一種掩膜板、曝光裝置、制作光敏樹脂圖案的方法及基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，具體的涉及一種掩膜板、曝光裝置、制作光敏樹脂圖案的方法及基板。
【背景技術】
[0002]液晶面板是由陣列基板和彩膜基板通過封框膠進行密封、對盒形成的，陣列基板和彩膜基板之間設置液晶。陣列基板和彩膜基板是由各種膜層組成的，如柵極金屬層、黑矩陣層、透明導電層等膜層。膜層是通過涂覆、曝光和顯影工藝以及刻蝕等工藝形成于彩膜基板或陣列基板上的玻璃基板之上的。根據各種膜層的需要，在玻璃基板上涂覆不同的光敏樹脂，通過曝光機對光敏樹脂進行曝光以及顯影，形成光敏樹脂圖案，或者進一步用光敏樹脂作為阻擋，刻蝕光敏樹脂圖案下層的膜層得到需要的膜層圖案。
[0003]目前顯示面板的尺寸越做越大，即使使用尺寸最大光罩的掃描曝光機，也無法將所有顯示面板的圖形一次曝光完成，因此需要多次曝光接合完成。在曝光過程中，由于曝光機設置有多個棱鏡，從光源出射的光線經棱鏡掃描后對光敏樹脂進行曝光。在棱鏡掃描過程中，棱鏡重疊處的光學特征與非重疊處的光線特性不同，造成重疊處的光敏樹脂與非重疊處的光敏樹脂曝光程度不同。造成這些區域的光敏樹脂顯影后線寬不同，進而導致由光敏樹脂組成的膜層或者需光敏樹脂覆蓋刻蝕的膜層圖案線寬不一致導致面板亮度不一，形成顯示器顯示不均勾(mura)問題。
[0004]因此，亟需一種可以解決在因線寬而引起顯示不均勻問題的掩膜板。
【發明內容】
[0005]本發明實施例提供一種掩膜板、曝光裝置、制作光敏樹脂圖案的方法及基板，用以解決由于在制作基板時，因曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬不一致而導致的mura問題。
[0006]為了實現上述目的，本發明實施例提供了一種掩膜板，包括:
[0007]第一區域掩膜和第二區域掩膜；
[0008]所述第一區域掩膜包括第一透光掩膜和遮光區掩膜；
[0009]所述第二區域掩膜包括第二透光掩膜和遮光區掩膜；
[0010]所述第一區域掩膜與所述第二區域掩膜交替設置。
[0011]本發明實施例還提供了一種曝光裝置，包括光源、棱鏡模組、玻璃基板和上述掩膜板；
[0012]所述棱鏡模組包括多個梯形棱鏡，相鄰的兩個梯形棱鏡的斜邊相互吻合，所述相互吻合的區域為交接區；
[0013]所述光源的光從所述梯形棱鏡的上底面掃描經過的區域為中間區；
[0014]所述交接區對應所述掩膜板的第一區域掩膜，所述中間區對應所述掩膜板的第二區域掩膜。
[0015]本發明實施例還提供了一種使用上述的曝光裝置制作光敏樹脂圖案的方法，包括:
[0016]在基板上形成光敏樹脂層；
[0017]使用曝光裝置對所述光敏樹脂層進行曝光；
[0018]對所述光敏樹脂層進行刻蝕，形成光敏樹脂圖案。
[0019]本發明實施例還提供了一種基板，包括由上述方法制作的光敏樹脂圖案。
[0020]上述實施例中的掩膜板，包括第一區域掩膜和第二區域掩膜，所述第一區域掩膜包括第一透光掩膜和遮光區掩膜，所述第二區域掩膜包括第二透光掩膜和遮光區掩膜，所述第一區域掩膜與所述第二區域掩膜交替設置，用以解決由于在制作基板時，因曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬不一致而導致的顯示器顯示不均勻(mura)問題。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為現有技術中一種掩膜板的結構示意圖；
[0023]圖2為本發明實施例中一種掩膜板的結構示意圖；
[0024]圖3為本發明實施例中一種曝光裝置的結構示意圖；
[0025]圖4為本發明實施例中一種曝光裝置中棱鏡模組對應掩膜板的部分結構示意圖；
[0026]圖5為本發明實施例中一種掩膜位置與掩膜透光率的關系示意圖；
[0027]圖6為本發明實施例中一種制作光敏樹脂圖案的方法的流程示意圖；
[0028]圖7為本發明實施例中一種制作黑矩陣圖案的方法的流程示意圖；
[0029]圖8為本發明實施例中一種制作柵極金屬層圖案的方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0030]為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部份實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0031]圖1示出了現有技術中的一種掩膜板的結構示意圖。如圖1所示，該掩膜板包括透光區和遮光區，透光區為矩陣圖案，可以在制作基板時，對光敏樹脂層進行曝光時使用，使用該掩膜板可以在光敏樹脂層上形成矩陣圖案。在制作矩陣圖案的過程中，位于在曝光裝置的棱鏡模組中兩個棱鏡交接處光敏樹脂層，由于曝光裝置構造原理以及機臺能力，在曝光時分兩次曝光，光敏樹脂層形成的矩陣圖案時，兩個棱鏡交接處形成矩陣圖案的線寬和每個棱鏡的中間區域對應的矩陣圖案的線寬不一致，會造成顯示器的發光不均勻(mura)。
