磁控濺射靶罩的制作方法

本實用新型屬于基板玻璃加工技術領域，尤其涉及一種磁控濺射靶罩。

背景技術：

圖1為磁控濺射鍍膜工藝示意圖，請參圖1，磁控濺射是通過在靶11陰極表面引入磁場和電場，利用磁場和電場對帶電粒子的約束來提高等離子密度來增加濺射率。電子在電場的作用下，在飛向固定于鍍膜小車13上的基片15的過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生Ar⁺和新的電子：新電子飛向基片15，Ar+在電場作用下加速飛向陰極靶11，并以高能量轟擊靶11表面，使靶材發生濺射。在濺射過程中，一部分帶電粒子與器壁發生碰撞，發生復合，這部分與器壁發生復合的粒子，對磁控室腔體的污染嚴重。現有技術通過設置一個靶罩12，來屏蔽掉這部分濺射粒子。

在濺射過程中，還有一部分電子和負離子飛向陽極17并沉積于基片15表面，這部分電子和負離子會對靶材在基片15表面沉積成膜的效果產生一定影響，其中能量較低的電子和負離子會使靶材沉積成膜的效果變差。圖2為現有技術提供的靶罩12的結構示意圖，請參圖2，靶罩12包括罩面12a和多個側面12b，罩面12a上設置有濺射窗口12c，濺射窗口12c是Ar⁺、電子、負離子以及濺射出的靶材運動的通道。能量較低的電子可以直接從濺射窗口12c飛出沉積在基片15表面，從而使靶材在基片15表面沉積成膜的效果變差。

技術實現要素：

針對現有技術的問題，本實用新型提供一種磁控濺射靶罩，可有效提升靶材在基片表面沉積成膜的效果。

為達到上述目的，本實用新型采用如下的技術方案：

一種磁控濺射靶罩，包括罩面和側邊，側邊設置于罩面外邊緣，側邊與罩面的交界線圍合成一個封閉的圖形，罩面上設置有濺射窗口，還包括至少一金屬絲，金屬絲兩端固定于側邊，金屬絲在罩面上的投影部分位于濺射窗口。

進一步地，金屬絲為鉬絲。

進一步地，金屬絲的數量為3。

進一步地，其中一根金屬絲垂直于另兩根金屬絲，且穿過另外兩根金屬絲的中點。

進一步地，3根金屬絲一體成型。

進一步地，金屬絲的直徑為4-6mm。

進一步地，金屬絲與罩面的距離等于側邊在垂直于靶罩方向上的長度的三分之一。

進一步地，金屬絲焊接固定于側邊。

本實用新型實施例提供的磁控濺射靶，通過設置金屬絲，可以捕捉能量較低的電子和負離子，避免其沉積于基片表面，提高了靶材在基片表面沉積成膜的質量。

附圖說明

下面將結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中：

圖1為磁控濺射鍍膜工藝示意圖。

圖2為現有技術提供的靶罩的結構示意圖。

圖3為本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩在某一視角的立體結構示意圖。

圖4為圖3中磁控濺射靶罩在另一視角的立體結構示意圖。

具體實施方式

為說明本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩，以下結合說明書附圖及文字說明進行詳細闡述。

圖3為本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩在某一視角的立體結構示意圖，圖4為圖3中磁控濺射靶罩在另一視角的立體結構示意圖，請參圖3和圖4，本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩30包括罩面30a、側邊30b和至少一金屬絲50。

罩面30a呈平板狀，至少包括一第一表面31a，優選地，罩面30a的外邊緣形成為矩形。第一表面31a的中央區域形成有濺射窗口30c，優選地，濺射窗口30c的邊緣形成為特定的形狀。

側邊30b設置于罩面30a的外邊緣處，側邊30b與罩面30a垂直設置，優選地，側邊30b與罩面30a一體成型。本實施例中，側邊30b的數量為四個，四個側邊30b分別設置于罩面30a四個邊緣處，四個側邊30b首尾相連圍合成一個封閉的“口”字形。

金屬絲50的兩端分別固定在側邊30b上，金屬絲50在第一表面31a上的投影部分位于濺射窗口30c，優選地，每一金屬絲50焊接固定在相對設置的兩個側邊30b上。優選地，金屬絲50與罩面30a間的距離為側邊30b在垂直于罩面30a方向上的長度的三分之一。

金屬絲50的數量優選為三根，其中一根金屬絲50穿過另外兩根金屬絲50的中點并垂直于另外兩根金屬絲50，優選地，三根金屬絲50一體成型。

金屬絲50的直徑優選為四至六毫米。金屬絲50在罩面30a上的投影位于濺射窗口30c內。

罩面30a與側邊30b的制作材質為紫銅，金屬絲50的制作材質優選為鉬。

靶材通過磁控濺射在基片表面沉積成膜的過程中，電子在電場的作用下，與氬原子發生碰撞，使其電離產生Ar⁺，Ar+在電場作用下加速飛向陰極靶，穿過濺射窗口30c后以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。

在濺射過程中，側邊30b以及靶面上濺射窗口30c以外區域阻擋了濺射出的靶材的運動，濺射出的靶材只能通過濺射窗口30c運動到基片表面。濺射窗口30c的外邊緣呈特定的形狀，該特定形狀根據靶材在基片表面的沉積規律而設計，濺射出的靶材通過濺射窗口30c后，在基片表面均勻沉積成膜。

在濺射過程中，還有一部分電子和負離子從靶陰極濺射出，飛向陽極并沉積于基片表面。該部分電子和負離子中，能量較低的電子和負離子被金屬絲50捕捉，從而無法濺射出濺射窗口30c。

可以理解，本實用新型實施例提供的磁控濺射靶，設置有金屬絲50，可以捕捉能量較低的電子和負離子，避免其沉積于基片表面，提高了靶材在基片表面沉積成膜的質量。

進一步地，該金屬絲50的制作材質為鉬。通過大量實驗證明，以鉬作為該金屬絲50的制作材質，捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

進一步地，金屬絲50與罩面30a間的距離為側邊30b在垂直于罩面30a方向上的長度的三分之一。通過大量實驗證明，金屬絲50與罩面30a間的距離為側邊30b在垂直于罩面30a方向上的長度的三分之一，金屬絲50捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

進一步地，金屬絲50的數量為三根，其中一根金屬絲50穿過另外兩根金屬絲50的中點并垂直于另外兩根金屬絲50，三根金屬絲50一體成型。通過大量實驗證明，該種設計，金屬絲50捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

進一步地，金屬絲50的直徑為四至六毫米。通過大量實驗證明，金屬絲50的直徑為四至六毫米，捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

以上為本實用新型提供的磁控濺射靶罩，并不能理解為對本實用新型權利保護范圍的限制，本領域的技術人員應知曉，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可做多種改進或替換，所有的改進或替換都應在本實用新型的權利保護范圍內，即本實用新型的權利保護范圍應以權利要求為準。

在不沖突的情況下，本文中上述實施例及實施例中的特征可以相互結合。