基板處理方法和基板處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及基板處理方法和基板處理裝置。
【背景技術】
[0002]近年來，作為實施原子層沉積(ALD:Atomic Layer Deposit1n)法等的成膜裝置，正在推進所謂的旋轉臺式的成膜裝置的研宄開發。該成膜裝置在真空容器內具有旋轉臺，該旋轉臺用于以能夠旋轉的方式載置多張作為被處理體的半導體晶圓(以下，稱作晶圓)。而且，具有被劃分于該旋轉臺的上方的反應氣體A的供給區域、反應氣體B的供給區域以及分離這些供給區域的分離區域。
[0003]當利用所述成膜裝置反復進行基板處理工序時，來源于反應氣體的反應生成物會累積地附著于處理容器的內壁、基板保持件等而形成累積膜(堆積膜)。若累積膜的膜厚超過規定的厚度，則在成膜時由累積膜產生的氣體發生有時反應而在晶圓上附著不期望的物質。另外，會因累積膜的破裂或剝落而產生微粒，從而有時將晶圓等污染。
[0004]因此，在日本特開2008 — 283148號公報中記載有如下一種方法:當累積膜的膜厚超過規定的厚度之后，向處理容器內供給清潔氣體而將附著于處理容器的內壁、基板保持件等的反應生成物去除。
[0005]然而，當累積膜的膜厚變大時，因附著于處理容器的內壁的累積膜的膜的剝落而產生微粒。特別是，與在晶圓上形成有氮化硅膜等氮化物系的膜的情況相比，在晶圓上形成有氧化硅膜等氧化物系的膜的情況下，容易產生微粒。因此，與氮化物系的膜的情況相比，需要頻繁地實施清潔處理，從而縮短了能夠分配給成膜處理的時間。其結果，存在如下問題:表示基板處理裝置的預防性維護的周期的PM (Preventive Maintenance)周期變短，還使基板處理裝置的停機時間增加。
【發明內容】
[0006]針對所述問題，本發明的一實施方式提供一種能夠抑制產生微粒的基板處理方法。
[0007]采用本發明的一技術方案，提供一種基板處理方法，在該基板處理方法中使用基板處理裝置，該基板處理裝置包括處理容器和旋轉臺，該旋轉臺以能夠旋轉的方式設于所述處理容器內且具有基板載置部。在該基板處理方法中，向所述基板載置部輸入基板，向所述處理容器內供給處理氣體而對所輸入的所述基板進行處理。在將所述基板載置于所述基板載置部的狀態下，向所述處理容器內至少供給水蒸氣，并輸出所述基板載置部上的所述基板。
[0008]采用本發明的另一技術方案，提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置包括:處理容器；旋轉臺，其以能夠旋轉的方式設于所述處理容器內且具有基板載置部；輸送臂，其能夠將基板輸入至該旋轉臺的所述基板載置部；第I處理氣體供給部件，其用于向所述基板的表面供給第I處理氣體；第2處理氣體供給部件，其用于向所述基板的表面供給第2處理氣體；以及分離氣體供給部件。分離供給部件設于所述旋轉臺的旋轉方向上的、所述第I處理氣體供給部件與所述第2處理氣體供給部件之間和所述第2處理氣體供給部件與所述第I處理氣體供給部件之間，該分離氣體供給部件用于供給使所述第I處理氣體和所述第2處理氣體分離的分離氣體。基板處理裝置還包括:氧氣供給部件，其用于向所述旋轉臺的表面供給氧氣；氫氣供給部件，其用于向所述旋轉臺的表面供給氫氣；以及控制部。控制部用于至少對所述旋轉臺、所述輸送臂、所述第I處理氣體供給部件、所述第2處理氣體供給部件、所述氧氣供給部件以及所述氫氣供給部件的工作進行控制。另外，所述控制部對如下工作進行控制:使用所述輸送臂將基板輸入到所述基板載置部；通過自所述第I處理氣體供給部件和所述第2處理氣體供給部件向所述處理容器內供給供給處理氣體來對所輸入的所述基板進行處理；在將所述基板載置于所述基板載置部的狀態下自所述氧氣供給部件和所述氫氣供給部件向所述處理容器內至少供給水蒸氣；以及利用所述輸送臂自所述基板載置部輸出所述基板。
