技術總結
本發明提供一種化學機械研磨方法，包括：啟動步驟，用于使得研磨液設置、研磨壓力設置、研磨墊轉速設置自初始值到達預設值；主研磨步驟，用于基于所述預設值對半導體表面的待研磨材料層進行研磨；清洗步驟，用于在所述主研磨步驟結束后，停止研磨液供應并對半導體襯底和研磨墊的表面進行清洗；還包括：冷卻步驟，利用很低的研磨壓力、較低的研磨墊和晶圓轉速，同時用高壓噴水，用于對清洗步驟后的研磨墊進行冷卻。本發明改善了化學機械研磨后半導體襯底的片間厚度均勻性，減少了返工步驟。
技術研發人員：張澤松;胡海天;李儒興;陶仁峰
受保護的技術使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
文檔號碼：201510491035
技術研發日：2015.08.11
技術公布日：2017.10.17