HVPE用氣體傳輸裝置、反應腔及HVPE設備的制作方法

本發明涉及氣相外延沉積技術領域，特別是涉及一種hvpe用氣體傳輸裝置、反應腔及hvpe設備。

背景技術：

氫化物氣相外延(hvpe，hydridevaporphaseepitaxy)設備為化合物生長工藝設備，主要用于在1000度左右高溫環境下通過如h2、hcl等氫化物氣體，使襯底表面外延生長一層如gaas、gan等的厚膜或晶體。

外延層生長最重要的指標是其生長厚度及其組分的均勻性。這就要求襯底上方反應區內的各前驅物氣體混合均勻，并具有較佳的氣流均勻性。但采用現有的hvpe設備，在一片或多片襯底表面生長外延層時，反應區內的各前驅物氣體的混合往往不夠均勻，且氣流的均勻性也較低，從而導致外延層厚度及其組分出現均勻性較差的問題。

之所以會出現這些問題，是因為現有hvpe設備中反應腔內的氣體傳輸裝置等結構不夠理想。現有hvpe設備中反應腔內的氣體傳輸裝置是由含金屬前驅物氣體通路管道、含氮前驅物氣體通路管道以及其間的惰性稀釋(id)屏蔽氣體通路管道組成同心圓管道結構，且一般位于反應區的中心區域。在外延生長時，由于大部分含氮前驅物氣體在未達到襯底表面并與含金屬前驅物氣體混合時就已經流出反應區，其達到襯底表面的濃度呈指數遞減，并隨著屏蔽氣體的流量增大而遞減速度增大，同時與含金屬前驅物氣體的混合均勻性及氣流均勻性也受到了限制。這樣一來，不但需要傳輸更多的含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體進行混合，外延層的生長速率會受到影響，而且襯底表面生長的外延層會出現明顯的厚膜帶，厚膜帶的組分也與其他部位具有明顯差異，從而造成外延層厚度及其組分的均勻性較差。

因此，如何改進hvpe設備中反應腔內的氣體傳輸裝置，以避免上述缺陷的發生，是亟待解決的問題。

技術實現要素：

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種hvpe用氣體傳輸裝置、反應腔及hvpe設備，用于解決現有技術中外延層厚度及其組分的均勻性較差的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種hvpe用氣體傳輸裝置，其中，所述hvpe用氣體傳輸裝置至少包括：含金屬前驅物氣體通路管道，屏蔽氣體通路管道，以及含氮前驅物氣體通路管道；其中：

所述含氮前驅物氣體通路管道套設于所述屏蔽氣體通路管道外，所述屏蔽氣體通路管道套設于所述含金屬前驅物氣體通路管道外，形成同軸三套管結構；

所述含金屬前驅物氣體通路管道近出口處設有孔狀封端。

優選地，所述含氮前驅物氣體通路管道的長度小于等于所述屏蔽氣體通路管道和所述含金屬前驅物氣體通路管道的長度。

優選地，所述含金屬前驅物氣體通路管道的長度小于等于所述屏蔽氣體通路管道的長度。

優選地，所述含氮前驅物氣體通路管道的內壁與所述屏蔽氣體通路管道的外壁之間的距離大于所述屏蔽氣體通路管道的內壁與所述含金屬前驅物氣體通路管道的外壁之間的距離。

優選地，所述含金屬前驅物氣體通路管道的內徑為待外延襯底的尺寸的5％～120％。

優選地，所述含金屬前驅物氣體通路管道、所述屏蔽氣體通路管道以及所述含氮前驅物氣體通路管道的壁厚均不超過5mm。

優選地，所述孔狀封端設有至少一個通孔，且所述通孔均勻分布在所述孔狀封端上。

優選地，所述通孔的形狀為圓形、方形、任意形狀或者它們的組合。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種反應腔，其中，所述反應腔至少包括：石英腔體，以及設置于所述石英腔體內的如上所述的hvpe用氣體傳輸裝置。

