本揭露是關于一種光學連接模塊。
背景技術:
近年來,隨著光通訊領域蓬勃發展,光學連接模塊也日益受到重視。一般而言,光學連接模塊可設置于電子裝置中且可包含發送端與接收端。發送端的光源可發射光束且傳遞光信號予其他裝置,且接收端的光偵測器可接收來自其他裝置的光束而偵測光信號,故通過光學連接模塊可作為連結電子裝置與其他裝置的橋梁。然而,隨著科技的進步,電子裝置也日益多樣化,連帶地,光學連接模塊也逐漸朝向多樣化的趨勢發展。因此,如何增加光學連接模塊的元件選用的多樣化,且維持光學連接模塊的光學耦合效率便成為一個重大課題。
一般而言,邊射型激光(edge-emittinglaser;eel)具有高輸出功率,適合應用于長途通訊之中。然而,邊射行激光的發光發散角度大,容易降低光學耦合效率。
技術實現要素:
本揭露提供一種光學連接模塊,其可增加光學連接模塊的元件選用的多樣性且增加光學連接模塊的光學耦合效率。
依據本揭露的部分實施方式,一種光學連接模塊包含一底座、一光源、一光偵測器、至少一第一光通道、至少一第二光通道、一斜面與一導光元件。光源是設置于底座,用以發射第一光束,第一光通道是用以傳遞第一光束,且導光元件是用以將來自光源的第一光束以光穿透的形式導引至第一光通道。光偵測器是設置于底座,用以接收第二光束,第二光通道是用以傳遞第二光束,且斜面是用以將來自第二光通道的第二光束以光反射的形式導引至光偵測器。
依據本揭露的部分實施方式,光學連接模塊還包含一蓋體。斜面是設置于蓋體,且第二光通道是固定于蓋體與底座之間。
依據本揭露的部分實施方式,底座具有凹部,光偵測器是置于凹部中。
依據本揭露的部分實施方式,底座具有一突起部以及一基底部,突起部是突起于基底部,且斜面是連接突起部與基底部,光偵測器是設置于突起部上,且第二光通道是設置于基底部上。
依據本揭露的部分實施方式,底座與蓋體分別具有一凹件或凸件,形成一卡合結構,用以固定第一光通道或第二光通道。
依據本揭露的部分實施方式,底座或蓋體具有多個凹槽,用以容置第一光通道或第二光通道。依據本揭露的部分實施方式,底座具有一凹槽結構,導光元件是容納于凹槽結構。
依據本揭露的部分實施方式,導光元件為一透鏡,用以將來自光源的第一光束聚集至第一光通道中。
依據本揭露的部分實施方式,光源與光偵測器是位于底座的同一邊緣處。
依據本揭露的部分實施方式,一種光學連接模塊包含一底座、一光源、一光偵測器、至少一第一光通道、至少一第二光通道與一斜面。光源是設置于底座,用以發射第一光束,第一光通道是用以傳遞第一光束。光偵測器是設置于底座,用以接收第二光束,第二光通道是用以傳遞第二光束,且第二光通道具有一入光部以及一出光部,入光部與出光部是沿著第一排列方向排列的,且斜面是用以將來自第二光通道的第二光束導引至光偵測器,其中斜面與光偵測器是沿著一第二排列方向排列的,且第一排列方向與該第二排列方向相交。
依據本揭露的部分實施方式,光學連接模塊還包含一導光元件,用以將來自光源的第一光束導引至第一光通道,其中導光元件在底座的表面上的投影是位于光源在表面上的投影與第一光通道在表面上的投影之間。
于上述實施方式中,光學連接模塊是利用導光元件,使得來自底座上的光源的第一光束被引導至第一光通道,且利用一斜面,使得來自第二光通道的第二光束被轉向至底座上的光偵測器。也就是說,光學連接模塊是通過導光元件與斜面分別增加光學連接模塊的光學耦合效率。就發送端而言,導光元件可聚集來自光源的第一光束,使得光源所發射的第一光束的發散角度、強度與光源的發射面可較不受限制,以利于增加發送端的光源選用的多樣性。就接收端而言,斜面可調整第二光束的前進方向,故光偵測器的接收面無須垂直于第二光通道的出光路徑,使得光偵測器上的電路無須刻意地設計成從接收面轉折至光偵測器的側面,以防止電路的非共平面轉折,而助于高頻信號的傳輸。
以上所述僅是用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等,本揭露的具體細節將在下文的實施方式及相關附圖中詳細介紹。
