拋光墊的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及將透鏡、反射鏡等光學材料、硅晶片、碳化硅、藍寶石等化合物半導體 基板、硬盤用玻璃基板、鋁基板等表面拋光時所使用的拋光墊及其制造方法。特別是，本發 明的拋光墊適合用作加工用拋光墊。
【背景技術】
[0002] 制造半導體裝置時，進行在晶片表面形成導電膜，并通過光刻、蝕刻等形成布線層 的形成步驟，在布線層上形成層間絕緣膜的步驟等，通過這些步驟在晶片表面上產生由金 屬等導電體或絕緣體構成的凹凸。近年來，以半導體集成電路的高密度化為目的，正在進行 布線的微細化或多層布線化，與此同時將晶片表面的凹凸平坦化的技術變得重要。
[0003] 作為將晶片表面的凹凸平坦化的方法，一般采用化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing:以下稱為CMP)法。CMP是在將被拋光體的被拋光面壓在拋光墊的 拋光面上的狀態下，使用磨粒分散的漿料狀的拋光劑（以下稱為漿料）進行拋光的技術。
[0004] 由于在這種CMP中要求高的拋光精度，因此對于使用的拋光墊的厚度也要求高的 精度。因此，提出了以下各種拋光墊的制造方法。
[0005] 專利文獻1公開了通過將CMP用拋光層的硬質的樹脂塊體在60-140 °C下加熱并用 帶式刀進行切片來提高厚度精度的拋光墊的制造方法。
[0006] 另外，專利文獻2公開了通過將硬質的樹脂塊體在80-130°C下加熱并進行切片來 提高厚度精度的拋光墊的制造方法。
[0007] 另外，專利文獻3公開了將表層加熱從而產生與表層切片部的溫度差并進行切片 的拋光墊的制造方法。
[0008] 另外，專利文獻4公開了對硬質的樹脂塊體進行切片的拋光墊的制造方法。
[0009] 現有技術文獻：
[0010] 專利文獻
[0011] 專利文獻1 :特開2005-88157號公報
[0012] 專利文獻2 :特開2005-169578號公報
[0013] 專利文獻3 :特開2006-142474號公報
[0014] 專利文獻4 :特開2008-302465號公報
【發明內容】
[0015] 發明要解決的課題
[0016] 但是，對于以往的條件，在樹脂塊體是軟質的情況下，會產生樹脂塊體陷入到刀具 中從而不能進行切片，或與刀具接觸時樹脂塊體變形從而厚度精度變低、拋光精度降低的 問題。
[0017] 本發明是鑒于上述課題而作出的，其目的在于提供在樹脂塊體為軟質聚氨酯樹脂 的情況下能夠精度良好地進行切片的拋光墊的制造方法。
[0018] 解決課題的方法
[0019] 本發明涉及拋光墊的制造方法，其是制造具有拋光層的拋光墊的方法，所述拋光 層由軟質聚氨酯樹脂發泡體片構成，所述軟質聚氨酯樹脂發泡體在25°C的ASKER D硬度為 30以下，所述拋光墊的制造方法包括：步驟A，通過將由所述軟質聚氨酯樹脂發泡體構成的 塊體冷卻來將ASKER D硬度調整至35以上；步驟B，對通過冷卻而調整了 ASKER D硬度的 所述塊體以給定的厚度進行切片從而得到軟質聚氨酯樹脂發泡體片。
[0020] 發明的效果
[0021] 根據本發明的拋光墊的制造方法，可以精度良好地對由在常溫（25°C )的ASKER D 硬度為30以下的軟質聚氨酯樹脂發泡體構成的塊體進行切片。
【附圖說明】
[0022] 圖1是示出CMP拋光中使用的拋光裝置的一例的概略結構圖。
【具體實施方式】
[0023] 本實施方案的拋光墊的制造方法是制造具有拋光層的拋光墊的方法，所述拋光層 由軟質聚氨酯樹脂發泡體片構成，所述軟質聚氨酯樹脂發泡體在25°C的ASKER D硬度為30 以下，所述拋光墊的制造方法包括：步驟A，通過將由所述軟質聚氨酯樹脂發泡體構成的塊 體冷卻來將ASKER D硬度調整至35以上；步驟B，對通過冷卻而調整了 ASKER D硬度的所 述塊體以給定的厚度進行切片，從而得到軟質聚氨酯樹脂發泡體片。