優選地，所述石英腔體至少包括：上段腔體，與所述上段腔體連接的中段腔體，以及與所述中段腔體連接的下段腔體；其中，所述上段腔體和所述下段腔體均為柱形腔體，且所述上段腔體的內徑小于所述下段腔體的內徑，所述中段腔體為匹配所述上段腔體內徑和所述下段腔體內徑的變徑腔體。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種hvpe設備，其中，所述hvpe設備至少包括：如上所述的反應腔。

如上所述，本發明的hvpe用氣體傳輸裝置、反應腔及hvpe設備，具有以下有益效果：

本發明的hvpe用氣體傳輸裝置，將含氮前驅物氣體通路管道、屏蔽氣體通路管道和含金屬前驅物氣體通路管道由外向內套設在一起形成同軸三套管結構，且含金屬前驅物氣體通路管道近出口處設有孔狀封端，通過同軸三套管結構將擴散速度不同的各前驅物氣體分隔開來通入到反應腔腔體，其中的含金屬前驅物氣體在從含金屬前驅物氣體通路管道內流出時受孔狀封端作用形成若干孔狀氣柱，與現有技術相比，在流量不變的情況下，從孔狀封端流出的孔狀氣柱具有高氣壓值，從而使含金屬前驅物氣體的流速更快，擴散速度也更快，與含氮前驅物氣體的混合也更均勻，進而提高了在襯底表面生長的外延層厚度及其組分的均勻性；同時，在不影響各前驅物氣體混合反應的前提下，避免了含金屬前驅物氣體與含氮前驅物氣體在氣體傳輸裝置的出口處附生生長形成金屬氮化物，從而避免了氣體傳輸裝置因應力不均而造成破裂，同時避免了附生生長的金屬氮化物掉落在待外延襯底上造成襯底污染，而最終導致生成的晶圓片缺陷密度增大，甚至破裂。另外，由于含氮前驅物氣體通路管道的長度小于等于其他氣體通路管道的長度，防止從含氮前驅物氣體通路管道流出的含氮前驅物氣體向同軸三套管結構下方反應區域的中心擴散，進一步提高了含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性，從而進一步提高了在襯底表面生長的外延層的質量。

本發明的反應腔，設置有特殊構造的石英腔體，將本發明的hvpe用氣體傳輸裝置置入該石英腔體中，可以進一步提高含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性以及氣流均勻性。

本發明的hvpe設備，采用本發明的hvpe用氣體傳輸裝置和反應腔，能夠在一片或多片襯底表面生長厚度及組分均勻性極佳的外延層。

附圖說明

圖1顯示為本發明第一實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置的俯視示意圖。

圖2顯示為本發明第一實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置的剖面示意圖。

圖3顯示為本發明第二實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置中含氮前驅物氣體通路管道的一個優選方案示意圖。

圖4顯示為本發明第二實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置中含氮前驅物氣體通路管道的另一個優選方案示意圖。

圖5顯示為圖4的俯視示意圖。

元件標號說明

11含金屬前驅物氣體通路管道

111孔狀封端

112通孔

12屏蔽氣體通路管道

13含氮前驅物氣體通路管道

131出氣孔

132水平段管道

133豎直段管道

20石英腔體

21上段腔體

22中段腔體

23下段腔體

具體實施方式

以下由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點及功效。

請參閱圖1至圖3，本發明第一實施方式涉及一種hvpe用氣體傳輸裝置。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本發明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施的范疇。

如圖1和圖2所示，本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置至少包括：含金屬前驅物氣體通路管道11，屏蔽氣體通路管道12，以及含氮前驅物氣體通路管道13。其中：

含氮前驅物氣體通路管道套13設于屏蔽氣體通路管道12外，屏蔽氣體通路管道12套設于含金屬前驅物氣體通路管道11外，形成同軸三套管結構；

含金屬前驅物氣體通路管道11近出口處設有孔狀封端111。

在本實施方式中，孔狀封端111位于含金屬前驅物氣體通路管道11的近出口處，且不突出于含金屬前驅物氣體通路管道11；孔狀封端111設有至少一個通孔112，且通孔112均勻分布在孔狀封端111上。其中，通孔112的形狀可以為圓形、方形、任意形狀或者它們的組合，數量也可以根據實際需要進行設計，優選地，通孔112的數量為1～30個，更優地，通孔112的數量為4～19個，并且這些通孔112均勻地分布在孔狀封端111上，且通孔112總面積占孔狀封端111總面積的1/4～3/4，更利于含金屬前驅物氣體勻速流出，且保障了氣流的均勻性。

