用于pvc基底上印制天線的銀漿的制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種用于PVC基底上印制天線的銀漿的制備方法。
【背景技術】
[0002] 由于傳統的天線存在裝配誤差、設計難度大等問題，特別是印制在PVC基底上，很 難滿足目前移動終端全頻段的通信性能要求，所以往往是犧牲某些頻段性能來保證重要使 用頻段的性能，而同時印制不同類型天線的電子漿料存在種類單一、易氧化、固化溫度高等 缺點，從而無法實現天線支架與輻射單元的一體化設計、提高天線的電氣性能及一致性，以 及天線的小型化、結構安定、電氣性能優良的目標。
【發明內容】
[0003] 本發明的目的是克服現有技術存在的不足，提供一種用于PVC基底上印制天線的 銀漿的制備方法。
[0004] 本發明的目的通過以下技術方案來實現：
[0005] 用于PVC基底上印制天線的銀漿的制備方法，包括如下步驟：
[0006] 1)首先以硝酸銀、去離子水和濃氨水為原料混合攪拌配制銀氨溶液;然后將聚乙 烯吡咯烷酮、氨水與去離子水混合攪拌配制反應液;最后將上述銀氨溶液與反應液混合后， 加入硼氫化鈉溶液，即制得納米銀；
[0007] 2)在納米銀中加入環氧樹脂、乙基纖維素、乙二醇苯醚、松油醇、苯甲醇、松節油、 乙二醇丁醚和硅烷偶合劑，充分混合后制得納米銀漿。
[0008] 進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀漿的制備方法，其中，所述銀氨溶 液的成分配比為:硝酸銀12~14%，去離子水72%~76%，濃氨水12%~14%，混合攪拌的 溫度為25°C~30°C。
[0009] 更進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀衆的制備方法，其中，所述濃氨 水的NH3含量為55 %~60 %。
[0010] 更進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀衆的制備方法，其中，所述反應 液的成分配比為:聚乙烯吡咯烷酮0.7~1 %，氨水7~10%，去離子水89~92.3%，混合攪拌 的方式為40°C~60°C水浴加熱攪拌。
[0011] 更進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀漿的制備方法，其中，所述氨水 的NH3含量為25 %~28 %。
[0012] 更進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀楽;的制備方法，其中，所述銀氨 溶液與反應液的混合方式為40°C~60°C水浴加熱攪拌。
[0013] 更進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀衆的制備方法，其中，所述銀氨 溶液與反應液混合后，待混合液變為黃色后加入硼氫化鈉溶液。
[0014] 更進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀漿的制備方法，其中，所述硼氫 化鈉溶液的濃度為0.334mol/L~0.4mol/L，加入量為90ml~100ml。
[0015] 再進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀漿的制備方法，其中，步驟2)中， 納米銀漿的成分配比為:納米銀71~79%，環氧樹脂8~10%，乙基纖維素3~4%，乙二醇苯 醚2~3%，松油醇2~3%，苯甲醇3~4%，松節油1~2%，乙二醇丁醚1.5~2%，硅烷偶合劑 0.5 ~1%〇
[0016] 再進一步地，上述的用于PVC基底上印制天線的銀衆的制備方法，其中，所述納米 銀的粒徑為30nm~50nm〇
[0017] 本發明技術方案突出的實質性特點和顯著的進步主要體現在：
