像素電極結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素電極結構。
【背景技術】
[0002]主動式薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年來得到了飛速的發展和廣泛的應用。就目前主流市場上的TFT-LCD顯示面板而言，可分為三種類型，分別是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面轉換(In-Plane Switching, IPS)型、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型、及高垂直配向(High Vertical Alignment，HVA)型。
[0003]通常液晶顯示裝置包括殼體、設于殼體內的液晶面板及設于殼體內的背光模組(Backlight module)。其中，液晶面板的結構主要是由一薄膜晶體管陣列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate,TFT Array Substrate)、一彩色濾光片基板(Color FilterSubstrate，CF Substrate)、以及配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產生畫面。
[0004]HVA型顯示器的制程中，一般通過特定的光罩對TFT基板與CF基板上的配向膜進行曝光配向，TFT/CF基板的配向膜曝光制程中，TFT/CF基板的配向膜在特定區域會交叉重覆曝光，重覆曝光的區域因上下配向膜的偏光角度形成暗紋，如圖1所示，所述暗紋100通常呈“十”字形，且位于每個子像素200的中央，從而影響了液晶顯示面板的穿透率以及顯示效果。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種像素電極結構，可減少液晶顯示面板的每個子像素中的“十”字形暗紋，增大透光區域，提升產品的穿透率和顯示品質。
[0006]為實現上述目的，本發明提供一種像素電極結構，包括第一、第二、第三、第四電極、連接在第一與第二電極之間的第五電極、連接在第一與第三電極之間的第六電極、連接在第二與第四電極之間的第七電極、連接在第三與第四電極之間的第八電極、及位于第一至第八電極圍起的中間位置的第九電極；
[0007]所述第五至第八電極分別包括數個平行且間隔設置的第一、第二、第三、第四子電極，所述第一、第二、第三、第四子電極均呈V形，且所述第一、第二、第三、第四子電極的V形開口均朝向第五至第八電極圍起的中心位置；所述第九電極呈封閉的四邊形。
[0008]所述第一子電極包括垂直連接的第一條形電極與第二條形電極；
[0009]所述第二子電極包括垂直連接的第三條形電極與第四條形電極；
[0010]所述第三子電極包括垂直連接的第五條形電極與第六條形電極；
[0011]所述第四子電極包括垂直連接的第七條形電極與第八條形電極；
[0012]其中，所述第五條形電極和第六條形電極與水平方向的夾角分別為45°和-45°，所述第二、第三、第五、第八條形電極的延伸方向相互平行，所述第一、第四、第六、第七條形電極的延伸方向相互平行。
[0013]所述第五、第六、第七、第八、第九電極形成十字形區域。
[0014]所述第五、第六、第七、第八電極的寬度相同。
[0015]所述第五、第六、第七、第八電極的寬度均為3 μπι。
[0016]所述第一、第二、第三、第四子電極的寬度相同。
[0017]所述第一、第二、第三、第四子電極的寬度均為2.5 μπι。
[0018]所述第一、第二、第三、第四子電極之間分別形成第一、第二、第三、第四狹縫，所述第一、第二、第三、第四狹縫的寬度相同。
[0019]所述第一、第二、第三、第四電極均為整塊電極。
[0020]所述第九電極呈菱形，對應所述第五至第八電極中第一、第二、第三、第四子電極的V形設置。
[0021]本發明的有益效果:本發明的像素電極結構，通過將位于第一、第二、第三、第四電極中間的“十”字形區域的電極設計成數個間隔分布且呈V形的子電極，使得該數個子電極之間形成狹縫，從而調整位于該“十”字形區域的液晶分子的導向，使其與對應于所述第一、第二、第三、第四電極區域的液晶分子導向一致，從而減少液晶顯示面板的每個子像素中的“十”字形暗紋，增大透光區域，提升產品的穿透率和顯示品質。
【附圖說明】
[0022]為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。
[0023]附圖中，
[0024]圖1為現有的液晶顯示面板的子像素中出現“十”字形暗紋的示意圖；
[0025]圖2為本發明的像素電極結構的示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0027]請參閱圖2，本發明提供一種像素電極結構，包括第一、第二、第三、第四電極3、4、5、6、連接在第一與第二電極3、4之間的第五電極21、連接在第一與第三電極3、5之間的第六電極12、連接在第二與第四電極4、6之間的第七電極11、連接在第三與第四電極5、6之間的第八電極22、及位于第一至第八電極3、4、5、6、21、12、11、22圍起的中間位置的第九電極2。
[0028]具體的，所述第五至第八電極分別包括數個平行且間隔設置的第一、第二、第三、第四子電極211、121、111、221，所述第一、第二、第三、第四子電極211、121、111、221均呈V形，且所述第一、第二、第三、第四子電極211、121、111、221的V形開口均朝向第五至第八電極21、12、11、22圍起的中心位置。所述第九電極2呈封閉的四邊形。
[0029]具體的，所述第一子電極211包括垂直連接的第一條形電極2101與第二條形電極2102。所述第二子電極121包括垂直連接的第三條形電極1201與第四條形電極1202。所述第三子電極111包括垂直連接的第五條形電極1101與第六條形電極1102。所述第四子電極221包括垂直連接的第七條形電極2201與第八條形電極2202。
[0030]其中，所述第五條形電極1101和第六條形電極1102與水平方向的夾角分別為45