值得一提的是，含金屬前驅物氣體通路管道11用于傳輸含金屬前驅物氣體，例如gacl、gacl2、gacl3、alcl3、incl3、gabr、albr、inbr、gai3、ali3、ini3等中的一種或幾種，優選地，含金屬前驅物氣體為氯化鎵，其是由金屬鎵與氯化氫或氯氣反應而成。屏蔽氣體通路管道12用于傳輸屏蔽氣體，例如氮氣、氫氣、氦氣、氬氣或它們的任意組合等。含氮前驅物氣體通路管道13用于傳輸含氮前驅物氣體，例如氨氣等。在本實施方式中，含金屬前驅物氣體通路管道11、屏蔽氣體通路管道12和含氮前驅物氣體通路管道13均為圓形管道，套設在一起形成同軸圓形三套管結構。當然，在其他實施方式中，含金屬前驅物氣體通路管道11、屏蔽氣體通路管道12和含氮前驅物氣體通路管道13也可以均為方形管道，或者三者也可以為不同形狀的管道，只需保證套設在一起時三者同軸即可。

在本實施方式中，含金屬前驅物氣體通路管道11、屏蔽氣體通路管道12和含氮前驅物氣體通路管道13同時開始導出氣體，但由于在高溫下，含氮前驅物氣體的擴散最快，含金屬前驅物氣體次之，為了保證各前驅物氣體混合的均勻性，含氮前驅物氣體通路管道13內的氣體流速低于其他氣體通路管道內的氣體流速，而含金屬前驅物氣體通路管道11內的氣體流速略低于屏蔽氣體通路管道12內的氣體流速。

為了配合各前驅物氣體的擴散速度和流速，作為一個優選方案，含氮前驅物氣體通路管道13的內壁與屏蔽氣體通路管道12的外壁之間的距離大于屏蔽氣體通路管道12的內壁與含金屬前驅物氣體通路管道11的外壁之間的距離。

并且，在本實施方式中，在保證各氣體通路管道強度(不會受氣流影響變形)的前提下，為了減少各氣體通路管道對于氣流的影響，含金屬前驅物氣體通路管道11、屏蔽氣體通路管道12以及含氮前驅物氣體通路管道13的壁厚均不超過5mm，優選地，含金屬前驅物氣體通路管道11、屏蔽氣體通路管道12以及含氮前驅物氣體通路管道13的壁厚均為3mm，更優地，含金屬前驅物氣體通路管道11、屏蔽氣體通路管道12以及含氮前驅物氣體通路管道13的壁厚均為2mm。

與現有技術的同心圓管道結構相比，本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置中的含金屬前驅物氣體通路管道11近出口處設有孔狀封端111，在流量不變的情況下，從孔狀封端111流出的孔狀氣柱具有高氣壓值，使含金屬前驅物氣體的流速更快，擴散速度也更塊，能夠大大降低屏蔽氣體對含氮前驅物氣體的影響，同時，由于含金屬前驅物氣體之間具有由通孔112分隔而成的間隙，使得含氮前驅物氣體更容易與含金屬前驅物氣體混合均勻，提高了氣流均勻性。

在本實施方式中，含氮前驅物氣體通路管道13的長度小于等于屏蔽氣體通路管道12和含金屬前驅物氣體通路管道11的長度，防止從含氮前驅物氣體通路管道13流出的含氮前驅物氣體向同軸三套管結構下方反應區域的中心擴散而造成含氮前驅物氣體分布不均，進一步提高了含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性，從而進一步提高了在襯底表面生長的外延層的質量。。

