一種陣列基板及其制作方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示器技術領域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法。
【【背景技術】】
[0002]如圖1所示，現有的液晶顯示面板包括:第一基板10、第二基板，第一基板10譬如為BOA (BM on Array)基板，BOA基板是在陣列基板上制作彩色濾光膜和黑色矩陣，第一基板10包括:襯底基板11、第一金屬層12位于襯底基板11上，包括柵極；柵絕緣層13部分位于第一金屬層12上，用于隔離所述第一金屬層12和有源層14 ;有源層14部分位于柵絕緣層13上，用于形成溝道；第二金屬層15位于有源層14上，包括源極、漏極；第二絕緣層16，位于第二金屬層15上，用于隔離第二金屬層15和色阻層17 ;色阻層17，位于第二絕緣層16上，包括多個彩膜色阻(譬如紅色彩膜171、綠色彩膜172、藍色彩膜173)，色阻層17上形成有過孔18 ;以及黑色矩陣層位于色阻層17上，透明導電層20部分位于黑色矩陣層191 上。
[0003]由于流平性原因，導致在顯示區域的黑色矩陣層191的膜厚與外圍區域的黑色矩陣層192的膜厚不相等，且一般位于外圍區域的黑色矩陣層192的膜厚較厚，從而造成對比度較差。
[0004]在制程過孔過程中，通常先在色阻層上挖孔，接著在帶有孔的色阻層上涂布黑色矩陣材料，由于流平性原因，使得孔內的黑色矩陣厚度比孔外位于色阻層上方的黑色矩陣厚，為了后期的制程，需要將孔內的黑色矩陣顯影掉，且由于孔內的黑色矩陣比較厚，因此顯影時間較長，導致制程時間較長，從而增加生產成本。
[0005]因此，有必要提供一種陣列基板及其制作方法，以解決現有技術所存在的問題。【
【發明內容】
】
[0006]本發明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法，以解決現有技術中黑色矩陣的厚度不均，導致制程時間較長，以及對比度較差的技術問題。
[0007]為解決上述技術問題，本發明構造了一種陣列基板的制作方法，其包括:
[0008]在襯底基板上形成黑色矩陣層，所述黑色矩陣層包括多個黑色矩陣；
[0009]在所述黑色矩陣層上制作開關陣列層，所述開關陣列層包括多個薄膜晶體管；
[0010]在所述開關陣列層上形成色阻層，所述色阻層包括多個彩膜色阻；以及[0011 ] 在所述色阻層上形成透明導電層。
[0012]在本發明的陣列基板的制作方法中，所述彩膜色阻內具有一透光區域，所述黑色矩陣與相應的所述彩膜色阻的透光區域的間距最小邊之間的間距至少為2微米，所述間距最小邊為距離所述黑色矩陣最小的邊。
[0013]在本發明的陣列基板的制作方法中，在所述黑色矩陣層和所述開關陣列層之間還設置有第一絕緣層。
[0014]在本發明的陣列基板的制作方法中，所述在所述黑色矩陣層上制作開關陣列層的步驟包括:
[0015]在所述黑色矩陣層上形成第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖形化處理，以形成多個柵極；
[0016]在所述第一金屬層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；
[0017]在所述有源層上形成第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖形化處理，以形成多個源極、多個漏極。
[0018]在本發明的陣列基板的制作方法中，在所述色阻層上形成過孔；所述透明導電層通過所述過孔與所述第二金屬層連接。
[0019]在本發明的陣列基板的制作方法中，在所述開關陣列層和所述色阻層之間還設置有第二絕緣層。
[0020]在本發明的陣列基板的制作方法中，在所述色阻層和所述透明導電層之間還設置有第三絕緣層。
[0021]本發明還提供一種陣列基板，其包括:
[0022]襯底基板；
[0023]黑色矩陣層，位于所述襯底基板上，所述黑色矩陣層包括多個黑色矩陣；
[0024]開關陣列層，位于所述黑色矩陣層上，所述開關陣列層包括多個薄膜晶體管；
[0025]色阻層，位于所述開關陣列層上，所述色阻層包括多個彩膜色阻；以及
