一種半透半反液晶顯示陣列基板、制造方法及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示領域，特別是涉及了一種半透半反液晶顯示陣列基板及其制造方法和使用該陣列基板的半透半反液晶顯示裝置。
【背景技術】
[0002]半透半反液晶顯示器具有兩種不同的顯示模式，在光線較暗的環境下，主要靠透視模式，也就是利用液晶器自身的背光源透光液晶面板顯示圖像，在陽光下等光線充足的情況下，主要靠反射模式，即利用液晶面板內的反光鏡將外部的光線反射出去，依次作為光源顯示圖像，因此半穿半反式液晶顯示器適用于各種光線強度的外部環境，尤其具有優秀的戶外可視性能，并且背光源的亮度不需要很高，具有功耗低的特點。
[0003]隨著智能穿戴產品和戶外產品的興起，其對顯示屏的功耗和戶外顯示效果要求越來越高。但現有半透半反液晶顯示裝置較多為常白顯示模式，而且對比度差，顯示效果差。
【發明內容】
[0004]為了解決上述現有技術的不足，本發明提供了一種結構簡單、可實現高對比度的半透半反液晶顯示陣列基板，通過強化第一公共電極與像素電極的邊緣電場，控制液晶方向，實現高對比度和較佳顯示效果；具有常黑顯示模式，不顯示時外觀效果好，且對比度高，顯示效果更優，解決了現有常白或常黑顯示模式半透半反顯示裝置對比度差及顯示效果差的問題。本發明還提供了該半透半反液晶顯示陣列基板的制造方法及使用該半透半反液晶陣列基板的液晶顯示裝置。
[0005]本發明所要解決的技術問題通過以下技術方案予以實現:
一種半透半反液晶顯示陣列基板，包括透明區和反射區，所述陣列基板包括:
第一基板；
柵電極，形成于所述第一基板上；
第一絕緣層，形成于所述柵電極和第一基板之上；
有源層，形成于所述柵電極上方的所述第一絕緣層之上；
源電極和漏電極，形成于所述有源層上方；
第二絕緣層，形成于所述源電極、漏電極和第一絕緣層上；
平坦層，形成于所述反射區的第二絕緣層上。
[0006]第一公共電極，形成于所述第二絕緣層和平坦層上；
第三絕緣層，形成于所述第一公共電極和第二絕緣層上；
像素電極，形成于所述第三絕緣層上方，與所述漏電極電連接；在俯視下，所述像素電極與第一公共電極經第三絕緣層的非重疊區形成所述像素電極和第一公共電極的邊緣電場；
反射電極，形成于所述反射區的像素電極上。
[0007]—種半透半反液晶顯示陣列基板，包括透明區和反射區，所述陣列基板包括: 第一基板；
柵電極，形成于所述第一基板上；
第一絕緣層，形成于所述柵電極和第一基板之上；
有源層，形成于所述柵電極上方的所述第一絕緣層之上；
源電極和漏電極，形成于所述有源層上方；
第二絕緣層，形成于所述源電極、漏電極和第一絕緣層上；
平坦層，形成于所述反射區的第二絕緣層上。
[0008]像素電極，形成于所述第二絕緣層和平坦層上方，與所述漏電極電連接；
第三絕緣層，形成于所述像素電極上；
第一公共電極，形成于所述第三絕緣層上；在俯視下，所述像素電極與第一公共電極經第三絕緣層的非重疊區形成所述像素電極和第一公共電極的邊緣電場；
第四絕緣層，形成于所述第一公共電極上；
反射電極，形成于所述反射區的第四絕緣層和第三絕緣層上，與所述像素電極電連接。
[0009]在本發明中，所述第一公共電極包括多個環狀第一公共子電極。所述環狀為方形或圓形或多邊形。所述像素電極圖案形狀與所述第一公共子電極相對應，為方形或圓形或多邊形。
[0010]在本發明中，所述平坦層表面呈波浪或鏡面形。
[0011]—種半透半反液晶顯示陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括透明區和反射區，包括以下步驟:
