一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]近年來，顯示技術得到快速的發展，如薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)技術由原來的非晶硅薄膜晶體管發展到現在的低溫多晶硅薄膜晶體管、金屬氧化物半導體薄膜晶體管等。而發光技術也由原來的液晶顯示(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)技術發展為現在的有機發光二極管顯示(Organic Light-Emitting D1de，簡稱0LED)技術。
[0003]根據液晶顯示器的原理，通過控制柵線的輸入信號，位于同一行的薄膜晶體管被同時打開，在一定時間后，下一行的薄膜晶體管被同時打開，依次類推。然而，由于每一行薄膜晶體管打開的時間比較短，很難達到液晶的響應時間，從而會使液晶顯示器出現閃爍現象。因此，為了避免這樣的問題，目前一般通過存儲電容避免液晶顯示屏出現閃爍的現象。這樣，在薄膜晶體管關閉之后的一定時間內，該存儲電容便可以用于維持像素電極的電壓，從而為液晶響應提供時間。
[0004]目前，為了滿足液晶顯示面板的高分辨率的需求，像素的尺寸做的越來越小，這樣會引起存儲電容的減小，使得液晶的響應時間不夠，從而導致閃爍現象的發生，嚴重影響顯示效果。然而如果增大存儲電容，則占用面積較大的存儲電容會影響像素的開口率。
【發明內容】
[0005]針對現有技術中的缺陷，本發明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，通過并聯存儲電容，有效減少了存儲電容的占用面積，提高像素的開口率。
[0006]第一方面，本發明提供一種陣列基板，包括:襯底、柵金屬層、有源層、源漏金屬層、像素電極層、以及存儲電容區域；
[0007]在所述存儲電容區域，所述柵金屬層包括柵金屬層存儲圖案、所述有源層包括有源層存儲圖案、所述源漏金屬層包括源漏金屬層存儲圖案、所述像素電極層包括像素電極層存儲圖案；
[0008]其中，所述柵金屬層存儲圖案、有源層存儲圖案、源漏金屬層存儲圖案和像素電極層存儲圖案在所述襯底上的投影至少部分重合，且所述像素電極層存儲圖案與所述柵金屬層存儲圖案電連接構成存儲電容的第一電極，所述有源層存儲圖案與所述源漏金屬層存儲圖案電連接構成所述存儲電容的第二電極。
[0009]可選的，所述陣列基板還包括:設置在所述柵金屬層和所述有源層之間的柵絕緣層，設置在所述有源層和所述源漏金屬層之間的刻蝕阻擋層，以及設置在所述源漏金屬層和所述像素電極層之間的鈍化層。
[0010]可選的，在所述存儲電容區域，所述像素電極層存儲圖案通過貫穿所述鈍化層、刻蝕阻擋層和柵絕緣層上的第一過孔與所述柵金屬層存儲圖案電連接；
[0011]所述源漏金屬層存儲圖案通過貫穿所述刻蝕阻擋層上的第二過孔與所述有源層存儲圖案電連接。
[0012]可選的，所述存儲電容區域中的有源層存儲圖案為通過等離子處理或離子注入后的有源層存儲圖案。
[0013]第二方面，本發明還提供了一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底上形成柵金屬層、有源層、源漏金屬層、像素電極層、以及存儲電容區域；
[0014]其中，在所述存儲電容區域，所述柵金屬層包括柵金屬層存儲圖案、所述有源層包括有源層存儲圖案、所述源漏金屬層包括源漏金屬層存儲圖案、所述像素電極層包括像素電極層存儲圖案，所述柵金屬層存儲圖案、有源層存儲圖案、源漏金屬層存儲圖案和像素電極層存儲圖案在所述襯底上的投影至少部分重合，且所述像素電極層存儲圖案與所述柵金屬層存儲圖案電連接構成存儲電容的第一電極，所述有源層存儲圖案與所述源漏金屬層存儲圖案電連接構成所述存儲電容的第二電極。
[0015]可選的，所述方法還包括:
