一種集成電路、第一電路結構及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體的制造領域，尤其涉及一種集成電路、第一電路結構及其制備方法。
【背景技術】
[0002]現有集成電路表面的導電層結構設計的是同一高度，該設計在大尺寸液晶面板或面板采用同層金屬導電的結構比較適用，參見圖1示出的例子；但隨著小尺寸產品或高PPI (pixels per inch)產品的發展，和集成電路壓合的面板位置越來越多的產品采用雙層金屬線的布線方式(為了在相同空間內布上更多的走線)，如圖2所示。雙層布線就帶來相鄰兩層高度的差異，但集成電路側導電層結構是同一高度，這就意味著相鄰兩金屬層的壓合程度不同，這樣就存在接觸電阻的差異，從而影響畫面品質或產品良率(亮/暗線等不良)。
【發明內容】
[0003]本發明實施例的目的在于提供一種集成電路、第一電路結構及其制備方法，以減少集成電路與顯示面板壓合后不同壓合導電部位接觸電阻之間的差異。
[0004]為解決上述技術問題，本發明實施例提供方案如下:
[0005]本發明實施例提供一種第一電路結構，能夠和第二電路結構壓合形成新的電路結構，所述第二電路結構具有至少兩個待貼合的深度不同的凹陷導電部，所述凹陷導電部具有深度最淺的第一凹陷導電部；
[0006]所述第一電路結構包括至少兩個突出導電部，與至少兩個所述凹陷導電部一一對應設置，與所述第一凹陷導電部對應的第一突出導電部具有第一高度；
[0007]所述至少兩個突出導電部中除所述第一突出導電部之外的任意一個突出導電部具有對應的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度，且小于或等于A與B之和；
[0008]所述A為所述第一高度，所述B為所述任意一個突出導電部對應的凹陷導電部的深度與所述第一凹陷導電部的深度的差。
[0009]優選地，全部所述第二高度都等于所述A與所述B之和。
[0010]優選地，所述第一高度與所述第一凹陷導電部的深度相同。
[0011]優選地，所述第一電路結構和所述第二電路結構壓合后，所述任意一個突出導電部的側面能夠與對應的所述凹陷導電部的側面形成側面導電部。
[0012]優選地，所述凹陷導電部和所述突出導電部都是上底面面積大于下底面面積的臺體結構。
[0013]優選地，所述第一電路結構包括集成電路表面的導電層結構，所述第二電路結構包括顯示面板，所述凹陷導電部包括顯示面板表面的電接觸面。
[0014]本發明實施例還提供一種集成電路，所述集成電路表面設置有以上所述的第一電路結構。
[0015]本發明實施例還提供一種第一電路結構的制備方法，所述第一電路結構能夠和第二電路結構壓合形成新的電路結構，所述第二電路結構具有至少兩個待貼合的深度不同的凹陷導電部，所述凹陷導電部具有深度最淺的第一凹陷導電部，所述制備方法包括:
[0016]形成所述第一電路結構，所述第一電路結構包括至少兩個突出導電部，與至少兩個所述凹陷導電部一一對應設置，與所述第一凹陷導電部對應的第一突出導電部具有第一高度；所述至少兩個突出導電部中除所述第一突出導電部之外的任意一個突出導電部具有對應的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度，且小于或等于A與B之和；所述A為所述第一高度，所述B為所述任意一個突出導電部對應的凹陷導電部的深度與所述第一凹陷導電部的深度的差。
[0017]優選地，全部所述第二高度都等于所述A與所述B之和。
[0018]優選地，所述第一高度與所述第一凹陷導電部的深度相同。
[0019]從以上所述可以看出，本發明實施例至少具有如下有益效果:
[0020]與現有技術中突出導電部高度相同的情況相比，在至少兩個待貼合的凹陷導電部的深度不同的情況下，高度最低的突出導電部最先與對應的凹陷導電部貼合上之后，其它突出導電部與對應凹陷導電部的貼合程度變大，從而兩個電路結構壓合后不同突出導電部、凹陷導電部對之間的壓合程度差異變小，這樣電阻差異就會變小，畫面品質以及產品良率得到提高。
【附圖說明】
[0021]圖1表示現有集成電路和面板壓合情況示意圖(單層金屬布線)；
[0022]圖2表不現有集成電路和面板壓合情況不意圖(雙層金屬布線)；
[0023]圖3表不本發明實施例提供的一種第一電路結構的不意圖；
[0024]圖4表示與本發明實施例提供的第一電路結構對應的現有電路結構示意圖；
[0025]圖5A表示與圖3相應的深度最淺的凹陷導電部與對應突出導電部貼合上時兩個電路結構之間的位置關系示意圖；
[0026]圖5B表示與圖4相應的深度最淺的凹陷導電部與對應突出導電部貼合上時兩個電路結構之間的位置關系示意圖；
[0027]圖6表不本發明實施例提供的一種第一電路結構的另一不意圖；
[0028]圖7表示本發明實施例的較佳實施方式提供的集成電路導電層結構設計方案示意圖。
[0029]符號說明:
[0030]11:集成電路導電層；
