膜厚控制裝置、膜厚控制方法和成膜裝置與流程

本發明涉及一種膜厚控制裝置、膜厚控制方法和成膜裝置，能夠根據設置在成膜裝置上的諧振器的振蕩頻率來測量成膜速率，且根據所測量出的成膜速率來控制蒸鍍源。

背景技術：

現有技術中，在真空蒸鍍裝置等成膜裝置中，為了測量在基板上成膜的膜的厚度和成膜速率，而使用石英晶體微天平(QCM：Quartz Crystal Microbalance)方法這一技術。該方法是利用了配置在腔室內的石英晶體諧振器(quartz-crystal：石英晶體諧振器/又稱石英晶體/俗稱晶振)的如下特性：由于蒸鍍物的沉積帶來的質量增加使得其諧振頻率減少。因此，可通過測量石英晶體諧振器的諧振頻率的變化來測量膜厚和成膜速度。

在具有膜厚傳感器的蒸鍍裝置中，根據所測量出的蒸鍍速率，對蒸鍍源中的蒸鍍材料的加熱溫度進行反饋控制。一般而言，有時受到蒸鍍材料突沸(飛濺)、噪聲等干擾因素的影響，膜厚傳感器的輸出會瞬間有較大變動。

另外，為了實施穩定的反饋控制，已知一種通過對膜厚傳感器的輸出進行平滑化處理來抑制異常值的影響的方法。例如，在專利文獻1中記載了一種方法，按一定時間間隔測量石英晶體諧振器的諧振頻率，取根據這些諧振頻率算出的膜厚的移動平均，而算出膜厚增加量。

【背景技術文獻】

【專利文獻】

專利文獻1：國際發明專利公開公報2009/038085號

技術實現要素：

發明要解決的問題

在上述現有技術中的通過移動平均處理來使輸出平滑化的處理中，例如突沸只要發生1次，此時輸出的異常值便會導致平均值整體上升。因此，在現有技術中的平滑化處理中，存在如下問題：由于異常值的原因而導致對蒸鍍源的反饋控制發生過剩反應，結果使得該控制發生紊亂(混亂)。

鑒于上述情況而提出了本發明，其目的在于，提供一種膜厚控制裝置、膜厚控制方法和成膜裝置，以能夠抑制原因在于異常值的對蒸鍍源的過剩反饋控制。

解決問題的方案

本發明的一個方式所涉及的膜厚控制裝置根據設置在具有蒸鍍源的成膜裝置上的諧振器的振蕩頻率來測量成膜速率，且根據所測量出的所述成膜速率來控制所述蒸鍍源，其具有：速率算出部、第1濾波部和第2濾波部。

所述速率算出部構成為：根據所述諧振器的振蕩頻率，算出每單位時間的速率換算值。

所述第1濾波部構成為：從所述速率算出部所輸出的速率換算值中去除異常值。

所述第2濾波部構成為：將所述第1濾波部所輸出的速率換算值平滑化。

采用所述膜厚控制裝置，膜厚控制裝置具有第1濾波部，該第1濾波部從所述速率算出部所輸出的所述速率換算值中去除異常值，因此，能夠根據將異常值除外后的速率換算值來實施第2濾波部的平滑化處理。據此，能夠抑制原因在于異常值的對蒸鍍源的過剩反饋控制。

所述第1濾波部的結構沒有特別限定，只要具有能夠去除異常值的功能即可，其例如構成為：從所述速率算出部所輸出的速率換算值中提取出代表值。所述代表值可以是成為異常值的或然性較低的速率換算值。典型的結構為，第1濾波部由中央值計算濾波器構成。樣本數沒有特別限定，例如可在不會妨礙對蒸鍍源的反饋控制的范圍內任意設定。

另外，所述第2濾波部的結構沒有特別限定，只要是具有平滑化功能的濾波器即可，其典型結構為：由移動平均濾波器或一階低通濾波器構成。移動平均包括單純移動平均和加權移動平均等。樣本數沒有特別限定，例如可在不會妨礙對蒸鍍源的反饋控制的范圍內任意設定。