此外，在本實施方式中，含金屬前驅物氣體通路管道11的長度小于等于屏蔽氣體通路管道12的長度，優選地，含金屬前驅物氣體通路管道11的長度比屏蔽氣體通路管道12的長度小10cm～50cm。屏蔽氣體通路管道12傳輸的屏蔽氣體用于保護從含金屬前驅物氣體通路管道11流出的含金屬前驅物氣體，在不影響各前驅物氣體混合反應的前提下，避免了含金屬前驅物氣體與含氮前驅物氣體在本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置的出口處附生生長形成金屬氮化物，從而避免了本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置因應力不均而造成破裂，同時避免了附生生長的金屬氮化物掉落在待外延襯底上造成襯底污染，而最終導致生成的晶圓片缺陷密度增大，甚至破裂。

需要說明的是，本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置應用于hvpe設備的反應腔中，并通常設置于反應腔腔體的內部上方，而待外延襯底設置于與本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置相對的反應腔腔體的內部下方。并且，在本實施方式中，為了保證外延層厚度及其組分的均勻性，含金屬前驅物氣體通路管道11的內徑為待外延襯底的尺寸的5％～120％，優選地，含金屬前驅物氣體通路管道11的內徑為待外延襯底的尺寸的10％-100％。

此外，在本實施方式中，含氮前驅物氣體通路管道13為直通管道，其頂端和底端貫通，含氮前驅物氣體從含氮前驅物氣體通路管道13的頂端進入，并通過含氮前驅物氣體通路管道13的底端向下導出。

此外，在本實施方式中，含金屬前驅物通路管道11和含氮前驅物氣體通路管道13中還可以通入適量的載氣，例如氮氣、氫氣、氦氣、氬氣或它們的任意組合等。載氣具有如下作用：1、能夠稀釋含金屬前驅物氣體的濃度，調控外延層的生長速率；2、能夠對含金屬前驅物氣體和含氮前驅物氣體進行引流。此外，在含金屬前驅物通路管道11和含氮前驅物氣體通路管道13中通入載氣，有利于載氣與含金屬前驅物氣體混合均勻，因而更有利于載氣發揮其上述功效。

此外，在本實施方式中，如圖3所示，含氮前驅物氣體通路管道13為側通管道，其底端為封閉結構，其側壁上開設有至少兩個出氣孔131，且出氣孔131在含氮前驅物氣體通路管道13的側壁上等距分布。較佳地，含氮前驅物氣體通路管道13的側壁上相對開設有兩個出氣孔131，含氮前驅物氣體從含氮前驅物氣體通路管道13的頂端進入，并通過含氮前驅物氣體通路管道13側壁的兩個出氣孔131向兩側導出。此外，出氣孔131的數量為2～16個，需要根據實際所需的含氮前驅物氣體的流量和流速進行選擇。

通過本實施方式中的含氮前驅物氣體通路管道13，含氮前驅物氣體從含氮前驅物氣體通路管道13側壁上的出氣孔131導出，含氮前驅物氣體水平流動到達并撞擊反應腔腔體內壁，然后反向流動并繼而向下流動，從而進一步提高了含氮前驅物氣體在本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置的周圍以及反應腔的內部的分布均勻性，并進一步提高了后續含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性，進而提高了在襯底表面生長的外延層厚度及其組分的均勻性。

本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置，將含氮前驅物氣體通路管道、屏蔽氣體通路管道和含金屬前驅物氣體通路管道由外向內套設在一起形成同軸三套管結構，且含金屬前驅物氣體通路管道近出口處設有孔狀封端，通過同軸三套管結構將擴散速度不同的各前驅物氣體分隔開來通入到反應腔腔體，其中的含金屬前驅物氣體在從含金屬前驅物氣體通路管道內流出時受孔狀封端作用形成若干孔狀氣柱，與現有技術相比，在流量不變的情況下，從孔狀封端流出的孔狀氣柱具有高氣壓值，從而使含金屬前驅物氣體的流速更快，擴散速度也更快，與含氮前驅物氣體的混合也更均勻，進而提高了在襯底表面生長的外延層厚度及其組分的均勻性；同時，在不影響各前驅物氣體混合反應的前提下，避免了含金屬前驅物氣體與含氮前驅物氣體在氣體傳輸裝置的出口處附生生長形成金屬氮化物，從而避免了氣體傳輸裝置因應力不均而造成破裂，同時避免了附生生長的金屬氮化物掉落在待外延襯底上造成襯底污染，而最終導致生成的晶圓片缺陷密度增大，甚至破裂。另外，由于含氮前驅物氣體通路管道的長度小于等于其他氣體通路管道的長度，防止從含氮前驅物氣體通路管道流出的含氮前驅物氣體向同軸三套管結構下方反應區域的中心擴散，進一步提高了含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性，從而進一步提高了在襯底表面生長的外延層的質量。