附圖說明
閱讀以下詳細敘述并搭配對應的附圖,可了解本揭露的多個樣態。需留意的是,附圖中的多個特征并未依照該業界領域的標準作法繪制實際比例。事實上,所述的特征的尺寸可以任意的增加或減少以利于討論的清晰性。
圖1為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊的分解圖;
圖2為依據圖1的部分實施方式的光學連接模塊組裝后沿線段2-2的剖面圖;
圖3為依據圖1的部分一實施方式的光學連接模塊組裝后沿線段2-2的剖面圖;
圖4為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊的另一發送端的剖面示意圖;
圖5為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊的另一發送端的剖面示意圖;
圖6為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊的另一接收端的剖面示意圖。
具體實施方式
以下將以附圖及詳細說明清楚說明本揭露的精神,任何所屬技術領域中具有通常知識者在了解本揭露的實施例后,當可由本揭露所教示的技術,加以改變及修飾,其并不脫離本揭露的精神與范圍。
另外,空間相對用語,如“下”、“下方”、“低”、“上”、“上方”等,是用以方便描述一元件或特征與其他元件或特征在附圖中的相對關系。除了附圖中所示的方位以外,這些空間相對用語亦可用來幫助理解元件在使用或操作時的不同方位。當元件被轉向其他方位(例如旋轉90度或其他方位)時,本文所使用的空間相對敘述亦可幫助理解。
參照圖1,圖1為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊的分解圖。光學連接模塊10可包含光源110、第一光通道120、光偵測器210、第二光通道220、底座300與蓋體400。光源110與光偵測器210是設置于底座300,進一步來說,光源110與光偵測器210是設置于同一底座300上。第一光通道120與第二光通道220是固定于底座300與蓋體400之間。于部分實施方式中,底座300具有一卡合結構,其可為凹部結構亦可為凸部結構,而蓋體400亦有一卡合結構,其位置相對于底座300的卡合結構且構造為一相對的凸部或凹部結構。舉例來說,底座300的卡合結構是一凹件,蓋體300的卡合結構是一凸件,蓋體400的凸件可與底座300的凹件相卡合。如此一來,可通過底座300的凹件與蓋體400的凸件幫助底座300上的光源110對準第一光通道120,且幫助底座300上的光偵測器210對準第二光通道220,因此可提升光學連接模塊10的對位的精準度,以利于提升光學連接模塊10的光學耦合效率。舉例而言,于部分實施方式中,蓋體400與底座300的卡合結構是通過光微影制程或蝕刻制程等半導體制程技術而形成,但本揭露不以此為限。值得注意的是,由于半導體制程技術的元件尺寸與精度可較傳統射出、壓模等技術精確,故可幫助增加蓋體400底座300的卡合結構的精度,從而利于縮小光學連接模塊10的尺寸。此外,利用結合底座300與蓋體400的方式固定第一光通道120與第二光通道220,能降低組裝光學連接模塊10的時間,提升加工的精度,有利于生產。光通道120或220可以為光纖、波導管等任何可以導光的元件,其可以透過半導體制程形成于底座300或蓋體400上,亦可為一分離式元件組裝于底座300或蓋體400之間。在一實施方式中,底座300或蓋體400上還形成有多個凹槽(圖中未顯示),用以容置和固定光通道120或220。
