電子照相圖像形成設備的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及電子照相圖像形成設備。
【背景技術】
[0002] 使電子照相圖像形成設備重復地進行各過程如帶電、曝光、顯影、轉印和清潔。要 求電子照相感光構件的表面對與電子照相感光構件的表面接觸的構件如用于除去轉印殘 余調色劑的清潔刮板具有高的潤滑性。
[0003] 為了解決潤滑性的問題，日本專利申請特開No.冊7-13368中提出用于將硅油如 聚二甲基硅氧烷添加至電子照相感光構件的表面層的方法。
[0004] 另一方面，要求電子照相圖像形成設備中W預定的接觸壓力與電子照相感光構件 接觸且基于穩定的基礎從動旋轉的充電構件，即使當電子照相感光構件的潤滑性增加時也 基于穩定的基礎穩定地從動旋轉。
[0005] 從防止電子照相感光構件受刮削（shave off)的觀點，日本專利申請特開 No. 2012-42700中提出通過增加充電構件的表面粗趟度降低實質上與電子照相感光構件接 觸的面積的方法。
[0006] 然而，本發明人研究日本專利申請特開No.冊7-13368和日本專利申請特開 No. 2012-42700中描述的電子照相感光構件和充電構件，并且發現W下問題。目P，當彼此接 觸的電子照相感光構件和充電構件旋轉時，具有潤滑性的電子照相感光構件和涂布層中含 有大尺寸顆粒的充電構件的組合容易地引起電子照相感光構件和充電構件之間的微滑動。 結果，在某些情況下在輸出圖像中出現圖像缺陷，即微小的橫條紋圖像（下文中稱為"條帶 圖像"）。
【發明內容】
[0007] 本發明的目的在于提供通過防止由于當彼此接觸的電子照相感光構件和充電構 件旋轉時所引起的滑動導致的條帶圖像的發生而能夠輸出良好的圖像的電子照相圖像形 成設備。
[0008] 根據本發明的一個方面，提供電子照相圖像形成設備，其包括：電子照相感光構 件，與所述電子照相感光構件接觸從而用充電構件使所述電子照相感光構件帶電的充電單 元，W及將調色劑供給至其上形成靜電潛像的電子照相感光構件W在電子照相感光構件上 形成調色劑圖像的顯影單元；其中電子照相感光構件包括；支承體、設置在支承體上的電 荷產生層和設置在電荷產生層上的電荷輸送層；電荷輸送層為電子照相感光構件的表面 層；電荷輸送層具有包括基體和區域的基體-區域結構；區域包括具有由W下通式（A)表 示的結構單元和由W下通式炬）表示的結構單元的聚醋樹脂A ;基體包括選自由具有由W 下通式（C)表示的結構單元的聚醋樹脂C和具有由W下通式值）表示的結構單元的聚碳酸 醋樹脂D組成的組的至少一種樹脂W及電荷輸送物質；充電構件具有導電性基體和導電性 彈性層；導電性彈性層包括粘結劑并支持具有開口的碗狀樹脂顆粒，使得碗狀樹脂顆粒的 至少一部分露出；充電構件在其表面上具有源自碗狀樹脂顆粒的開口的凹部和且在其表面 的源自碗狀樹脂顆粒的開口的邊緣的凸部；充電構件的表面上的凸部為碗狀樹脂顆粒的露 出部；且充電構件的表面上的凸部與電子照相感光構件接觸。
[0009]
[0010] 式（A)中，公表示間亞苯基、對亞苯基或具有經由氧原子鍵合的兩個對亞苯基的二 價基團，RU-RM各自獨立地表示甲基、己基或苯基，n表示括號中的結構的重復數，化及聚醋 樹脂A中的n的平均值為20 W上且120 W下。
[0011]
[001引式做中，X2表示間亞苯基、對亞苯基或具有經由氧原子鍵合的兩個對亞苯基的二 價基團。
