一種管式pecvd的三層膜工藝的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及一種管式PECVD的Ξ層膜工藝，屬于光伏技術領域。
【背景技術】
[0002] 近年來，太陽能電池片生產技術不斷進步，生產成本不斷降低，轉換效率不斷提 高，使得光伏發電的應用日益普及并迅猛發展，逐漸成為電力供應的重要來源。太陽能電池 片可W在陽光的照射下，把光能轉換為電能，實現光伏發電。
[0003] 太陽能電池片的生產工藝比較復雜，簡單來說，太陽能電池的制作過程主要包括： 制絨、擴散、刻蝕、鍛膜、印刷和燒結等。其中鍛減反射膜工藝是在電池表面鍛一層或多層光 學性質匹配的減反射膜，減反射膜的制作直接影響著太陽能電池對入射光的反射率，對太 陽能電池效率的提高起著非常重要的作用。減反射膜還需要有一定的純化效果，運樣有助 于提高太陽能電池的光電轉換效率。
[0004] 目前大規模生產中，晶體娃電池表面采用陽CVD方法鍛一層或雙層氮化娃膜，雖然 已經能夠起到純化和減反射效果，但其反射率仍然較高，純化效果也沒有達到最佳。
【發明內容】
[0005] 本發明的目的是提供一種管式PECVD的Ξ層膜工藝，通過在娃基襯底上沉積Ξ層 膜，優化鍛膜的工藝參數，提高了鍛膜的純化效果，提高了減反射膜的減反射作用，提高了 太陽能電池的光電轉換效率。
[0006] -種管式陽CVD的Ξ層膜工藝，在娃基襯底上包含Ξ層氮化娃膜。
[0007] -種管式PECVD的Ξ層膜工藝，所述的在娃基襯底上的Ξ層氮化娃膜的第一層厚 度為10~20 nm，折射率為2.4~2.5;第二層厚度為20~30皿，折射率為2.0~2.1;第Ξ層厚度 為30~50 nm，折射率為1.8~1.9。
[000引一種管式PECVD的Ξ層膜工藝，所述娃基襯底為單晶娃襯底、多晶娃襯底中的一 種。
[0009] -種管式陽CVD的Ξ層膜工藝，制備方法為如下步驟： 1) 將156X156娃片進行制絨； 2) 將制絨后的娃片進行擴散制備PN結，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨框后，置于管式PECVD鍛膜設備的沉積腔內抽真空，并 升溫至300~500 °C; 4) 當陽CVD設備真空室真空達到1300~2200 mtor，在爐管內通入氣體流量為3000~6000 seem的氨氣、1000~2000 seem的硅烷，在5000~7000 W的射頻功率下電離100~200 sec,在娃 基襯底上沉積第一層厚度為10~20 nm，折射率為2.4~2.5的氮化娃膜； 5) 將鍛有第一層氮化娃膜的娃片繼續進行沉積，沉積溫度為300~500°C，在爐管內通入 氣體流量為6500~8500 seem的氨氣、400~1000 seem的硅烷，在5000~7000 W的射頻功率下 電離200~300 see,在第一層氮化娃膜上沉積厚度為20~30 nm，折射率為2.0~2.1的第二層 氮化娃膜； 6)將鍛有第二層氮化娃膜的娃片繼續進行沉積，沉積溫度為300~500°C，在爐管內通入 氣體流量為7500~10000 seem的氨氣、300~700 seem的硅烷，在5000~7000 W的射頻功率下 電離300~500 see,在第二層氮化娃膜上沉積厚度為30~50 nm，折射率為1.8~1.9的第Ξ層 氮化娃膜。
[0010] 其中管式陽CVD的設備為Centrotherm。
[0011] 本發明通過在娃基襯底上沉積Ξ層膜，對工藝參數進行優化，無需改進設備，比較 容易實現，有效提高了氮化娃膜對娃片的純化效果，增強了減反射作用，提高了太陽能電池 的光電轉換效率。
【具體實施方式】
[0012] W下所述的僅是本發明所公開的一種板式PECVD制備氮化娃減反射膜的方法的優 選實施方式，應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明所創造構思的前 提下，還可W做出若干變形和改進，運些都屬于本發明的保護范圍。
[001引實施例1: 一種管式PECVD的Ξ層膜工藝，制備方法為如下步驟： 1) 取電阻率為0.5~3 Ω ·cm的156mmX 156mm規格的P型多晶娃片500片，將娃片進行制 絨； 2) 將制絨后的娃片進行擴散制備PN結，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨框后，置于管式PECVD鍛膜設備的沉積腔內抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 當陽CVD設備真空室真空達到1700 mtor，在爐管內通入氣體流量為4000 seem的氨 氣、1200 seem的硅烷，在6000 W的射頻功率下電離150 see,在娃基襯底上沉積第一層厚度 為15 nm，折射率為2.43的氮化娃膜； 5) 將鍛有第一層氮化娃膜的娃片繼續進行沉積，沉積溫度為400~480°C，在爐管內通入 氣體流量為7500 seem的氨氣、700 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率下電離25 see,在第 一層氮化娃膜上沉積厚度為25 nm，折射率為2.04的第二層氮化娃膜； 6) 將鍛有第二層氮化娃膜的娃片繼續進行沉積，沉積溫度為400~480°C，在爐管內通入 氣體流量為9000 seem的氨氣、600 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率下電離400 see,在第 二層氮化娃膜上沉積厚度為40 nm，折射率為1.86的第Ξ層氮化娃膜。
[0014] 實施例2: 一種管式PECVD的Ξ層膜工藝，制備方法為如下步驟： 1) 將156X156娃片進行制絨； 2) 將制絨后的娃片進行擴散制備PN結，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨框后，置于管式PECVD鍛膜設備的沉積腔內抽真空，并 升溫至450 °C; 4) 當陽CVD設備真空室真空達到1800 mtor，在爐管內通入氣體流量為5000 seem的氨 氣、1300 seem的硅烷，在7000 W的射頻功率下電離200 see,在娃基襯底上沉積第一層厚度 為20 nm，折射率為2.45的氮化娃膜； 5) 將鍛有第一層氮化娃膜的娃片繼續進行沉積，沉積溫度為400~480°C，在爐管內通入 氣體流量為7000 seem的氨氣、800 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率下電離220 sec,在第 一層氮化娃膜上沉積厚度為22 nm，折射率為2.06的第二層氮化娃膜； 6) 將鍛有第二層氮化娃膜的娃片繼續進行沉積，沉積溫度為400~480°C，在爐管內通入 氣體流量為9500 seem的氨氣、650 seem的硅烷，在6500 W的射頻功率下電離420 see,在第 二層氮化娃膜上沉積厚度為42 nm，折射率為1.87的第Ξ層氮化娃膜。
[001引實施例3: 一種管式PECVD的Ξ層膜工藝，制備方法為如下步驟： 1) 將156X156娃片進行制絨； 2) 將制絨后的娃片進行擴散制備PN結，刻蝕去除憐娃玻璃并刻邊； 3) 將清洗后的娃基襯底插入石墨框后，置于管式PECVD鍛膜設備的沉積腔內抽真空，并 升溫至380 °C; 4) 當陽CVD設備真空室