請參閱圖4至圖5，本發明第二實施方式涉及一種hvpe用氣體傳輸裝置。第二實施方式與第一實施方式大致相同，主要區別之處在于：在第一實施方式中，含氮前驅物氣體通路管道13是一根側通管道。而在本實施方式中，對含氮前驅物氣體通路管道13進行了結構改進。具體地說：

在本實施方式中，如圖4所示，含氮前驅物氣體通路管道13由水平段管道132以及垂直于水平段管道132的豎直段管道133構成，其中，水平段管道132的上表面開設有至少兩個出氣孔131。優選地，水平段管道132為水平圓盤管道，水平段管道132和豎直段管道133同軸設置，如圖5所示，出氣孔131繞豎直段管道133的軸線在水平段管道132的上表面等距分布。當然，在其他方案中，水平段管道132也可以為水平直管道，豎直段管道133垂直連接于水平段管道132中部的上表面，出氣孔131對稱分布在水平段管道132兩端的上表面。含氮前驅物氣體從含氮前驅物氣體通路管道13的豎直段管道133頂端進入，并通過含氮前驅物氣體通路管道13的水平段管道132上表面的出氣孔131向上導出。此外，出氣孔131的數量為2～16個，需要根據實際所需的含氮前驅物氣體的流量和流速進行選擇。出氣孔131的存在更利于含氮前驅物氣體勻速流出，保障了氣流的均勻性，

通過本實施方式中的含氮前驅物氣體通路管道13，含氮前驅物氣體從倒梯形的含氮前驅物氣體通路管道13的水平段管道132上表面的出氣孔131向上導出，含氮前驅物氣體的流場形成一個微旋流，含氮前驅物氣體先向上流動到達并撞擊反應腔腔體頂部，然后反向向下流動，從而進一步提高了含氮前驅物氣體在本實施方式的hvpe用氣體傳輸裝置的周圍以及反應腔的內部的分布均勻性，并進一步提高了后續含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性，進而提高了在襯底表面生長的外延層厚度及其組分的均勻性。

由于本實施方式是在本發明第一實施方式的基礎上進行的改進，第一實施方式中提到的相關技術細節在本實施方式中依然有效，為了減少重復，這里不再贅述。相應地，本實施方式中提到的相關技術細節也可應用在第一實施方式中。

請繼續參閱圖2，本發明第三實施方式涉及一種反應腔，其中，本實施方式的反應腔至少包括：石英腔體20，以及設置于石英腔體20內的如本發明第一實施方式或者第二實施方式所涉及的hvpe用氣體傳輸裝置。

在本實施方式中，石英腔體20至少包括：上段腔體21，與上段腔體21連接的中段腔體22，以及與中段腔體22連接的下段腔體23，且上段腔體21、中段腔體22和下段腔體23同軸設置。其中，上段腔體21和下段腔體23均為柱形腔體，且上段腔體21的內徑小于下段腔體23的內徑，中段腔體22為匹配上段腔體21內徑和下段腔體23內徑的變徑腔體。

