該柵極絕緣膜104是基于TE0S(四 乙氧基硅烷）的Si〇2膜。該膜也通過CVD形成。在該膜之上形成有柵電極105。柵電極 105兼作為掃描線。柵電極105利用例如Mow(鋼、鶴）膜形成。在需要減小柵電極105或 掃描線10的電阻時，使用A1合金。
[0037] 柵電極105通過光刻法而形成圖案。在該圖案形成時，通過離子注入在poly-Si 層滲雜憐或棚等雜質，由此在poly-Si層形成源極S或漏極D。此外，利用柵電極105的圖 案形成時的光致抗蝕劑，在poly-Si層的溝道層和源極S或漏極D之間形成LDD(Li曲tly Doped化ain，輕滲雜漏）層。
[0038] 然后，W覆蓋柵電極105的方式利用Si〇2形成第一層間絕緣膜106。第一層間絕緣 膜106用于將柵電極105與接觸電極107絕緣。在第一層間絕緣膜106及柵極絕緣膜104 形成有用于將半導體層103的源極部S與接觸電極107連接的通孔120。同時實施用于在 第一層間絕緣膜106和柵極絕緣膜104形成通孔120的光刻法。
[0039] 在第一層間絕緣膜106之上形成有接觸電極107。接觸電極107經由通孔130與 像素電極112連接。TFT的漏極D在未圖示的部分經由通孔與視頻信號線連接。 W40] 在同一層中同時形成接觸電極107及視頻信號線。為了減小電阻，接觸電極107 及視頻信號線（下文中W接觸電極107為代表）使用例如AlSi合金。但是，AlSi合金會 產生小丘化illock)、或A1擴散至其他層。因此，例如，采取了利用未圖示的Mow材料的阻 擋層及覆蓋層將AlSi夾在中間的結構。
[0041] 接觸電極107和TFT被無機純化膜（絕緣膜）108被覆并保護。無機純化膜108 與第1基底膜101同樣地通過CVD形成的。作為無機純化膜108,可使用例如氮化娃、氧化 娃。此外，W覆蓋無機純化膜108的方式形成有機純化膜109。有機純化膜109是由感光性 的丙締酸樹脂形成的。有機純化膜109除了可使用丙締酸樹脂形成W外，也可W使用有機 娃樹脂、環氧樹脂、聚酷亞胺樹脂等形成。由于有機純化膜109具有作為平坦化膜的作用， 所W較厚地形成。有機純化膜109的膜厚為1~4μm，但多數情況為2μm左右。
[0042] 為了獲取像素電極110與接觸電極107的導通，在無機純化膜108及有機純化膜 109上形成有通孔130。有機純化膜109使用了感光性樹脂。涂布感光性樹脂后，若將該樹 脂曝光，則僅光照射的部分溶解于特定的顯影液。目P，通過使用感光性樹脂，可W省略光致 抗蝕劑的形成。在有機純化膜109上形成通孔130后，于230°C左右對有機純化膜進行燒 審IJ，由此完成有機純化膜109。
[0043] 然后，通過瓣射形成作為公共電極110的口0(lndiumTin化ide，氧化銅錫），W 從通孔130及其周邊除去IT0的方式形成圖案。公共電極110可各像素共用的方式形 成為平面狀。然后，通過CVD在整個面上形成作為第2層間絕緣膜111的SiN。然后，在通 孔130內，在第2層間絕緣膜111及無機純化膜108上形成用于獲取將接觸電極107與像 素電極112導通的通孔。然后，通過瓣射形成IT0,形成圖案從而形成像素電極112。
[0044] 通過柔版印刷或噴射等將取向膜材料涂布在像素電極112之上，進行燒制從而形 成取向膜113。本發明中，由于對取向膜進行偏振紫外線處理，所W使用適于光取向的取向 膜材料。光取向的方法也存在多種。所謂的光二聚化型的光取向膜的情況下，Wl〇〇mJ/cm2 的強度照射包含波長313nm的偏振紫外線從而進行取向處理。所謂的光異構化型的光取向 膜的情況下，W200mJ/cm2的強度照射包含波長365nm的偏振紫外線從而進行取向處理。此 夕F，所謂的光分解型的光取向膜的情況下，Wl〇〇〇mJ/cm2的強度照射包含波長254皿的偏 振紫外線從而進行取向處理。 W45] 圖2是表示光分解型的光取向膜的形成的流程圖。圖2中，將取向膜涂布在TFT基板上，干燥，進行流平（leveling)。通過該流平工序使取向膜平坦。然后，W200°CW上 的高溫進行加熱從而將取向膜酷亞胺化。然后，照射偏振紫外線從而對取向膜賦予單軸各 向異性。然后，再在高溫下進行加熱，使殘存的單體、低聚物蒸發。本發明中，如下文所述， 作為取向膜材料，使用進行光取向處理的第1材料和未進行光取向處理的第2材料，但光取 向處理與上文中說明過的相同。
