0中，采用磁控濺射在玻璃基板上制備IT0薄膜。
[0033] 鍍膜腔室的設置溫度為380°C~600°C。
[0034] 優選地，在真空度為0.1 Pa~0. 5Pa下進行磁控濺射鍍膜。
[0035] 優選地，鍍膜過程中，玻璃基板的運行速率為0. 6m/min~2. 5m/min。
[0036] 磁控濺射的ITO靶的濺射電壓為200V~450V，濺射總功率為lKw~60Kw。
[0037]S30、將S20得到的鍍好ITO薄膜的玻璃基板依次通過過渡室20、緩沖室30、出口 鎖定室40和出口室50。
[0038] 優選地，過渡室20、緩沖室30、出口鎖定室40和出口室50均與抽真空設備（圖未 標）相連，用于控制過渡室20、緩沖室30、出口鎖定室40和出口室50的真空度。通過各個 腔室內真空度的控制，使鍍好IT0薄膜的玻璃基板由真空環境逐漸運走至大氣壓環境，避 免驟然真空度變化而引起的玻璃基板破裂。
[0039] 優選地，鍍好ITO薄膜的玻璃基板依次通過過渡室20、緩沖室30、出口鎖定室40 和出口室50后運行出磁控濺射鍍膜設備100的運行速度均為0. 6m/min~2. 5m/min。
[0040] 優選地，磁控濺射鍍膜設備100的控制門閥開啟時間和關閉時間均為0. 01s~ 0. 2s〇
[0041] 過渡室20可以為1個或串聯的2個~4個。本實施方式中，過渡室為串聯的2個。 在其他較優的實施方式中，過渡室為串聯的4個。
[0042] 優選地，過渡室20的真空度為0. 003Pa~0. 5Pa，緩沖室30的真空度為0. 003Pa~ 0. 5Pa，出口鎖定室40的真空度為0. 003Pa~0. 5Pa，出口室50的真空度為0. 003Pa~ 0. 5Pa〇
[0043]一般的，過渡室20、緩沖室30和出口鎖定室40的設置溫度可以為200°C~550°C， 從而控制ITO玻璃的溫度在ITO的結晶溫度點180°C以上，然后在驟冷室進行驟然冷卻，一 方面利用IT0膜層做為熱的良導體的特性，使IT0膜層表層和內層都快速冷卻，盡可能釋放 IT0膜層的內應力，避免IT0膜層因內層和外層存在較大的應力差而易開裂，或因IT0應力 差過大造成的IT0玻璃翹曲度過大；另一方面通過驟然冷卻，進一步提升IT0膜層的致密 性，增加IT0膜的硬度和抗刮傷能力。
[0044]S40、將S30得到的從出口室出來的鍍好IT0薄膜的玻璃基板通過驟冷室，得到IT0 玻璃。
[0045] 驟冷室的設置溫度為5°C~15°C，驟冷室的長度為0.5m~3.0m，鍍好IT0薄膜的 玻璃基板在驟冷室內的運行速度為〇. 6m/min~2. 5m/min。
[0046] 驟冷室內的壓強為大氣壓。
[0047] 這種IT0玻璃的制備方法，通過控制完成鍍膜的IT0玻璃從溫度較高的鍍膜腔室 依次通過過渡室20、緩沖室30、出口鎖定室40和出口室50后，通過溫度很低的驟冷室，使 得完成鍍膜的玻璃基板的溫度快速降低至50°C以下，通過驟冷的方式提升了IT0膜層的硬 度，制得了IT0膜層硬度更高的IT0玻璃。
[0048] 以下通過具體實施例進一步闡述。
[0049] 實施例1
[0050] 1、將玻璃基板清洗并干燥備用。
[0051] 2、使潔凈、干燥的玻璃基板運行至磁控濺射鍍膜設備的鍍膜腔室中，采用磁控濺 射在玻璃基板上制備IT0薄膜。鍍膜腔室的設置溫度為600°C，真空度為0. 3Pa，玻璃基板 的運行速率為1. 8m/min，磁控濺射的電壓為315V，功率為6Kw。
[0052] 3、將鍍好ITO薄膜的玻璃基板依次通過過渡室、緩沖室、出口鎖定室和出口室。過 渡室的真空度為〇. 〇5Pa，緩沖室的真空度為0. 05Pa，出口鎖定室的真空度為0. 003Pa，出口 室的真空度為〇. 5Pa，鍍好IT0薄膜的玻璃基板依次通過過渡室、緩沖室、出口鎖定室和出 口室的運行速率均為1. 8m/min，控制門閥的開啟時間和關閉時間均為0. 05s。
[0053] 4、將從出口室出來的鍍好ITO薄膜的玻璃基板通過驟冷室，得到ITO玻璃。驟冷 室的設置溫度為5°C，驟冷室的長度為2. 5_，鍍好IT0薄膜的玻璃基板在驟冷室內的運行 速度為〇. 6m/min。
[0054] 實施例2
[0055]1、將玻璃基板清洗并干燥備用。
[0056] 2、使潔凈、干燥的玻璃基板運行至磁控濺射鍍膜設備的鍍膜腔室中，采用磁控濺 射在玻璃基板上制備ITO薄膜。鍍膜腔室的設置溫度為480°C，真空度為0. 2Pa，玻璃基板 的運行速率為1. 6m/min，磁控濺射的電壓為350V，功率為48Kw。
