SiC)材料中的一種W上組成的 材料。
[00測 11)如上述1)~10)中任一項所述的瓣射祀-背襯板接合體，其特征在于，線狀材 料的外表面的表面粗糖度為Ra2~10μm。
[0039] 12)如上述1)~11)中任一項所述的瓣射祀-背襯板接合體，其特征在于，在作為 線狀材料的插入部的背襯板的上表面設置有槽。
[0040] 13) -種瓣射祀-背襯板接合體的制造方法，其特征在于，在使用焊接材料將瓣 射祀和背襯板接合后或接合時，將瓣射祀和背襯板之間的焊接材料的外周用烙點為600~ 3500°C且軸向截面形狀為圓形、楠圓形或矩形的線狀材料覆蓋。
[OOW14)如上述蝴所述的瓣射祀-背襯板接合體的制造方法，其特征在于，將烙點為 600~3500°C且軸向截面形狀為圓形、楠圓形或矩形的線狀材料的厚度相對于瓣射祀和背 襯板之間的焊接材料的厚度設定為（線狀材料厚度）/(焊接材料厚度）=100~130%進 化接合。
[00創發明效果
[0043] 如上所述，本發明具有如下結構：在使用焊接材料將瓣射祀和背襯板接合后或者 接合時，將瓣射祀和背襯板之間的焊接材料的外周用烙點比焊接材料高的繩狀或線狀的材 料覆蓋，由此能夠防止焊接材料向形成薄膜的基板的方向飛散，有效地抑制粉粒的產生。
[0044] 由此，即使在比W往高功率的瓣射中，也具有能夠均勻的成膜、減少不合格率、并 且能夠提高生產效率等顯著的效果。另外，還能夠提供不污染瓣射裝置內的環境的高清潔 度的瓣射祀。
【附圖說明】
[0045] 圖1是表示通過焊接接合的祀-背襯板接合體的一部分截面結構的概略說明圖。
[0046] 圖2是表示W往的祀（TG)-背襯板度巧接合體的焊接部的形態的說明圖。
[0047] 圖3是表示本發明的祀（TG)-背襯板度巧接合體的焊接部的一個例子的說明圖。
[0048]圖4是表示實施例1的1千瓦時~10千瓦時的粉粒數的結果的圖（圖中的a)，表 示比較例1的1千瓦時~10千瓦時的粉粒數的結果的圖（圖中的b)。 W例圖5是表示實施例2的1千瓦時~10千瓦時的粉粒數的結果的圖（圖中的a)，表 示比較例2的1千瓦時~10千瓦時的粉粒數的結果的圖（圖中的b)。
【具體實施方式】
[0050] 作為瓣射方法已知：在導入Ar氣的瓣射裝置中，W祀側為陰極，W基板側為陽極， 在兩者上施加電壓，通過Ar離子對祀的沖擊而轟出祀材，基于祀材的飛來對基板進行被覆 的方法；或者從祀瓣射的原子離子化，然后進行瓣射的所謂自瓣射的被覆方法。
[0051] 多數情況下，瓣射祀與背襯板接合，并且將該背襯板冷卻，從而防止祀的溫度異常 上升，能夠進行穩定的瓣射。在運樣的瓣射裝置中，背襯板通常使用熱導性良好且具有一定 強度的材料。
[0052] 此處，瓣射祀是供于瓣射的材料，在本發明中，為含有選自半導體材料娃（Si)或 錯（Ge);氧化物材料AI2O3、PZT(化狂r,Ti) 〇3)、冊〇2、La2〇3、MgO、IT0 或IGZ0 ;金屬材料銅、 鋼或鶴；碳化娃（SiC)材料中的一種W上材料。
[0053] 背襯板的材質根據瓣射祀而適當選擇，使用無氧銅、銅合金、侶合金、鐵、SUS或鋼， 但是有時也使用其它金屬（包括合金）材料。
[0054] 在圖1中，示出通常的通過焊接接合的祀-背襯板接合體的結構的例子。圖1中 示出的結構是，在背襯板上具有焊接材料，在焊接材料上具有祀。焊接材料層的厚度通常為 約0.1mm~約1.2mm。 陽化5] 此處，焊接材料是指用于接合瓣射祀和背襯板的材料，主要使用純In(2NW上）、 In-Sn合金（Sn:60~90原子％ )、Sn-Ag合金（Ag:3~20原子％ )。它們的烙點可W根 據相圖掌握，可W掌握純In為約156°C，In-Sn合金為約150°C~約220°C，Sn-Ag合金為約 220°C~約 35(TC。