[0018] ①本發明制備方法首先以硝酸銀為原料，利用化學還原方法制備出納米銀粉，然 后根據PVC基底的屬性及天線印制的特殊方法，在納米銀粉中按不同比例加入不同試劑制 成特定的納米銀漿;采用超低溫度，大大縮短反應周期，并且工藝簡單、可實現產業化，簡單 易操作，能耗低；
[0019] ②可根據PVC基底的不同類型的天線印制條件不同，通過調節試劑比例，使得所制 備的銀漿與特定類型的天線具有高度的匹配性，大大提高了其實用性；
[0020] ③制得的銀漿可通過印刷手段(移印或絲印）制成到不同移動終端的殼體上，提高 了天線高度，改善了天線的環境，從而使天線性能得到提升，解決了天線設計難題，降低天 線制成成本;也可以廣泛應用到覆蓋26、36、46、11?1、藍牙、6?3等全頻段的手機等小型移動 終端產品上。
【附圖說明】
[0021 ]圖1:實施例1制備的納米銀的掃描電鏡照片；
[0022] 圖2:實施例1制備的納米銀漿固化后的掃描電鏡照片。
【具體實施方式】
[0023] 用于PVC基底上印制天線的銀漿，具體制備工藝如下：
[0024] 1)首先以硝酸銀、去離子水和濃氨水為原料混合攪拌配制銀氨溶液;銀氨溶液的 成分配比（質量百分比）為:硝酸銀12~14%，去離子水72%~76%，濃氨水12%~14%，濃 氨水的NH 3含量為55 %~60 %，混合攪拌的溫度為25°C~30°C。
[0025] 然后將聚乙烯吡咯烷酮、氨水與去離子水混合攪拌配制反應液;反應液的成分配 比（質量百分比）為:聚乙烯吡咯烷酮0.7~1 %，氨水7~10%，去離子水89~92.3%，氨水的 NH3含量為25%~28%，混合攪拌的方式為40°(3~60°(3水浴加熱攪拌。
[0026]最后將上述銀氨溶液與反應液混合，混合方式為40°C~60°C水浴加熱攪拌，混合 后，待混合液變為黃色后加入硼氫化鈉溶液，硼氫化鈉溶液的濃度為0.334mol/L~0.4mol/ L，加入量為90ml~100ml，反應2h~4h，即制得納米銀，納米銀的粒徑為30nm~50nm〇
[0027] 2)在納米銀中加入環氧樹脂、乙基纖維素、乙二醇苯醚、松油醇、苯甲醇、松節油、 乙二醇丁醚和硅烷偶合劑，成分配比（質量百分比）為:納米銀71~79%，環氧樹脂8~10%， 乙基纖維素3~4%，乙二醇苯醚2~3%，松油醇2~3%，苯甲醇3~4%，松節油1~2%，乙二 醇丁醚1.5~2%，硅烷偶合劑0.5~1%，充分混合攪拌20~24小時后制得納米銀漿，其溫度 在 25°C ~30°C。
[0028] 實施例1
[0029] 首先以質量比14 %的硝酸銀、73 %的去離子水、13 %的濃氨水為原料混合攪拌配 制銀氨溶液，攪拌溫度為25°C;然后將質量比于0.7%的聚乙烯吡咯烷酮、7.3%的氨水與 92 %的去離子水40°C水浴加熱攪拌混合制成反應液;再將兩種溶液在40°C水浴加熱攪拌條 件下混合，待混合液變為淺黃色后，加入〇. 34mol/L硼氫化鈉溶液90ml，待沉淀生成后，提取 沉淀，50°C烘干研磨制成粒徑在30nm的納米銀粉。
[0030] 根據PVC基底的A款手機的天線類型和印制條件將制得的納米銀(78.5%)中按比 例分別加入環氧樹脂(8.5%)、乙基纖維素(3%)、乙二醇苯醚(2%)、松油醇(2%)、苯甲醇 (3 % )、松節油（1 % )、乙二醇丁醚（1.5 % )和硅烷偶合劑(0.5 % )，充分混合攪拌24小時后制 成符合A款PVC基底天線的印制條件納米銀漿。
[0031] 以制備的銀漿為原料，采用移印的方式在A款PVC基底材質的手機中殼上印制天 線。
[0032]如圖1，制備的納米銀的掃描電鏡照片，納米銀具有粒徑均一、分散性良好等特點。 [0033]如圖2,制備的納米銀漿固化后的掃描電鏡照片，納米銀漿具有高流平性、高銀粒 子連接性等特點。
[0034]實施例1制備的納米銀漿形成的薄膜表面的元素含量如表la所示。
[0035] 表la
[0036]
[0037] 從表la可以表明，所制備的銀漿純度比較高。
[0038]納米銀漿印制在PVC基底的A款手機上的天線有源測試數據如表lb所示。
[0039]表lb
[0040]
[0041] 從表lb可以充分表明，所制備的銀漿能