本發明涉及液晶顯示器領域,特別是涉及一種顯示基板及顯示設備。
背景技術:
薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay,簡稱tft-lcd)是一種重要的平板顯示設備,它的主體結構為對盒設置的兩個顯示基板:陣列基板和彩膜基板,以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有柵線和數據線以及由柵線和數據線限定的像素單元,每個像素單元包括薄膜晶體管(thinfilmtransistor,簡稱tft)和像素電極。在顯示過程中,tft作為開關控制對液晶施加驅動電場,從而控制液晶的旋轉,實現畫面的顯示。
信號端子(bondinglead)區域是顯示基板內,外部信號進入顯示基板內的接口區域,外部信號通過覆晶薄膜(cof,chiponfilm)連接到顯示基板的信號端子上。其中,驅動信號和像素數據經由信號端子進入顯示基板的顯示區域,因此信號端子的設計結構直接關系到信號的供給是否順暢。現有技術的信號端子的結構剖面圖如圖7所示,其包括襯底基板1、下金屬層2、絕緣層3、上金屬層4和保護層5,該上金屬層4穿過多個過孔6與下金屬層2接觸,還有頂層的像素電極通過導線與上金屬層4橋接。
本申請的發明人在長期研發中發現,現有技術的這種信號端子的結構存在以下問題:它的同一側的上金屬層4和下金屬層2的邊緣在豎直方向上是齊平的,這種齊平的弊端在于造成兩層金屬層疊加,使得其邊緣處的坡度較陡,使得覆蓋在上金屬層4上的保護層5的覆蓋性差,甚至容易脫落。如圖8所示,為現有技術的信號端子在制作過孔中,對下金屬層上面的絕緣層3進行曝光顯影后,留下光刻膠7的結構示意圖,去掉光刻膠7后的結構示意圖如圖9所示。
另外,如圖10所示為現有技術的信號端子的俯視圖,沿信號端子的伸展方向,均勻設有多個過孔6,但是相鄰兩個過孔6之間的間距21較小,在曝光顯影下金屬層2上的絕緣層3的過程中,容易造成相鄰過孔6之間出現衍射等問題,導致曝光顯影后,光刻膠7和絕緣層3的坡度比較陡,基本上呈直角狀態,不利于上金屬層4的爬坡,甚至在涂布時會導致上金屬層4的斷裂。
技術實現要素:
本發明主要提供一種顯示基板及顯示設備,以解決現有技術中,在顯示基板的信號端子中,由于同一側上下兩層金屬層的邊緣齊平,造成兩層金屬層疊加,使得其邊緣處的坡度較陡,使得覆蓋在上金屬層上的保護層的覆蓋性差,甚至容易脫落的問題。
為解決上述技術問題,本發明采用的一技術方案如下:
一種顯示基板,包括多個信號端子,每個所述信號端子包括多個金屬觸片,每個所述金屬觸片包括:
第一金屬層;絕緣層,設于所述第一金屬層表面上;第二金屬層,設于所述絕緣層表面上;保護層,設于所述第二金屬層的表面上;其中,所述第二金屬層在所述顯示基板上的投影位于所述第一金屬層在所述顯示基板上的投影內。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一技術方案如下:
一種顯示設備,其包括驅動電路和上述任一項所述的顯示基板,且所述驅動電路通過所述多個所述信號端子分別連接所述顯示基板的柵極線與數據線。
本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況,本發明通過使第二金屬層在顯示基板上的投影位于第一金屬層在顯示基板上的投影內,不會造成兩個金屬層邊緣對齊的情況疊加,使得其邊緣處的坡度較平緩,可保證保護層與第二金屬層密封接觸,使得覆蓋在上金屬層上的保護層的覆蓋性好,不容易脫落。
附圖說明
圖1是本發明的顯示基板一實施方式的信號端子的部分剖面結構示意圖;
圖2是本發明的顯示基板一實施方式的信號端子在制作過程中,對第一金屬層上面的絕緣層進行曝光顯影后,留下光刻膠的部分結構示意圖;
圖3是本發明的顯示基板一實施方式的信號端子在制作過程中,去掉光刻膠后,留下第一金屬層和絕緣層的部分結構示意圖;
圖4是本發明的顯示基板一實施方式的信號端子的沿其伸展方向的部分結構俯視圖;
圖5是本發明的顯示基板一實施方式的部分結構示意圖;
圖6是本發明的顯示設備的一實施方式的部分結構示意圖;
圖7是現有技術的顯示基板的信號端子一實施方式的部分剖面結構示意圖;
圖8是現有技術的顯示基板的信號端子在制作過程中,對第一金屬層上面的絕緣層進行曝光顯影后,留下光刻膠的部分結構示意圖;
圖9是現有技術的顯示基板的信號端子在制作過程中,去掉光刻膠后,留下下金屬層和部分絕緣層的部分結構示意圖;
圖10是現有技術的顯示基板的信號端子沿其伸展方向的部分結構俯視圖。
具體實施方式
實施例一
請參閱圖1至圖5,圖1是本發明的顯示基板500的信號端子300的部分剖面結構示意圖,圖2是本發明的顯示基板500的信號端子300在制作過程中,對第一金屬層20上面的絕緣層30進行曝光顯影后,留下光刻膠70的部分結構示意圖,圖3是本發明的顯示基板500的信號端子300在制作過程中,去掉光刻膠70后,留下第一金屬層20和絕緣層30的部分結構示意圖,圖4是本發明的顯示基板500的信號端子300的沿其伸展方向的部分結構俯視圖,圖5是本發明的顯示基板500的部分結構示意圖。