[0009]采用本發明的又一技術方案，提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置包括:處理容器；旋轉臺，其以能夠旋轉的方式設于所述處理容器內且具有基板載置部；輸送臂，其能夠將基板輸入至該旋轉臺的所述基板載置部。在該基板處理裝置中設有:第I處理氣體供給部件，其用于向所述基板的表面供給第I處理氣體；以及第2處理氣體供給部件，其用于向所述基板的表面供給第2處理氣體。分離氣體供給部件，其設于所述旋轉臺的旋轉方向上的、所述第I處理氣體供給部件與所述第2處理氣體供給部件之間和所述第2處理氣體供給部件與所述第I處理氣體供給部件之間，該分離氣體供給部件用于供給使所述第I處理氣體和所述第2處理氣體分離的分離氣體。基板處理裝置包括:貯水槽，其用于貯存水，該貯水槽以能夠加熱所述水的方式構成；導入管，其用于將所述貯水槽和所述基板處理裝置連接起來且在該導入管上設有流量調整閥；以及控制部。控制部用于至少對所述旋轉臺、所述輸送臂、所述第I處理氣體供給部件、所述第2處理氣體供給部件、以及所述貯水槽的加熱的工作進行控制。所述控制部對如下工作進行控制:使用所述輸送臂將基板載置于所述基板載置部；通過自所述第I處理氣體供給部件和所述第2處理氣體供給部件向所述處理容器內供給處理氣體來對所輸入的所述基板進行處理；在將所述基板載置于所述基板載置部的狀態下通過所述貯水槽的加熱來向所述處理容器內至少供給水蒸氣、以及利用所述輸送臂自所述基板載置部輸出所述基板。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發明的一實施方式的基板處理裝置的一個例子的概略縱剖視圖。
[0011]圖2是本發明的一實施方式的基板處理裝置的一個例子的概略俯視圖。
[0012]圖3是本發明的一實施方式的基板處理裝置的另一個例子的概略俯視圖。
[0013]圖4是本發明的一實施方式的基板處理裝置的沿著旋轉臺的同心圓剖切而得到的剖視圖。
[0014]圖5是本發明的一實施方式的基板處理方法的一個例子的流程圖。
[0015]圖6是用于說明本發明的一實施方式的基板處理方法的效果的一個例子的概略圖。
【具體實施方式】
[0016]以下，參照附圖，說明適合于實施本實施方式的基板處理方法的基板處理裝置。
[0017]如所述那樣，與在晶圓上形成有氮化硅膜等氮化物系的膜的情況相比，在晶圓上形成有氧化硅膜等氧化物系的膜的情況下，容易產生微粒。因此，在本實施方式中，說明基板處理裝置的結構例和使用該基板處理裝置的基板處理方法，該基板處理裝置在真空容器內具有旋轉臺，該旋轉臺以能夠旋轉的方式載置有多張晶圓，該基板處理裝置在所載置的晶圓上作為一個例子能夠形成氧化硅膜等氧化膜，但本發明并不限定于該點。
_8] 基板處理裝置的結構
[0019]圖1是表示本實施方式的基板處理裝置的一個例子的概略縱剖視圖。另外，圖2是表示本實施方式的基板處理裝置的一個例子的概略俯視圖。而且，在圖2中，為了便于說明，省略畫出頂板11。
[0020]如圖1所示，本實施方式的基板處理裝置包括:真空容器I (以后，稱作處理容器I)，其俯視形狀為大致圓形；和旋轉臺2，其設置在該處理容器I內，該旋轉臺2在處理容器I的中心處具有旋轉中心并用于使晶圓W公轉。
[0021]處理容器I包括:頂板(頂部)11，其設于與旋轉臺2的后述的凹部24相對的位置；和容器主體12。另外，在容器主體12的上表面的周緣部設有密封構件13，該密封構件13呈環狀設置。并且，頂板11構成為能夠相對于容器主體12進行裝卸。俯視時的處理容器I的直徑尺寸(內徑尺寸)并沒有限定，例如能夠為IlOOmm左右。
[0022]在處理容器I內的上表面側的中央部連接有用于供給分離氣體的分離氣體供給管51，以抑制互不相同的處理氣體彼此在處理容器I內的中心部區域C中發生混合。
[0023]旋轉臺2通過其中心部被固定于大致圓筒狀的芯部21，旋轉臺2構成為:旋轉臺2利用驅動部23相對于旋轉軸22繞鉛垂軸線、在圖2所示的例子中向順時針方向自由旋轉，該旋轉軸22與該芯部21的下表面連接且在鉛垂方向上延伸。旋轉臺2的直徑尺寸并沒有限定，例如能夠為100mm左右。
[0024]旋轉軸22和驅動部23收納于殼體20，該殼體20的上表面側的凸緣部分氣密地安裝于處理容器I的底面部14的下表面。另外，在該殼體20連接有吹掃氣體供給管72，該吹掃氣體供給管72用于向旋轉臺2的下方區域供給作為吹掃氣體(分離氣體)的氮氣等。
[0025]處理容器I的底面部14中的靠芯部21的外周側的部位以從下方側接近旋轉臺2的方式形成為環狀而構成突出部12a。
[0026]在旋轉臺2的表面部形成有用于載置直徑尺寸是例如300mm的晶圓W的圓形狀的凹部24作為基板載置區域。該凹部24沿著旋轉臺2的旋轉方向設置在多處、例如五處。凹部24具有比晶圓W的直徑稍大具體地說大Imm?4mm左右的內徑。