[0057] 3、將鍍好ITO薄膜的玻璃基板依次通過過渡室、緩沖室、出口鎖定室和出口室。過 渡室的真空度為〇. 〇8Pa，緩沖室的真空度為0. 08Pa，出口鎖定室的真空度為0. 009Pa，出口 室的真空度為〇. 〇3Pa，鍍好ITO薄膜的玻璃基板依次通過過渡室、緩沖室、出口鎖定室和出 口室的運行速率均為1. 5m/min，控制門閥的開啟時間和關閉時間均為0. 05s。
[0058] 4、將從出口室出來的鍍好ITO薄膜的玻璃基板通過驟冷室，得到ITO玻璃。驟冷 室的設置溫度為l〇°C，驟冷室的長度為3_，鍍好IT0薄膜的玻璃基板在驟冷室內的運行速 度為 1. 0m/min〇
[0059] 對比例1
[0060] 1、將玻璃基板清洗并干燥備用。
[0061] 2、使潔凈、干燥的玻璃基板運行至磁控濺射鍍膜設備的鍍膜腔室中，采用磁控濺 射在玻璃基板上制備IT0薄膜，其中，鍍膜腔室的設置溫度為600°C，真空度為0. 3Pa，玻璃 基板的運行速率為1. 8m/min，磁控濺射的電壓為315V，功率為6Kw。
[0062] 3、將鍍好ITO薄膜的玻璃基板依次通過過渡室、緩沖室、出口鎖定室和出口鎖定 后運行出磁控濺射鍍膜設備，得到IT0玻璃。過渡室的真空度為0. 05Pa，緩沖室的真空度為 0. 05Pa，出口鎖定室的真空度為0. 003Pa，出口室的真空度為0. 5Pa，鍍好IT0薄膜的玻璃基 板依次通過過渡室、緩沖室、出口鎖定室和出口室后運行出磁控濺射鍍膜設備的運行速率 均為1. 8m/min，控制門閥的開啟時間和關閉時間均為0. 05s。
[0063] 采用鉛筆硬度計方法測定上述實施例1~3和對比例1的ITO玻璃的ITO薄膜的 硬度，測試結果如下表1所示。
[0064] 表1實施例1~3和對比例1的IT0玻璃的IT0薄膜的硬度
【主權項】
1. 一種磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，包括依次相連的鍍膜腔室、過渡室、緩沖室、出 口鎖定室、出口室和驟冷室； 所述鍍膜腔室的設置溫度為380°C~600°C，所述驟冷室的設置溫度為5°C~15°C，所 述驟冷室的長度為0. 5m~3.Om。
2. 根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述過渡室、緩沖室和出口 鎖定室的設置溫度均為200°C~550°C。
3. 根據權利要求1所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述過渡室的數量為1個 或串聯的2個~4個，每個所述過渡室的長度為0. 9m~3. 6m，所述緩沖室的長度為0. 9m~ 3. 6m，所述出口鎖定室的長度為0. 9m~3. 6m，所述出口室的長度為0. 9m~3. 6m。
4. 根據權利要求3所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述過渡室的數量為串聯 的2個或4個。
5. 根據權利要求1~4中任一項所述的磁控濺射鍍膜設備，其特征在于，所述磁控濺射 鍍膜設備的緩沖室、出口鎖定室、出口室和驟冷室每兩個相鄰的腔室之間通過一個控制門 閥連接，每個所述控制門閥的開關控制了相鄰兩個腔室之間的連通和關閉。
【專利摘要】本實用新型公開了一種磁控濺射鍍膜設備，包括依次相連的鍍膜腔室、過渡室、緩沖室、出口鎖定室、出口室和驟冷室；所述鍍膜腔室的設置溫度為380℃～600℃，所述驟冷室的設置溫度為5℃～15℃，所述驟冷室的長度為0.5m～3.0m。這種磁控濺射鍍膜設備，通過控制鍍完ITO膜的ITO玻璃從溫度較高的鍍膜腔室依次通過過渡室、緩沖室、出口鎖定室和出口室后，通過溫度很低的驟冷室，使得鍍ITO膜的玻璃基板的溫度快速降低至50℃以下，通過驟冷的方式提升ITO膜層的硬度，制得ITO膜層硬度更高的ITO玻璃。
【IPC分類】C23C14-35, C03C17-245
【公開號】CN204455280
【申請號】CN201520019574
【發明人】劉玉華, 方鳳軍
【申請人】宜昌南玻顯示器件有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年1月12日