于部分實施方式中,底座300的周邊具有相對的第一邊緣處310與第二邊緣處320。光源110與光偵測器210皆是設置于底座300的同一邊緣處。舉例而言,光源110與光偵測器210皆是設置于底座300的第一邊緣處310,從而利于光學連接模塊10連結兩個裝置,亦即光學連接模塊10所連接的裝置(未繪示于圖中)可鄰設于第一邊緣處310,從而便于直接連接光源110與光偵測器210。第一光通道120與第二光通道220可跨越第二邊緣處320。于部分實施方式中,至少部分的第一光通道120與至少部分的第二光通道220可從第一邊緣處310延伸至第二邊緣處320。第一光通道120是設置于光源110的照射范圍內,且第二光通道220是設置于光偵測器210的偵測范圍內。第一光通道120是用以傳遞第一邊緣處310上的光源110所發出的第一光束,第二光通道220是用以將第二光束傳遞至第一邊緣處310上的光偵測器210,且第一光通道120的長度方向與第二光通道220的長度方向是不相交的,亦即第一光通道120所傳遞的第一光束與第二光通道220所傳遞的第二光束是不相交的。如此一來,可防止第一光束與第二光束免于互相干擾或干涉,幫助光學連接模塊10較精確地傳遞信號。
同時參照圖2及圖3,圖2為依據圖1的光學連接模塊10組裝后沿線段2-2的剖面圖。圖3為依據圖1的光學連接模塊10組裝后沿線段3-3的剖面圖。如圖2及圖3所示,光學連接模塊10包含發送端100與接收端200。發送端100具有光源110、第一光通道120、導光元件130,且接收端200具有光偵測器210、第二光通道220與斜面230。如圖2所示,光源110是用以發射第一光束,第一光通道120是用以傳遞第一光束,且導光元件130是用以將來自光源110的第一光束以光穿透的形式導引至第一光通道120。如圖3所示,光偵測器210是用以接收第二光束,第二光通道220是用以傳遞第二光束,且斜面230是用以將來自第二光通道220的第二光束以光反射的形式導引至光偵測器210。也就是說,光學連接模塊10的發送端100是透過導光元件130將第一光束導引至第一光通道120,且光學連接模塊10的接收端200是透過斜面230將第二光束導引至第二光通道220。如此一來,導光元件130與斜面230可分別增加光學連接模塊10的發送端100與接收端200的光學耦合效率。
就發送端100而言,如圖2所示,由于導光元件130可有效地將第一光束導引至第一光通道120,因此光源110的選用可更為多樣化。舉例而言,于部分實施方式中,導光元件130可收斂來自光源110的第一光束,因此光源110的發光角度、強度與光源110的發光面可較不受限,從而增加光源110的選擇性,例如光源110可為邊射型激光(edge-emittinglaser;eel),以利于光學連接模塊10的光信號的長途傳送,但本揭露不以此為限制。于部分實施方式中,光源110可為一種將電轉光的元件,亦可為將光轉為光的元件,但本揭露不以此為限制。
于部分實施方式中,底座300包含相對的表面306與背面308,表面306是比背面308更靠近導光元件130。導光元件130是用以將來自光源110的第一光束導引至第一光通道120,且導光元件130在底座300的表面306上的投影是位于光源110在表面306上的投影與第一光通道120在表面306上的投影之間。亦即光源110、導光元件130與第一光通道120是沿著第一方向d1依序排列于底座300。如此一來,來自光源110的第一光束可大致上沿著第一方向d1通過導光元件130而前進至第一光通道120,而不會被偏折成沿著與第一方向d1垂直甚至相反的方向前進。
于部分實施方式中,第一光通道120包含相對的入光部122與出光部124,入光部122比出光部124更接近光源110。入光部122是用以接收來自導光元件130的第一光束,且第一光束是經由出光部124而離開第一光通道120。底座300具有卡合結構330,在一實施方式中,卡合結構330是為一凸件,其可與蓋板上的另一卡合結構互相卡合以固定第一光通道120,因卡合結構330可利用半導體制程形成于底座300上,故可精準地控制相對位置,能夠精確控制第一光通道120的入光部122與出光部124的連線l1與導光元件130的光軸a同軸,從而進一步地提高來自導光元件130的第一光束導引至第一光通道120的效率。在一實施方式中,底座300上形成有多個凹槽(圖中未顯示),用以容置和固定第一光通道120,其亦可提升第一光通道位置的精準度。
