反射電極用或布線電極用Ag合金膜、反射電極或布線電極、和Ag合金濺射靶的制作方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及反射電極用或布線電極用Ag合金膜、反射電極或布線電極、用于上述 反射電極用或布線電極用Ag合金膜的成膜的Ag合金濺射靶，以及具備上述反射電極的顯 示裝置或照明裝置、或具備上述布線電極的觸控面板。本發明的Ag合金膜顯示出低電阻率 和高反射率，并且，對于上述顯示裝置等的制造工序之一，即對于UV照射和02等離子體處 理等的清洗處理的耐氧化性也優異，因此能夠實現展示出良好的顯示特性的顯示裝置等。
【背景技術】
[0002] 以Ag為主成分的Ag合金膜，在一定膜厚以上顯示出可見光的高反射率，并且能夠 確保低電阻率，因此可期待面向液晶顯示器和有機EL顯示器等的反射電極的應用。
[0003] 但是，因為Ag合金膜不會形成鈍態皮膜，所以容易受到來自外部的影響。具體來 說，與硫反應而形成硫化銀，或與鹵素反應而形成鹵化銀。另外也有容易因加熱而凝集等的 缺點。
[0004] 因此，在上述顯示器等的制造過程中而受到熱歷程時，存在高反射率和低電阻這 樣優異的Ag合金膜本來的特性受損這樣的問題。鑒于這樣的Ag合金膜的問題，提出了具 有與以往不同的合金成分的新的Ag合金膜。
[0005] 例如，在專利文獻1中，公開有一種Ag合金膜，通過使之含有從Bi和Sb所構成的 群中選擇的一種或兩種元素，合計量〇. 01~4原子％，從而一邊維持Ag本來的高反射率， 一邊抑制Ag的凝集和晶粒生長，抑制反射率的隨時間降低。
[0006] 另外，在專利文獻2中公開的要旨是，構成有機EL顯示器用的反射陽極電極的Ag 基合金膜，如果使之含有Nd為0. 01~1. 5原子％，或含有Bi為0. 01~4原子％，則Nd和 Bi可發揮防止Ag凝集的作用，能夠充分地避免有機EL器件的暗點現象。
[0007] 此外，在專利文獻3中公開的要旨是，通過使Ag中首先含有Bi，從而抑制容易在 Ag合金膜中發生的晶粒生長和凝集，并且以滿足規定式的方式添加該Bi、V、Ge和Zn，由此 能夠得到高反射率。
[0008] 另外，在專利文獻4中公開的要旨是，通過添加特定少量的Cu和Te/Se，此外根據 需要再In、Sn、Zn、Pd、Au、Pt、Ru、Ir、Fe、Ni、Bi、P，能夠得到確保了耐熱性和耐腐蝕性的 Ag基合金。此外在專利文獻5中公開，如果是在Ag中添加特定少量的Bi，并且再使之含有 In、Sn、Zn和Au、Pd、Pt的靶，則使用該靶得到的Ag合金膜，耐熱性得到改善。
[0009] 可是，在上述顯示器等的制造工藝中，在形成Ag合金膜后，一般會進行對于該Ag 合金膜進行UV照射和02等離子體處理等的清洗處理。但是，存在由于這些清洗處理導致 Ag氧化而變黑這樣的問題。此變黑的發生是由于UV照射時和02等離子體照射時，反應性 尚的氧基發生，該氧基與Ag反應而造成的。
[0010] 從與基板相反的方向引出光的頂發射型0LED顯示器的情況下，在由單層Ag合金 膜構成的反射電極或含有Ag合金膜的反射電極之上層疊有有機材料，但為了確保該反射 電極與有機材料的電接合，在上述顯示器的制造過程中，必須在有機材料的層疊前，對于上 述反射電極的表面實施上述的UV照射和02等離子體處理等的清洗處理。
[0011] 但是，若如上述這樣進行UV照射或02等離子體處理，則有Ag合金膜變黑（氧化 銀形成）這樣的問題。所形成的氧化銀成為元件短路的原因，耐氧化性低時，元件制造的成 品率降低。
[0012] 作為該氧化銀形成的理由，如上述，可列舉是因為Ag不會形成鈍態皮膜，所以容 易被上述UV照射和02等離子體而產生的活性氧氧化。
[0013] 為了抑制由該清洗處理造成的劣化（特別是因 Ag合金膜的氧化導致的變黑），采 用的手段是，將ΙΤ0膜等的透明導電膜和氧化膜形成于上述Ag合金膜的正上方和正下方而 保護Ag合金膜。但是，即使像這樣將ΙΤ0膜等層疊于Ag合金膜的上下時，如果ΙΤ0膜等的 膜厚不均勻或存在小孔，若進行上述的清洗處理，則無法充分發揮保護Ag合金膜的保護效 果，Ag合金膜劣化，即，氧化銀的形成發生，有招致反射率的降低等的情況。因此，要求Ag合 金膜本身對于UV照射和02等離子體處理等的清洗處理具備優異的耐性（對于活性氧的耐 久性，以下稱為耐氧化性）。
[0014] 現有技術文獻
[0015] 專利文獻
[0016] 專利文獻1 :日本國特開2004 - 126497號公報
[0017] 專利文獻2 :日本國特開2010 - 225586號公報
[0018] 專利文獻3 :國際公開第2009/041529號
[0019] 專利文獻4 :日本國特開2006 - 342416號公報
