與厚度為約260nm-約500nm的Al2O3層的組合,或厚度為約0nm-約25nm的SiO2層與厚度為約80nm-約150nm、約220nm-約290nm或約380nm-約440nm的Al2O3層的組合,因為這些厚度范圍和組合落在兩虛線T,b*＝-0.5之間或在兩實線T,b*＝0.5之間。圖30D顯示根據實施例11的光學膜結構和基材的b*反射比顏色性能的等高線圖。該等高線顯示光學膜結構和基材的組合與裸基材(不含光學膜結構)之間的差異。在該等高線圖中,用于作圖的量的數值為零時意指光學膜結構和基材的組合的顏色坐標與裸基材的顏色坐標相同。如圖30D所示,等高線進行轉換來適應基材。因此,從圖30C所示的那些修改實線T,b*＝0.5和虛線T,b*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度或在一些情況下,兩虛線T,b*＝-0.5之間的SiO2和Al2O3層的厚度。當具有這些厚度的SiO2和Al2O3層與2μm的AlOxNy層組合時,光學膜呈現的b*數值是約-0.5到約0.5,這進而限制光學膜和基材組合的顏色坐標與裸基材(不含光學膜)的顏色坐標之間的距離。對于0nm-約500nm的Al2O3層厚度,合適的SiO2層厚度的示例包含約0-約40nm,約70nm-約100nm或約160nm-約175nm，且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線T,b*＝0.5和虛線T,b*＝-0.5之間。不可提供所需的b*透明度的厚度的示例包含厚度為約0nm-約80nm的SiO2層與厚度為約0nm-約500nm的Al2O3層的組合,厚度為約80nm-約170nm的SiO2層與厚度為約0nm-約500nm的Al2O3層的組合,或厚度為約0nm-約25nm的SiO2層與厚度為約100nm-約130nm,或約230nm-約290nm,或約390nm-約420nm的Al2O3層的組合,因為這些厚度范圍和組合中的一些落在兩虛線T,b*＝-0.5之間或在兩實線T,b*＝0.5之間。圖30E顯示SiO2和Al2O3層的厚度，在該SiO2和Al2O3層的厚度下約制品(包含光學膜和基材)的反射比顏色坐標與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離小于1,約小于0.5,約小于0.2和約小于0.1。圖30E顯示一種光學膜，其中存在非常少的滿足以下條件的SiO2層和Al2O3層中任意一者的厚度，當在該SiO2層和Al2O3層中任意一者的厚度下與2μm厚的AlOxNy層組合時呈現以透明度表示的顏色坐標與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離約大于1。例如，當光學膜具有厚度為約0nm-約50nm的SiO2層和厚度為約0nm-約500nm的Al2O3層(且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線d＝0.1和虛線d＝1.0之間)并與2μm厚的AlOxNy層組合時,該光學膜呈現的以透明度表示的顏色坐標與顏色坐標(a*＝0,b*＝0)的距離約小于1。在另一實施例中,SiO2層厚度可為約0nm-約50nm且Al2O3層厚度可為約0nm-約220nm,且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線d＝0.1和虛線d＝1.0之間。在另一實施例中,SiO2層厚度可為約60nm-約100nm且Al2O3層厚度可為約100nm-約500nm,且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線d＝0.1和虛線d＝1.0之間。圖30F顯示SiO2和Al2O3層的厚度，在該SiO2和Al2O3層的厚度下制品的顏色坐標與基材的顏色坐標的距離約小于1,約小于0.5,約小于0.2和約小于0.1。圖30F表明當基材與包含2μm厚的AlOxNy層、厚度為約0nm-約50nm的SiO2層和厚度為約0nm-約200nm的Al2O3層(且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線d＝0.1和虛線d＝1.0之間)的光學膜組合時,該玻璃基材和光學膜的組合呈現的以透明度表示的顏色坐標與裸基材的顏色坐標的距離約小于1。在另一實施例中,SiO2層厚度可為約70nm-約100nm和Al2O3層厚度可為約100nm-約500nm,且Al2O3和/或SiO2層的更具體的厚度落在實線d＝0.1和虛線d＝1.0之間。在圖29A-29F和30A-30F中,利用a*和b*為從-0.5到0.5和d＝0.1,0.2,0.5和1的等高線來說明不同設計參數，以獲得本文所述的光學性質。應指出，取決于感興趣的光源和/或觀察者偏好(即,有些觀察者發現a*,b*,a*和b*的組合的更大變化以及更大的距離d是可接受的)，可使用具有更大范圍的等高線(例如,a*或b*是約-1到約1或約-2到約2,或d＝1.5,2,2.5等)。對本領域的技術人員而言，顯而易見的是可以在不偏離本發明的范圍和精神的情況下對本發明進行各種修改和變動。