所述膜厚控制裝置還可以具有第3濾波部。所述第3濾波部將所述速率算出部所輸出的所述速率換算值平滑化，且將平滑化后的速率換算值向所述第1濾波部輸出。

據此，即使在速率算出部所輸出的速率換算值有較大變動的情況下，由于能夠對要輸入第1濾波部的該速率換算值進行平滑化，因此也能夠抑制測量精度的降低。

第3濾波部的結構沒有特別限定，只要是具有平滑化功能的濾波器即可，其典型結構為：由與第2濾波部同樣的移動平均濾波器或一階低通濾波器構成。樣本數沒有特別限定，例如可在不會妨礙對蒸鍍源的反饋控制的范圍內任意設定。

本發明的一個方式所涉及的膜厚控制方法中，根據設置在具有蒸鍍源的成膜裝置上的諧振器的振蕩頻率來測量成膜速率，且根據所測量出的所述成膜速率來控制所述蒸鍍源，包括：根據所述諧振器的振蕩頻率，算出每單位時間的速率換算值。

從所算出的速率換算值中去除異常值。

將去除異常值后的速率換算值平滑化。

如此，在速率換算值的平滑化處理之前，從速率換算值中去除異常值，據此，能夠抑制原因在于異常值的成膜速率測量精度的降低。

本發明的一個方式所涉及的成膜裝置具有真空腔、蒸鍍源、膜厚傳感器和膜厚監視器。

所述蒸鍍源配置在所述真空腔的內部。

所述膜厚傳感器配置在所述真空腔的內部，具有以規定的諧振頻率振蕩的諧振器。

所述膜厚傳感器具有速率算出部、第1濾波部、第2濾波部和輸出部。所述速率算出部構成為：根據所述諧振器的振蕩頻率，算出每單位時間的速率換算值。所述第1濾波部構成為：從所述速率算出部所輸出的速率換算值中去除異常值。所述第2濾波部構成為：將所述第1濾波部所輸出的速率換算值平滑化。所述輸出部構成為：根據所述第2濾波部所輸出的速率換算值來生成用于控制所述蒸鍍源的控制信號。

發明效果

采用本發明，能夠抑制原因在于異常值的對蒸鍍源的過剩反饋控制。

附圖說明

圖1是表示本發明一個實施方式所涉及的成膜裝置的概略剖視圖。

圖2是表示上述成膜裝置的測量單元的一個結構例的概略框圖。

圖3是表示膜厚傳感器所輸出的成膜速率的實際數據一例的圖。

圖4是說明比較例所涉及的成膜速率的測量方法的流程圖。

圖5是表示適用比較例所涉及的濾波器而得到的速率輸出的圖。

圖6是表示上述成膜裝置的控制器結構的功能框圖。

圖7是說明中央值計算一例的圖。

圖8是說明中央值計算另一例的圖。

圖9是說明本發明一個實施方式所涉及的成膜速率的測量方法的流程圖。

圖10是表示使用本發明一個實施方式所涉及的濾波器而得到的速率輸出的圖。

圖11是比較說明與階躍響應對應的各種濾波器的特性的圖。

圖12是表示膜厚傳感器所輸出的成膜速率的實際數據另一例的圖。

圖13是表示對圖12的實際數據使用比較例所涉及的濾波器而得到的速率輸出的圖。

圖14是表示對圖12的實際數據使用本實施方式所涉及的濾波器而得到的速率輸出的圖。

圖15是說明本發明另一實施方式所涉及的成膜速率的測量方法的流程圖。

具體實施方式

下面，參照附圖來對本發明的實施方式進行說明。

<第1實施方式>

[成膜裝置]

