一種用于下鍍膜的硅片載板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及晶硅太陽能電池片的制造技術領域，尤其是涉及一種用于下鍍膜的硅片載板。
【背景技術】
[0002]現有晶硅電池PECVD在鍍膜過程中，硅片在裝載板上的鍍膜分為上鍍膜和下鍍膜兩種方式，鍍膜主要是指鍍氮化硅和/或A1203膜。
[0003]所謂上鍍膜，是指硅片的待鍍膜面朝上，鍍膜的氣體朝下流出。下鍍膜是指硅片的待鍍膜面朝下，鍍膜的氣體朝上流出。鍍膜是指NH#P SiH 4的混合氣體，在一定溫度和壓力下化學氣相沉積到待鍍膜硅片上，合成氮化硅膜；或者是三甲基鋁(TMA)和02在一定溫度和壓力下反應生成A1203膜，實現鍍膜。
[0004]現有技術中，主要采用上鍍膜的方式，鍍膜過程中，離子源電極和腔體周圍也會鍍膜，時間長了，膜太厚會以碎渣掉下來，導致硅片成廢品。同時，離子源上鍍膜也會導致等離子體性質發生漂移，影響后續鍍膜工藝的質量。
[0005]下鍍膜方式主要由德國的兩種設備使用，一種是Meyer Burger生產的SiNA設備，另外一個是MAiA設備；等離子體在硅片(載板)的下面，這樣等離子電極上脆裂氮化硅碎渣掉在腔體內，而不是留在硅片鍍膜面。但是為了使硅片固定在載板上，具體是在載板的邊緣設置掛勾裝置，將需要下鍍膜的硅片固定住，具體示意圖如圖1所示。
[0006]圖1左下角標示出了現有下鍍膜載板的固定硅片的勾裝置，這樣的設置會存在一個嚴重的問題，即硅片和載板之間會存在一定的縫隙，存在縫隙的情況下，在下鍍膜的過程中，氣體會繞過縫隙，從而使得硅片的背面也有部分被鍍膜，業界稱之為“繞射”；另外一個問題是，勾裝置是在裝載板基礎上，后加上去的，會存在高溫情況下不穩定、機械上不牢固的問題。
【發明內容】
[0007]本發明的目的在于提供一種用于下鍍膜的硅片載板，以解決現有技術中存在的繞射和不穩定的技術問題。
[0008]本發明提供的一種用于下鍍膜的硅片載板，所述硅片載板至少包括一個單元；
[0009]每個單元包括:框架和固定片，所述框架的每個邊框上設置有至少一個固定片，所述固定片的一端固定在所述框架下側的表面上，所述固定片的另一端沿所述框架下側表面向所述框架的內側延伸并伸出所述框架的內側表面。
[0010]本發明提供的用于下鍍膜的硅片載板，該硅片載板的每個單元由框架和固定片組成，固定片設置在框架的底部，固定片的上表面與框架的下表面平齊，固定片的上表面與框架的下表面之間無高度差。硅片鍍膜時，硅片放置在框架內，硅片的鍍膜面與固定片接觸，固定片支撐硅片，硅片的下表面與框架的下表面處于同一平面，鍍膜采用下鍍膜，硅片與載板底部平面之間無高度差，這樣能防止繞射現象，還解決了掉渣等技術問題。
[0011]框架的每個邊框的可設置多個固定片，如1個、2個、3個、5個、8個、10個等等，使放置硅片時，固定片更好的支撐硅片。
[0012]為了節約成本，且保持硅片的穩定性，優選地，所述框架的每個邊框上設置有1-5個固定片。
[0013]更優選地，所述框架的每個邊框上設置有1-2個固定片。
[0014]硅片放置在硅片載板的每個單元內，固定片用于支撐硅片，同時，鍍膜時，氣體也會噴射到固定片的位置，使得固定片部位的硅片不會鍍膜，但由于硅片在后期的處理及使用過程中，邊緣部分是不會有實際用途，所以允許固定片存在，但面積盡量小，盡可能減少固定片與硅片的重合，減少硅片鍍膜面積的損失。
[0015]為了既達到更好的支撐目的，又減少硅片的損失，優選地，所述固定片伸出所述框架內側表面的長度為0.2-3mm。
[0016]更優選地，所述固定片伸出所述框架內側表面的長度為0.5-lmm。
[0017]同樣地，優選地，所述固定片的寬度為0.2_3mm。
[0018]更優選地，所述固定片的寬度為1-1.5mm。
[0019]為了節約成本的同時，仍然能達到固定硅片的目的，優選地，所述固定片的厚度為
0.l-2mm0
[0020]更優選地，所述固定片的厚度為0.5-lmm。
[0021]本發明提供的硅片載板包括多個單元，是為了批量對硅片進行鍍膜。硅片載板的單元數可以為1個、2個、5個、10個、15個、20個、30個、40個等等。單元之間并排設置，形成陣列，如可以為 4X5、4X6、4X7、4X8、5X5、5X6、5X7、5X8 等等。
