i/Ni膜。以Ar作為濺射氣體，濺射氣體壓強為1.0Pa，濺射功率為600W，襯底溫度為80°C，進行沉積生長鈦膜200A，完成后切換至鍍鎳膜3000A、以Ar作為濺射氣體，濺射氣體壓強為1.0Pa，濺射功率為1000W，襯底溫度為80°C。完成粉體表面改性后冷卻、收卷，并連續不斷地依程序完成粉體表面改性，此改性粉體主要應用于屏蔽高頻電磁波輻射用涂料添加劑。
[0034]實施例2
[0035]本實施例是對納米石墨烯進行金屬化成膜改善其使用環境過程如下:
[0036]選用表面清潔處理的石墨烯納米粉體、其形態為3至5微米的片材厚度在lnm左右并烘干放置于圖示1中超聲波霧化器儲料器7中，改性用金屬靶5為鎳和鋁鈦組成、并使用輔助微刻蝕離子源1和示圖2中的17粉末靜電吸附帶來承載和傳輸改性用粉體。
[0037]所述對納米石墨烯進行金屬化成膜包括如下步驟:
[0038]一、石墨烯粉體均勻分散制膜處理
[0039]在20um厚度x660mm寬的鋁膜上、先涂布一層低粘性的靜電粘合涂層并用防粘隔離紙將其卷成示圖2中的卷材14，在粉體改性系統中完成圖示2中的16、17、19、21的布局，同時在超聲波霧化器中加入100克3-5微米的石墨烯粉體、同時引入靜電吸附帶17。
[0040]當真空達到2xlOE_2Pa時，開起超聲波霧化粉體磁控靜電吸附系統7和17、使石墨烯粉體均勻分散在靜電吸附帶上并受到低粘性的靜電粘合涂層吸附而成垂直片狀豎起粘合與靜電吸附帶上，通過調節超聲霧化功率從50w至500w之間、時間5秒至200秒以及靜電吸附電壓從50KV到100KV來控制粉體吸附均勻度和密度。
[0041]二、石墨烯粉體均勻分散成金屬膜吸附與鋁膜表面處理
[0042]當完成石墨烯粉體成膜后用光纖顯微鏡觀察其表面狀態、合格后移動靜電吸附帶17至圖示一中的9位置并且對其進行加熱溫度從25度至180度可調、將反應室抽真空至2X103Pa，用CHF3+02作為輔助離子源圖示一中1反應氣體、對爆露于表面的低粘性涂層進行離子刻蝕清潔，反應増強氣體的流量比CF4:H2 = 6:4，氣體壓強為1.0Pa，射頻功率為200W，襯底溫度為120°C，微刻蝕時間80-120秒。完成微刻蝕后再進行控濺射沉積生長Ti/Ni膜。以Ar作為濺射氣體，濺射氣體壓強為1.0Pa,濺射功率為600W，襯底溫度為80°C，進行沉積生長鈦膜200A，完成后切換到鎳靶、鍍Ni膜厚度0.5um-l.0um、以Ar作為濺射氣體，濺射氣體壓強為1.0Pa，濺射功率為1000W，襯底溫度為80°C。完成粉體表面改性后冷卻、收卷，并連續不斷地依程序完成粉體表面改性，
[0043]此改性粉體主要應用于將石墨烯粉體應用于制作儲能電池電極，此工藝同樣可應用在銅電極和玻璃基片及聚合物薄膜上、充分發揮石墨烯導電和超大的比表面積特性。是一種將納米粉體改性接枝應用新方法。
[0044]實施例3
[0045]本實施例是對單晶或低品質金剛石表面蜂窩化改性如下:
[0046]選用表面清潔處理的金剛石粉體、其粒徑在2至10微米之間、本實施例選用粒徑在3微米的并烘干放置于圖示1中超聲波霧化器儲料器7中，改性使用輔助微刻蝕離子源1和示圖3中的盤片式23粉末靜電吸附系統來承載和傳輸改性用粉體。
[0047]所述金剛石表面蜂窩化的改性包括如下步驟:
[0048]一、金剛石粉體均勻分散處理
[0049]在5_厚度的6英寸石英玻璃wafer上均勻涂布一層低粘性的靜電粘合涂層、放入示圖3中23的wafer料架上、在粉體改性系統中完成圖示3中22傳輸布局，同時在超聲波霧化器中加入100克3微米的金剛石粉體、同時引入靜電吸附帶17。
[0050]當真空達到2xlOE_2Pa時、開起超聲波霧化粉體靜電吸附系統7和17使金剛石粉體均勻分散在靜電吸附帶上的石英玻璃wafer表面、并受到低粘性的靜電粘合涂層吸附，通過調節超聲霧化功率從50w至500w之間、時間5秒至200秒以及靜電吸附電壓從50KV到100KV來控制粉體吸附均勻度和密度。
[0051]二、金剛石表面蜂窩化的改性處理