[0020] 專利文獻5 :日本國特開2005 - 048231號公報
[0021] 如上述在Ag合金膜中，要求具備作為反射電極或布線電極所需要的低電阻率和 高反射率，并且還要求上述耐氧化性優異。但是，至今為止提出的各種Ag合金膜，不能滿足 上述全部的特性。
【發明內容】
[0022] 本發明著眼于上述情況而形成，其目的在于，特別是提供一種不僅具有低電阻率 和高反射率，而且與純Ag比較，耐氧化性優異的反射電極用或布線電極用Ag合金膜、和含 有上述Ag合金膜的反射電極或布線電極、用于上述反射電極用或布線電極用Ag合金膜的 成膜的Ag合金濺射靶，此外，還有具備上述反射電極或布線電極的顯示裝置、觸控面板、照 明裝置。
[0023] 能夠解決上述的課題的本發明的Ag合金膜，是用于反射電極或布線電極的Ag合 金膜，含有高于2. 0原子％且為2. 7原子％以下In、高于2. 0原子％且為3. 5原子％以下 Zn中的至少一者。
[0024] 在本發明的優選的實施方式中，上述Ag合金膜還含有0.01~1.0原子％的扮。
[0025] 本發明的反射電極或布線電極，僅在上述Ag合金膜的正上方，或在上述Ag合金膜 的正上方和正下方，形成有膜厚5nm以上且低于25nm的透明導電膜。
[0026] 在本發明的優選的實施方式中，上述透明導電膜是ΙΤ0或ΙΖ0。
[0027] 本發明的Ag合金濺射靶，是用于上述任一項所述的Ag合金膜的成膜的濺射靶，其 中，含有高于2. 0原子％且為2. 7原子％以下的In、；高于2. 0原子％且為3. 5原子％以下 的Ζη中的至少一者。
[0028] 在本發明的優選的實施方式中，上述Ag合金濺射靶，還含有0. 01~2. 0原子％的 Bi〇
[0029] 在本發明中，也包括具備上述任一項所述的反射電極或布線電極的顯示裝置、觸 控面板、照明裝置。
[0030] 根據本發明，能夠得到維持著低電阻率和高反射率，同時與純Ag比較，對于UV照 射和〇2等離子體處理等的清洗處理的耐氧化性也優異的Ag合金膜。其結果是，如果使用 本發明的Ag合金膜，則能夠高生產率地制造顯示特性等極其優異的顯示裝置等。
【附圖說明】
[0031] 圖1A是表示本發明的反射電極或布線電極的構造的概略剖面圖，表示在基板的 正上方形成有Ag合金膜的構造。
[0032] 圖1B是表示本發明的反射電極或布線電極的構造的概略剖面圖，表示在形成于 基板上的Ag合金膜的正上方，形成有透明導電膜的構造。
[0033] 圖1C是表示本發明的反射電極或布線電極的構造的概略剖面圖，表示在形成于 基板上的Ag合金膜的正上方和正下方，分別形成有透明導電膜的構造。
[0034] 圖2是實施例的No. 1 (比較例）和No. 10 (本發明例）中，UV處理后的層疊膜表 面的光學顯微鏡照片（倍率：50倍）。
【具體實施方式】
[0035] 本發明者們為了在反射電極用或布線電極用Ag合金膜形成后，經由UV照射或02等離子體處理等的清洗工序而制造的顯示裝置、觸控面板、照明裝置中，得到對于上述清洗 工序顯示出優異的耐氧化性，而且顯示出低電阻率和高反射率的反射電極用或布線電極用 Ag合金膜，反復銳意研究。其結果發現，如果使用含有規定量的In和Ζη中的至少一者的 Ag合金膜（以下，有簡述為Ag - Ιη/Ζη合金的情況。），或還含有規定量的Bi的Ag合金膜 (以下，有簡述為Ag - In/Zn - Bi合金的情況。），則可達成預期的目的。
[0036] 如前述，例如在0LED顯示器用反射電極中，在Ag合金膜的上下層疊透明導電膜 來保護Ag合金膜，但即使在層疊有透明導電膜時，如果透明導電膜的膜厚不均勻或存在小 孔，若進行UV照射和02等離子體處理等的清洗處理，則仍會發生因 Ag的氧化帶來的黑點 狀的缺陷。若黑點發生，則0LED的發光層短路，制造的成品率降低。本發明者們發現，作為 構成Ag合金膜的元素，在各種合金元素之中，特別是In和Ζη對于低電阻率和高反射率的 確保，以及優異的耐氧化性的確保的全面的實現非常有效，而通過再添加 Bi，則能夠使耐氧 化性進一步提尚。
[0037] 還有，本發明者們基于上述認知，在本申請的申請前，已申請了日本國專利申請 2012 - 229083。在日本國專利申請2012 - 229083中，特別是從確保與純Ag膜大致同水 平的低電阻率和高反射率的觀點出發，將In、Zn的各含量的上限均嚴格設定為2. 0原子％。 相對于此，在本發明中，關于電阻率和反射率，從確保可以適用于反射電極或布線電極的最 低限度的水平這一觀點出發，與其說這些合格標準相比先前申請有一些降低，不如說是將 重點置于耐氧化性的提高上，立足于廣泛提供在UV照射、02等離子體處理等的清洗處理中， 作為防氧化膜有用的反射電極用或布線電極用Ag合金