改良的藍圖工程機碳粉和缺陷藍圖工程機碳粉的改良方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及打印耗材領域，尤其是涉及一種改良的藍圖工程機碳粉和缺陷藍圖工 程機碳粉的改良方法。
【背景技術】
[0002] 藍圖圖紙在機械、建筑等領域的研發設計工作中應用相當廣泛，藍圖圖紙在檔案 的存放過程中，具有保存時間長的優點，并且能夠避免圖紙遭到非法修改。
[0003] 傳統的藍圖制造工藝是是先用工程機打印黑色硫酸圖，再用曬圖機曬制藍圖。此 方法不僅效率低，而且成本高，同時因在曬制藍圖時需使用氨水，會污染環境、危害操作工 人健康。傳統藍圖的制造工藝的出圖環節多，容易造成人力、物力資源浪費，同時易造成數 據丟失。另外，曬圖紙與耗材保質期較短，很容易產生直接報廢致使成本增加。傳統曬圖機 需要大功率排風設施，排風機、管道不易安裝，占用辦公空間大，且需要獨立空間操作。
[0004] 近年來，開始使用藍圖工程機直接打印工程藍圖的方式，這種方式使用起來更加 方便、快捷。例如型號為生產廠家奧西的0CE320、0CE450和0CE750的工程機，可用于AO至 A4以及其它類型的打印紙，從而直接將設計圖紙打印出來。
[0005] 為了降低使用成本，這幾種類型的工程機往往會采用兼容碳粉進行打印工作，然 而，目前中國市場上的這幾款OCE工程機使用的兼容碳粉在使用過程中會出現供粉不足或 補粉時間過長的問題，這樣就會顯著影響打印速度，降低工作效率。
【發明內容】
[0006] 本發明的主要目的是提供一種改善藍圖工程機的兼容碳粉在打印時存在問題的 改良的藍圖工程機碳粉。
[0007] 本發明的另一目的是提供一種得到上述改良的藍圖工程機碳粉的改性方法。
[0008] 本發明提供的改良的藍圖工程機碳粉，按重量份，包括：100份缺陷藍圖工程機 碳粉，缺陷藍圖工程機碳粉是用于藍圖工程機的兼容碳粉，改良的藍圖工程機碳粉還包括 0. 1份至1. 5份的小粒徑二氧化娃，小粒徑二氧化硅的粒徑大于5納米且小于10納米，小粒 徑二氧化硅帶負電且帶電量為400微庫侖每克（μ C/g)至800微庫侖每克，小粒徑二氧化 硅經聚二甲基硅氧烷或六甲基二硅氮烷表面改性處理。
[0009] 由上述方案可見，現有的缺陷藍圖工程機碳粉的供粉時間長的問題得到改善。
[0010] -個優選的方案是，改良的藍圖工程機碳粉還包括0. 1份至1. 5份的大粒徑二氧 化娃，大粒徑二氧化娃的粒徑大于10納米且小于150納米，大粒徑二氧化娃帶負電且帶電 量為100微庫侖每克至500微庫侖每克，大粒徑二氧化硅經聚二甲基硅氧烷或六甲基二 硅氮烷表面改性處理。
[0011] 由上述方案可見，供粉時間長的問題得到進一步的改善，可以完成正常的打印工 作，并且改良的碳粉的帶電量和流動性均有改善。
[0012] -個優選的方案是，缺陷藍圖工程機碳粉是用于0CE320藍圖工程機上的兼容碳 粉，缺陷藍圖工程機碳粉為99. 6份，小粒徑二氧化硅為0. 4份。
