量子點膜、量子點膜的制備方法及背光模組的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示器領域，特別涉及一種量子點膜、量子點膜的制備方法及背光模組。
【背景技術】
[0002]背光源是位于液晶顯示器背后的一種光源，能夠影響液晶顯示器的顯示效果。按照背光源采用的光源的不同，背光源可以分為電致發光、冷陰極熒光燈管(Cold CathodeFluorescent Lamp，簡稱 CCFL)及發光二極管(Light Emitting D1de，簡稱 LED)。其中，按照光源的安裝位置的不同，背光源又分為側光式和直下式背光源。
[0003]傳統的側光式LED背光源主要包括LED、導光板、量子點膜、和棱鏡膜。其中，LED位于導光板的一側，量子點膜夾設于導光板與棱鏡膜之間。LED發出的光經導光板改變射出方向，再通過量子點膜和棱鏡膜射出。量子點膜的用途是提供量子點，量子點可以在LED發出的光的激發下發光。量子點發出的光與LED發出的光經混合可以形成白光，增強液晶顯示器的顯示效果。
[0004]在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術存在以下問題:
[0005]當LED發出的光通過導光板后以垂直方向入射量子點膜時，光在量子點膜中的光程最短，光將激發一定數量的量子點發光。而當LED發出的光通過導光板后以非垂直方向入射量子點膜時，特別是偏離垂直方向比較遠的方向入射時，光在量子點膜中的光程會比較長，光將激發比較多的量子點發光，這時，液晶顯示器顯示的畫面的色域會比光以垂直方向入射量子點膜時顯示的畫面的色域低，出現大視角色偏的現象。
【發明內容】
[0006]為了解決量子點膜大視角色偏的問題，本發明實施例提供了一種量子點膜、量子點膜的制備方法及背光模組。所述技術方案如下:
[0007]第一方面，提供了一種量子點膜，所述量子點膜包括量子點層，
[0008]所述量子點膜還包括光波導層，所述量子點層覆蓋在所述光波導層上，所述光波導層為若干子層構成的層疊結構，所述層疊結構中從靠近所述量子點層的子層開始，所述若干子層的折射率逐層變大。
[0009]在第一方面的第一實施方式中，相鄰兩個所述子層的折射率之差為0.01?0.05。
[0010]在第一方面的第二實施方式中，每個所述子層的折射率的范圍為1.2?1.7ο
[0011]在第一方面的第三實施方式中，所述子層為S1N層或TiS1層。
[0012]在第一方面的第四實施方式中，所述子層的數量為3?10。
[0013]在第一方面的第五實施方式中，所述光波導層的厚度為100 μπι?200 μπι。
[0014]在第一方面的第六實施方式中，所述量子點膜還包括逆棱鏡膜，所述光波導層位于所述逆棱鏡膜和所述量子點層之間。
[0015]在第一方面的第七實施方式中，所述量子點層的厚度為50 μ m?200 μ m。
[0016]第二方面，提供了一種量子點膜的制備方法，所述方法包括:
[0017]制備光波導層；
[0018]提供量子點層，并將所述量子點層與所述光波導層貼合在一起，得到量子點膜；
[0019]其中，所述光波導層為若干子層構成的層疊結構，所述層疊結構中從靠近所述量子點層的子層開始，所述若干子層的折射率逐層變大。
[0020]第三方面，提供了一種背光模組，所述背光模組包括導光板、量子點膜、和棱鏡膜，所述量子點膜夾設于所述導光板和所述棱鏡膜之間，
[0021]所述量子點膜為前述量子點膜，所述量子點層位于所述光波導層與所述棱鏡膜之間。
[0022]在第三方面的第一實施方式中，所述背光模組的厚度為1.2mm。
[0023]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0024]通過該層疊結構中從靠近量子點層的子層開始，子層的折射率逐層變大，當光波導層位于導光板與量子點層之間時，穿過導光板的光以偏離垂直方向比較遠的方向入射光波導層，這時，利用光的折射原理，光波導層將修正光的入射角度，使光的入射角度逐漸朝垂直于量子點層的方向靠攏，最終光將以接近垂直量子點層的方向入射量子點層，并以較短的光程穿過量子點層，從而可以在一定程度上提高色域，改善大視角色偏的問題。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1是本發明一實施例提供的一種量子點膜的結構示意圖；
[0027]圖2是本發明一實施例提供的入射光在光波導層中的傳播光路示意圖；
