一種濺射裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及真空鍍膜技術領域，尤其涉及一種濺射裝置。
【背景技術】
[0002]濺射鍍膜技術因其具有加工簡單、操作方便、鍍膜薄膜致密、結合強度高等優點被廣泛應用于平板顯示領域、半導體領域以及太陽能領域等等。濺射鍍膜技術使用濺射裝置進行鍍膜，濺射裝置包括真空腔，真空腔中設有襯底背板和靶材，其工作原理為在真空腔中通入一定的工藝氣體，在真空腔內形成電場，將工藝氣體電離成等離子體，等離子體在電場的作用下轟擊可旋轉的靶材，使得靶材表面的粒子濺射出去，附著在沉底背板的表面，從而完成鍍膜。
[0003]但是，本發明申請人發現，現有技術中為了保證濺射裝置制得的薄膜的厚度均一，為每根可旋轉的靶材設置了較大的旋轉角度，但由于同一靶材濺射出的粒子到達襯底背板上不同位置所經過的距離不同，且差距較大，使得利用濺射出的粒子形成的薄膜的不同位置中的工藝氣體含量不同，因此，制得的薄膜的不同位置的特性不同，從而導致含有該薄膜的器件性能發生變質，甚至失效，降低了濺射裝置制備器件的良率。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在于提供一種濺射裝置，用于提高濺射裝置制備器件的良率。
[0005]為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案:
[0006]一種濺射裝置，包括真空腔，所述真空腔中設有襯底背板，以及與所述襯底背板相對的多根可旋轉的靶材，任意相鄰的兩根所述靶材之間的距離為160mm?220mm。
[0007]進一步地，所述靶材為空心靶材，在每根所述靶材中部設置有可使靶材旋轉的旋轉磁極，所述旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的角度為30°?80°。
[0008]進一步地，所述真空腔中設有十三根靶材，其中，任意相鄰的兩根所述靶材之間的距離為208mm± 1mm ;所述旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的角度為50°?80°。
[0009]進一步地，所述真空腔中設有十四根靶材，其中，任意相鄰的兩根所述靶材之間的距離為192mm± 1mm;所述旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的角度為40°?70°。
[0010]進一步地，所述真空腔中設有十五根靶材，其中，任意相鄰的兩根所述靶材之間的距離為178mm± 1mm ;所述旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的角度為30°?60°。
[0011]進一步地，與所述襯底背板的邊緣區域相對的所述靶材中的旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的角度，小于所述真空腔中的其他所述靶材中的旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的角度。
[0012]進一步地，任意相鄰的兩根所述靶材之間設有呈豎列狀排列的多個用于向所述真空腔內注入工藝氣體的氣孔組，每個所述氣孔組包括多個氣孔；相鄰的兩列所述氣孔組中分別位于起始端的所述氣孔組到所述靶材的頂端的水平距離不同。
[0013]進一步地，所述氣孔組包括第一氣孔組或第二氣孔組，所述第一氣孔組包括四個氣孔，所述四個氣孔呈菱形排布，分別位于菱形的上、下、左、右四個角上；所述第二氣孔組包括兩個氣孔，所述兩個氣孔呈菱形排布，分別位于菱形的左、右兩個角上。
[0014]進一步地，相鄰的兩列所述氣孔組中位于起始端的所述氣孔組分別為所述第一氣孔組和所述第二氣孔組。
[0015]優選的，位于起始端的所述第一氣孔組到所述靶材的頂端的水平距離為26mm±5mm，位于起始端的所述第二氣孔組到所述靶材的頂端的水平距離為20mm±5mm。
[0016]進一步地，相鄰的兩列所述氣孔組之間的距離與相鄰的兩根所述靶材之間的距離相同。
[0017]進一步地，相鄰的兩列氣孔組在同一根所述靶材上的投影是相互間隔的。
[0018]優選的，同一列中相鄰的兩個所述氣孔組之間的距離為442mm±5mm。
[0019]本發明提供的濺射裝置，包括真空腔，真空腔中設有襯底背板和多根可旋轉的靶材，其中，與現有技術相比，本發明實施例中的濺射裝置減小了任意相鄰兩根靶材之間的距離，任意相鄰兩根靶材之間的距離為160mm?220mm，相鄰兩根靶材之間的距離減小，每根靶材的旋轉角度也隨著靶材之間的距離減小而減小，在保證濺射裝置制得的薄膜的厚度均一的前提下，減小了同一靶材濺射出的粒子到達襯底背板上不同位置所經過的距離之間的差距，使得利用濺射出的粒子形成的薄膜的不同位置中的工藝氣體含量趨于相同，因此制得的薄膜的不同位置的特性趨于相同，避免含有該薄膜的器件性能發生變質或失效，進而提高濺射裝置制備器件的良率。
