拋光處理裝置、基板處理裝置及拋光處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及基板的拋光處理技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體設(shè)備的制造中，已知對(duì)基板的表面進(jìn)行研磨的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)裝置。具備CMP裝置的基板處理系統(tǒng)具備用于進(jìn)行基板的研磨處理的研磨單元(CMP單元)、用于進(jìn)行基板的清洗處理及干燥處理的清洗單元及向研磨單元傳遞基板并且接收通過(guò)清洗單元而進(jìn)行了清洗處理及干燥處理后的基板的裝載/卸載單元等。在研磨單元中，在研磨臺(tái)的上表面上貼有研磨墊，而形成研磨面。該研磨單元將由頂環(huán)保持的基板的被研磨面按壓于研磨面，并一邊向研磨面供給作為研磨液的漿料，一邊使研磨臺(tái)和頂環(huán)旋轉(zhuǎn)。由此，研磨面與被研磨面滑動(dòng)地相對(duì)移動(dòng)，而被研磨面被研磨。此外，申請(qǐng)人提出了如下申請(qǐng):在主要的研磨部以外還在CMP裝置內(nèi)設(shè)有精加工處理單元，所述精加工處理單元將比基板直徑小的接觸部件按壓于研磨后的基板并使其相對(duì)運(yùn)動(dòng)，而對(duì)基板輕微地進(jìn)行追加研磨或者清洗。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010-50436號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平8-71511
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]發(fā)明所要解決的課題
[0008]在上述以往的基板處理裝置中，有時(shí)在研磨單元中作用于基板的機(jī)械性的作用力變大，難以抑制基板的損傷(瑕疵)地進(jìn)行研磨。另外，在清洗單元中難以高效率地清洗去除粘性較大的異物等。另外，為了提高生產(chǎn)率，希望提高基板處理的生產(chǎn)量。
[0009]另外，在以往的精加工處理單元中，基板和與基板接觸的接觸部件的界面上未充分地供給處理液，例如無(wú)法充分提高研磨速度，另外，清洗的效果也有改善的余地。另外，希望減少處理液的消耗量。
[0010]用于解決課題的手段
[0011]本發(fā)明為了解決上述課題中的至少一部分而作出，能夠作為以下的方式實(shí)現(xiàn)。
[0012][技術(shù)方案I]
[0013]根據(jù)本發(fā)明的第一技術(shù)方案，提供用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備:拋光臺(tái)，所述拋光臺(tái)用于支承基板，并且構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)；及拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光墊。拋光頭構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)，并且構(gòu)成為能夠向接近拋光臺(tái)的方向及遠(yuǎn)離拋光臺(tái)的方向移動(dòng)。用于向基板供給拋光處理用的處理液的內(nèi)部供給線路形成于拋光頭的內(nèi)部。拋光處理裝置還具備除所述內(nèi)部供給線路以外另外設(shè)置的外部噴嘴，該外部噴嘴用于向所述基板供給所述處理液。
[0014]根據(jù)上述拋光處理裝置，能夠進(jìn)行通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨裝置而被處理后的基板的后期處理。根據(jù)拋光處理裝置，能夠抑制基板的損傷(瑕疵)并且進(jìn)行精研磨，或者能夠去除由化學(xué)機(jī)械研磨裝置產(chǎn)生的損傷?；蛘?，與以往的輥清洗、筆清洗相比，能夠高效地清洗去除粘性較大的異物等。并且，由于該拋光處理裝置具備形成于拋光頭的內(nèi)部的內(nèi)部供給線路和外部噴嘴這兩個(gè)系統(tǒng)的處理液供給單元，若使用該兩方來(lái)供給處理液，則無(wú)論拋光頭的位置如何(例如，即使在拋光頭在配置于拋光臺(tái)的外部的修整工具中被修整的情況下)，在拋光處理的開(kāi)始前都能夠?qū)⒊浞值牧康奶幚硪簺](méi)有遺漏地供給至基板的加工面。因此，能夠進(jìn)一步抑制基板的損傷。或者，在拋光頭在配置于拋光臺(tái)的外部的修整工具中被修整的情況下，在修整動(dòng)作的期間及拋光頭從修整工具移動(dòng)至接觸位置的期間能夠從外部噴嘴向基板預(yù)裝載(預(yù)先供給)處理液，因此與在使拋光頭從修整工具移動(dòng)至基板上，然后僅使用內(nèi)部供給線路來(lái)預(yù)裝載處理液后開(kāi)始拋光處理的情況相比，能夠提高生產(chǎn)量。另外，在本申請(qǐng)中，對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的表述除了對(duì)基板整體進(jìn)行拋光處理以外，還包含僅對(duì)基板上的特定部位進(jìn)行拋光處理。
[0015][技術(shù)方案2]
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第二技術(shù)方案，在第一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構(gòu)成為對(duì)拋光處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制。控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:在拋光頭接近拋光臺(tái)直至用于使拋光墊與基板接觸的接觸位置之前，在拋光臺(tái)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下從外部噴嘴供給處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，在拋光臺(tái)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下向基板供給處理液，因此通過(guò)該旋轉(zhuǎn)力而處理液沒(méi)有遺漏地被供給至基板整體。因此，之后在拋光墊在接觸位置旋轉(zhuǎn)時(shí)，在基板與拋光墊之間存在有充分的量的處理液，因此能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