[0013]
[0014] 式（C)中，rsi-r38各自獨立地表示氨原子或甲基，X3表示間亞苯基、對亞苯基或具 有經由氧原子鍵合的兩個對亞苯基的二價基團，W及Y 3表示單鍵、亞甲基、己叉基或丙叉 基。
[0015]
[0016] 式做中，R"-R48各自獨立地表示氨原子或甲基，W及Y4表示亞甲基、己叉基、丙 叉基、苯基己叉基、環己叉基或氧原子。
[0017] 本發明提供通過防止由于當彼此接觸的電子照相感光構件和充電構件旋轉時所 引起的滑動導致的條帶圖像的發生而能夠輸出良好的圖像的電子照相圖像形成設備。
[0018] 參考附圖，本發明的進一步特征將從W下示例性實施方式的描述而變得明顯。
【附圖說明】
[0019] 圖1為示出本發明的實施方式中的（漉形）充電構件的截面圖。
[0020] 圖2A和2B為示出的本發明的充電構件的表面附近的部分截面圖。
[0021] 圖3為示出本發明的充電構件的表面附近的部分截面圖。
[0022] 圖4A、4B、4C、4D和4E為示出碗狀樹脂顆粒的圖。
[0023] 圖5為示出用于測量充電漉的電阻率的設備的圖。
[0024] 圖6為示出本發明的一個方面中的電子照相圖像形成設備的示意性截面圖。
[00巧]圖7為示出用于制造充電漉的十字頭擠出機的截面圖。
[0026] 圖8A、8B、8C和8D為示出本發明充電構件和電子照相感光構件之間的接觸部的附 近的放大圖。
[0027] 圖9為示出用于本發明的實施方式中的電子照相圖像形成設備的示意圖。
【具體實施方式】
[0028] 現在將根據附圖詳細描述本發明的優選的實施方式。
[0029] 本發明人推測在本發明的電子照相圖像形成設備中，通過W下機理顯示防止由于 當彼此接觸的電子照相感光構件和充電構件旋轉時所引起的滑動導致的條帶圖像的發生 的效果。
[0030] 充電構件的表面具有源自碗狀樹脂顆粒的凹凸。結果當充電構件與電子照相感光 構件接觸時，充電構件的振動由于凸部的彈性變形而被抑制，使得凸部的附近始終如一地 與電子照相感光構件接觸。另一方面，當形成電子照相圖像時，施加有電壓的充電構件通過 在穿過電子照相感光構件的微小間隙處的放電而使電子照相感光構件帶電。放電為通過微 小間隙中的空氣的電離而產生的所謂的Townsend放電。在該情況下，通過空氣中分子的電 離而生成的帶正電和帶負電的顆粒通過微小間隙中形成的電場引導至電子照相感光構件 和充電構件的表面。由于引導至電子照相感光構件的帶電顆粒，使電子照相感光構件的表 面帶電。也可W使用極性與引導至電子照相感光構件的帶電顆粒的極性相反的帶電顆粒使 充電構件帶電。在該情況下，由于露出的絕緣性的碗狀樹脂顆粒，使得充電構件的凸部保持 在過度帶電的狀態。另一方面，電子照相感光構件中由式炬）表示的結構單元由于在兩個 苯基之間具有兩個CFs基團的結構而具有極強的極性。結果，由于在圖像形成期間充電構 件的過度帶電的凸部與電子照相感光構件接觸，電子照相感光構件中由式炬）表示的結構 單元被極化。結果，由于電子照相感光構件和與電子照相感光構件接觸的充電構件的凸部 之間的電吸引力，充電構件和電子照相感光構件之間的吸引力增強。此外，由式做表示的 結構單元形成基體-區域結構，使得可W形成由式炬）表示的結構單元濃度高的部分從而 進一步增強上述效果。在組合該些效果的情況下，充電構件和電子照相感光構件之間的吸 引力顯著地增強，使得在彼此接觸的充電構件和電子照相感光構件的旋轉期間抑制微滑動 的產生。結果，抑制條帶圖像的出現。
