激光加工槽的檢測方法

激光加工槽的檢測方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及激光加工槽的檢測方法。
【背景技術】
[0002]在對通過Low-k膜(低介電常數(shù)膜)形成器件的晶片進行的分割中，已知下述這樣的加工方法:為了應對Low-k膜的脆弱性和剝離性，通過基于照射激光光線而實現(xiàn)的燒蝕加工，在分割預定線的兩側形成2條對Low-k膜進行分割的加工槽，然后，利用切削刀具對加工槽之間進行分割(例如，參照專利文獻I)。
[0003]專利文獻1:日本特開2005-64231號公報
[0004]在前述的專利文獻I所示的加工方法中，為了防止沿著加工槽進行切削的切削刀具的偏磨損，多數(shù)情況是使在兩側形成有2條的加工槽的外緣之間的間隔形成為超過切削刀具的寬度的間隔。在前述的專利文獻I所示的加工方法中，首先，利用能量密度高的小光斑的激光光線在分割預定線的兩側形成2條加工槽，然后，以將加工槽之間填埋的方式通過切削刀具形成粗槽。可是，在該加工方法中，即使從上方觀察也無法判別覆蓋著細槽的粗槽的邊緣，因此，在加工中無法發(fā)揮進行粗槽的切口檢查(位置偏移修正)的功能，特別是，粗槽的位置偏移可能會對器件產生影響。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種能夠抑制粗槽的位置偏移對器件的影響的激光加工槽的檢測方法。
[0006]為了解決上述技術問題并實現(xiàn)目的，本發(fā)明的激光加工槽的檢測方法是在晶片的加工方法中為了將第I槽和第2槽定位于規(guī)定的位置而檢測該第I槽和該第2槽的位置的檢測方法，在所述晶片的加工方法中，使用激光加工裝置向晶片照射第I激光光線，至少在分割預定線的兩側形成第I槽，然后利用第2激光光線形成槽的邊緣部與該第I槽重疊的第2槽，所述晶片具備:器件區(qū)域，在該器件區(qū)域中，利用層疊在晶片的正面的層疊體在由形成為格子狀的分割預定線劃分出的區(qū)域中形成有器件；和外周剩余區(qū)域，該外周剩余區(qū)域圍繞該器件區(qū)域，所述激光加工裝置包括:卡盤工作臺，其保持晶片；激光光線照射構件，其對保持在該卡盤工作臺上的晶片照射對于該晶片具有吸收性的波長的激光光線，在晶片的正面形成激光加工槽；和攝像構件，其對晶片的正面進行攝像，該激光光線照射構件具備:激光振蕩器；1/2波長板，從該激光振蕩器振蕩出的激光光線入射至該1/2波長板；分支構件，其將通過該1/2波長板后的激光光線分支為第I激光光線和第2激光光線；光束調整構件，其調整該第2激光光線的光束直徑；和聚光透鏡，其使該第I激光光線和通過該光束調整構件后的該第2激光光線會聚，該激光光線照射構件通過該1/2波長板選擇性地照射該第I激光光線和該第2激光光線，所述激光加工槽的檢測方法的特征在于，在檢測該第I槽的位置時，通過第I激光光線在該分割預定線處形成該第I槽，在形成該第2槽之前，利用該攝像構件對該第I槽進行攝像，檢測出該第I槽的位置，在檢測該第2槽的位置時，通過該第2激光光線在晶片的沒有形成該第I槽的該外周剩余區(qū)域的分割預定線處形成該第2槽，并利用該攝像構件對該第2槽進行攝像，檢測出該第2槽的位置，將該第I槽和該第2槽定位于規(guī)定的位置。
[0007]另外，在所述激光加工槽的檢測方法中，優(yōu)選的是，所述激光加工裝置的所述聚光透鏡由使所述第I激光光線會聚的第I聚光透鏡和使所述第2激光光線會聚的第2聚光透鏡構成。
[0008]因此，在本申請發(fā)明的激光加工槽的檢測方法中，通過特別地在晶片的沒有形成器件的外周剩余區(qū)域中形成第2槽，從而能夠進行作為粗槽的第2槽的切口檢查。由于在外周剩余區(qū)域中沒有形成器件，因此，即使發(fā)生了第2槽的位置偏移，也能夠盡可能抑制第2槽的位置偏移對器件產生的影響。另外，由于在外周剩余區(qū)域中形成第2槽，因此無需遍及分割預定線的全長形成第2槽，由此能夠抑制為了實施切口檢查而形成的第2槽的全長。因此，能夠減少切口檢查所花費的時間。
【附圖說明】
[0009]圖1是示出實施實施方式的激光加工槽的檢測方法的激光加工裝置的結構例的立體圖。
[0010]圖2是示出圖1所示的激光加工裝置的攝像構件的圖像的圖。
[0011]圖3是示出圖1所示的激光加工裝置的激光光線照射構件的結構的圖。
[0012]圖4是示出作為圖1所示的激光加工裝置的加工對象的晶片等的立體圖。
[0013]圖5是示出包括實施方式的激光加工槽的檢測方法在內的、使用了激光加工裝置的晶片的加工方法的流程圖。