[0017][技術(shù)方案3]
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第三技術(shù)方案，在第二技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:在拋光頭接近拋光臺(tái)直至接觸位置的中途，從內(nèi)部供給線路供給處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，由于預(yù)裝載時(shí)的處理液供給量增加，因此能夠進(jìn)一步?jīng)]有遺漏地將處理液供給至基板整體。
[0019][技術(shù)方案4]
[0020]根據(jù)本發(fā)明的第四技術(shù)方案，在第二或者第三技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:在拋光處理開(kāi)始后或者從拋光處理開(kāi)始經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，僅從內(nèi)部供給線路及外部噴嘴中的內(nèi)部供給線路供給處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠減少處理液的使用量。
[0021][技術(shù)方案5]
[0022]根據(jù)本發(fā)明的第五技術(shù)方案，在第二或者第三技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:在拋光處理中，從內(nèi)部供給線路及外部噴嘴這兩方供給處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠抑制拋光處理中的處理液的不足。因此，能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
[0023][技術(shù)方案6]
[0024]根據(jù)本發(fā)明的第六技術(shù)方案，在第一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構(gòu)成為對(duì)拋光處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制?？刂撇繕?gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:在拋光頭接近拋光臺(tái)直至接觸位置之前，在拋光臺(tái)的旋轉(zhuǎn)停止的狀態(tài)下從外部噴嘴供給處理液，在該供給開(kāi)始后，使拋光頭移動(dòng)至接觸位置，并開(kāi)始拋光臺(tái)的旋轉(zhuǎn)。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠在與拋光頭接觸的基板上區(qū)域高效地對(duì)處理液進(jìn)行預(yù)裝載，而能夠抑制基板的損傷或者能夠提尚清洗效率。
[0025][技術(shù)方案7]
[0026]根據(jù)本發(fā)明的第七技術(shù)方案，提供一種用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備:拋光臺(tái)，所述拋光臺(tái)用于支承基板，并且構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)；及拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光墊。拋光頭構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)，并且構(gòu)成為能夠向接近拋光臺(tái)的方向及遠(yuǎn)離拋光臺(tái)的方向移動(dòng)。用于向基板供給拋光處理用的處理液的內(nèi)部供給線路形成于拋光頭的內(nèi)部。拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構(gòu)成為對(duì)拋光處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制。控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:在拋光頭接近拋光臺(tái)直至用于使拋光墊與基板接觸的接觸位置之前，在拋光臺(tái)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下從內(nèi)部供給線路供給處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，由于在拋光臺(tái)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下向基板供給處理液，因此通過(guò)該旋轉(zhuǎn)力而處理液沒(méi)有遺漏地供給至基板整體。因此，能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
[0027][技術(shù)方案8]