從圖1到圖5可以看到,本發明的一種顯示基板500,包括多個設在顯示區域400周邊的信號端子300,外部信號通過覆晶薄膜200連接到顯示基板500的信號端子300上。其中,驅動信號和像素數據經由信號端子300進入顯示基板500的顯示區域400,每個所述信號端子300包括多個金屬觸片100,每個所述金屬觸片100包括:
第一金屬層20,其制作在襯底基板10的一面上。
絕緣層30,設于所述第一金屬層20表面上。
第二金屬層40,設于所述絕緣層30表面上,第一金屬層20和第二金屬層40將絕緣層30夾在中間。
保護層50,設于所述第二金屬層40的表面上,用于避免第二金屬層40和其它導體發生導通。
其中,所述第二金屬層40在所述顯示基板500上的投影位于所述第一金屬層20在所述顯示基板500上的投影內。
在本實施例中,同一側的所述第一金屬層20的邊緣與所述第二金屬層40的邊緣在水平方向上的距離大于或等于第一預設距離12,所述第一預設距離12可保證所述保護層50與所述第二金屬層40密封接觸。如圖1所示,同一側的所述第二金屬層40向里縮進一定距離,該距離大于或等于第一預設距離12,使得保護層50可以有一個平緩坡度,不至于和第二金屬層40的接觸不好,更不會導致其斷裂。
在本實施例中,可選所述第一預設距離12大于1um。該數值是經過多次試驗得出的經驗值。第一預設距離12還可以是2um、3um等。
在本實施例中,所述第二金屬層40通過導線與像素電極連接導通。
在本實施例中,其中,每個所述金屬觸片100沿其伸展方向設有多個過孔60,所述過孔60貫穿所述絕緣層30,所述第二金屬層40穿過所述過孔60與所述第一金屬層20接觸導通,相鄰兩個所述過孔60的距離大于或等于第二預設距離11,所述第二預設距離11可保證在制作所述過孔60時,對所述絕緣層30進行蝕刻露出所述第一金屬層20后,所述絕緣層30的與所述過孔60對應的坡度可使所述第二金屬層40覆蓋在所述絕緣層30與所述第一金屬層20時不至于斷裂。以上如圖4所示,在本發明中,相鄰兩個過孔60之間的距離大于或等于第二預設距離11,在曝光顯影第一金屬層20上的絕緣層30的過程中,不容易造成相鄰過孔60之間出現衍射等問題,不會導致曝光顯影后,光刻膠70和絕緣層30的坡度比較陡。
如圖2和圖3所示,由于相鄰兩個過孔60之間的距離大于或等于第二預設距離11,對絕緣層30進行曝光顯影后,光刻膠70的坡度變得比較平緩,第一金屬層20的坡度也變得比較平緩,有利于第二金屬層40的爬坡,不會在涂布時會導致第二金屬層40的斷裂。
在本實施例中,可選所述第二預設距離11大于8um,該數值是經過多次試驗得出的經驗值。所述第二預設距離11還可以是9um、10um和12um等。
在本實施例中,所述多個金屬觸片100與所述顯示基板500的多條柵極線和數據線一一對應連接。
在本實施例中,可選所述絕緣層30的制作材料為二氧化硅,所述保護層50的制作材料為氧化鋁。
在本實施例中,可選所述第一金屬層20或所述第二金屬層40的制作材料均為銅金屬材料。
本發明通過使第二金屬層40在顯示基板500上的投影位于第一金屬層20在顯示基板500上的投影內,不會造成兩個金屬層疊加,使得其邊緣處的坡度較平緩,可保證保護層50與第二金屬層40密封接觸,使得覆蓋在上金屬層上的保護層50的覆蓋性好,不容易脫落。本發明另外通過使相鄰兩個所述過孔60的距離大于或等于第二預設距離11,所述第二預設距離11可保證在制作所述過孔60時,對所述絕緣層30進行蝕刻露出所述第一金屬層20后,所述絕緣層30的與所述過孔60對應的坡度可使所述第二金屬層40覆蓋在所述絕緣層30與所述第一金屬層20時不至于斷裂。
實施例二
請參閱圖6,圖6是本發明的顯示設備800的部分結構示意圖。從圖6可以看到,本發明的一種顯示設備800,其包括驅動電路600和實施例一所述的顯示基板500,且所述驅動電路600通過所述多個所述信號端子300分別連接所述顯示基板500的柵極線(未標示)與數據線(未標示),并對所述顯示基板500進行驅動。
其中,所述顯示基板500已經在實施例一中進行了詳細的說明,在此不再重復進行說明。
本發明的顯示設備800,其包括的顯示基板500的信號端子300,通過使第二金屬層40在顯示基板500上的投影位于第一金屬層20在顯示基板500上的投影內,不會造成兩個金屬層疊加,使得其邊緣處的坡度較平緩,可保證保護層50與第二金屬層40密封接觸,使得覆蓋在上金屬層上的保護層50的覆蓋性好,不容易脫落。本發明另外通過使相鄰兩個所述過孔60的距離大于或等于第二預設距離11,所述第二預設距離11可保證在制作所述過孔60時,對所述絕緣層30進行蝕刻露出所述第一金屬層20后,所述絕緣層30的與所述過孔60對應的坡度可使所述第二金屬層40覆蓋在所述絕緣層30與所述第一金屬層20時不至于斷裂。
以上所述僅為本發明的實施方式,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。