如圖2所示，在石英腔體20中，上段腔體21的長度大于含氮前驅物氣體通路管道13的長度，且小于屏蔽氣體通路管道12的長度；而屏蔽氣體通路管道12,的底端所在位置不超過中段腔體22的底部。該種特殊構造的石英腔體20配合上述實施方式中的hvpe用氣體傳輸裝置，能夠更好地控制各前驅物氣體的流動方向和氣流的均勻性。具體地說，在上段腔體21中，通過含氮前驅物氣體通路管道13導出的含氮前驅物氣體集中向下流動，在到達中段腔體22中后逐漸擴散流動，同時與通過含金屬前驅物氣體通路管道11導出的含金屬前驅物氣體均勻混合，然后混合后的前驅物氣體在下段腔體23中向下集中沉積，直至到達一片或者多片襯底表面，形成外延層。

另外，本實施方式的反應腔應用于溫度在800℃～1200℃的具有腐蝕性氣體環境中，且在本實施方式中，石英腔體20采用石英材質制備而成。當然，在其他實施方式中，腔體也可以采用除金屬材質外的其他材質，這是由于含金屬前驅物氣體所包含的金屬(例如金屬鎵)具有穿透性，能穿透金屬，因此腔體應采用含金屬前驅物氣體所包含的金屬無法穿透的材質制備。

本實施方式的反應腔采用特殊構造的石英腔體20，將本發明第一實施方式或者第二實施方式所涉及的hvpe用氣體傳輸裝置置入該石英腔體20中，可以進一步提高含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性以及氣流均勻性。

當然，在其他實施方式中，石英腔體20也可以為一直通腔體或者其他變形腔體。且石英腔體20的形狀、大小和高度可以根據實際需要進行設置，并不以本實施方式為限制。

本發明第四實施方式涉及一種hvpe設備，其中，本實施方式的hvpe設備至少包括：本發明第三實施方式所涉及的反應腔。

本實施方式的hvpe設備采用本發明上述實施方式中的hvpe用氣體傳輸裝置和反應腔，能夠在一片或多片襯底表面生長厚度及組分均勻性極佳的外延層。

綜上所述，本發明的hvpe用氣體傳輸裝置、反應腔及hvpe設備，具有以下有益效果：

本發明的hvpe用氣體傳輸裝置，將含氮前驅物氣體通路管道、屏蔽氣體通路管道和含金屬前驅物氣體通路管道由外向內套設在一起形成同軸三套管結構，且含金屬前驅物氣體通路管道近出口處設有孔狀封端，通過同軸三套管結構將擴散速度不同的各前驅物氣體分隔開來通入到反應腔腔體，其中的含金屬前驅物氣體在從含金屬前驅物氣體通路管道內流出時受孔狀封端作用形成若干孔狀氣柱，與現有技術相比，在流量不變的情況下，從孔狀封端流出的孔狀氣柱具有高氣壓值，從而使含金屬前驅物氣體的流速更快，擴散速度也更快，與含氮前驅物氣體的混合也更均勻，進而提高了在襯底表面生長的外延層厚度及其組分的均勻性；同時，在不影響各前驅物氣體混合反應的前提下，避免了含金屬前驅物氣體與含氮前驅物氣體在氣體傳輸裝置的出口處附生生長形成金屬氮化物，從而避免了氣體傳輸裝置因應力不均而造成破裂，同時避免了附生生長的金屬氮化物掉落在待外延襯底上造成襯底污染，而最終導致生成的晶圓片缺陷密度增大，甚至破裂。另外，由于含氮前驅物氣體通路管道的長度小于等于其他氣體通路管道的長度，防止從含氮前驅物氣體通路管道流出的含氮前驅物氣體向同軸三套管結構下方反應區域的中心擴散，進一步提高了含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性，從而進一步提高了在襯底表面生長的外延層的質量。

本發明的反應腔，設置有特殊構造的石英腔體，將本發明的hvpe用氣體傳輸裝置置入該石英腔體中，可以進一步提高含氮前驅物氣體與含金屬前驅物氣體混合的均勻性以及氣流均勻性。

本發明的hvpe設備，采用本發明的hvpe用氣體傳輸裝置和反應腔，能夠在一片或多片襯底表面生長厚度及組分均勻性極佳的外延層。

所以，本發明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業利用價值。

上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用于限制本發明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的權利要求所涵蓋。