de ,聚氯乙締）、PC(Polyca;rbonate ,聚碳酸醋）或者PMMA (Polymethyl Methacrylate,聚甲基丙締酸甲醋）等樹脂材料，也可W為UV(Ultraviolet Rays)膠、0CA(0ptically Clear A化esive)等光固化膠或熱固化膠。
[0054] 本體101為一層聚合物層，其中的聚合物可W均勻分布，也可W不均勻分布。聚焦 結構201可W直接在本體101所在聚合物層的一表面上形成，如圖1所示，此時聚焦結構201 和本體101之間沒有分界面，即聚焦結構201和本體101成一體結構。聚焦結構201也可W形 成于不同于本體101的聚合物層，即聚焦結構201可W在涂布于本體一表面上的一聚合物層 中形成。此時，聚焦結構201和本體101之間有分界面，如圖2所示。此外，如圖3所示，聚焦結 構201和本體101之間還可W形成有間隔結構100, W對聚焦結構201和本體101進行承載。
[0055] 制成聚焦結構201的聚合物與制成本體101的聚合物可W相同，也可W不同。在制 成聚焦結構201的聚合物與制成本體101的聚合物不同時，例如本體101由第一聚合物制成， 聚焦結構201由第二聚合物制成，運兩種聚合物之間的相鄰部位（即接觸部位)形成有融合 部302(如圖4所示）。因此，聚焦結構201和本體101可W視為一體結構，在聚焦結構201和本 體101之間不會存在分界面，或者成像薄膜的截面上聚焦結構201和本體結構101之間不存 在明顯的層與層的分界線或者所呈現的分界線為規則整齊的分界線。所述融合部可W是運 兩種聚合物按照預設比例融合形成的區域。所述預設比例可W是N:M，其中N和Μ分別為聚焦 結構201和本體101的相鄰部位交接處運兩種聚合物的含量，其取值均可W為0~100%，但 不包括0和100%。需要說明的是，本體中第一聚合物的含量為100%;聚焦結構201中第二聚 合物的含量為100%。所述第二聚合物和所述第一聚合物之間的折射率之差小于0.5。
[0056] 聚焦結構201可W用于對圖文結構進行成像，可W包括一個或多個聚焦單元。所述 聚焦單元可W是微透鏡，也可W是菲涅爾透鏡。所述多個聚焦單元之間可W不存在間隙（如 圖1所示），W便于減小所述成像薄膜的整體體積。所述多個聚焦單元之間也可W存在間隙 (如圖5所示），W便于在切割所述成像薄膜時可W保證所切割聚焦單元的完整性，從而可W 保證聚焦單元的后續成像效果。在一實施例中，相鄰聚焦單元之間的間距可W為1微米~ 200微米。
[0057] 聚焦結構201可W形成于本體101的一表面，具體的可W是聚焦結構201中的聚焦 單元形成于本體101的一表面。
[0058] 圖文結構301可W包括一個或多個相同或不同的圖文單元，所述圖文單元可W為 圖案或微圖案（即微米級別的圖案），例如圖形、文字、數字、網格、風景畫、商標和/或logo等 易于辨別形狀的圖案。如圖6所示，圖文結構301為"笑臉"圖案。所述不同的圖文單元可W是 (微）圖案的大小不同；也可W是(微）圖案的形狀不同；還可W是(微）圖案的構成不同，例如 第一個(微)圖案是公司名稱，第二個(微)圖案是公司Logo。
[0059] 圖文結構301可W通過蒸鍛、瓣射、絲網印刷、轉印、凸印、凹印、溝槽填充等方式形 成于本體101的內部。下面W溝槽填充運種方式為例來說明在本體內形成圖文結構的過程。 首先，可W通過在用于形成本體的聚合物的第一部分的一側形成容納結構，然后在所述容 納結構中按照預設樣式填入填充物形成圖文結構，再在所述聚合物的第一部分中所述圖文 結構所在側涂布所述聚合物的第二部分，對所述聚合物的第二部分進行固化，得到本體。所 述本體由所述聚合物的第一部分和第二部分構成。所形成的圖文結構位于本體的內部，并 且由于圖文結構四周是同種聚合物，因此圖文結構所在表面會因聚合物融合而消失，在本 體內部不會形成分界面。此外，由于所述圖文結構完全位于所述本體內部，因而所述本體可 W對所述圖文結構起到保護作用。
[0060] 所述填充物可W為與所述聚合物對光存在折射率差異的材料，包括著色材料、染 色材料、金屬材料或導電材料等，例如導電油墨。需要說明的是，所述填充物的顏色可W與 所述聚合物的顏色有所不同，W便于人們在觀察圖文結構的成像時，可W明顯的分辨出圖 文結構中的圖案。
[0061] 所述預設樣式可W是指所形成的圖文結構的形狀。例如，所述圖文結構的截面圖 可W為長方形、Ξ角形、梯形或者其它多邊形等。
[0062] 圖文結構301可W與聚焦結構201相適配，可W是指圖文結構301可W通過聚焦結 構201成像，運可W理解為是所述圖文單元通過對應的聚焦單元成像。