[0031]12:柵極線；
[0032]13:玻璃基板；
[0033]14:數據線絕緣層；
[0034]15:導電層；
[0035]16:柵極線絕緣層；
[0036]17:數據線。
【具體實施方式】
[0037]為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例對本發明實施例進行詳細描述。
[0038]圖3表示本發明實施例提供的一種第一電路結構的示意圖，參照圖3，本發明實施例提供一種第一電路結構1，能夠和第二電路結構2壓合形成新的電路結構，所述第二電路結構2具有至少兩個待貼合的深度不同的凹陷導電部，所述凹陷導電部具有深度最淺的第一凹陷導電部3 ;
[0039]所述第一電路結構I包括至少兩個突出導電部，與至少兩個所述凹陷導電部一一對應設置，與所述第一凹陷導電部3對應的第一突出導電部4具有第一高度；
[0040]所述至少兩個突出導電部中除所述第一突出導電部4之外的任意一個突出導電部具有對應的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度，且小于或等于A與B之和；
[0041]所述A為所述第一高度，所述B為所述任意一個突出導電部對應的凹陷導電部的深度與所述第一凹陷導電部3的深度的差。
[0042]可見，通過上述方式，與現有技術中突出導電部高度相同的情況相比，在至少兩個待貼合的凹陷導電部的深度不同的情況下，高度最低的突出導電部最先與對應的凹陷導電部貼合上之后，其它突出導電部與對應凹陷導電部的貼合程度變大，從而兩個電路結構壓合后不同突出導電部、凹陷導電部對之間的壓合程度差異變小，這樣電阻差異就會變小，從而提尚了廣品良率。
[0043]其中，所述第一電路結構I可以包括集成電路表面的導電層結構，所述第二電路結構2可以包括顯示面板，所述凹陷導電部可以包括顯示面板表面的電接觸面。所述顯示面板例如液晶顯示面板，相應地，不同深度的所述電接觸面可以分屬不同的金屬布線層。
[0044]圖3中示出了 5個凹陷導電部的例子，這5個凹陷導電部從左到右深度依次加深，一一對應的從左到右5個突出導電部中第一突出導電部4的高度最小，在5個突出導電部中第一突出導電部4最先與對應的凹陷導電部(第一凹陷導電部3)貼合，從左數第2、5個突出導電部各自的高度與第一突出導電部4的高度之差分別小于對應的從左數第2、5個凹陷導電部各自的深度與第一凹陷導電部3的深度之差，從左數第3、4個突出導電部各自的高度與第一突出導電部4的高度之差分別等于對應的從左數第3、4個凹陷導電部各自的深度與第一凹陷導電部3的深度之差，又由于第一突出導電部4最先與對應的凹陷導電部貼合，因此:
[0045]第一突出導電部4與第一凹陷導電部3貼合上時，從左數第3、4個突出導電部與對應的從左數第3、4個凹陷導電部也貼合上了，而從左數第2、5個突出導電部都沒有接觸到各自對應的從左數第2、5個凹陷導電部的下表面。
[0046]也就是說，其它突出導電部中有一部分與所述第一突出導電部3同時與對應的凹陷導電部貼合上了。
[0047]與圖3中示出的例子對應，圖4中示出了現有技術的相應例子，其中電路結構I’中各突出導電部的高度均與圖3中第一突出導電部4的高度相同，又由于第二電路結構2中最左邊的凹陷導電部3的深度最淺，因此最左邊的突出導電部4’與對應的凹陷導電部3貼合上時，其它突出導電部均未接觸到對應凹陷導電部的下表面。
[0048]也就是說，深度最淺的凹陷導電部與對應的突出導電部先貼合上時，其它突出導電部均未與對應的凹陷導電部貼合上。
[0049]對于圖3、圖4示出的例子，相應的深度最淺的凹陷導電部與對應突出導電部貼合上時兩個電路結構之間的位置關系分別如圖5A、5B所示。顯然，圖5A中有更多的導電部對先貼合上，兩個電路結構壓合之后不同導電部對之間的壓合程度差異更小一些，從而存在的接觸電阻的差異更小，相應地，產品良率更高。
[0050]當然，實際中不同深度凹陷導電部之間的位置關系以及不同高度突出導電部之間的位置關系可以有各種變化，當然，需滿足原本對應的凹陷導電部和突出導電部在位置關系改變后仍然保持對應，例如將圖3中第2、4個凹陷導電部的位置互換以及第2、4個突出導電部的位置互換，將圖4中第2、4個凹陷導電部的位置互換，將圖5A中第2、4個凹陷導電部的位置互換以及第2、4個突出導電部的位置互換，將圖5B中第2、4個凹陷導電部的位置互換。
[0051]圖6表示本發明實施例提供的一種第一電路結構的另一示意圖，參照圖6，由斜線陰影標示的為所述第一電路結構，由點狀陰影標示的為所述第二電路結構，該例中所述第一電路結構有兩個突出導電部。所述第二電路結構有兩個深度不同的凹陷導電部，最左側示出的是現有技術中突出導電部高度相同(均為所述A)的情況；最右側示出的兩個突出導電部的高度差為所述B，也就是對應的兩個凹陷導電部的深度差，壓合后這兩對導電部之間的壓合程度相同，從而接觸電阻相同；中間示出的與較深凹陷導電部對應的突出導電部的高度