[0013] 由上述方案可見，缺陷藍圖工程機碳粉在測試5米后出現長時間的供粉問題，最 長時間為5分鐘，之后打印2米至4米之后再次出現補粉現象，15分鐘之后可繼續打印，缺 陷藍圖工程機碳粉的Q/M和Coe (%)分別為39. 3和11. 01。而改良的藍圖工程機碳粉在測 試時，20分鐘之后才出現補粉現象，補粉過程為3分鐘，機器持續工作10分鐘后又出現補粉 現象，時間為5分鐘，在150米內出現6次補粉，補粉過程為3分鐘至5分鐘，持續打印間隔 為10米至20米，改良的藍圖工程機碳粉的Q/M和Coe (%)分別為41. 2和8. 33。這說明改 良后的藍圖工程機碳粉的性能得到了一定改善。
[0014] 一個優選的方案是，改良的藍圖工程機碳粉按以下組份配比：99. 5份第一次改良 的藍圖工程機碳粉、0. 3份小粒徑二氧化硅、0. 2份大粒徑二氧化硅；第一次改良的藍圖工 程機碳粉按以下組份配比：99. 6份的缺陷藍圖工程機碳粉和0. 4份的小粒徑二氧化硅，缺 陷藍圖工程機碳粉是用于0CE320藍圖工程機上的兼容碳粉；大粒徑二氧化硅的粒徑大于 10納米且小于150納米，大粒徑二氧化硅帶負電且帶電量為100微庫侖每克至500微庫侖 每克，大粒徑二氧化硅經聚二甲基硅氧烷或六甲基二硅氮烷表面改性處理。
[0015] 由上述方案可見，改良的藍圖工程機碳粉經過測試，75米后才出現機器補粉，補粉 過程3分鐘，機器持續工作60米后又出現補粉現象，時間為2分鐘。測試200米內補粉過 程出現3次，時間為1分鐘至3分鐘，改良的藍圖工程機碳粉的Q/M和Coe (%)分別為43. 2 和3. 5。可見，相比于第一次改良的藍圖工程機碳粉，第二次改良的藍圖工程機碳粉具有進 一步的改善作用。
[0016] -個優選的方案是，改良的藍圖工程機碳粉還包括0. 1份至0. 5份的氧化鈰和0. 1 份至I. 0份的鈦酸鍶；氧化鈰的粒徑為0. 5微米至2微米，鈦酸鍶的粒徑為100納米至500 納米。
[0017] 進一步優選的方案是，缺陷藍圖工程機碳粉為用于0CE450藍圖工程機上的兼容 碳粉，缺陷藍圖工程機碳粉為99. 3份，小粒徑二氧化硅為0. 5份，氧化鈰為0. 06份，鈦酸鍶 為〇. 14份。
[0018] 由上述方案可見，缺陷藍圖工程機碳粉在0CE450機器上測試到500米后，打印機 開始出現長時間補充供粉的問題，最長時間為25分鐘，補粉后打印1張 AO紙后又出現機 器補粉現象。拆開機器的顯影裝置后，發現上供粉倉左邊進粉口處有大量碳粉堆積，送粉 輥(磁性）上有很多包裹著的藍色碳粉。啟動電源后觀察粉倉內部運行狀態，送粉的螺桿正 常運作，只是碳粉運輸較少且向兩邊擴散。機器處于正常的狀態時，正常供粉的送粉輥上只 有一半包裹碳粉，左邊也沒有碳粉堆積。改良的藍圖工程機碳粉經過測試后，在200米內只 出現兩次補粉，供粉過程平均時間為1. 8分鐘，打開機器顯影倉后，觀察到粉倉左邊積粉很 少，送粉輥只有一半有粉包裹，可見碳粉得到了明顯改善。