[0032]為了解決上述問題，圖2示出了本發明實施例的一種掩膜板，該掩膜板可應用于制作基板時，放入曝光機內，對基板上的光敏樹脂層進行曝光。光敏樹脂可以是黑矩陣、彩色色阻、間隔子、平坦化層等直接由光敏樹脂材料構成的膜層，也可以是用于刻蝕金屬層等時用來作為刻蝕阻擋層的光刻膠。該掩膜板10包括:第一區域掩膜101和第二區域掩膜102 ;所述第一區域掩膜101包括第一透光掩膜103和遮光區掩膜104 ;所述第二區域掩膜102包括第二透光掩膜105和遮光區掩膜104 ;所述第一區域掩膜101與所述第二區域掩膜102交替設置。在使用該掩膜板10時，可以將第一區域掩膜101放置在曝光裝置的棱鏡模組的兩個棱鏡交接處，將第二區域掩膜102放置在曝光裝置的棱鏡模組的棱鏡的中間區域，或是其它的放置方法，可以依據經驗進行設置。使用本發明實施例中的掩膜板10可以解決制作光敏樹脂圖案時產生的線寬不均勻的問題。
[0033]具體的，本發明實施例還提供了一種掩膜板10，所述掩膜板10第一區域掩膜101中的第一透光掩膜103為全透光掩膜，即該掩膜的透光率為100%。所述掩膜板10第二區域掩膜102中的第二透光掩膜105為灰階掩膜，所述灰階掩膜為透光率小于100%的掩膜。
[0034]優選地，所述第二透光掩膜105的透光率為所述第一透光掩膜103的透光率的60 %?90 %。在此范圍的透光率下，通過所述第二區域掩膜102曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬接近通過所述第一區域掩膜101曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬一致。
[0035]更優選地，所述第二透光掩膜105的透光率為所述第一透光掩膜103的透光率的80%?90%。當光敏樹脂層需要不飽和的曝光量時，所述第二透光掩膜105的透光率為所述第一透光掩膜103的透光率的80%?90%，則通過所述第二區域掩膜102曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬接近通過所述第一區域掩膜101曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬。
[0036]更優選地，所述第二透光掩膜105的透光率為所述第一透光掩膜103的透光率的60%?80%。當光敏樹脂層需要飽和的曝光量時，所述第二透光掩膜105的透光率為所述第一透光掩膜103的透光率的60%?80%，則通過所述第二區域掩膜102曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬接近通過所述第一區域掩膜101曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬。
[0037]優選地，所述第二區域掩膜102的透光率到所述第一區域掩膜101的透光率采用逐漸增大的方式。所述第二區域掩膜102的透光率到所述第一區域掩膜101的透光率逐漸增大到100%，而不是從某一值直接增大到100%，中間有一個過渡的過程，可以使得使用所述第二區域掩膜曝光形成的光敏樹脂圖案與使用所述第一區域掩膜曝光形成的光敏樹脂圖案的線寬更接近。
[0038]圖3示出了一種曝光裝置的結構示意圖，本發明實施例提供一種曝光裝置，包括:光源20、棱鏡模組30和上述實施例中的掩膜板10 ;所述棱鏡模組30包括多個梯形棱鏡，相鄰的兩個梯形棱鏡的斜邊相互吻合，所述相互吻合的區域為交接區302 ;所述光源20的光從所述梯形棱鏡的上底面掃描經過的區域為中間區301 ;所述交接區302對應所述掩膜板10的第一區域掩膜101，所述中間區301對應所述掩膜板10的第二區域掩膜102。所述曝光裝置用來制作光敏樹脂圖案時，對光敏樹脂圖案進行曝光，所述掩膜板10的圖案需要根據基板40上的光敏樹脂層需要的圖案設置。如圖4所示，兩個梯形棱鏡的交接區302對應掩膜板10的第一區域掩膜101，所述梯形棱鏡的中間區301對應掩膜板10的第二區域掩膜102，第一區域掩膜101包括第一透光掩膜103和遮光區掩膜104 ;所述第二區域掩膜102包括第二透光掩膜105和遮光區掩膜104。
[0039]優選地，所述第二區域掩膜102的第二透光掩膜105的透光率為所述第一區域掩膜101的第一透光掩膜103的透光率的60%?90%。通過降低棱鏡模組30的梯形棱鏡的中間區301對應的第二透光掩膜105的透光率，可以降低所述中間區301的曝光量，使得所述中間區301對應的光敏樹脂層的光敏樹脂圖案的線寬與所述交接區302對應的光敏樹