鍍膜設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明是有關于一種加工設備，且特別是有關于一種鍍膜設備。
【背景技術】
[0002]真空濺鍍設備在半導體相關產業中已獲得廣泛的應用，舉例來說，觸控顯示面板中的透明導電薄膜可利用真空濺鍍設備來制作。詳細而言，真空濺鍍是屬于物理氣相沉積(PVD)技術的一種，普遍應用在半導體加工的成膜程序中，其在真空腔體內的濺鍍靶源的陰、陽電極之間施加高電壓以將惰性氣體(如氬氣)高溫離子化成等離子體(plasma)，而等離子體中的離子會轟擊濺鍍靶材，使得濺鍍靶材的原子或分子濺飛出并沉積、附著在工件表面上以形成薄膜。
[0003]由于濺鍍靶材在被離子轟擊的過程中會持續升溫，故真空濺鍍設備一般利用冷卻管來對濺鍍靶材進行散熱。然而，在濕度較高的環境中，低溫的冷卻管上容易產生冷凝水，冷凝水若無法及時被排出則可能流至陰、陽電極處，使陰、陽電極導通而造成短路。一種解決此問題的方法為將進行濺鍍加工場所的濕度控制為較低以避免冷卻管上產生冷凝水，但是控制環境濕度較為耗費能源且會增加設備成本。
【發明內容】
[0004]本發明提供一種鍍膜設備，可有效避免靶源短路。
[0005]本發明的鍍膜設備包括中空座體、靶源及散熱元件。中空座體具有開口。中空座體內具有至少一導引斜面，導引斜面往開口傾斜。靶源固定于中空座體且適于對工件進行鍍膜。散熱元件位于中空座體內以對靶源進行散熱。來自散熱元件的液體適于沿導引斜面往開口流動并通過開口而離開中空座體。
[0006]在本發明的一實施例中，上述的散熱元件為冷卻管并通過開口而延伸至中空座體內，液體為凝結在冷卻管上的冷凝水。
[0007]在本發明的一實施例中，上述的導引斜面鄰接開口。
[0008]在本發明的一實施例中，上述的中空座體包括第一側壁及至少一第二側壁，靶源固定于第一側壁，導引斜面形成于第二側壁。
[0009]在本發明的一實施例中，上述的至少一第二側壁的數量為多個，至少一導引斜面的數量為多個，這些導引斜面分別形成于這些第二側壁。
[0010]在本發明的一實施例中，上述的中空座體的內徑沿遠離開口的方向漸減而形成導引斜面。
[0011]在本發明的一實施例中，上述的中空座體具有開槽，靶源位于中空座體外部且對位于開槽。
[0012]在本發明的一實施例中，上述的靶源包括第一電極、第二電極、靶材及絕緣材。靶材配置于第一電極與第二電極之間。絕緣材配置于開槽的周緣且用以隔絕第一電極與第二電極。
[0013]在本發明的一實施例中，上述的鍍膜設備還包括主體，其中開口形成于中空座體的末端，中空座體以末端固定于主體而沿水平方向延伸，水平方向垂直于重力方向，至少一導引斜面傾斜于水平方向。
[0014]在本發明的一實施例中，上述的主體為真空腔體，中空座體固定于真空腔體的內壁，工件適于在真空腔體內進行鍍膜。
[0015]基于上述，在本發明的鍍膜設備中，中空座體內具有導引斜面且此導引斜面往中空座體的開口傾斜。當中空座體內的散熱元件(如冷卻管)的表面因環境濕度較高而產生冷凝水時，冷凝水會通過導引斜面的導引而往開口流動并通過開口被排出中空座體。據此，不需對環境濕度進行控制就能夠避免靶源因接觸冷凝水而產生短路現象，以節省設備成本并提升加工品質。
[0016]為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發明一實施例的鍍膜設備的俯視示意圖；
[0018]圖2是圖1的中空座體及靶源的立體圖；
[0019]圖3是圖1的鍍膜設備沿1-1線的剖視圖；
[0020]圖4是圖1的中空座體及靶源的俯視圖；
[0021]圖5是圖1的中空座體及靶源沿I1-1I線的剖面圖。
[0022]附圖標記說明:
[0023]50:工件；
[0024]60:法蘭；
[0025]70:密封件；
[0026]100:鍍膜設備；
[0027]110:主體；
[0028]110a:內壁；
[0029]120:中空座體；
[0030]120a:末端；
[0031]120b:開口；
[0032]122:第一側壁；
[0033]122a:開槽；
[0034]124、126、128:第二側壁；
[0035]124a、126a、128a:導引斜面；
[0036]130:靶源；
[0037]132:第一電極；
[0038]134:第二電極；
[0039]136:靶材；
[0040]138:絕緣材；
[0041]140:散熱元件；
[0042]Dl:水平方向；
[0043]D2:重力方向；
[0044]F:流動方向。
【具體實施方式】
[0045]圖1是本發明一實施例的鍍膜設備的俯視示意圖。圖2是圖1的中空座體及靶源的立體圖。圖3是圖1的鍍膜設備沿1-1線的剖視圖。請參考圖1至圖3，本實施例的鍍膜設備100，例如為磁控式真空濺鍍設備，包括主體110、中空座體120、靶源130及散熱元件140。主體110為真空腔體，中空座體120以其末端120a固定于主體110的內壁IlOa而沿水平方向Dl (示出于圖3)延伸，所述水平方向Dl垂直于重力方向D2。在本實施例中，例如是通過法蘭60將中空座體120固定于主體110的內壁110a，并將密封件70 (例如為O型環)設置于內壁IlOa與法蘭60之間以進行密封。在其它實施例中，可通過其它適當方式來固定中空座體120，本發明不對此加以限制。
[0046]靶源130固定于中空座體120且適于在真空腔體110內對工件50進行鍍膜。中空座體120具有開口 120b，開口 120b形成于中空座體120的末端120a。散熱元件140例如為冷卻管并通過開口 120b而延伸至中空座體120內，以對靶源130進行散熱。
[0047]如圖3所示，本實施例的中空座體120的內徑沿遠離開口 120b的方向漸減而在中空座體120內形成導引斜面124a，導引斜面124a傾斜于水平方向Dl并往開口 120b傾斜，且導引斜面124a鄰接開口 120b。當中空座體120內的散熱元件14