Tft及制作方法、陣列基板、顯示面板及驅動方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT及制作方法、陣列基板、顯示面板及驅動方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前，顯示裝置越來越多地被應用于人們的工作、學習和娛樂中，用戶在不同的場景下使用顯示裝置時，不同場景下的顯示裝置周圍的環境光的強度往往不同，為了能夠調整顯示裝置的顯示畫面的亮度，顯示裝置中往往需要安裝環境光傳感器，通過環境光傳感器來獲取環境光的亮度信息，并將亮度信息提供給顯示裝置的處理模塊，由處理模塊來根據獲取到的環境光的亮度信息來調節顯示裝置的顯示畫面的亮度。
[0003]但是，由于顯示裝置中必須安裝環境光傳感器，且需要為環境光傳感器提供工作電能，使得顯示裝置整體的功耗較大。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在于提供一種TFT及制作方法、陣列基板、顯示面板及驅動方法、顯示裝置，用于減小顯示裝置整體的功耗。
[0005]為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案:
[0006]第一方面，本發明提供了一種薄膜晶體管TFT，包括襯底基板，在襯底基板上依次層疊設有第一柵極、底層柵極介電層和絕緣層，在所述絕緣層上設有源極和漏極，在所述源極、所述漏極和所述絕緣層上依次層疊設有頂層柵極介電層、第二柵極和鈍化層;所述第一柵極或所述第二柵極為光敏材料柵極。
[0007]第二方面，本發明提供了一種TFT的制作方法，包括:
[0008]在襯底基板上形成第一柵極層，通過構圖工藝在所述第一柵極層形成包括第一柵極的圖形；
[0009]在所述襯底基板和所述第一柵極上依次形成底層柵極介電層和絕緣層；
[0010]在所述絕緣層上形成源/漏極層，通過構圖工藝在所述源/漏極層形成包括源極和漏極的圖形；
[0011]在所述絕緣層、所述源極和所述漏極上形成頂層柵極介電層；
[0012]在所述頂層柵極介電層上形成第二柵極層，通過構圖工藝在所述第二柵極層形成包括第二柵極的圖形，其中，所述第一柵極層或所述第二柵極層為光敏材料層；
[0013]在所述頂層柵極介電層和所述第二柵極上形成鈍化層。
[0014]第三方面，本發明提供了一種陣列基板，包括第一方面所述的TFT。
[0015]第四方面，本發明提供了一種顯示面板，包括第一方面所述的TFT。
[0016 ]第五方面，本發明提供了一種顯示面板的驅動方法，包括:
[0017]接收環境光和第一輸出信號，根據所述環境光的光照強度和所述第一輸出信號，控制薄膜晶體管TFT調整通過所述TFT的電流信號；
[0018]或者，接收環境光和電壓控制模塊的第二輸出信號，根據所述環境光和所述第二輸出信號，控制TFT調整通過所述TFT的電流信號；
[0019]根據通過所述TFT的電流信號，控制電壓控制模塊調整輸出到TFT的第二輸出信號。
[0020]第六方面，本發明提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第四方面中所述的顯示面板。
[0021]本發明提供的TFT及制作方法、陣列基板、顯示面板及驅動方法、顯示裝置中，TFT包括第一柵極和第二柵極，其中，第一柵極或第二柵極為光敏材料柵極，與在顯示裝置中設置環境光傳感器的現有技術相比，本發明中TFT中的光敏材料柵極接收到環境光時，根據環境光的強度，控制TFT的打開程度，從而改變通過TFT的源、漏極的電流的大小，從而調節設置有TFT的顯示裝置的顯示畫面的亮度，不需要在顯示裝置中安裝環境光傳感器，省去了為環境光傳感器提供的工作電能，從而減小了顯示裝置的功耗。
【附圖說明】
[0022]此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0023]圖1為本發明實施例中TFT的結構示意圖之一；
[0024]圖2為本發明實施例中光敏材料柵極接收到的光的照度與通過TFT源、漏極的電流的關系不意圖；
[0025]圖3為本發明實施例中TFT的結構示意圖之二；
[0026]圖4為本發明實施例中TFT的制作方法的流程圖；
[0027]圖5為本發明實施例中顯示面板中測試區的結構示意圖之一；
[0028]圖6為本發明實施例中顯示面板中測試區的結構示意圖之二；
[0029]圖7為非光敏材料柵極接收到的輸出信號的電壓與通過TFT的源、漏極的電流的關系不意圖；