[0016]在所述柵金屬層和所述有源層之間形成柵絕緣層，在所述有源層和所述源漏金屬層之間形成刻蝕阻擋層，以及在所述源漏金屬層和所述像素電極層之間形成鈍化層。
[0017]可選的，在形成所述刻蝕阻擋層之前，對預形成在所述存儲電容區域中的有源層存儲圖案進行等離子處理或離子注入處理。
[0018]可選的，在形成所述鈍化層之后，形成貫穿所述鈍化層、刻蝕阻擋層和柵絕緣層的第一過孔，用于使所述存儲電容區域的像素電極層存儲圖案與柵金屬層存儲圖案電連接。
[0019]可選的，在形成所述刻蝕阻擋層之后，在所述刻蝕阻擋層上形成第二過孔，用于使所述存儲電容區域的源漏金屬層存儲圖案與所述有源層存儲圖案電連接。
[0020]第三方面，本發明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0021]由上述技術方案可知，本發明提供的一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，該陣列基板中的存儲電容采用兩個存儲電容并聯的方式，且兩個存儲電容在襯底上的投影重合，進而減少了兩個并聯存儲電容的占用面積，提高了像素的開口率。
【附圖說明】
[0022]圖1至圖9為本發明一實施例提供的制備陣列基板的過程示意圖；
[0023]其中附圖標記說明:
[0024]1、襯底；2、柵金屬層；3、柵絕緣層；4、有源層；5、光刻膠完全保留區域；6、光刻膠完全去除區域；7、光刻膠半保留區域；8、刻蝕阻擋層；9、源漏金屬層；10、鈍化層；11、像素電極層；12、第一過孔；13、第二過孔；14、第三過孔；15、第四過孔；16、第五過孔；21、柵極圖案；22、柵金屬層存儲圖案；41、有源層圖案；42、有源層存儲圖案；91、源極圖案；92、漏極圖案；93、源漏金屬層存儲圖案；111、像素電極圖案；112、像素電極層存儲圖案。
【具體實施方式】
[0025]下面結合附圖，對發明的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此來限制本發明的保護范圍。
[0026]本發明提供了一種陣列基板，如圖9所示，包括:襯底1、柵金屬層2、有源層4、源漏金屬層9、像素電極層11、以及存儲電容區域；
[0027]在存儲電容區域，上述柵金屬層2包括柵金屬層存儲圖案22、有源層4包括有源層存儲圖案42、源漏金屬層9包括源漏金屬層存儲圖案93、像素電極層11包括像素電極層存儲圖案112 ；
[0028]其中，柵金屬層存儲圖案22、有源層存儲圖案42、源漏金屬層存儲圖案93和像素電極層存儲圖案112在襯底I上的投影至少部分重合，且像素電極層存儲圖案112與柵金屬層存儲圖案22電連接構成存儲電容的第一電極，有源層存儲圖案42與源漏金屬層存儲圖案93電連接構成存儲電容的第二電極。
[0029]上述陣列基板中的存儲電容采用兩個存儲電容并聯的方式，其中柵金屬層存儲圖案22與有源層存儲圖案42構成一個存儲電容，源漏金屬層存儲圖案93與像素電極層存儲圖案112構成另外一個存儲電容，且兩個存儲電容在同一存儲電容區域并聯，在襯底上的投影重合，進而減少了兩個并聯存儲電容的占用面積，提高了像素的開口率。
[0030]為了形成上述兩個存儲電容，故上述陣列基板還包括:設置在柵金屬層2和有源層4之間的柵絕緣層3，設置在有源層4和源漏金屬層9之間的刻蝕阻擋層8，以及設置在源漏金屬層9和像素電極層11之間的鈍化層10。
[0031]可理解的是，上述柵絕緣層3、刻蝕阻擋層8和鈍化層10均為絕緣的，其材質可以為由硅的氧化物(S1x)、硅的氮化物(SiNx)、鉿的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(S1N)、AlOx等中的一種或兩種組成的多層復合膜組成。例如鈍化層10的兩層結構可以為SiNx/S1x的疊層結構，也可以為SiNx/S1N/S1x的疊層結構，膜層的總厚度可以控制在100?600nm左右，至于各膜層厚度可依照