一種半導體鍍膜設備真空腔用管路截斷方法與流程

本發明涉及一種新型管路截斷方法，確切地說是一種半導體鍍膜設備真空腔用管路截斷方法。該方法主要應用于半導體鍍膜設備真空腔容積大小的控制，屬于半導體薄膜沉積應用及制備技術領域。

背景技術：

現有的半導體鍍膜工藝中出現了多種化學源不在反應腔內相遇而是交替通入氣體的飽和反應形式，這種飽和反應在時間上需求較長。為了保證生產效率盡量提高的要求，參考飽和反應的特性同時又要將其它時間降到最低，最直接的方式就是將反應腔及整個真空環境的容積降到最低。因此就產生了需要將設備不參與飽和反應部分的真空環境容積關閉和保護管路的問題。

技術實現要素：

本發明以解決上述問題為目的，主要為解決現有技術中不參與飽和反應的真空環境不能關閉也要占用抽氣時間和腐蝕管路的問題，而提供一種方法簡單，操作方便，有效隔絕真空環境容積和保護管路的方法。

為實現上述目的，本發明采用下述技術方案：一種半導體鍍膜設備真空腔用管路截斷方法，該方法中所涉及的半導體鍍膜設備真空腔的整套真空環境由刻蝕系統通過法蘭與管路連接，管路的兩側在靠近噴淋板和反應腔的一端安裝通止閥，反應腔與抽氣管路連接，抽氣管路同時與真空泵相連，整個系統由真空泵提供真空環境，由兩個通止閥的開關控制真空環境容積的變化和保護管路與刻蝕系統。

本發明的有益效果及特點在于：

方法簡單、操作方便，可實現隔斷部分真空環境容積將抽氣時間最小化，同時還能保護關閉的管路不受反應副產物的腐蝕。使用此方法，可以避免飽和反應時不參與反應的真空環境容積同樣占用抽氣時間的技術問題，通過通止閥的開關實現不同工況下不同的需求。同時也能防止其他反應對管路的腐蝕起到保護管路的作用，適用于多種樣式的設備，且操作簡單，可廣泛應用于半導體鍍膜技術領域。

附圖說明

圖1是本發明的示意圖，也是本發明的具體實施例。

具體實施方式

實施例

參照圖1，一種半導體鍍膜設備真空腔用管路截斷方法，該方法中所涉及半導體鍍膜設備真空腔的整套真空環境由刻蝕系統7通過法蘭與管路6連接，管路6的兩側在靠近噴淋板2和反應腔5的一端安裝通止閥1，反應腔5與抽氣管路3連接，抽氣管路3同時與真空泵4相連，整個系統由真空泵4提供真空環境，由兩個通止閥1的開關控制真空環境容積的變化和保護管路6與刻蝕系統7。

本發明的工作原理：當進行飽和反應時通止閥1關閉，通止閥1以上的管路6和刻蝕系統7的真空環境容積就被通止閥1隔斷，將這部分容積需要的抽氣時間消除以實現抽氣時間最小化的目的，同時被關閉的管路6和刻蝕系統7還能避免被化學反應的副產物腐蝕的傷害。當需要刻蝕內部的副產物時，通止閥1打開即可實現刻蝕副產物的工作。