本實用新型涉及一種鍍膜設備技術領域，特別是涉及一種雙室磁控蒸發真空設備。
背景技術：
現有的鍍膜設備在日常使用過程中從使用者反饋的信息看主要存在如下幾個問題：
1、在基片傳遞過程中由于兩室間距大(室中心距1100mm)傳遞距離太長，基片托下墜最大達5mm，造成與樣品臺交接時困難重重，由于設備運行是在全封閉真空環境下進行所以操作起來相當麻煩，嚴重影響鍍膜工作的順利進行。
2、由于基片交接不穩定加之定位部件間的間隙配合，導致基片托在放入樣品臺時其傳遞水平面經常會出現偏差，鍍膜工藝難以得到保證，膜層均勻度受到一定影響。
3、該設備機械傳遞裝置安裝在磁控室一側，屬于常規的單向傳遞方式，按現在的傳遞間距其傳遞桿相應很長(約1250mm)，除占地面積大且操作起來很不方便。
技術實現要素：
針對上述問題中存在的不足之處，本實用新型提供一種雙室磁控蒸發真空設備，使其在性能有了很大改善，不僅鍍膜質量得到了提高，其結構更加合理、操作更加便利，并且成本低廉、使用維護方便的同時也大大減少了占地面積。
為了解決上述問題，本實用新型提供一種雙室磁控蒸發真空設備，其中，包括真空室、蒸發室和磁控室，所述蒸發室設置在所述真空室內左側，所述磁控室設置在所述真空室內右側，所述蒸發室和所述磁控室之間通過傳遞機構連接，所述傳遞機構包括傳遞軌道、磁力短軸和傳遞小車，所述傳遞小車設置在所述傳遞軌道上，所述傳遞軌道上端設置有所述磁力短軸，所述磁力短軸包括第一磁力短軸、第二磁力短軸、第三磁力短軸、第四磁力短軸和第五磁力短軸，所述第一磁力短軸、所述第二磁力短軸、所述第三磁力短軸、所述第四磁力短軸和所述第五磁力短軸成并列結構設置。
優選的，所述蒸發室內設置有蒸發組件。
優選的，所述磁控室內設置有磁控靶。
優選的，所述傳遞軌道為固定軌道結構，所述傳遞軌道包括直線導軌和齒條。
優選的，所述真空室上設置有PLC智能電控系統，所述PLC智能電控系統分別與所述磁控靶、所述蒸發組件、所述傳遞小車連接。
與現有技術相比，本實用新型具有以下優點：
本實用新型在性能有了很大改善，不僅鍍膜質量得到了提高，其結構更加合理、操作更加便利，由于基片靠固定的軌道運行，其交接平穩可靠，定位精確基本無偏差，避免了原來因單向傳遞交接存在的偏差過大、基片交接困難等問題，而且鍍膜工藝容易控制，膜層均勻度大大提高，磁耦合傳遞系統整體安裝在工作臺面，其結構簡單、成本低廉、使用維護方便同時其大大減少了占地面積。
附圖說明
圖1是本實用新型的實施例結構示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，下面結合附圖與實例對本實用新型作進一步詳細說明，但所舉實例不作為對本實用新型的限定。
如圖1所示，本實用新型的實施例包括真空室1、蒸發室2和磁控室3，蒸發室2設置在真空室1內左側，磁控室3設置在真空室1內右側，蒸發室2和磁控室3之間通過傳遞機構4連接，傳遞機構4包括傳遞軌道6、磁力短軸5和傳遞小車7，傳遞小車7設置在傳遞軌道6上，傳遞軌道6上端設置有磁力短軸5，磁力短軸5包括第一磁力短軸、第二磁力短軸、第三磁力短軸、第四磁力短軸和第五磁力短軸，第一磁力短軸、第二磁力短軸、第三磁力短軸、第四磁力短軸和第五磁力短軸成并列結構設置。
蒸發室2內設置有蒸發組件。磁控室3內設置有磁控靶。傳遞軌道6為固定軌道結構，傳遞軌道6包括直線導軌和齒條。真空室1上設置有PLC智能電控系統，PLC智能電控系統分別與磁控靶、蒸發組件、傳遞小車7連接。
本實施例中，設備由原來的單向機械傳遞方式改為磁耦合往復傳遞方式，在兩室有效傳遞區域增設固傳遞軌道6，傳遞軌道6上放置可以交接基片的傳遞小車7，基片通過傳遞小車7實現兩室間基片與樣品臺的往復交接工作，傳遞小車7動力靠5個磁耦合短軸輸入，通過齒輪與齒條及帶輪組件等組成整個傳遞系統，其傳遞小車7的動力執行部件全部安裝在工作臺上，操作十分方便。
對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。