[0056] 在圖2中示出W往類型的祀-背襯板接合體的周緣部附近的代表性的截面結構。 圖2是由圖1的虛線部所示的接合界面周邊的放大圖。圖2的a)的情況是最通常的結構， 在祀和背襯板中沒有可能成為電弧放電起點的高差或突起部，焊接材料W相同直徑填充且 表面平坦。圖1的梯形空間中具有0形環，比該0形環更內側在瓣射時為相同環境，因此上 述焊接材料的外周在瓣射裝置（腔室）內露出。
[0057] 因此，為了減少焊接材料發生瓣射或者極少發生的電弧放電擊中焊接材料的情 況，如圖2的b)、圖2的C)所示，有時也將焊接材料W比祀的直徑小的方式填充。但是，在 該方法中，焊接材料露出的問題沒有得到根本的解決，而且在祀和瓣射的角部，容易產生電 弧放電、再沉積膜的剝離，并不是最終的減少粉粒的對策。
[005引本發明示出用于抑制運樣的起因于焊接材料的粉粒產生的方案。目P，提出在使用 焊接材料將瓣射祀和背襯板接合的瓣射祀-背襯板接合體中，將瓣射祀和背襯板之間的焊 接材料的外周用烙點比焊接材料高的材料覆蓋的方案。其形態如圖3所示。
[0059] 此處，通過將覆蓋該焊接材料的外周的烙點高的材料配置在焊接材料的周圍，能 夠抑制低烙點材料的飛散并減少瓣射中的粉粒。焊接材料的烙點如前所述為約130°C~約 150°C，作為覆蓋焊接材料的材料，比該烙點高100°C即可。優選烙點為600°CW上，更優選 烙點為l〇〇〇°CW上，選定烙點為600~3500°C的材料。 W60] 在選定與瓣射祀相同材質的材料的情況下，可W使用含有選自半導體材料、氧化 物材料、金屬材料、碳化娃（SiC)材料中的一種W上組成的材料。在如氧化物燒結體那樣可 能含有多種組成的情況下，可W使用選擇并含有一種W上組成的材料。
[0061]在選定與背襯板相同材質的材料的情況下，可W選擇選自侶（4NW上）、鐵（4NW 上）、鋼（3NW上）、銅（4NW上）、銅合金（Cuai、CuCr、C18000(CuNiSiCr))或鶴（4NW上） 等。
[0062] 此處，覆蓋焊接材料的線狀材料的尺寸，從其目的考慮，優選為與焊接材料厚度方 向的厚度（在本申請中為0. 1~1. 2mm)相等或者在其W上，即，（覆蓋焊接材料的線狀材料 厚度）/(焊接材料厚度）=100~130%。此處，所謂厚度，將在將祀和背襯板用焊接材料 接合的狀態下從祀的上面看的方向的長度定義為厚度。另一方面，在線狀材料的軸向截面 中，為了防止粉粒產生，從與上述厚度正交的焊接材料到外部的厚度需要為0. 1~1. 2mm， 進一步優選為0. 2~1. 5mm。
[0063] 作為滿足運些條件的形狀，可W為具有與焊接材料厚度方向的厚度相等或者其W 上的直徑的圓形、或楠圓形（長徑與焊接材料厚度相等或其W上）、矩形（至少一個邊長與 焊接材料厚度相等或其W上）。
[0064] 在本發明中，祀的外周緣基本平坦，在祀上未形成用于裝入烙點高的材料的空間 部（高差部）。運是因為，如果在祀上制作高差部，則祀的使用效率變差。另外是因為，如果 制作圓環狀的高差，則在未進行均勻加工的情況下，在邊緣部產生空隙，進而邊緣部變多， 因而導致粉粒產生。 陽0化]覆蓋外周的烙點比焊接材料高的材料通常使用線狀材料，但是運只是為了容易操 作而使用運樣形狀的材料，對于覆蓋外周的材料的形狀沒有特別的限制。在圖3中示出本 發明的線狀材料的代表例。
[0066] 圖3的d)表示截面基本為圓形的材料。運是本發明的繩狀或線狀材料的代表性 結構。成為在祀的整個外周上對焊接材料層形成凹坑，然后填入烙點比焊接材料高的材料 的結構。
[0067] 銅等焊接材料即使在室溫下也有變形能力，因此凹坑的形狀即使是稍微不均勻 的，通過壓入繩狀或線狀材料，其表面位置也能夠與祀、背襯板的直徑相同。
[0068] 繩狀或線狀材料的末端W在環繞時剛好的長度切斷，可W直接沿焊接材料層放 入。另外，可W在焊接材料層上開孔，將末端的一部分插入祀的中