[0028]根據(jù)本發(fā)明的第八技術(shù)方案，提供一種用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備:拋光臺(tái)，所述拋光臺(tái)用于支承基板，并且構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)；及拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光墊。拋光頭構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)，并且構(gòu)成為能夠向接近拋光臺(tái)的方向及遠(yuǎn)離拋光臺(tái)的方向移動(dòng)。用于向基板供給拋光處理用的處理液的內(nèi)部供給線路形成于拋光頭的內(nèi)部。拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構(gòu)成為對(duì)拋光處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制。控制部構(gòu)成為，在拋光臺(tái)及拋光頭的旋轉(zhuǎn)停止的狀態(tài)下拋光頭接近拋光臺(tái)直至用于使拋光墊與基板接觸的位置，之后從內(nèi)部供給線路供給處理液，并在供給了該處理液規(guī)定時(shí)間后，開(kāi)始拋光臺(tái)及拋光頭的旋轉(zhuǎn)。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠在至少拋光墊與基板之間遍及了充分的量的處理液后，開(kāi)始拋光處理。因此，能夠抑制基板的損傷或者能夠提高清洗效率。
[0029][技術(shù)方案9]
[0030]根據(jù)本發(fā)明的第九技術(shù)方案，在第二至第八中的任一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光頭進(jìn)行控制:在拋光處理的初始期間，第一負(fù)載通過(guò)拋光頭作用于基板，在初始后的期間，大于第一負(fù)載的第二負(fù)載通過(guò)拋光頭作用于基板。根據(jù)所述技術(shù)方案，在處理液難以沒(méi)有遺漏地遍及于基板的初始期間，以相對(duì)較小的負(fù)載進(jìn)行拋光處理，能夠由此抑制基板受到損傷。
[0031][技術(shù)方案10]
[0032]根據(jù)本發(fā)明的第十技術(shù)方案，提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置具備:化學(xué)機(jī)械研磨裝置；及用于對(duì)通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨裝置而被處理后的基板進(jìn)行后期處理的第一至第九中的任一技術(shù)方案的拋光處理裝置。根據(jù)所述基板處理裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)第一至第九中的任一技術(shù)方案相同的效果。
[0033][技術(shù)方案11]
[0034]根據(jù)本發(fā)明的第十一技術(shù)方案，提供一種用于通過(guò)拋光處理裝置而對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的方法。該方法具備如下工序:將基板配置于拋光臺(tái)的工序，所述拋光臺(tái)用于以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承基板；在使安裝于形成有內(nèi)部供給線路的拋光頭的拋光墊與基板接觸前，在拋光臺(tái)旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下從外部噴嘴供給處理液的工序，所述內(nèi)部供給線路用于向基板供給拋光處理用的處理液；在從外部噴嘴供給處理液的工序之后，一邊從內(nèi)部供給線路供給處理液一邊進(jìn)行拋光處理的工序。根據(jù)所述拋光處理方法，能夠?qū)崿F(xiàn)與第二技術(shù)方案相同的效果。在該方法中，處理液從內(nèi)部供給線路的供給可以僅在進(jìn)行拋光處理的工序中進(jìn)行，也可以在進(jìn)行拋光處理的工序和從外部噴嘴供給處理液的工序這兩方中進(jìn)行。另外，在進(jìn)行拋光處理的工序中，也可以從外部噴嘴供給處理液。
[0035][技術(shù)方案12]
[0036]根據(jù)本發(fā)明的第十二技術(shù)方案，提供一種用于通過(guò)拋光處理裝置而對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的方法。該方法具備如下工序:將基板配置于拋光臺(tái)的工序，所述拋光臺(tái)用于以能夠旋轉(zhuǎn)的方式支承基板；在使安裝于形成有內(nèi)部供給線路的拋光頭的拋光墊與基板接觸前，在拋光臺(tái)的旋轉(zhuǎn)停止的狀態(tài)下從外部噴嘴供給處理液的工序，所述內(nèi)部供給線路用于向基板供給拋光處理用的處理液；在處理液從外部噴嘴的供給開(kāi)始后，使拋光墊與基板接觸，并使拋光臺(tái)的旋轉(zhuǎn)開(kāi)始的工序；及在使拋光臺(tái)的旋轉(zhuǎn)開(kāi)始的工序之后，一邊從內(nèi)部供給線路供給處理液一邊進(jìn)行拋光處理的工序。根據(jù)所述拋光處理方法，能夠?qū)崿F(xiàn)與第六技術(shù)方案相同的效果。在該方法中，處理液從內(nèi)部供給線路的供給可以僅在進(jìn)行拋光處理的工序中進(jìn)行，也可以在進(jìn)行拋光處理的工序和從外部噴嘴供給處理液的工序這兩方中進(jìn)行。另外，在進(jìn)行拋光處理的工序中，也可以從外部噴嘴供給處理液。
[0037][技術(shù)方案13]
[0038]根據(jù)本發(fā)明的第十三技術(shù)方案，提供一種用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光處理裝置。該拋光處理裝置具備:拋光臺(tái)，所述拋光臺(tái)用于支承基板，并構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)；拋光頭，所述拋光頭能夠安裝用于對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的拋光墊，并配置于所述拋光臺(tái)的上方，所述拋光頭構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)；處理液供給部，所述處理液供給部用于向基板供給拋光處理用的處理液；及壁部，所述壁部在通過(guò)拋光臺(tái)保持基板用的區(qū)域的外側(cè)，在周向整體上向鉛垂方向上方延伸，并且構(gòu)成為能夠在壁部的內(nèi)側(cè)區(qū)域存儲(chǔ)處理液。