[0046] 回到圖1，在像素電極112與公共電極110之間施加電壓時，產生圖1所示的電力 線。利用該電場使液晶分子301旋轉，按像素控制通過液晶層300的光的量，由此形成圖像。
[0047] 圖1中，W夾持液晶層300的方式配置對置基板200。在對置基板200的內側形成 有彩色濾光片201。彩色濾光片201按像素形成紅、綠、藍的彩色濾光片，由此形成彩色圖 像。在彩色濾光片201與彩色濾光片201之間形成遮光膜202,從而提高了圖像的對比度。 作為遮光膜202的形狀，沒有特別限定，但優選為矩陣形狀。
[0048] W覆蓋彩色濾光片201及遮光膜202的方式形成有保護膜203。由于彩色濾光片 201及遮光膜202的表面呈現凹凸，所W通過保護膜203使表面平坦。在保護膜之上形成有 用于確定液晶的初始取向的取向膜113。取向膜113的取向處理與圖2中說明過的TFT基 板100側的取向膜113同樣。 W例需要說明的是，W上結構是例子，例如，根據品種不同也存在未形成TFT基板100 中的無機純化膜108的情形。此外，通孔130的形成工藝也存在根據品種而不同的情形。
[0050] 接受了光取向處理的取向膜的情況下，與摩擦方法的情況不同，紫外線透過的范 圍的取向膜接受取向處理。結果，在例如光分解型的情況下，由于紫外線使得取向膜分解， 所W膜強度變弱。由于膜強度變弱，導致產生液晶的初始取向變得不穩定的現象（例如，產 生殘像現象等）。
[0051] 為了防止上述現象產生，本申請的發明采用：接受光取向處理的第1膜和不接受 光取向處理的第2膜的雙層結構。由此，同時實現了液晶取向性和膜強度。運樣的雙層結 構的取向膜通過例如將（化1)所示的聚酷胺酸醋和（化2)所示的聚酷胺酸的混合物作為 取向膜材料進行涂布來形成。
[0052]
[0053] 化學式（1)中，Ri各自獨立地為碳原子數1~8的烷基，R2各自獨立地為氨原子、 氣原子、氯原子、漠原子、苯基、碳原子數1~6的烷基、碳原子數1~6的烷氧基、締控基 (-(CH2)m-CH=CH2，m= 0、1J)或烘基（-(CH2)m-C三CH，m= 0、l、2)，Ar為芳香族化合物。
[0054]
陽化5] 化學式（2)中，Rz各自獨立地為氨原子、氣原子、氯原子、漠原子、苯基、碳原子數 1~6的烷基、碳原子數1~6的烷氧基、締控基（-(CH2)m-CH=邸2,m= 0、1J)或烘基 (-(邸2)m-C三CH，m= 0、1、2)，Ar為芳香族化合物。
[0056] 化學式（2)與化學式（1)不同，不具有環下燒骨架。由于化學式（2)不含環下燒， 所W不容易受到紫外線的影響。此外，化學式（1)和化學式（2)的不同點在于，在化學式 (2)中，將表示聚酷胺酸醋的化學式（1)中的Ri取代為H。
[0057] 涂布混合有（化1)和（化2)的取向膜材料時，發生分層，W聚酷胺酸醋為前體的 進行光取向處理的第1材料集中在上側（液晶側），W聚酷胺酸為前體的不進行光取向處理 的第2材料集中在下側。
[0058] 也就是說，雖說是分層，但可知并不是上取向膜和下取向膜W某一邊界為界清楚 地分離。目P，可知存在像上側的光取向的成分從下側慢慢增加那樣的成分分布。優選最外 表面被光取向的成分完全覆蓋那樣的分布，但未經光取向的下側的取向膜成分W-定比例 分布在距離最外表面數nm的下側。也就是說，與液晶接觸的一側的第1膜、及存在于第2 基板側的第2膜并非W明確地分離的膜的形式存在。
[0059]需要說明的是，（化2)表示的聚酷胺酸是例子，可W與聚酷胺酸醋形成混合物，只 要是在涂布該混合物后、與聚酷胺酸醋分層且是配置于下層的材料即可，也可W是具有其 他結構的聚酷胺酸。
[0060] 但是，近來，對于液晶顯示裝置，實施了通過在靜止畫面顯示等中進行低頻驅動 (例如20曲ZW下的頻率）或間歇驅動來減少驅動電路的功耗。進行低頻驅動或間歇驅動 (W下W低頻驅動為代表）時，信號的寫入至寫入之間的像素的電壓保持率是重要的。若信 號的寫入至寫入之間的時間變長，則由于泄漏導致像素的電位降低。液晶的電阻率的降低， 成為上述那樣的泄漏的主要原因。若像素的電位在信號的寫入至寫入之間變動，則導致閃 變。此外，若發生由液晶內的雜質局部集聚所導致的泄漏，則產生局部性的亮度變化，運將 呈現為亮度不均。也就是說，W高值維持液晶的電阻率及像素的電壓保持率運點，對于高品 質的畫質顯示是重要的。