一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及制作方法。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器(TFT-1XD)是當前的主流顯示技術，隨著人們對顯示器件性能要求越來越高，要求顯示器件輕薄化，色域提升，畫質提高，因此，量子點成為極具潛力的材料，用于液晶顯示器用來提升器件的顯示性能。目前，利用量子點的方式包含:將量子點和背光結合使用，如量子點背光膜和量子棒等，此外，還可以采用量子點作為彩膜層設置在彩膜基板上。
[0003]請參考圖1，圖1為現有技術中的采用量子點彩膜層的液晶顯示器的一結構示意圖，該液晶顯示器包括:背光源、設置在陣列基板上的下偏光片、陣列基板、液晶層、包含量子點彩膜層的彩膜基板以及設置在彩膜基板上的上偏光片，其中，來自背光源的光線為非線性偏振光，經過下偏光片之后變為線性偏振光，由于量子點光致發光的特性，偏振光經過量子點彩膜層之后會變成非線性偏振光，即量子點彩膜層會消除入射偏振光的偏光特性，從而引起顯示器漏光。
【發明內容】
[0004]有鑒于此，本發明提供一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及制作方法，用以解決現有的采用量子點彩膜層的液晶顯示器容易產生漏光的問題。
[0005]為解決上述技術問題，本發明提供一種陣列基板，包括:襯底基板以及設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、量子點彩膜層和偏光層，所述偏光層設置于所述量子點彩膜層的遠離所述襯底基板的一側。
[0006]優選地，所述量子點彩膜層包括多個對應不同顏色的單色單元，所述陣列基板還包括:濾光層，設置于所述量子點彩膜層遠離所述襯底基板的一側，且與所述單色單元對應設置，僅透過對應的單色單元對應顏色的光線。
[0007]優選地，所述量子點彩膜層包括多個對應不同顏色的單色單元，所述陣列基板還包括:第一遮光單元，設置于相鄰單色單元之間。
[0008]優選地，所述陣列基板還包括:第二遮光單元，設置于所述薄膜晶體管和所述量子點彩膜層之間，與所述薄膜晶體管的有源層對應設置。
[0009]優選地，所述偏光層的厚度范圍為300nm-500nm。
[0010]本發明還提供一種顯示面板，包括陣列基板和對向基板，所述陣列基板為上述陣列基板。
[0011]優選地，所述量子點彩膜層包括多個對應不同顏色的單色單元；所述對向基板包括:濾光層，與所述單色單元對應設置，僅透過對應的單色單元對應顏色的光線。
[0012]本發明還提供一種顯示裝置，包括顯示面板和背光源，所述顯示面板上述顯示面板。
[0013]優選地，所述背光源包括藍光背光源。
[0014]本發明還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0015]提供一襯底基板；
[0016]在所述襯底基板上形成薄膜晶體管、量子點彩膜層和偏光層，所述偏光層形成于所述量子點彩膜層的遠離所述襯底基板的一側。
[0017]優選地，形成偏光層的步驟包括:
[0018]按照預設偏振方向涂敷偏光薄膜；
[0019]對偏光薄膜進行固化；
[0020]形成偏光層的圖形。
[0021]本發明的上述技術方案的有益效果如下:
[0022]將量子點彩膜層和偏光層集成在陣列基板上，且偏光層設置于量子點彩膜層的遠離襯底基板的一側，因此，由背光源入射的光線首先會經過量子點彩膜層，然后再經過偏光片轉換為線性偏振光，避免了因現有的結構中將量子點彩膜層設置于彩膜基板上，量子點彩膜層會消除入射的偏振光的偏振特征而造成的漏光問題，提高了包含該陣列基板的顯示面板的出射光的色域，提升了顯示效果。且，由于偏光層的厚度較小，降低了包含該陣列基板的顯示面板的厚度，實現顯示面板的輕薄化。
【附圖說明】
[0023]圖1為現有技術中的采用量子點彩膜層的液晶顯示器的一結構示意圖；
[0024]圖2為本發明實施例一的陣列基板的結構示意圖；
[0025]圖3為本發明實施例二的陣列基板的結構示意圖；
[0026]圖4為本發明實施例三的陣列基板的結構示意圖；
[0027]圖5為本發明實施例四的陣列基板的結構示意圖；
[0028]圖6為本發明實施例的顯示面板的結構示意圖；
[0029]圖7為本發明一實施例的陣列基板的制作方法示意圖。
[0030]附圖標記說明:
[0031]101襯底基板；102薄膜晶體管；103第一絕緣層；104第二遮光單元；105量子點彩膜層；106濾光層；107偏光層；108公共電極；109第二絕緣層；110像素電極；111公共電極線。
【具體實施方式】
[0032]本發明實施例提供一種陣列基板，包括:襯底基板以及設置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、量子點彩膜層和偏光層，所述偏光層設置于所述量子點彩膜層的遠離所述襯底基板的一側。
[0033]所述量子點彩膜層可以包括多個對應不同顏色的單色單元，例如，包括紅色單元、綠色單元和藍色單元，其中，紅色單元可以采用在預定光線的激發下發出紅光的量子點材料制成，綠色單元可以采用在預定光線的激發下發出綠光的量子點材料制成，藍色單元可以采用在預定光線的激發下發出藍光的量子點材料制成，所述預定光線為藍光或其他顏色的光線，當預定光線為藍光時，藍色單元也可以采用透光材料制成，例如透明樹脂，又或者，藍色單元區域也可以直接不覆蓋任何材料。