[0024] 〈通過將由軟質聚氨酯樹脂發泡體構成的塊體冷卻來將ASKER D硬度調整至35以 上的步驟A>
[0025] 〈由軟質聚氨酯樹脂發泡體片構成的拋光層的調整〉
[0026] 軟質聚氨酯樹酯包含異氰酸酯成分、含有活性氫基團的化合物（高分子量多元 醇、含有活性氫基團的低分子量化合物）、及增鏈劑等。
[0027] 作為異氰酸酯成分，可以沒有特別限定地使用聚氨酯的領域中公知的化合物。例 如，可列舉2,4_甲苯二異氰酸酯、2,6_甲苯二異氰酸酯、2,2' -二苯基甲烷二異氰酸酯、2， 4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'_二苯基甲烷二異氰酸酯、聚合MDI、碳二亞胺改性MDI (例 如，商品名s y才氺-卜MTL、日本聚氨酯工業制）、1，5_萘二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、 間苯二異氰酸酯、對二甲苯二異氰酸酯、間二甲苯二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯；亞乙基 二異氰酸酯、2,2,4_三甲基亞己基二異氰酸酯、1，6_亞己基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸 酯；1，4_環己烷二異氰酸酯、4,4' -二環己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、降冰 片烷二異氰酸酯等脂環式二異氰酸酯。這些物質可以使用1種也可以2種以上合用。
[0028] 與所述二異氰酸酯一起，可以使用多聚化二異氰酸酯。多聚化二異氰酸酯為通過 3個以上二異氰酸酯加合而多聚化的異氰酸酯改性體或其混合物。作為所述異氰酸酯改性 體，例如，可列舉1)三羥甲基丙烷加合物型、2)縮二脲型、3)異氰脲酸酯型等，特別優選為 異氰脲酸酯型。
[0029] 在本發明中，作為異氰酸酯成分，優選合用多聚化二異氰酸酯和芳香族二異氰酸 酯。作為形成多聚化二異氰酸酯的二異氰酸酯，優選使用脂肪族二異氰酸酯，特別優選使 用1，6_亞己基二異氰酸酯。另外，多聚化二異氰酸酯可以是氨基甲酸酯改性、脲基甲酸酯 改性、及縮二脲改性等改性化的二異氰酸酯。另外，芳香族二異氰酸酯優選為甲苯二異氰酸 酯。
[0030] 多聚化二異氰酸酯優選使用相對于全部異氰酸酯成分為15-60重量％，更優選為 19-55 重量％。
[0031] 作為高分子量多元醇，可列舉以聚四亞甲基醚二醇為代表的聚醚多元醇、以聚己 二酸丁二醇酯為代表的聚酯多元醇、聚己內酯多元醇、以聚己內酯之類的聚酯二醇與碳酸 亞烷基酯的反應物等例示的聚酯聚碳酸酯多元醇、使碳酸亞乙酯與多元醇反應然后使得到 的反應混合物與有機二元羧酸反應而得到的聚酯聚碳酸酯多元醇、及通過多羥基化合物與 碳酸芳基酯的酯交換反應而得到的聚碳酸酯多元醇等。這些物質可以單獨使用也可以2種 以上合用。
[0032] 高分子量多元醇的數均分子量沒有特別限定，從得到的聚氨酯樹脂的彈性特性等 觀點來看，優選為500-5000。若數均分子量不足500,則使用其的聚氨酯樹脂不具有充分的 彈性特性，從而成為脆的聚合物。因此由這種聚氨酯樹脂制造的拋光墊變得過度堅硬，從而 成為晶片表面劃痕的原因。另一方面，若數均分子量超過5000,則使用其的聚氨酯樹脂變得 過度柔軟，因此存在由這種聚氨酯樹脂制造的拋光墊的平坦化特性差的傾向。
[0033] 除了高分子量多元醇以外，也可以使用含有活性氫基團的低分子量化合物。含有 活性氫基團的低分子量化合物為分子量不足500的化合物，例如，可列