[0031] <電子照相感光構件〉
[00礎[電荷輸送層]
[0033] 本發明的電子照相感光構件中，電荷輸送層為在最外面表面的表面層。
[0034] 本發明的電子照相感光構件包括具有含有W下基體和W下區域的基體-區域結 構的電荷輸送層。區域包括具有由W下通式（A)表示的結構單元和由W下通式炬）表示的 結構單元的聚醋樹脂A。基體包括電荷輸送物質，W及選自由具有由W下通式（C)表示的結 構單元的聚醋樹脂C和具有由W下通式值）表示的結構單元的聚碳酸醋樹脂D組成的組的 至少一種樹脂。
[00巧]
[0036] 式（A)中，公表示間亞苯基、對亞苯基或具有經由氧原子鍵合的兩個對亞苯基的二 價基團，RU-RM各自獨立地表示甲基、己基或苯基，n表示括號中的結構的重復數，化及聚醋 樹脂中的n的平均值為20 W上且120 W下。
[0037]
[0042] 式值）中，R"-R48各自獨立地表示氨原子或甲基，W及Y4表示亞甲基、己叉基、丙 叉基、苯基己叉基、環己叉基或氧原子。
[004引[聚醋樹脂A]
[0044] 如下描述聚醋樹脂A。由式（A)表示的結構單元的含量基于聚醋樹脂A的總質量 可W為6質量％ W上且40質量％ ^下。由式炬）表示的結構單元的含量基于聚醋樹脂A 的總質量可W為60質量％ W上且94質量％ ^下。更優選由式（A)表示的結構單元的含量 基于聚醋樹脂A的總質量為10質量％ W上且40質量％ W下，W及由式炬）表示的結構單 元的含量基于聚醋樹脂A的總質量為60質量％ W上且90質量％ W下。
[0045] 由式（A)表示的結構單元的含量基于聚醋樹脂A的總質量為6質量％ W上且40 質量％ W下使得在包括電荷輸送物質W及選自由聚醋樹脂C和聚碳酸醋樹脂D組成的組的 至少一種樹脂的基體中有效地形成區域。由此實現具有極性基團的由式炬）表示的結構單 元的高濃度存在，使得電子照相感光構件和充電構件之間的吸引力增強。因此充電構件在 增強的抑制條帶的效果的情況下具有改進的從動旋轉性能。
[004引由上式（A)表示的結構單元的含量基于聚醋樹脂A的總質量為6質量％ W上且低 于10質量％的情況下，基體-區域結構也可W在電荷輸送層中形成。
[0047] 聚醋樹脂A包括由上式（A)表示的結構單元和由上式炬）表示的結構單元。
[004引式（A)中，X嗦示間亞苯基、對亞苯基或具有經由氧原子鍵合的兩個對亞苯基的二 價基團。該些基團可W單獨使用或者W兩種W上基團的組合使用。組合使用間亞苯基和對 亞苯基時，間亞苯基與對亞苯基的比值（摩爾比）可W為1:9至9:1，更優選3:7至7:3。 [004引式（A)中，聚醋樹脂A中的n具有20 W上且120 W下的平均值。20 W上且120 W 下的n使得在包括電荷輸送物質、聚醋樹脂C和/或聚碳酸醋樹脂D的基體中有效地形成 區域。特別地，n可W具有40 W上且80 W下的平均值。
[0050] W下描述由式（A)表示的結構單元的例子。
[0051]
[0052]
[0053] 可W單獨或者組合使用結構單元。組合使用間亞苯基和對亞苯基作為Xi的結構 單元時，間亞苯基與對亞苯基的比值（摩爾比）可W為1:9至9:1，更優選3:7至7:3。
[0054] W下描述由式炬）表示的結構單元的例子。
[00巧]