圖1是表示本發明一個實施方式所涉及的成膜裝置的概略剖視圖。本實施方式的成膜裝置作為真空蒸鍍裝置來構成。

本實施方式的成膜裝置10具有真空腔11、配置于真空腔11內部的蒸鍍源12、與蒸鍍源12相向的基板架13和配置于真空腔11內部的膜厚傳感器14。

真空腔11構成為：與真空排氣系統15連接，內部能夠保持在規定的減壓氛圍(氣體環境)。

蒸鍍源12構成為：能夠產生蒸鍍材料的蒸氣(粒子)。本實施方式中，蒸鍍源12構成為：與電源單元18電連接，對金屬材料或有機材料進行加熱使其蒸發，而使其放出蒸鍍粒子。蒸鍍源的種類沒有特別限定，可適用電阻加熱式、感應加熱式、電子束加熱式等各種方式。

基板架13構成為：能夠保持半導體晶圓或玻璃基板等作為成膜對象的基板W，使其朝向蒸鍍源12。

膜厚傳感器14內置有具有規定基本頻率(固有振動頻率)的諧振器，并且如后述那樣構成傳感器頭，該傳感器頭用于測量沉積于基板W的金屬膜或有機膜的膜厚和成膜速率。上述諧振器例如使用溫度特性比較優異的AT切割石英晶體諧振器，上述規定基本頻率的典型范圍為5～6MHz。膜厚傳感器14配置在真空腔11的內部，位于與蒸鍍源12相向的位置。典型的結構是，膜厚傳感器14配置在基板架13附近。

膜厚傳感器14的輸出被向測量單元17(膜厚控制裝置)供給。測量單元17根據諧振器的諧振頻率的變化，測量上述膜厚和成膜速率，并且控制蒸鍍源12使該成膜速率為規定值。QCM的吸附所致的頻率變化和質量載荷的關系使用下式(1)所示的Sauerbrey公式表示。

【公式1】

在公式(1)中，ΔF_s表示頻率變化量、Δm表示質量變化量、f₀表示基本頻率、ρ_Q表示石英晶體的密度、μ_Q表示石英晶體的剪應力、A表示電極面積、N表示常數。

成膜裝置10還具有遮擋門16。遮擋門16配置在蒸鍍源12和基板架13之間，其構成為：能夠敞開或切斷從蒸鍍源12至基板架13和膜厚傳感器14的蒸鍍粒子的射入路徑。

遮擋門16的開閉由未圖示的控制單元控制。典型的結構是，在蒸鍍開始時，遮擋門16關閉(堵塞)，直至蒸鍍源12中蒸鍍粒子的放出穩定為止。然后，在蒸鍍粒子的放出已穩定時，敞開遮擋門16。據此，來自蒸鍍源12的蒸鍍粒子到達基板架13上的基板W，基板W的成膜處理開始。同時，來自蒸鍍源12的蒸鍍粒子到達膜厚傳感器14，在測量單元17中對基板W上的蒸鍍膜的膜厚和其成膜速率進行監測。

[測量裝置]

接著，對測量單元17進行說明。

圖2是表示測量單元17的一個結構例的概略框圖。測量單元17具有振蕩電路41、測量電路42和控制器43。

振蕩電路41使膜厚傳感器14的諧振器20振蕩。測量電路42用于測量從振蕩電路41輸出的諧振器20的諧振頻率。控制器43通過測量電路42在每單位時間獲取諧振器20的諧振頻率，算出蒸鍍材料粒子在基板W上的成膜速率和沉積于基板W的蒸鍍膜的膜厚。控制器43進一步控制蒸鍍源12以使成膜速率達到規定值。

測量電路42具有混頻電路51、低通濾波器52、低頻率計數器53、高頻率計數器54和基準信號生成電路55。從振蕩電路41輸出的信號被輸入高頻率計數器54，首先測量振蕩電路41的振蕩頻率的大致值。由高頻率計數器54測量到的振蕩電路41的振蕩頻率的大致值被輸出到控制器43。控制器43以與測量到的大致值接近的頻率的基準頻率(例如5MHz)來使基準信號生成電路55振蕩。以該基準頻率振蕩的頻率的信號和從振蕩電路41輸出的信號被輸入混頻電路51。