[0026]透明導電層，位于所述色阻層上。
[0027]在本發明的陣列基板中，所述彩膜色阻內具有一透光區域，所述黑色矩陣與相應的所述彩膜色阻的透光區域的間距最小邊之間的間距至少為2微米，所述間距最小邊為距離所述黑色矩陣最小的邊。
[0028]在本發明的陣列基板中，在所述黑色矩陣層和所述開關陣列層之間還設置有第一絕緣層。
[0029]本發明的陣列基板及其制作方法，通過在制作色阻層之前制作黑色矩陣，從而節省了制程工序，降低生產成本，提高顯示效果。
【【附圖說明】】
[0030]圖1為現有技術的陣列基板的結構示意圖；
[0031]圖2為現有技術的陣列基板的制作方法流程圖；
[0032]圖3為本發明的陣列基板的制作方法流程圖；
[0033]圖4為本發明的陣列基板的結構示意圖；
[0034]圖5為圖4中A區域的局部放大示意圖；
[0035]圖6為本發明的黑色矩陣的俯視圖。
【【具體實施方式】】
[0036]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。
[0037]請參照圖2，圖2為現有技術的陣列基板的制作方法流程圖。
[0038]現有技術的陣列基板的制作方法包括以下步驟:
[0039]S101、在襯底基板上形成開關陣列層；
[0040]開關陣列層包括多個薄膜晶體管，
[0041]開關陣列層的具體制程方式為:
[0042]S111、在所述襯底基板上形成第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖形化處理，以形成多個柵極；
[0043]所述步驟Slll具體是通過帶有圖形的掩模板，對所述第一金屬層經過曝光顯影、刻蝕后形成柵極，柵極部分以外的第一金屬層在制程過程中被刻蝕掉。該金屬層的材料可為絡、鉬、招或銅等。
[0044]SI 12、在所述第一金屬層上形成有源層；
[0045]所述有源層用于形成漏極和源極之間的溝道。
[0046]SI 13、在所述有源層上形成第二金屬層；
[0047]對所述第二金屬層進行圖形化處理，以形成多個源極、多個漏極，其中柵極的個數與源極和漏極的個數匹配。
[0048]S102、在開關陣列層上形成色阻層；
[0049]色阻層上還設置有過孔，透明導電層通過過孔與第二金屬層連接。
[0050]S103、在色阻層上形成黑色矩陣層；
[0051]所述黑色矩陣層包括多個黑色矩陣；在步驟S102之后，在設置有過孔的色阻層上涂布黑色矩陣材料，由于流平性原因，使得孔內的黑色矩陣厚度比孔外位于色阻層上方的黑色矩陣厚，為了后期的制程，需要將孔內的黑色矩陣顯影掉，且由于孔內的黑色矩陣比較厚，因此顯影時間較長，導致制程時間較長，從而增加生產成本。
[0052]S104、在黑色矩陣層上形成透明導電層；
[0053]可以利用濺射鍍膜法，在黑色矩陣層上形成透明導電層。
[0054]請參照圖3，圖3為本發明的陣列基板的制作方法流程圖。
[0055]本發明的陣列基板的制作方法包括以下步驟:
[0056]S201、在襯底基板上形成黑色矩陣層；
[0057]所述黑色矩陣層包括多個黑色矩陣；在襯底基板上涂布黑色矩陣材料，通過帶有圖形的掩模板，對所述黑色矩陣材料進行曝光顯影形成多個黑色矩陣。
[0058]S202、在所述黑色矩陣層上制作開關陣列層；
[0059]所述開關陣列層包括多個薄膜晶體管；其中S202具體包括:
[0060]S221、在所述黑色矩陣層上形成第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖形化處理，以形成多個柵極；
[0061]所述步驟S221具體是通過帶有圖形的掩模板，對所述第一金屬層經過曝光顯影、刻蝕后形成柵極，柵極部分以外的第一金屬層在制程過程中被刻蝕掉。該金屬層的材料可為絡、鉬、招或銅等。
[0062]S222、在所述第一金屬層上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；
[0063]所述有源層用于形成漏極和源極之間的溝道，所述有源層的材料譬如為非晶硅材料。所述有源層是在所述暴露的柵絕緣層上形成的。
[0064]優選地，在制作有源層之前，所述方法還包括:<