[0052]當完成粉體成膜后用光纖顯微鏡觀察其表面狀態、合格后移動靜電吸附帶17至圖示一中的9位置并且對其進行加熱溫度從25度至800度可調、將反應室抽真空至2X10 3Pa，以CF4+02+Ar作為輔助離子源圖示一中1、反應氣體對金剛石表面進行微刻蝕，反應増強氣體的流量比CF4:02:Ar = 7:2:1，氣體壓強為l.0Pa，射頻功率為600W，襯底溫度為400°C，微刻蝕時間300秒、蜂窩深度約0.2微米。完成粉體表面改性后冷卻、將石英盤運輸之圖示3中的wafer料架，并連續不斷地依程序完成金剛粉體表面改性，此金剛石改性粉體主要應用于提升金剛石研磨液的研磨效率、改善金剛石粉體在研磨液中的分散性，其中也可選用反應離子刻蝕RIE對金剛石表面微刻蝕，其工藝能廣泛應用于其它材質粉體表面微刻蝕改性、依椐材質選擇不同刻蝕特性的氣體是Ar、02、N2、C12、CC14、BC13、SF6、HF、BrH、HC1、CF4、CHF3等CF系列、增加材料比表面積。其工藝能廣泛應用于其它材質粉體表面微刻蝕和表面多材質的接枝改性、其材料可以是金屬、合金或金屬氧化物如、V02、Ta205、Si02、ZrO、ZnS、Ti02。
[0053]實施例4
[0054]本實施例是對2微米銅粉體表面接枝銀合金改性如下:
[0055]選用表面清潔處理的99.99%銅粉體、其粒徑在0.2至10微米之間、本實施例選用粒徑在2微米的并烘干放置于圖示1中超聲波霧化器儲料器7中，改性使用離子束磁控濺射工藝(IBD)源3和示圖3中的盤片式23粉末靜電吸附系統來承載和傳輸改性用粉體。
[0056]所述銅粉體表面接枝銀合金的改性包括如下步驟:
[0057]一、銅粉體均勻分散處理
[0058]在5mm厚度的6英寸石英玻璃wafer上均勻涂布一層阻擋涂層、放入示圖3中23的wafer料架上、在粉體改性系統中完成圖示3中22傳輸布局，同時在超聲波霧化器中加入100克2微米的銅粉體、同時引入靜電吸附帶17。
[0059]當真空達到2xlOE_2Pa時開始起超聲波霧化粉體磁控靜電吸附系統7和17使銅粉體均勻分散在靜電吸附帶上的石英玻璃wafer表面、并受到阻擋涂層吸附，通過調節超聲霧化功率從50w至500w之間、時間5秒至200秒以及靜電吸附電壓從50KV到100KV來控制粉體吸附均勻度和密度。
[0060]二、銅粉體表面接枝銀合金的改性處理
[0061]當完成粉體成膜后用光纖顯微鏡觀察其表面狀態、合格后移動靜電吸附帶17至圖示一中的9位置并且對其進行加熱溫度從25度至1000度可調、將反應室抽真空至2X10 3Pa，以CF4+Ar作為輔助離子源圖示一中1、反應氣體對金剛石表面進行微納刻蝕，反應増強氣體的流量比CF4:Ar = 3:7，氣體壓強為l.0Pa，射頻功率為300W，襯底溫度為120°C，微刻蝕時間180秒。完成粉體表面微刻蝕后起動3D方向微振動氣墊式平臺8、9、微振頻率從0Hz至1MHz，此工藝選用180KHz，同時起動離子束系統(IBD)圖示一中3、射頻功率為600W、加速電壓300V、Ar氣流量120sCCm、工作壓強為1.0Pa。磁控濺射靶為銀合金(含微量鈀、銠成份)，IBD沉積時間:600秒，完成沉積后將石英盤運輸之圖示3中的wafer料架上，并連續不斷地依程序完成銅粉體表面銀合金改性，此銅改性粉體具備銀的強抗氧化能力、主要應用于導電涂料如電極、電磁屏蔽，或導電漿料用于印刷電子線路板，更多應用于導線連接的導電膠。
[0062]實施例5
[0063]本實施例是對InP粉體表面接枝InGaAsP改性如下:
[0064]選用表面清潔處理的InP粉體、其粒徑在1.0至10微米之間、本實施例選用粒徑在8微米的并烘干放置于圖示1中超聲玻霧化器儲料器7中，改性使用圖示4中的27、28M0CVD生產系統，和示圖3中的盤片式23粉末靜電吸附系統來承載和傳輸改性用粉體。
[0065]所述InP粉體表面接枝InGaAsP改性包括如下步驟:
[0066]一、InP粉體均勻分散處理
[0067]將5mm厚度的6英寸石英玻璃wafer放入示圖3中23的wafer料架上、在粉體改性系統中完成圖示3中22傳輸布局，同時在超聲波霧化器中加入100克8微米的InP粉體、同時引入靜電吸附帶17。
[0068]當真空達到2xlOE_2Pa時開始起超聲波霧化粉體磁控靜電吸附系統7和17使InP粉體均勻