混頻電路51將輸入的2種信號混合，并且經由低通濾波器52輸出到低頻率計數器53。在此，當從振蕩電路41輸入的信號為cos((ω+α)t)，從基準信號生成電路輸入的信號為cos(ωt)時，在混頻電路51內生成由cos(ωt)·cos((ω+α)t)這一公式表示的交流信號。該公式為cos(ωt)和cos((ω+α)t)乘積的形式，該公式所示的交流信號等于由cos((2·ω+α)t)表示的高頻分量信號與由cos(αt)表示的低頻分量信號的和。

由混頻電路51生成的信號被輸入低通濾波器52，高頻分量信號cos((2·ω+α)t)被去除，僅低頻分量信號cos(αt)被輸入低頻率計數器53。即，低頻率計數器53被輸入頻率為絕對值|α|的低頻分量信號，而該低頻分量信號為振蕩電路41的信號cos((ω+α)t)與基準信號生成電路55的信號cos(ωt)之差值。

低頻率計數器53測量該低頻分量信號的頻率，并將該測量值向控制器43輸出。控制器43根據由低頻率計數器53測量到的頻率與基準信號生成電路55的輸出信號的頻率，算出振蕩電路41輸出的信號的頻率。具體而言，在基準信號生成電路55的輸出信號的頻率比振蕩電路41的輸出信號的頻率小的情況下，在振蕩電路41的輸出信號上加上(作加法)低頻分量信號的頻率，在相反的情況下，從振蕩電路41的輸出信號減去(作減法)低頻分量信號的頻率。

例如，當由高頻率計數器54測量得到的振蕩電路41的振蕩頻率的測量值超出5MHz，使基準信號生成電路55以5MHz的頻率振蕩時，基準信號生成電路55的振蕩頻率比振蕩電路41的實際振蕩頻率低。因此，為了求得振蕩電路41的實際振蕩頻率，可將由低頻率計數器53求得的低頻分量信號的頻率|α|與基準信號生成電路55的設定頻率5MHz相加。若低頻分量的頻率|α|為10kHz，則振蕩電路41的準確的振蕩頻率為5.01MHz。

低頻率計數器53的分辨率(resolution)雖然有上限，但可以為了測量上述差值的頻率|α|而設定該分辨率，因此，與以相同的分辨率來測量振蕩電路41的振蕩頻率的情況相比，能夠進行準確的頻率測量。

另外，基準信號生成電路55的振蕩頻率通過控制器43控制，能夠以使差值的頻率|α|小于規定值的方式設定該振蕩頻率，因此，能夠有效利用低頻率計數器53的分辨率。所求得的頻率值被存儲于控制器43。控制器43根據所求得的頻率值，利用上述公式(1)所示的算式，來算出沉積在基板W上的蒸鍍材料的膜厚和成膜速率。

[成膜速率測量方法]

可是，一般在根據使用膜厚傳感器測量出的成膜速率來控制對蒸鍍源的蒸發材料的加熱溫度的情況下,有時受到蒸鍍材料的飛濺/噪聲等干擾因素的影響,膜厚傳感器的輸出會有瞬時較大變動,而無法對蒸鍍源進行穩定的反饋控制。已知一種解決方法,通過對膜厚傳感器的輸出進行平滑化處理來抑制異常值的影響。

例如如圖3所示，在根據包括速率瞬間大幅上升那樣的異常值在內的測量數據來算出成膜速率的情況下，典型的結構是使用具有圖4所示處理步驟的濾波器。即，首先，根據從膜厚傳感器獲得的諧振器的振蕩頻率的變化，獲取將該變化換算為成膜速率而得到的速率換算值(步驟101)。接著，通過例如移動平均計算來將獲取到的速率換算值平滑化(步驟S102)，將平滑化后的速率換算值作為成膜速率輸出(步驟103)。

