偏差修正方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及OPC過程中的一種偏差修正方法。
【背景技術】
[0002]集成電路的生產制造是一個非常復雜的過程，其中，光刻技術是最復雜的技術之一，也是推動集成電路工藝發展的重要動力，光刻技術的強大與否直接決定著芯片的性能。
[0003]光刻工藝通常是將需要制造的電路結構設計在掩膜版上，之后通過光刻機臺將掩膜版上的電路結構放大，復制到硅片上。但是，由于光波的性質和實際投影曝光系統的問題，會有衍射受限或者成像系統的非線性濾波造成嚴重的能量損失，即光學近似效應(Optical Proximity Effect, ΟΡΕ),從而不可避免的就會使得在將電路結構放大復制的過程中，會產生失真，尤其是對于180微米以下工藝階段，這種失真的影響將非常巨大，完全能夠讓整個制程失敗。為了避免這種情況發生，業界采用光學近似修正(OpticalProximity Correct1n, OPC)方法,對電路結構進行預先的修正,使得修正后能夠補償OPE效應所帶來的缺失部分。
[0004]目前，在OPC過程中，主要參數包括目標關鍵尺寸(ADI target),在設計標準(Final TEM target,即Design⑶)能夠獲得的情況下,必須要清楚的知曉過程中產生的偏差(process bias)。通常版圖中包括顯示為多邊形的線(line)及相鄰線之間的間隙(space)，請參考圖1，其中存在一間隙1，其兩側的圖形2、3是對稱的，在現有技術中的操作中，施加于一個多邊形的相對的兩邊的偏差是相同的，如在多邊形4中，兩邊的偏差皆是Bias/2，但是由于并不是在任一間隙兩側的圖形都是對稱的，因此，這種做法獲得的偏差其實與實際不符，從而在OPC過程后，獲得的結果還是存在一定的差異，那這就會影響最終器件的性能。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于，提供一種偏差修正方法，以提高OPC的準確性。
[0006]為解決上述技術問題，本發明提供一種偏差修正方法，包括:
[0007]測量關鍵尺寸，根據設計標準獲得圖形偏差；
[0008]以處于版圖中兩側圖形對稱的間隙或者線為基準，向對稱的兩側分別算得各個多邊形每個邊的偏差；
[0009]根據算得的每個邊的偏差算得目標關鍵尺寸，根據所述目標關鍵尺寸進行OPC過程。
[0010]可選的，對于所述的偏差修正方法，所述關鍵尺寸包括線關鍵尺寸和間隙關鍵尺寸。
[0011]可選的，對于所述的偏差修正方法，通過ADI測量和TEM檢測獲得所述線關鍵尺寸和間隙關鍵尺寸。
[0012]可選的，對于所述的偏差修正方法，圖形偏差包括線偏差和間隙偏差。
[0013]可選的，對于所述的偏差修正方法，所述線偏差和間隙偏差分別為所述設計標準與線關鍵尺寸和間隙關鍵尺寸的差值。
[0014]可選的，對于所述的偏差修正方法，標記所述處于版圖中間位置的間隙的間隙偏差為DbiaSm,臨近所述間隙的多邊形的線偏差為Bbiasm,該多邊形靠近該間隙的一個邊的偏差為BiasedgeB2，遠離該間隙的一個邊的偏差為BiasedgeB1，與該間隙相隔該多邊形的另一個間隙的間隙偏差為Cbiasm,臨近所述另一個間隙的另一多邊形靠近所述另一個間隙的一個邊的偏差為BiasedgeA2,則
[0015]BiasedgeB2=-l/2D
biasCD ?
[0016]BiasedgeB1-BbiasCD-BiasedgeB2 ；
[0017]BiasedgeA2--CbiasCD-BiasedgeB1。
[0018]可選的，對于所述的偏差修正方法，所述目標關鍵尺寸為設計標準與相應的邊的偏差的差值。
[0019]與現有技術相比，本發明提供的偏差修正方法中，以處于版圖中兩側圖形對稱的間隙或者線為基準，向對稱的兩側分別算得各個多邊形每個邊的偏差，并由此獲得了目標關鍵尺寸。相比現有技術在不參考圖形分布的情況下，直接使得多邊形相對的兩邊的偏差一致，所獲得的偏差不論是在理論上還是在具體數值上，都要更加可靠，從而保證了線和間隙結構的準確性。
【附圖說明】
[0020]圖1為現有技術及中偏差修正方法過程中的結構示意圖；
[0021]圖2為本發明一實施例中的偏差修正方法的流程圖；
[0022]圖3為本發明一實施例中的偏差修正方法過程中的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0023]下面將結合示意圖對本發明的偏差修正方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。
[0024]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
[0025]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0026]本發明的核心思想在于，提供一種偏差修正方法。發明人在經過研究后發現，現有技術中制得的器件會發生間隙異常的情況，經分析后，發明人認為造成這一現象的主要原因是在OPC過程中使得多邊形相對邊的偏差相同且皆為該多邊形在該方向的偏差的一半所致，即現有的操作是不正確的，為了避免這一情況，需要單獨算出每個邊的偏差，從而獲得正確的OPC修正方案。
[0027]以下列舉所述偏差修正方法的較優實施例，以清楚說明本發明的內容，應當明確的是，本發明的內容并不限制于以下實施例，其他通過本領域普通技術人員的常規技術手段的改進亦在本發明的思想范圍之內。
[0028]基于上述思想，本發明提供一種偏差修正方