[0056] 可W使用除了由式（A)和式做表示的結構單元W外的結構單元W構成聚醋樹脂 A。例子包括由W下通式（C-1)~（C-4)表示的結構單元。在使用除了由式（A)表示的結 構單元W及由式炬）表示的結構單元W外的結構單元情況下，從本發明的效果的觀點，除 了由式（A)表示的結構單元W及由式炬）表示的結構單元W外的結構單元的含量基于聚醋 樹脂A的總質量優選為34質量％ ^下。更優選該含量為30質量％ W下。
[0057] 聚醋樹脂A為由式（A)表示的結構單元化及由式做表示的結構單元的共聚物。 共聚形式可W為嵌段共聚、無規共聚和交替（alternate)共聚等任意之一。
[005引為了在包括電荷輸送物質W及聚醋樹脂C或聚碳酸醋樹脂D的基體中形成區域， 聚醋樹脂A可W具有30, 000 W上且200, 000 W下的重均分子量。40,000 W上且150,000 W下的重均分子量是更優選的。
[0059] 本申請中，樹脂的重均分子量根據通常方法，更具體地，通過由日本專利申請特開 No. 2007-79555中描述的方法測量的聚苯己締換算的重均分子量表示。
[0060] 聚醋樹脂A的共聚比可W通過使用通過為通常方法的樹脂的iH-NMR測量的氨原 子（構成樹脂的氨原子）的峰面積比的換算方法來確認。
[0061] 聚醋樹脂A可W通過國際公布W02010/008095中描述的方法來合成。
[0062] 聚醋樹脂A的含量基于電荷輸送層中所有樹脂的總質量可W為10質量％W上且 40質量％ W下。10質量％ W上且40質量％ ^下的含量使得穩定地形成基體-區域結構， 進一步增強本發明的效果。可W單獨使用聚醋樹脂A或者W兩種W上的組合使用。
[006引[聚醋樹脂口
[0064] W下描述具有由式似表示的結構單元的聚醋樹脂C。
[0065] 式（C)中的X3表示間亞苯基、對亞苯基或具有經由氧原子鍵合的兩個對亞苯基的 二價基團。該基團可W單獨使用或者W兩種W上的組合使用。組合使用間亞苯基和對亞苯 基時，間亞苯基與對亞苯基的比值（摩爾比）可W為1:9至9:1，更優選3:7至7:3。
[0066] 式似中的Y可W為丙叉基。
[0067] W下描述由式（C)表示的結構單元的例子。
[0068]
[0069] [聚碳酸醋樹脂D]
[0070] W下描述具有由式值）表示的結構單元的聚碳酸醋樹脂D。
[0071] 式值）中的Y4可W為丙叉基或環己叉基。
[0072] W下描述由式值）表示的結構單元的例子。
[0073]
[0074] 本發明的電荷輸送層包括具有含有聚醋樹脂C和聚碳酸醋樹脂D至少一種樹脂的 基體W及基體中含有聚醋樹脂A的區域的基體-區域結構。基體中可化含有電荷輸送物質。
[0075] 基體-區域結構為"海島結構"，其中基體用作海部分W及區域用作島。含有聚醋 樹脂A的區域具有在含有聚醋樹脂C和聚碳酸醋樹脂D的至少一種樹脂的基體中形成的顆 粒狀（島狀）結構。含有聚醋樹脂A的區域各自獨立地存在于基體中。基體-區域結構可 W通過電荷輸送層的表面觀察或截面觀察來確認。
[0076] 基體-區域結構的狀態觀察或區域結構的測量可W用例如商購可得的激光顯微 鏡、光學顯微鏡、電子顯微鏡和原子力顯微鏡W預定的放大倍率來進行。
[0077] 含有聚醋樹脂A的區域可W具有100皿W上且1，000皿W下的數均粒徑。將由式 炬）表示的結構單元的組分存在的區域部分的直徑降低至充分地小于與電子照相感光構