圖5表示通過移動平均計算將圖3所示的傳感器輸出平滑化時的輸出一例。如圖5所示，異常值導致的變動幅度變小，但變動時間(T)變長。即，上述的通過移動平均處理來使輸出平滑化的處理中，例如突沸只要發生1次，此時輸出的異常值便會導致平均值整體上升。因此，在該平滑化處理中，存在如下問題：由于突發異常值的原因而導致對蒸鍍源的反饋控制發生過剩反應，結果使得該控制發生紊亂(混亂)。

因而，在本實施方式中，為了消除上述問題，測量單元17的控制器43如圖6所示那樣來構成。

圖6是表示控制器43結構的功能框圖。控制器43具有速率算出部431、中央值計算部432、平滑化處理部433和輸出部434。

典型的結構是，控制器43可利用CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等計算機所使用的硬件結構要素和必要的軟件來實現。也可以替代CPU或者在具有CUP基礎上，使用FPGA(Field Programmable Gate Array)等PLD(Programmable Logic Device)或者DSP(Digital Signal Processor)等。

速率算出部431構成為：根據在測量電路42中測量出的諧振器20的振蕩頻率，算出每單位時間的速率換算值。速率算出部431例如利用上述公式(1)來算出速率換算值。

中央值計算部432作為“第1濾波部”來構成，該第1濾波部從速率算出部431所輸出的速率換算值中去除異常值。即，中央值計算部432按時序每次獲取規定樣本數的、從速率算出部呈階躍狀輸出(逐步輸出)的(每單位時間的)速率換算值，輸出將獲取到的有限數量的樣本數據按由小到大的順序排列時的位于中央的數據(速率換算值)。樣本數沒有特別限定，例如可在不會妨礙對蒸鍍源的反饋控制的范圍內任意設定。

參照圖7和圖8對中央值計算部432中的中央值算出方法進行說明。

圖7中A、B是用于說明樣本數為奇數個時的中央值算出方法的圖。在此，為了易于理解，設樣本數為5個。按時序獲取到的數據為圖7中A所示的值時，將這些值如圖7中B所示那樣按值由小到大的順序排列。此時的中央值為“順位為3”的“4”。

另一方面，圖8中A、B是用于說明樣本數為偶數個時的中央值算出方法的圖。在此，為了易于理解，設樣本數為6個。按時序獲取到的數據為圖8中A所示的值時，將這些值如圖8中B所示那樣按值由小到大的順序排列。此時的中央值為“順位為3”的“3”和“順位為4”的“4”這二者的算術平均值“3.5”。

平滑化處理部433作為“第2濾波部”來構成，該第2濾波部將中央值計算部432所輸出的速率換算值(中央值)平滑化。平滑化處理部433的典型結構為：由移動平均濾波器(求取移動平均值的濾波器)或一階低通濾波器構成。移動平均包括單純移動平均和加權移動平均等。樣本數沒有特別限定，例如可在不會妨礙對蒸鍍源的反饋控制的范圍內任意設定。

輸出部434根據在平滑化處理部433中被平滑化后的速率換算值，來生成并輸出后續處理所需的信號。上述信號包括顯示信號、存儲信號和控制信號等，其中，顯示信號被作為成膜速率信息或膜厚信息輸出給未圖示的監視器；存儲信號用于使相應的各信息存儲于規定存儲介質；控制信號被向電源單元18輸出，用于控制對蒸鍍源12的蒸鍍材料的加熱溫度。

圖9是表示控制器43的處理步驟的流程圖。

控制器43首先獲取在測量電路42中測量出的諧振器20的振蕩頻率，在速率算出部431中算出每單位時間的速率換算值(步驟201)。控制器43在中央值計算部432中，通過從速率算出部431所輸出的速率換算值中提取出中央值，來去除異常值(步驟202)。接著，控制器43在平滑化處理部433中，對中央值計算部432所輸出的速率換算值進行平滑化處理(步驟203)。然后，控制器43在輸出部434中，根據被平滑化后的速率換算值來生成上述規定信號，向對應的設備(監視器、存儲裝置、蒸鍍源12等)輸出。