[0034]上述量子點材料可以為多種類型的量子點材料，例如可以為核殼型量子點材料，核殼型量子點材料的核心材料包括但不局限于CdSe (砸化鎘)、CdTe (碲化鎘)、CdS (硫化鎘)、ZnSe (砸化鋅)、ZnTe (碲化鋅)、ZnS (硫化鋅)、HgTe (碲化汞)、HgS (硫化汞)、GaN (氮化鎵)、GaAs (砷化鎵)、InAs (砷化銦)、GalnP (砷銦磷)中的至少一種，外殼包括但不局限于 CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、HgS 中的至少一種。
[0035]所述偏光層用于替換現有的設置于陣列基板上的偏光片，起到將入射的光線轉換為線性偏振光的作用。所述偏光層可以采用多種類型的材料制成，例如可以采用薄型晶體膜層材料，如溶致液晶材料TCF Nol5，或者，采用染色系偏光膜材料等材料制成，所述偏光層的厚度范圍可以為300nm-500nm，優選地，約為400nmo
[0036]本發明實施例中，將量子點彩膜層和偏光層集成在陣列基板上，且偏光層設置于量子點彩膜層的遠離襯底基板的一側，因此，由背光源入射的光線首先會經過量子點彩膜層，然后再經過偏光片轉換為線性偏振光，避免了因現有的結構中將量子點彩膜層設置于彩膜基板上，量子點彩膜層會消除入射的偏振光的偏振特征而造成的漏光問題，提高了包含該陣列基板的顯示面板出射光的色域，提升了顯示效果。且，由于偏光層的厚度較小，降低了包含該陣列基板的顯示面板的厚度，實現顯示面板的輕薄化。
[0037]優選地，本發明實施例中的陣列基板還可以包括:濾光層，與所述量子點彩膜層對應設置，用于過濾預定顏色的光線，以提升光線的純度。
[0038]在本發明的一實施例中，所述濾光層可以設置于所述量子點彩膜層遠離所述襯底基板的一側，與所述單色單元對應設置，僅透過對應的單色單元對應顏色的光線。即，由背光源發出的光線首先進入量子點彩膜層，然后再進入濾光層，由濾光層對量子點彩膜的出射光線進行過濾，提升光線的純度。
[0039]舉例來說，在量子點彩膜層包括:紅色單元、綠色單元和藍色單元，背光源發出的光線為藍光的實施例中，所述濾光層可以包括與紅色單元和綠色單元對應的藍光過濾層，用于濾除透過紅色單元和綠色單元的藍光，以提升透過量子點彩膜層的光線的純度。
[0040]在量子點彩膜層包括:紅色單元、綠色單元和藍色單元，背光源發出的光線為藍光的另一實施例中，所述濾光層還可以包括與紅色單元對應的紅色彩膜，與綠色單元對應的綠色彩膜，以及與藍色單元對應的藍色彩膜，紅色彩膜僅透過紅光，綠色彩膜僅透過綠光，藍色彩膜僅透過藍光，從而提升透過量子點彩膜層的光線的純度。該種結構的濾光層尤其適用于藍色單元不覆蓋藍色量子點材料，而采用透明材料或不覆蓋任何材料的實施例，藍色彩膜能進一步提升藍光的純度。
[0041]在本發明的另一實施例中，所述濾光層也可以設置于所述量子點彩膜層靠近所述襯底基板的一側，即由背光源發出的光線首先進入濾光層，然后再進入量子點彩膜層。
[0042]舉例來說，在量子點彩膜層包括:紅色單元、綠色單元和藍色單元，背光源發出的光線為白色光的實施例中，所述濾光層可以為僅透過藍色光線的藍色彩膜，用于將背光源發出的光線轉換為藍光，因為藍光能夠更好地激發量子點材料，因此可提高量子點彩膜層的發光效率。
[0043]本發明實施例中，為防止相鄰的單色單元之間漏光，陣列基板還可以包括:第一遮光單元，設置于相鄰的單色單元之間。所述第一遮光單元可以為黑矩陣。
[0044]另外，為避免量子點彩膜層發出的光線對薄膜晶體管中的有源層造成影響，本發明實施例的陣列基板還可以包括:第二遮光單元，設置于所述薄膜晶體管和所述量子點彩膜層之間，與所述薄膜晶體管的有源層對應設置。優選地，所述有源層在所述陣列基板的襯底基板上的正投影完全落入所述第二遮光單元在所述襯底基板上的正投影內，以使得第二遮光單元可以完全遮擋住所述有源層。
[0045]下面將結合附圖和實施例，對本發明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。
[0046]請參考圖2，圖2為本發明實施例一的陣列基板的結構示意圖，所述陣列基板為IPS(平面轉換)模式的陣列基板，包括:襯底基板101、薄膜晶體管102、第一絕緣層103、第二遮光單元104、量子點彩膜層105、濾光層106、偏光層107、公共電極108、第二絕緣層109以及像素電極110。
[0047]其中，襯底基板101可以為玻璃基板，也可以為聚酰亞胺P1、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET等材料的基板。
[0048]薄膜晶體管102包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極等，有源層可以采用非晶硅、低溫多晶硅、氧化物、有機物、石墨烯、納米碳管、二維半導體等材料制成，薄膜晶體管的結構可以為底柵型也可以為頂柵型，晶體管的類型可以為PMOS、NMOS或CMOS等。
[0049]第二遮光單元104設置于薄膜晶體管102與量子點彩膜層105之間，與所述薄膜晶體管102的有源層對應設置，以避免量子點彩膜層發出的光線對薄膜晶體管中的有源層造成影響。
[0050]量子點彩膜層105可以包括多個對應不同顏色的單色單元，例如，包括紅色單元、