[0039]根據(jù)所述拋光處理裝置，能夠進(jìn)行通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨裝置而被處理后的基板的后期處理。根據(jù)拋光處理裝置，能夠抑制基板的損傷(瑕疵)并且進(jìn)行精研磨或者能夠去除由化學(xué)機(jī)械研磨裝置產(chǎn)生的損傷。或者，與以往的輥清洗、筆清洗相比，能夠高效地清洗去除粘性較大的異物等。此外，根據(jù)該拋光處理裝置，能夠以在內(nèi)側(cè)區(qū)域存儲(chǔ)有處理液的狀態(tài)進(jìn)行拋光處理，因此能夠使處理液可靠地存在于拋光墊與基板之間。因此，能夠抑制產(chǎn)生液膜中斷而基板受到損傷的情況。另外，與處理液沒(méi)有限制地從基板上向外部流出的結(jié)構(gòu)相比，能夠減少處理液的消耗量并且確保較高的處理率。另外，在本申請(qǐng)中，對(duì)基板進(jìn)行拋光處理的表述除了對(duì)基板整體進(jìn)行拋光處理以外，還包含僅對(duì)基板上的特定部位進(jìn)行拋光處理。
[0040][技術(shù)方案14]
[0041]根據(jù)本發(fā)明的第十四技術(shù)方案，在第十三技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，拋光處理裝置構(gòu)成為還具備拋光臂，所述拋光臂以能夠旋轉(zhuǎn)的方式安裝有拋光頭，并構(gòu)成為能夠移動(dòng)拋光頭的位置。處理液供給部具備用于供給處理液的處理液噴嘴，該處理液噴嘴向拋光頭的移動(dòng)軌跡以外的區(qū)域供給處理液。根據(jù)第十三技術(shù)方案，能夠以在內(nèi)側(cè)區(qū)域存儲(chǔ)有處理液的狀態(tài)進(jìn)行拋光處理，因此能夠在內(nèi)側(cè)區(qū)域的任意場(chǎng)所供給處理液。例如，即使在距離拋光墊較遠(yuǎn)的場(chǎng)所供給處理液，也不會(huì)產(chǎn)生液膜中斷。因此，如第十四技術(shù)方案那樣，能夠向避開(kāi)了拋光頭的移動(dòng)軌跡的區(qū)域供給處理液。根據(jù)所述第十四技術(shù)方案，從處理液供給部供給的處理液不會(huì)碰到拋光臂或者拋光頭。因此，能夠抑制由于處理液飛散并粘合于拋光臂或者拋光頭，在拋光處理中粘合物落下到基板上而基板受到損傷的情況。
[0042][技術(shù)方案15]
[0043]根據(jù)本發(fā)明的第十五技術(shù)方案，在第十三或者第十四技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，處理液供給部具備形成于拋光頭的內(nèi)部的處理液的內(nèi)部供給線路。內(nèi)部供給線路構(gòu)成為從形成于拋光墊的開(kāi)口部供給處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，經(jīng)由內(nèi)部供給線路而從拋光墊的中央部供給處理液，因此通過(guò)離心力和處理液的供給壓力，處理液在拋光墊與基板之間能夠沒(méi)有遺漏地蔓延。
[0044][技術(shù)方案16]
[0045]根據(jù)本發(fā)明的第十六技術(shù)方案，在第十三至第十五中的任一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，拋光處理裝置還具備存儲(chǔ)量調(diào)節(jié)部，所述存儲(chǔ)量調(diào)節(jié)部通過(guò)調(diào)節(jié)從內(nèi)側(cè)區(qū)域排出的處理液的量，而能夠調(diào)節(jié)存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的量。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠根據(jù)狀況而靈活地進(jìn)行處理液的存儲(chǔ)及排出。
[0046][技術(shù)方案17]
[0047]根據(jù)本發(fā)明的第十七技術(shù)方案，在第十六技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，存儲(chǔ)量調(diào)節(jié)部構(gòu)成為能夠排出存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的全部量。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠根據(jù)狀況而不將處理液存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域地進(jìn)行拋光處理。另外，在清洗處理后的基板、拋光臺(tái)時(shí)，能夠適當(dāng)?shù)嘏懦銮逑此?br>[0048][技術(shù)方案18]
[0049]根據(jù)本發(fā)明的第十八技術(shù)方案，在第十六或者第十七技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，存儲(chǔ)量調(diào)節(jié)部具備使壁部的至少一部分進(jìn)行鉛垂運(yùn)動(dòng)、水平運(yùn)動(dòng)或者旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的機(jī)構(gòu)。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的量。
[0050][技術(shù)方案19]