本實施方式所涉及的濾波器具有從速率算出部431所輸出的速率換算值中去除異常值的中央值計算部432，因此，能夠根據將異常值除外后的速率換算值來實施平滑處理部433的平滑化處理。由此，能夠抑制原因在于異常值的成膜速率測量精度的降低。另外，在根據所測量出的速率對蒸鍍源12進行反饋控制時，能夠抑制原因在于異常值的對蒸鍍源12的過剩反饋控制。

另外，在本實施方式中，在速率換算值的平滑化處理之前從速率換算值中去除異常值，因此，能夠使平滑化處理的計算中不包括異常值。因此，能夠得到不受異常值影響的速率信息或膜厚信息。

利用本實施方式的濾波器對圖3所示的包括異常值的測量值實際數據進行處理后得到的數據在圖10中示出。

另外，在本實施方式中，在中央值計算部432中將異常值除外，因此，能夠縮短平滑化處理部433中的計算時間，從而縮短平滑化處理導致的對蒸鍍源12的反饋控制的延遲時間。

例如，針對階躍響應(step response)而將(a)20個點的移動平均同(b)10個點的中央值計算和10個點的移動平均進行比較時，(a)的情況下發生20個點的延遲，(b)的情況下發生15個點的延遲，以相同點數進行比較，如圖11所示，使用本實施方式的包括中央值計算的濾波器，更能夠縮短延遲時間。

用于中央值計算部432的中央值計算的樣本數和用于平滑化處理部433的移動平均計算的樣本數不限于如上述那樣為相同個數，可適當設定。

例如，如圖11所示，進行中央值計算的情況與進行移動平均計算的情況相比，具有較遲開始上升但上升速度較高的特性。另外，在蒸鍍材料為鋁等升華特性高的材料的情況下，由于速率的穩定性較高，因此即使濾波時間設定得較長一般也不會有太大問題。從這種觀點出發，也可以使中央值計算的點數多于移動平均計算的點數，以實現速率測量精度的提高。

圖12～圖14是說明本實施方式所涉及的包括中央值計算和移動平均計算的濾波器與比較例所涉及的僅包括移動平均計算的濾波器之間的不同的另一實驗結果。在圖12中示出根據諧振器(膜厚傳感器)的諧振頻率的變化而算出的成膜速率的實際數據，在圖13中示出使用比較例所涉及的濾波器對該實際數據進行處理時的測量數據，而且在圖14中示出使用本實施方式所涉及的濾波器對該實際數據進行處理時的測量數據。

比較例中移動平均計算的點數為40個，本實施方式中中央值計算和移動平均計算的點數分別為20個。

采用本實施方式，與比較例相比，能夠將測量開始時的速率偏差控制在較小。另外，采用本實施方式，能夠使速率的變動幅度較小，并且，能夠使速率瞬間較大變動時的變動時間較短。因此，采用本實施方式，與比較例相比，成膜速率的測量精度提高，能夠實現對蒸鍍源12的穩定的反饋控制。

<第2實施方式>

圖15是表示本發明的另一實施方式中的控制器43的處理步驟的流程圖。

下面，主要對與第1實施方式不同的結構進行說明，對與上述實施方式相同的結構標注相同的標記，并省略或簡化其說明。

本實施方式的控制器43構成為：在對速率算出部431所輸出的速率換算值執行中央值計算之前，使該速率換算值平滑化(步驟301～303)。據此，即使在速率算出部431所輸出的速率換算值有較大變動的情況下，由于能夠使要輸入中央值計算部432的該速率換算值平滑化，因此也能夠抑制測量精度的降低。

此外，中央值計算部432所輸出的速率換算值與上述同樣，在平滑化處理部433中被進行平滑化處理，所得到的測量數據通過輸出部434向外部設備輸出(圖6，步驟304、305)。