提供第一基板；
在所述第一基板上沉積金屬薄膜，通過構圖工藝，在所述第一基板上形成柵電極；
在所述形成柵電極的第一基板上沉積柵極絕緣層薄膜，形成第一絕緣層；在所述柵電極上方的所述第一絕緣層上形成有源層；
在所述有源層上方形成源電極和漏電極；
在完成上述步驟的所述第一基板上沉積絕緣層薄膜，形成第二絕緣層；
在所述反射區的第二絕緣層上沉積絕緣層，形成平坦層；
在所述平坦層和第二絕緣層上沉積金屬薄膜，通過構圖工藝，形成第一公共電極；
在完成上述步驟的所述第一基板上沉積絕緣層薄膜，形成第三絕緣層；
在所述第三絕緣層上沉積像素電極薄膜，通過過孔形成與所述漏電極電連接的像素電極；在俯視下，所述像素電極與第一公共電極經第三絕緣層的非重疊區形成所述像素電極和第一公共電極的邊緣電場；
在所述反射區的像素電極上沉積金屬薄膜，形成反射電極。
[0012]—種半透半反液晶顯示陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括透明區和反射區，包括以下步驟:
提供第一基板；
在所述第一基板上沉積金屬薄膜，通過構圖工藝，在所述第一基板上形成柵電極；
在所述形成柵電極的第一基板上沉積柵極絕緣層薄膜，形成第一絕緣層；在所述柵電極上方的所述第一絕緣層上形成有源層；
在所述有源層上方形成源電極和漏電極； 在完成上述步驟的所述第一基板上沉積絕緣層薄膜，形成第二絕緣層；
在所述反射區的第二絕緣層上沉積絕緣層，形成平坦層；
在所述平坦層和第二絕緣層上沉積像素電極薄膜，通過過孔形成與所述漏電極電連接的像素電極；
在完成上述步驟的所述第一基板上沉積絕緣層薄膜，形成第三絕緣層；
在所述第三絕緣層上沉積金屬薄膜，通過構圖工藝，形成第一公共電極；在俯視下，所述像素電極與第一公共電極經第三絕緣層的非重疊區形成所述像素電極和第一公共電極的邊緣電場；
在所述第一公共電極上沉積絕緣層薄膜，形成第四絕緣層；
在所述反射區的第三、四絕緣層上沉積金屬薄膜，通過過孔形成與所述像素電極電連接的反射電極。
[0013]在本發明中，所述第一公共電極包括多個環狀第一公共子電極；所述環狀為方形或圓形或多邊形；所述像素電極圖案形狀與所述第一公共子電極相對應，為方形或圓形或多邊形。
[0014]—種半透半反液晶顯示裝置，包括:
如上述的陣列基板；
第二基板，與所述陣列基板的第一基板相對配置；
液晶層，保持在所述第一基板和第二基板之間。
[0015]進一步地，還包括:
第一偏光片，位于所述第一基板的另一側表面；
第二偏光片，位于所述第二基板的上方。
[0016]進一步地，所述第二基板為帶有彩色濾光層的第二基板。
[0017]本發明具有如下有益效果:通過強化第一公共電極與像素電極非重疊區的邊緣電場，控制液晶方向，實現高對比度及較佳的顯示效果，當第一公共電極與像素電極電壓差為OV時，液晶站立，顯示為黑態，當像素電極與第一公共電極電壓差加大時，液晶會隨著電壓差的增加而平躺，亮度逐漸增加，以實現高對比度(達700左右)、常黑顯示模式；常黑顯示模式，不顯示時外觀效果好，且對比度高，顯示效果更優，解決了現有常白顯示模式半透半反顯示裝置對比度差及顯示效果差的問題。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發明陣列基板的結構不意圖；
圖2為本發明陣列基板上第一公共電極、像素電極及反射電極的俯視分解示意圖；
圖3a~3j為本發明陣列基板的制造流程示意圖。
【具體實施方式】