于部分實施方式中,導光元件130可為一透鏡,用以將來自光源110的第一光束聚集至第一光通道120中,在一實施方式中,導光元件130可為一分離式元件,亦可透過半導體制程形成于底座300上。舉例而言,導光元件130可為一具有正屈光能力(refractivepower)的透鏡,例如:雙凸透鏡、平凸透鏡或凹凸透鏡,以更有效地聚集第一光束至第一光通道120,但本揭露不以此為限。于部分實施方式中,當光源110發射的第一光束的發散角度較大時,透鏡可有效地收斂第一光束,亦即調整第一光束的行徑光路,使得第一光束可較精確地導引至第一光通道120的入光部122,以利于增加光學連接模塊10的光學耦合效率,且增加光源110的選用的多樣性。
于部分實施方式中,發送端100具有一光源載臺112,光源載臺112是設置于光源110與底座300之間,用以調整光源110的水平高度,從而幫助光源110與導光元件130的對位,因此可增加光源110的選用的多樣性。舉例而言,于部分實施方式中,由于光源載臺112的厚度是可被調整,而對應地改變設置于光源載臺112的上的光源110的水平高度,使得光源110可經由光源載臺112而對準導光元件130,故可以利于選用各種不同尺寸的光源110。通過光源載臺112,可使光源110的出光邊緣114位于導光元件130的光軸a上,從而進一步地提高來自光源110的第一光束導引至導光元件130的效率。
就接收端200而言,如圖3所示,光偵測器210具有相對的接收面212與背面214。背面214是接合于底座300,在本實施方式中,底座300具有一凹部,而光偵測器210即置于此凹部中。接收面212是比背面214更遠離底座300。至少部分的接收面212是位于斜面230正下方,如此可利于斜面230將第二光束利用反射的方式轉向至光偵測器210的接收面212。值得注意的是,由于斜面230可有效地將第二光束轉向至光偵測器210,因此光偵測器210的接收面212無須垂直于第二光通道220的出光路徑,使得光偵測器210上的電路無須刻意地設計成從接收面212轉折至光偵測器210的側面,以防止電路的非共平面轉折,而助于高頻信號的傳輸。也就是說,光學連接模塊10的接收端200可利用斜面230使得來自第二光通道220的第二光束轉向至光偵測器210,故可防止光偵測器210上的電路產生非共平面的轉折,而助于高頻信號的傳輸。
于部分實施方式中,第二光通道220包含相對的入光部222以及出光部224,且入光部222與出光部224是沿著第一排列方向p1排列的。入光部222是用以接收來自其他裝置(未繪示于圖中)的第二光束,且第二光束是經由出光部224而離開第二光通道220。斜面230是相對出光部224遠離入光部222,且斜面230與光偵測器210是沿著第二排列方向p2排列的,其中第一排列方向p1與第二排列方向p2相交。如此一來,當第二光束離開第二光通道220的出光部224而抵達斜面230時,第二光束可通過斜面230反射至斜面230下方的光偵測器210。第一排列方向p1與第二排列方向p2垂直,使得第二光束在斜面230可發生約90度的轉折,借此達成第二光束的非共平面轉折,使得光偵測器210上的電路無須刻意地設計成從接收面212轉折至光偵測器210的側面,從而避免光偵測器210的電路的非共平面轉折。