[0028]圖3是本發明又一實施例提供的一種量子點膜的結構示意圖；
[0029]圖4是本發明一實施例提供的一種量子點膜的制備方法的流程示意圖；
[0030]圖5是本發明又一實施例提供的一種量子點膜的制備方法的流程示意圖；
[0031]圖6是本發明一實施例提供的一種背光模組的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0032]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0033]圖1顯示了本發明一實施例提供的一種量子點膜，參見圖1，該量子點膜包括量子點層10和光波導層20，量子點層10覆蓋在光波導層20上，光波導層20為若干子層20a構成的層疊結構，該層疊結構中從靠近量子點層10的子層20a開始，若干子層20a的折射率逐層變大。
[0034]假設光波導層20為η個子層20a構成的層疊結構，η為正整數。從靠近量子點層10的子層20a開始，η個子層20a的折射率依次為Xn、X(n-l).....X2和XI，且
X1>X2>...>X(n-l)>Xn。參見圖2，當光以大角度從折射率為Xl的子層20a入射時，光先在折射率為Xl的子層20a中發生一定角度的折射，然后射入折射率為X2的子層20a，再在折射率為X2的子層20a中發生一定角度的折射，然后射入折射率為X3的子層20a。由于X1>X2，因此，光在射入折射率為X3的子層20a時的入射角度比射入折射率為X2的子層20a時的入射角度更加靠近90°。以此類推，當光接著經過剩下的子層20a后，光的入射角度將逐漸向90°靠攏，最終從折射率為Xn的子層20a射出時，光的出射角度將接近90°，即光將以接近垂直的方向入射量子點層10。
[0035]本發明實施例通過該層疊結構中從靠近量子點層的子層開始，子層的折射率逐層變大，當光波導層位于導光板與量子點層之間時，穿過導光板的光以偏離垂直方向比較遠的方向入射光波導層，這時，利用光的折射原理，光波導層將修正光的入射角度，使光的入射角度逐漸朝垂直于量子點層的方向靠攏，最終光將以接近垂直量子點層的方向入射量子點層，并以較短的光程穿過量子點層，從而可以在一定程度上提高色域，改善大視角色偏的冋題。
[0036]圖3顯示了本發明又一實施例提供的一種量子點膜。與圖1示出的量子點膜相比，圖3示出的量子點膜不僅包括量子點層10和光波導層20，而且還包括逆棱鏡膜30。
[0037]首先對光波導層20的結構進行詳細介紹，具體如下。
[0038]在第一種實施方式中，子層20a可以是S1N層，該S1N層可以采用等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，簡稱 PECVD)生長，生長氣體可以為SiH4、N20和NH3。
[0039]在第二種實施方式中，子層20a可以是TiS1層，該TiS1層也可以采用PECVD生長，生長氣體可以為TiCl4、SiCljP O 2。
[0040]基于上述兩種實施方式，可以在子層20a的生長過程中，改變生長氣體之間的比例，達到改變子層20a的折射率的效果，從而得到光波導層20。
[0041]需要說明的是，除了 S1N層和TiS1層，子層20a也可以是其他光學及熱學性能較好的半導體薄膜層，本發明并不以此為限。
[0042]作為可選的實施方式，相鄰兩個子層20a的折射率之差可以為0.01?0.05。作為優選的實施方式，相鄰兩個子層20a的折射率之差可以為0.02。試驗證明，當相鄰兩個子層20a的折射率之差為0.02時，修正光的入射角度的效果比較好。
[0043]作為可選的實施方式，每個子層20a的折射率的范圍可以為1.2?1.7。作為優選的實施方式，每個子層20a的折射率的范圍可以為1.45?1.55。試驗證明，當每個子層20a的折射率的范圍為1.45?1.55時，修正光的入射角度的效果比較好。
[0044]作為可選的實施方式，層疊結構包含的子層20a數量可以為3?10。作為優選的實施方式，層疊結構包含的子層20a數量可以為8。試驗證明，當子層20a的數量為8時，修正光的入射角度的效果比較好。
[0045]作為可選的實施方式，光波導層20的厚度可以為100 ym?200 μm。作為優選的實施方式，光波導層20的厚度可以為150 μπι。試驗證明，當光波導層20的厚度為150 μπι時，修正光的入射角度的效果比較好。
[0046]作為可選的實施方式，量子點層10的厚度可以為50 ym?200 μπι。作為優