[0030]圖8為本發明實施例中電源管理單元的結構示意圖；
[0031]圖9為本發明實施例中顯示面板的驅動方法的流程圖之一；
[0032]圖10為本發明實施例中顯示面板的驅動方法的流程圖之二；
[0033]圖11為本發明實施例中顯示面板的驅動方法的流程圖之三；
[0034]圖12為本發明實施例中顯示面板的驅動方法的流程圖之四。
[0035]附圖標記:
[0036]I O-襯底基板，11-第一柵極，
[0037]12-底層柵極介電層，13-絕緣層，
[0038]14-源極和漏極，15-頂層柵極介電層，
[0039]16-第二柵極，17-鈍化層，
[0040]20-TFT，21-電壓控制模塊，
[0041 ] 211-電流/電壓轉換單元，212-處理單元，
[0042]213-電源管理單元。
【具體實施方式】
[0043]為了進一步說明本發明實施例提供的TFT及制作方法、陣列基板、顯示面板及驅動方法、顯示裝置，下面結合說明書附圖進行詳細描述。
[0044]請參閱圖1，本發明實施例提供的TFT(Thin Film Transistor，TFT)包括襯底基板10，在襯底基板10上依次層疊設有第一柵極11、底層柵極介電層12和絕緣層13，在絕緣層13上設有源極和漏極14，在源極、漏極14和絕緣層13上依次層疊設有頂層柵極介電層15、第二柵極16和鈍化層17;也就是說，本發明實施例中的TFT為雙柵結構，其中，第一柵極11或第二柵極16為光敏材料柵極，也就是說，第一柵極11和第二柵極16中有一個是光敏材料柵極，另一個為非光敏材料柵極。具體的，如果要求光敏材料柵極對可見光反應靈敏，則制作光敏材料柵極的光敏材料可以為Se、S1、BiS和/或Ge等材料;如果要求光敏材料柵極對紅外光反應靈敏，則制作光敏材料柵極的光敏材料可以為Pb和/或PbSe等材料;如果要求光敏材料柵極對紫外光反應靈敏，則制作光敏材料柵極的光敏材料可以為ZnO、ZnS和/或CdS等材料。本發明實施例中的TFT相當于具有光敏特性的TFT與不具有光敏特性的TFT并聯。光敏材料柵極由光敏材料制成，當有光照射到TFT中的光敏材料柵極上時，TFT開啟，且光照越強，TFT打開程度越大，通過源極和漏極的電流就越大。當設置有本發明實施例中的TFT的顯示裝置周圍的環境光的強度發生變化時，即照射到TFT的光敏材料柵極的光的強度發生變化時，TFT的打開程度也發生變化，通過TFT的源、漏極14的電流也發生變化，從而使得顯示裝置的亮度發生改變，顯示裝置周圍的環境光的強度越大，TFT打開程度越大，通過TFT的源、漏極14的電流也越大，顯示裝置的亮度也越大。
[0045]圖2為光敏材料柵極接收到的環境光的強度與通過TFT的源、漏極14的電流的關系示意圖，其中Ids為通過TFT的源、漏極14的電流，L為TFT中光敏材料柵極接收到的環境光的照度，用來表示環境光的強度，如圖2所示，環境光的強度越大，通過TFT的源、漏極14的電流就越大，即TFT的打開程度就越大。
[0046]本發明提供的TFT包括第一柵極11和第二柵極16，其中，第一柵極11或第二柵極16為光敏材料柵極，與在顯示裝置中設置環境光傳感器的現有技術相比，本發明中TFT中的光敏材料柵極接收到環境光時，根據環境光的強度，控制TFT的打開程度，從而改變通過TFT的源、漏極14的電流的大小，從而調節設置有TFT的顯示裝置的顯示畫面的亮度，不需要在顯示裝置中安裝環境光傳感器，省去了為環境光傳感器提供的工作電能，從而減小了顯示裝置的功耗。
[0047]具體的，襯底基板10可以為玻璃基板，絕緣層13可以為非晶硅層，絕緣層13采用非晶硅制作，使得絕緣層的制作過程與現有的TFT制作過程相合性最高。為了保證光敏材料柵極能夠接收到環境光，當第二柵極16為光敏材料柵極，第一柵極11為非光敏材料柵極時，位于第二柵極16上方的鈍化層17為透明材料層，具體的，鈍化層17可以為表面平整的透明材料層，也可以為如圖3所示的凸面透明材料層，從而將環境光聚集至光敏材料柵極，使光敏材料柵極能夠更準確的獲取到環境光的光照強度；當第一柵極11為光敏材料柵極，第二柵極16為非光敏材料柵極時，第一柵極11上方的各層也為透明材料層，或者部分為透明材料層，只要能夠使光敏材料柵極接收到環境光線的結構均屬于本發明的保護范圍。
[0048]請參閱圖4，本發明還提供了一種上述實施例中的TFT的制作方法，具體包括:
[0049]步驟301，在襯底基板上形成第一柵極層，通過構圖工藝在第一柵極層形成包括第