在這種情況下，控制器43還具有作為“第3濾波部”的平滑化處理部，該平滑化處理部將速率算出部431所輸出的速率換算值平滑化后向中央值計算器432輸出。該平滑化處理部可以采用與作為“第2濾波部”的平滑化處理部433相同的結構，也可以采用與其不同的結構。

作為“第3濾波部”的平滑化處理部沒有特別限定，只要是具有平滑化功能的濾波器即可，其典型結構為：由與第2濾波部同樣的移動平均濾波器或一階低通濾波器構成。樣本數沒有特別限定，例如可在不會妨礙對蒸鍍源的反饋控制的范圍內任意設定。

例如，上述第3濾波部中的平滑化處理所使用的樣本數設定在中央值計算所使用的樣本數的1/2倍以下。據此，能夠抑制延遲時間的增加，且能夠確保高精度的速率測量。

上面對本技術的實施方式進行了說明，但本技術并不限定于上述實施方式，當然可以進行各種變更。

例如，在上面的實施方式中，采用了中央值計算和移動平均計算至少執行1次的結構，但也可以重復執行2次以上。具體而言，對進行了中央值計算和移動平均計算后的速率換算值，再執行中央值計算和移動平均計算。

另外，在上面的實施方式中，以真空蒸鍍裝置為例來對成膜裝置進行了說明，但并不局限于此，濺射裝置等其他成膜裝置也可適用本發明。在濺射裝置中適用本發明的情況下，蒸鍍源由包括靶的濺射陰極構成。

附圖標記說明

10：成膜裝置；11：真空腔；12：蒸鍍源；14：膜厚傳感器；17：測量單元；18：電源單元；20：諧振器；41：振蕩電路；42：測量電路；43：控制器；431：速率算出部；432：中央值計算部；433：平滑化處理部；434：輸出部；W:基板。

權利要求書(按照條約第19條的修改)

1.一種膜厚控制裝置，其根據設置在具有蒸鍍源的成膜裝置上的諧振器的振蕩頻率來測量成膜速率，且根據所測量出的所述成膜速率來控制所述蒸鍍源，其特征在于，具有：

速率算出部，其根據所述諧振器的振蕩頻率，算出每單位時間的速率換算值；

第1濾波部，其將所述速率算出部所輸出的速率換算值平滑化；

第2濾波部，其從所述第1濾波部所輸出的速率換算值中去除異常值；和

第3濾波部，其將所述第2濾波部所輸出的速率換算值平滑化。

2.根據權利要求1所述的膜厚控制裝置，其特征在于，

所述第1濾波部由移動平均濾波器構成。

3.根據權利要求1或2所述的膜厚控制裝置，其特征在于，

所述第2濾波部由中央值計算濾波器構成。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的膜厚控制裝置，其特征在于，

所述第3濾波部由移動平均濾波器構成。

5.一種膜厚控制方法，根據設置在具有蒸鍍源的成膜裝置上的諧振器的振蕩頻率來測量成膜速率，且根據所測量出的所述成膜速率來控制所述蒸鍍源，其特征在于，

根據所述諧振器的振蕩頻率，算出每單位時間的速率換算值；

將所算出的速率換算值平滑化；

從平滑化后的速率換算值中去除異常值；

再將去除異常值后的速率換算值平滑化。

6.一種成膜裝置，其特征在于，

具有：

真空腔；

蒸鍍源，其配置在所述真空腔的內部；

膜厚傳感器，其配置在所述真空腔的內部，具有以規定的諧振頻率振蕩的諧振器；和

膜厚監視器，其具有速率算出部、第1濾波部、第2濾波部、第3濾波部和輸出部，其中，所述第1濾波部將所述速率算出部所輸出的速率換算值平滑化，所述第2濾波部從所述第1濾波部所輸出的速率換算值中去除異常值，所述第3濾波部將所述第2濾波部所輸出的速率換算值平滑化，所述輸出部根據所述第3濾波部所輸出的速率換算值來生成用于控制所述蒸鍍源的控制信號。