[0014]圖6是示出實施方式的激光加工槽的檢測方法的第I切口檢查步驟的概要的圖，圖6的(a)是在分割預定線的兩側形成有第I槽的狀態(tài)的晶片的剖視圖，圖6的(b)是示出拍攝圖6的(a)所示的第I槽等所得到的圖像的圖。
[0015]圖7是示出圖5所示的晶片的加工方法的第I槽形成步驟的概要的圖，圖7的(a)是在分割預定線的兩側形成有第I槽的狀態(tài)的晶片的剖視圖，圖7的(b)是示出拍攝圖7的(a)所示的第I槽等所得到的圖像的圖。
[0016]圖8是示出實施方式的激光加工槽的檢測方法的第2切口檢查步驟的一部分的概要的圖，圖8的(a)是在外周剩余區(qū)域的分割預定線處形成有第2槽的狀態(tài)的晶片的剖視圖，圖8的(b)是示出拍攝圖8的(a)所示的第2槽等所得到的圖像的圖。
[0017]圖9是在圖8所示的第2切口檢查步驟中在外周剩余區(qū)域形成有第2槽的晶片的立體圖。
[0018]圖10是示出圖8所示的第2切口檢查步驟的剩余部分的概要的圖，圖10的(a)是在外周剩余區(qū)域的分割預定線處形成有第2槽的狀態(tài)的晶片的剖視圖，圖10(b)是示出拍攝圖10的(a)所示的第2槽等所得到的圖像的圖。
[0019]圖11是示出圖5所示的晶片的加工方法的第2槽形成步驟的概要的剖視圖，圖11的(a)是在分割預定線處形成有第2槽的狀態(tài)的晶片的剖視圖，圖11的(b)是示出拍攝圖11的(a)所示的第I槽等所得到的圖像的圖。
[0020]圖12是示出實施實施方式的變形例的激光加工槽的檢測方法的激光加工裝置的激光光線照射構件的結構的圖。
[0021]標號說明
[0022]1:激光加工裝置；
[0023]10:卡盤工作臺；
[0024]20:激光光線照射構件；
[0025]22:激光振蕩器；
[0026]23:1/2 波長板；
[0027]24:分束鏡(分支構件);
[0028]25:光束調整構件；
[0029]26:聚光透鏡；
[0030]26-1:第I聚光透鏡；
[0031]26-2:第2聚光透鏡；
[0032]30:攝像構件；
[0033]W:晶片；
[0034]M:Low-k 膜(層疊體);
[0035]B:分割預定線；
[0036]D:器件；
[0037]DR:器件區(qū)域；
[0038]GR:外周剩余區(qū)域；
[0039]L:激光光線；
[0040]L1:第I激光光線；
[0041]L2:第2激光光線；
[0042]R:激光加工槽；
[0043]Rl:第 I 槽;
[0044]R2:第 2 槽。
【具體實施方式】
[0045]參照附圖詳細說明用于實施本發(fā)明的方式(實施方式)。本發(fā)明并不受以下實施方式所述的內容限定。另外，在以下所述的構成部件中包括本領域人員能夠容易地想到的構成部件和實質上相同的構成部件。此外，能夠將以下所述的結構適當組合。另外，能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內對其結構進行各種省略、替換和變更。
[0046](實施方式)
[0047]基于附圖對本發(fā)明的實施方式的激光加工槽的檢測方法進行說明。圖1是示出實施實施方式的激光加工槽的檢測方法的激光加工裝置的結構例的立體圖。圖2是示出圖1所示的激光加工裝置的攝像構件的圖像的圖。圖3是示出圖1所示的激光加工裝置的激光光線照射構件的結構的圖。圖4是示出作為圖1所示的激光加工裝置的加工對象的晶片等的立體圖。
[0048]實施方式的激光加工槽的檢測方法(以下，僅記作檢測方法)是利用圖1所示的激光加工裝置I實施的方法(即，使用激光加工裝置I的方法)。激光加工裝置I通過使保持板狀的晶片W的卡盤工作臺10和激光光線照射構件20相對移動，由此對晶片W實施燒蝕加工，從而在晶片W上形成激光加工槽。
[0049]在實施方式中，晶片W是被激光加工裝置I加工的加工對象，在實施方式中，是以硅、藍寶石、鎵等作為基本材料的圓板狀的半導體晶片或光器件晶片。如圖4所示，晶片W具備:器件區(qū)域DR，在該器件區(qū)域DR中，利用層疊在正面的Low-k膜M(在圖6等中示出，相當于層疊體)，在由形成為格子狀的多個分割預定線B劃分出的區(qū)域中形成器件D ;和外周剩余區(qū)域GR，該外周剩余區(qū)域GR圍繞器件區(qū)域DR。并且，圖4中的比點劃線靠內側的區(qū)域是器件區(qū)域DR，比點劃線靠外側的區(qū)域是外周剩余區(qū)域GR。在圖4中，為了便于說明，以點劃線示出了器件區(qū)域DR和外周剩余區(qū)域GR的邊界。
[0050]Lowk膜M是在晶片W的正面上層疊S1F、BSG(S1B)等無機物類的膜或聚先亞胺系、聚對亞苯基二甲基系等聚合物膜即有