[0019] 本發明提供的缺陷藍圖工程機碳粉的改性方法，包括以下步驟：首先執行加入步 驟：按重量份，把100份的缺陷藍圖工程機碳粉和0. 1份至1. 5份的小粒徑二氧化硅加入到 可調速的混合設備中；然后執行混合步驟：以12赫茲至18赫茲的速率混合1分鐘至2分 鐘，接著以50赫茲的速率再混合1分鐘至2分鐘；接著執行過篩步驟：以180目至250目的 篩子過篩，得到改良的藍圖工程機碳粉；缺陷藍圖工程機碳粉是用于藍圖工程機的兼容碳 粉；小粒徑二氧化娃的粒徑大于5納米且小于10納米，小粒徑二氧化娃帶負電且帶電量為 400微庫侖每克至800微庫侖每克，小粒徑二氧化硅經聚二甲基硅氧烷或六甲基二硅氮烷 表面改性處理。
[0020] 由上述方案可見，按照上面提供的步驟，可以得到改良的藍圖工程機碳粉。
[0021] -個優選的方案是，在執行加入步驟中，在混合設備中還加入了 0. 1份至1. 5份的 大粒徑二氧化娃，大粒徑二氧化娃的粒徑大于10納米且小于150納米，大粒徑二氧化娃帶 負電且帶電量為100微庫侖每克至500微庫侖每克，大粒徑二氧化硅經聚二甲基硅氧烷 或六甲基二硅氮烷表面改性處理。
[0022] -個優選的方案是，在執行加入步驟時：還把0. 1份至0. 5份的氧化鈰和0. 1份 至1. 〇份的鈦酸鍶加入到可調速的混合設備中； 氧化鈰的粒徑為0. 5微米至2微米，鈦酸鍶的粒徑為100納米至500納米。
[0023] -個優選的方案是，在執行混合步驟中，環境中的濕度小于70%且溫度不高于 28。。。
[0024] 由上述方案可見，能夠保證碳粉的質量，溫度的限定可以防止碳粉結塊，而濕度的 限定可以防止碳粉受潮以及避免在打印時出現色淺的現象。
【具體實施方式】
[0025] 本發明提供的改良的藍圖工程機碳粉，按重量份包括：100份缺陷藍圖工程機碳 粉，缺陷藍圖工程機碳粉是用于型號例如為0CE300、0CE450以及0CE750的藍圖工程機的 兼容碳粉，改良的藍圖工程機碳粉還包括〇. 1份至1. 5份的小粒徑二氧化硅，小粒徑二氧化 硅的粒徑大于5納米且小于10納米，小粒徑二氧化硅帶負電且帶電量為400微庫侖每克 至800微庫侖每克，小粒徑二氧化硅經聚二甲基硅氧烷（PDMS)或六甲基二硅氮烷（HMDZ) 表面改性處理。在優選的方案中，改良的藍圖工程機碳粉還包括0. 1份至1. 5份的大粒徑 二氧化娃，大粒徑二氧化娃的粒徑大于10納米且小于150納米，大粒徑二氧化娃帶負電且 帶電量為100微庫侖每克至500微庫侖每克，大粒徑二氧化硅經聚二甲基硅氧烷或六甲基 二硅氮烷表面改性處理。在另一個優選的方案中，改良的藍圖工程機碳粉還包括0. 1份至 〇. 5份的氧化鋪和0. 1份至I. 0份的鈦酸鎖。
[0026] 本發明提供的缺陷藍圖工程機碳粉的改性方法包括以下步驟：首先執行加入步 驟：按重量份，把100份的缺陷藍圖工程機碳粉和0. 1份至1. 5份的小粒徑二氧化硅加入到 可調速的混合設備中。然后執行混合步驟：以12赫茲至18赫茲的速率混合1分鐘至2分 鐘，低速混合的過程可以重復進行兩次，兩次之間間隔20秒至120秒。接著以50赫茲的速 率再混合1分鐘至2分鐘，高速混合的過程可以重復進行兩次，兩次之間間隔20秒至120 秒。接著執行過篩步驟：以180目至250目的篩子過篩，得到改良的藍圖工程機碳粉。
[0027] 第一實施例： 藍色PW750兼容碳粉在0CE320舊的工程打印機器上測試到5米后打印機出現長時間 補充供粉的問題，最長時間為5分鐘。補粉完成后打印2