[0063] 圖文結構301可W與聚焦結構201相適配，具體的可W包括圖文結構301與聚焦結 構201的所在位置相匹配，例如圖文結構301中的微圖案與聚焦結構201中的聚焦單元(例 如，微透鏡)正對設置，W提高聚合物材料的利用率。圖文結構301與聚焦結構201相適配也 可W包括聚焦結構201中的聚焦單元與圖文結構301中的圖文單元一一對應設置，運有利于 在切割成像薄膜時，可W保證所切割成的每個成像薄膜單元中至少含有一個完整的聚焦單 元W及圖文單元。
[0064] 圖文結構301可W位于聚焦結構201的焦平面附近，其可W通過聚焦結構201進行 成像，在聚焦結構201中與圖文結構301相對的一側可W觀察到圖文結構301的放大圖像。具 體的，可W是圖文結構301中的每個微圖案位于聚焦結構201中對應的焦平面附近，每個微 圖案均可W通過對應的聚焦單元進行成像，在每個聚焦單元的另一側可W觀察到對應微圖 案的放大圖像。所述焦平面可W表示過聚焦單元的焦點且垂直于聚焦單元主光軸的平面。
[0065] 聚焦結構201的頂部與圖文結構301的頂部之間的距離可W為2微米~150微米。在 聚焦結構和圖文結構之間的距離很小時，可W理解為圖文結構嵌設在微透鏡結構中。聚焦 結構和圖文結構之間的距離越小，則成像薄膜的厚度越薄，運不僅可W節約成本，在燙印時 更易于切斷。
[0066] 通過上述描述可W看出，本申請實施例通過將圖文結構設置于本體的內部，從而 實現了減小成像薄膜厚度的目的。并且，由于本體可W完全覆蓋圖文結構，因此不再需要設 置額外的保護層。此外，本申請實施例中的成像薄膜沒有機械性能良好的基底，運使得該成 像薄膜在燙印時可W易于切斷。
[0067] 本申請實施例中的成像薄膜厚度薄，其厚度可W達到幾十微米W下，甚至可W達 到幾微米，而且易于切斷，因此該成像薄膜容易轉印，并且還可W減輕重量W及節約成本。
[0068] 在另一實施例中，所述成像薄膜還包括反射結構401，其設置于聚焦結構201中遠 離圖文結構301的外表面上，如圖7所示。反射結構401用于對圖文結構301通過聚焦結構201 反射回的光線進行再次反射，運使得用戶可W在圖文結構301所在側觀察到其成像。
[0069] 反射結構401可W為透明材質、不透明材質或者半透明材質。反射結構401的厚度 可W為0.02微米~5微米。反射結構401可W通過磁控瓣射、蒸鍛、噴墨打印等方式形成。
[0070] 在聚焦結構表面設有反射結構，運使得在實際應用中可W將成像薄膜的圖文結構 所在側與實際應用產品相貼合，從圖文結構所在側觀察圖文結構的成像，運可W避免從聚 焦結構所在側觀察圖文結構的成像而因聚焦結構所在側凹凸不平所帶來的影響用戶體驗 效果的問題，因而有利于提高用戶的體驗感受。
[0071] 在另一實施例中，在聚焦結構的外表面可W設有保護結構，W將其與外界隔離，可 W避免遭受外界環境的影響，從而不會影響成像薄膜的成像效果。
[0072] 本申請實施例還提供了另一種成像薄膜，如圖8所示。該成像薄膜包括由一種聚合 物制成的本體901。本體的一表面上形成有聚焦結構902,本體901的內部形成有圖文結構 903,圖文結構903可W通過聚焦結構902成像。
[0073] 聚焦結構902可W包括至少兩個呈不對稱排布的聚焦單元。圖文結構903包括至少 兩個圖文單元，所述圖文單元可W包括具有接通和/或斷開狀態的點陣;所述圖文單元也可 W為通過蒸鍛、瓣射、絲網印刷、轉印、凸印、凹印、溝槽填充等方式形成的圖案。接通或斷開 不同的點陣可W形成不同的圖文或微圖文。所述（微）圖文可W是單通道圖案或多通道圖 案。所述點陣可W為像素點，也可W為單個或多個發光源。其中，像素點可W是從LCM顯示 屏、0LED(0rganic Li曲t-血itting Diode，有機發光二極管）或者是〇^0化;[曲1：-血;[1:1:;[]1邑 Diode,發光二極管)顯示屏中獲取的，也可W是從帶有像素的其他顯示裝置中獲取的。所述 單個或多個發光源可W為LED。運里的L抓顯示屏為使用L抓的背光光源。L抓可W是單個的 二極管，例如一些燈箱顯示裝置。所W無論是像素點，或者是單個或多個發光源，它們組成 的圖文單元都是由離散點組成的。不同離散點的組合可W形成不同的圖文。多個圖文單元 之間可W具有共同的點陣，例如第一圖文單元包括處于接通狀態的第一點陣和處于斷開狀 態的第二點陣，第二圖文單元包括處于接通狀態的第二點陣，則第一圖文單元和第二圖文 單元具有共同的第二點陣。
[0074] 所述圖文單元的位置坐標可W與所述聚焦單元的位置坐標可W相適配，W使所有 處于接通狀態的點陣通過所述聚焦單元形成至少一個懸浮影像，即W使所述圖文單元通過 所述聚焦單元形成至少一個懸浮影像。所述相適配可W為圖文單元的位置坐標可W與聚焦 單元的位置坐標成對應關系，即圖文單元的位置坐標可W由聚焦單元的位置坐標經過預設 變換來獲得。所述預設變換可W包括坐標縮放變換或坐標旋轉變換，或者它們的組合，但并 不限于上述變換。
[0075] 例如，可