[0022]為了便于設置，節約成本，單元之間并排設置時，優選地，不同單元相接的部位共用一個邊框。
[0023]邊框不能太寬，這是因為邊框太寬和太厚，整個硅片載板的重量就大，硅片載板在重力作用下，尤其是高溫環境下，硅片載板的中間部位會出現向下的形變，所以，對硅片載板每個單元的框架的邊框的厚度和寬度也有一定要求。優選地，所述邊框的厚度為4-10_，所述邊框的寬度為4-20mm。
[0024]為了防止硅片載板發生形變，并能實現批量鍍膜，優選地，所述硅片載板包括20-64個單元，更優選為30-40個單元。單元之間并排設置，形成陣列，如可以為5 X 5、5 X 6、6X5、5X8 等等。
[0025]優選地，所述框架和固定片的材質為碳纖維、石墨、耐高溫陶瓷中的任一種。這些材質在高溫下穩定，以防止硅片載板發生形變。
[0026]框架和固定片一體加工打磨成型，這樣就避免了在高溫情況下固定片和框架之間的結合牢固性問題。
[0027]優選地，在制備過程中，所述硅片載板的框架和固定片一體成型。
[0028]另外，本發明中的固定片的形狀可以為長方形、正方形、圓形、橢圓形、三角形、梯形、五邊形、以及其他不規則圖形。
[0029]每個單元中的框架的形狀以及大小與需要鍍膜的硅片的形狀和大小相適應即可。為了便于放置和取出，并且更好的防止繞射現象，放置在硅片載板每個單元內的硅片，其邊緣與框架之間的距離不能相差太多，一般在1_以內即可，優選為0.3-0.5_，最優選為0.5mmο如每個單元的框架框內尺寸為157 X 157mm ;娃片的外尺寸為156 X 156mm，框架框內側面與硅片間的距離為0.5_，這樣既可以使硅片容易取放，還能更好的防止繞射現象。
[0030]與現有技術相比，本發明的有益效果為:
[0031](1)本發明提供的一種用于下鍍膜的硅片載板，采用特定的固定片設計，使硅片放置在載板上時，硅片的下平面與載板的下平面處于同一平面，兩者之間無高度差，采用下鍍膜方式對硅片進行鍍膜時，防止繞射現象，還解決了掉渣等技術問題。
[0032](2)本發明限定了固定片的數量、固定片的長度、寬度以及厚度，既能更好的支撐硅片，又極大的節約成本，減少浪費。
[0033](3)本發明還限定了邊框的厚度和寬度，防止硅片載板發生形變，保持硅片載板的穩定性。
[0034](4)本發明還限定了框架和固定片的材質，以保持硅片載板性能的穩定性。
[0035](5)本發明提供的硅片載板一體成型，避免了在高溫情況下固定片和框架之間的結合牢固性問題。
[0036](6)本發明提供的硅片載板在使用過程中，硅片的大小和形狀與框架相適，硅片的邊緣與框架之間的距離的在1_以內，防止了繞射現象，硅片載板穩定性好，易于取放硅片。
【附圖說明】
[0037]為了更清楚地說明本發明【具體實施方式】或現有技術中的技術方案，下面將對【具體實施方式】或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1為本發明【背景技術】中現有的硅片載板的示意圖；
[0039]圖2為本發明實施例提供的硅片載板一個單元中每個邊框有1個固定片的示意圖；
[0040]圖3為本發明實施例提供的邊框和固定片連接部位的橫截面示意圖；
[0041]圖4為本發明實施例提供的硅片載板一個單元中每個邊框有2個固定片的示意圖；
[0042]圖5為本發明實施例提供的硅片載板一個單元中每個邊框有3個固定片的示意圖；
[0043]圖6為本發明實施例提供的娃片載板的不意圖；
[0044]附圖標記:
[0045]1-框架；2_固定片；3_框架的橫截面；4_固定片的橫截面。
【具體實施方式】
[0046]下面將結合附圖對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0047]在本發明的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0048]在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0049]本發明提供的一種用于下鍍膜的硅片載板，如圖2-圖6所示，所述硅片載板至少包括一個單元；
[0050]每個單元包括:框架1和固定片2，所述框架1的每個邊框上設置有至少一個固定片2，所述固定片2的一端固定在所述框架1下側的表面上，所述固定片2的另一端沿所述框架