【附圖說明】
[0020]此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0021]圖1為本發明實施例提供的濺射裝置內部結構的俯視圖一；
[0022]圖2為本發明實施例提供的濺射裝置內部結構的俯視圖二 ；
[0023]圖2a為現有技術中制得的薄膜中的工藝氣體的含量與薄膜中位置的關系圖；
[0024]圖2b、圖2c、圖2d為本發明實施例中制得的薄膜中的工藝氣體的含量與薄膜中位置的關系圖；
[0025]圖3為本發明實施例提供的濺射裝置內氣孔組分布的結構示意圖；
[0026]圖4為本發明實施例中第一氣孔組和第二氣孔組的結構示意圖；
[0027]圖5為本發明實施例中提供的濺射裝置內氣孔分布的結構示意圖。
[0028]附圖標記:
[0029]10-濺射裝置，11-襯底背板，
[0030]12-靶材，13-第一氣孔組，
[0031]14-第二氣孔組， 15-氣孔。
【具體實施方式】
[0032]為了進一步說明本發明實施例提供的濺射裝置，下面結合說明書附圖進行詳細描述。
[0033]請參閱圖1，本發明實施例提供的濺射裝置10包括真空腔，真空腔中設有襯底背板11，以及與襯底背板11相對的多根可旋轉的靶材12，其中，任意相鄰的兩根靶材12之間的距離D為160mm?220mm，其中，任意相鄰的兩根靶材12之間的距離D可以根據濺射裝置中真空腔的空間大小進行調節，但需要注意的是，在同一濺射裝置中的不同相鄰靶材之間的距離可以不同，但不同相鄰靶材之間的距離的差值應在預設的閾值范圍內，優選的，預設的閾值范圍可以為± 1mm0
[0034]具體的，派射裝置10包括但不限于物理氣相沉積設備(Physical VaporDeposit1n，以下簡稱PVD設備)，下面以型號為G8.5的PVD設備(以下簡稱G8.5PVD設備)為例，現有技術中的G8.5PVD設備中設有十二根靶材12，相鄰兩根靶材12之間的距離約為227.27mm，而在本發明實施例中，在G8.5PVD設備中設有十三根靶材12，相鄰兩根靶材12之間的距離為208mm±10mm ;或者，在G8.5PVD設備中設有十四根靶材12，相鄰兩根靶材12之間的距離為192mm±10mm ;或者，在G8.5PVD設備中設有十五根靶材12，相鄰兩根靶材12之間的距離為178謹± ICtam0
[0035]本發明實施例提供的濺射裝置10包括真空腔，真空腔中設有襯底背板11和多根可旋轉的靶材12，其中，與現有技術相比，本發明實施例中的濺射裝置10減小了任意相鄰兩根靶材12之間的距離，任意相鄰兩根靶材12之間的距離為160mm?220mm，相鄰兩根靶材12之間的距離減小，每根靶材12的旋轉角度也隨著靶材之間的距離減小而減小，在制備薄膜時，在保證濺射裝置10制得的薄膜的厚度均一的前提下，減小了同一靶材12濺射出的粒子到達襯底背板11上不同位置所經過的距離之間的差距，使得利用濺射出的粒子形成的薄膜的不同位置中的工藝氣體含量趨于相同，因此制得的薄膜的不同位置的特性趨于相同，避免含有該薄膜的器件性能發生變質或失效，進而提高濺射裝置10制備器件的良率。
[0036]進一步地，所述靶材12為空心靶材，在每根靶材12中部設置有可使靶材12旋轉的旋轉磁極，旋轉磁極相對于襯底背板11可左右旋轉的角度Θ為30°?80°，其中旋轉磁極相對與襯底背板11可左右旋轉的角度Θ即為旋轉磁極所在的靶材12可旋轉的角度。綜合考慮任意相鄰的兩根靶材之間的距離和旋轉磁極相對于襯底背板11可左右旋轉的角度Θ，能夠進一步保證利用濺射出的粒子形成的薄膜的不同位置中的工藝氣體含量的相同性和穩定性，下面將對現有技術和本發明進行比較:
[0037]例如:現有技術中在G8.5PVD設備中設有十二根靶材，相鄰兩根靶材之間的距離約為227.27_，每根革E材中旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的最小角度大于30°，每根靶材中旋轉磁極相對于襯底背板可左右旋轉的最大角度大于80°，請參閱圖2a，圖2a為現有技術制得的薄膜中的工藝氣體的含量與薄膜位置的關系圖，橫軸表示薄膜位置，縱軸表示工藝氣體的單位含量，圖2a中的折線起伏很大，薄膜中不同位置的工藝氣體的單位含量最大相差30，可以得知現有技術制得的薄膜中的工藝氣體含量不均。
[0038]在本發明實施例中，G8.5PVD設備中設有十三根靶材12，相鄰兩根靶材之間的距離為208mm± 10mm，每根革El材12中旋轉磁極相對于襯底背板11可左右旋轉的角度Θ為50°?80°，請參閱圖2b，圖2b為本發明實施例中制得的薄膜中的工藝氣體的含量與薄膜位置的關系圖，橫軸與縱軸的意義與圖2a相同，與圖2a相比，圖2b中的折線起伏較小，薄膜中不同位置