[0051]根據(jù)本發(fā)明的第十九技術(shù)方案，在第十六至第十八中的任一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，存儲(chǔ)量調(diào)節(jié)部具備能夠排出存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的排出路徑和能夠?qū)ε懦雎窂竭M(jìn)行開(kāi)閉的閥。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的量。
[0052][技術(shù)方案20]
[0053]根據(jù)本發(fā)明的第二十技術(shù)方案，在第十六至第十九中的任一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，拋光處理裝置還具備控制部，所述控制部構(gòu)成為對(duì)拋光處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制?？刂撇繕?gòu)成為，基于預(yù)定的設(shè)定來(lái)決定是否在內(nèi)側(cè)區(qū)域存儲(chǔ)處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，能夠根據(jù)狀況來(lái)適當(dāng)?shù)厍袚Q以在內(nèi)側(cè)區(qū)域存儲(chǔ)有處理液的狀態(tài)進(jìn)行的處理和以在內(nèi)側(cè)區(qū)域未存儲(chǔ)有處理液的狀態(tài)進(jìn)行的處理。
[0054][技術(shù)方案21]
[0055]根據(jù)本發(fā)明的第二^ 技術(shù)方案，在第十六至第十九中的任一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，拋光處理裝置還具備:控制部，所述控制部構(gòu)成為對(duì)拋光處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制；及傳感器，所述傳感器構(gòu)成為對(duì)存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的液面水平進(jìn)行檢測(cè)?？刂撇繕?gòu)成為以如下方式對(duì)存儲(chǔ)量調(diào)節(jié)部進(jìn)行控制:基于傳感器的檢測(cè)結(jié)果而將處理液的液面水平調(diào)節(jié)為所設(shè)定的水平。根據(jù)所述技術(shù)方案，根據(jù)狀況而能夠?qū)⑦m當(dāng)量的處理液存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域。例如，在使拋光臺(tái)以比較高的速度旋轉(zhuǎn)的情況下，由于離心力而處理液向基板的外周方向移動(dòng)，基板外周附近的液面水平容易上升。在這樣的情況下，通過(guò)傳感器而對(duì)基板外周附近的液面水平進(jìn)行檢測(cè)，通過(guò)存儲(chǔ)量調(diào)整部降低液面水平，而能夠抑制處理液的飛散。
[0056][技術(shù)方案22]
[0057]根據(jù)本發(fā)明的第二十二技術(shù)方案，在第二十或者第二十一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)存儲(chǔ)量調(diào)節(jié)部進(jìn)行控制:在規(guī)定的時(shí)機(jī)，排出存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的全部量，并存儲(chǔ)從處理液供給部重新供給的處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，通過(guò)拋光處理而產(chǎn)生的研磨生成物(去除物)或者清洗生成物(去除物)與存儲(chǔ)的處理液一起排出，能夠使用不包含上述生成物的新鮮的處理液來(lái)使拋光處理持續(xù)。因此，能夠抑制由于上述生成物而基板受到損傷的情況。
[0058][技術(shù)方案23]
[0059]根據(jù)本發(fā)明的第二十三技術(shù)方案，在第二十至第二十二中的任一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:通過(guò)同時(shí)進(jìn)行處理液從處理液供給部的供給和存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液的一部分的排出，而連續(xù)性地替換存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液。根據(jù)所述技術(shù)方案，由于連續(xù)性地替換處理液，因此能夠抑制研磨生成物或者清洗生成物濃縮。另外，由于能夠一邊進(jìn)行處理液的供給及排出一邊進(jìn)行拋光處理，因此生產(chǎn)量較高。
[0060][技術(shù)方案24]
[0061]根據(jù)本發(fā)明的第二十四技術(shù)方案，在第二十或者第二十一技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，控制部構(gòu)成為以如下方式對(duì)拋光處理裝置進(jìn)行控制:在拋光處理的前期，以在內(nèi)側(cè)區(qū)域存儲(chǔ)有處理液的狀態(tài)實(shí)施拋光處理，在拋光處理的后期，在排出了存儲(chǔ)于內(nèi)側(cè)區(qū)域的處理液后實(shí)施拋光處理。根據(jù)所述技術(shù)方案，在研磨生成物或者清洗生成物的濃度比較低的前期，使拋光臺(tái)以比較高的速度旋轉(zhuǎn)而提高研磨率或者清洗率，在上述生成物的濃度比較高的后期，以排出了包含生成物的處理液的狀態(tài)進(jìn)行拋光處理，而能夠抑制基板受到損傷。在前期，由于以在內(nèi)側(cè)區(qū)域存儲(chǔ)有處理液的狀態(tài)進(jìn)行拋光處理，因此即使使拋光臺(tái)以比較高的速度旋轉(zhuǎn)，也能夠使處理液沒(méi)有遺漏地存在于拋光墊與基板之間。