于部分實施方式中,底座300包含表面306與背面308,表面306比背面308更靠近蓋體400。斜面230的至少一部分與光偵測器210于底座300的表面306的投影是重疊的,斜面230是設置于蓋體400,且第二光通道220是固定于蓋體400與底座300之間。類似于圖2所示,圖3中,底座300與蓋體400同樣都具有一卡合結構(圖中未顯示),舉例來說,底座300的卡合結構為一凸件,蓋體400的為一相對的凹件,卡合結構可精準地固定第二光通道220、斜面230、光偵測器210的相對位置。于部分實施方式中,蓋體400可為硅、半導體、或陶瓷,且可蓋體400可通過光微影技術或蝕刻等半導體制程技術而產生斜面230,但本揭露不以此為限。值得注意的是,由于半導體制程技術的元件尺寸與精度可較傳統射出、壓模等技術良善,因此可縮短第二光通道220的第二光束傳遞至斜面230的距離,借此減少光能的損失。在一實施方式中,底座300或蓋體400上還形成有多個凹槽(圖中未顯示),用以容置和固定第二光通道220,其亦可提升第二光通道位置的精準度。
此外,于部分實施方式中,如圖1至圖3所示,光學連接模塊10還包含電路板500與驅動元件600,底座300是設置于電路板500的上。驅動元件600是設置于電路板500,且驅動元件600是用以驅動光源110與光偵測器210,或提供電信號予光源110與光偵測器210。驅動元件600與光偵測器210是經由導線m電性連接,且驅動元件600與光源110是經由導線m電性連接。于部分實施方式中,光源110與光偵測器210可具有相同的驅動元件600。于部分實施方式中,光源110與光偵測器210可分別具有不同的驅動元件600。舉例而言,于部分實施方式中,驅動元件600可為驅動電路芯片、控制芯片或轉阻放大器(trans-impedanceamplifier:tia)芯片…等,但本揭露不以此為限。
圖4為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊10的另一發送端100a的剖面示意圖。如圖4所示,本實施方式與前述實施方式的主要差異在于:底座300a具有一凹槽結構350,且導光元件130是容納于凹槽結構350。具體而言,如圖4所示,導光元件130具有基底部132,基底部132是位于底座300的凹槽結構350。由于凹槽結構350可調整導光元件130的基底部132的水平高度,而對應地調整導光元件130的水平高度以對準光源110與第一光通道120,故可利于選用各種不同尺寸的導光元件130,從而增加導光元件130的選用的多樣性。
圖5為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊10的另一發送端100b的剖面示意圖。如圖5所示,本實施方式與前述實施方式的主要差異在于:光學連接模塊10的發送端100b具有一載板700,而承載第二光通道120與光源110的底座300可分離式地分別置于載板700上。此外,載板700可為一具有散熱材料的結構,以增加載板700所接觸的電路板500的散熱程度。
圖6為依據本揭露的部分實施方式的光學連接模塊10的另一接收端200a的剖面示意圖。如圖6所示,本實施方式與圖3實施方式的主要差異在于:底座300a具有突起部302與基底部304,突起部302是突起于基底部304,且斜面230a是位于底座300a上并連接突起部302與基底部304,光偵測器210a是設置于突起部302上,且第二光通道220是設置于基底部304上。也就是說,光偵測器210a的接收面212a是比背面214a更接近底座300a,且接收面212a是用以偵測被斜面230a所反射的來自第二光通道220的第二光束。
綜上所述,本揭露的光學連接模塊是分別通過導光元件與斜面,使得第一光束以光穿透的形式精確地傳遞至第一光通道,且使得第二光束以光反射的形式精確地轉向至光偵測器,從而增加光學連接模塊的發送端與接收端的光學耦合效率。就發送端而言,導光元件可聚集來自光源的第一光束,使得光源所發射的第一光束的發散角度、強度與光源的發射面可較不受限制,以利于增加發送端的光源選用的多樣性。就接收端而言,斜面可調整第二光束的前進方向,故光偵測器的接收面無須垂直于第二光通道的出光路徑,使得光偵測器上的電路無須刻意地設計成從接收面轉折至光偵測器的側面,以防止電路的非共平面轉折,而助于高頻信號的傳輸。雖然本揭露已以實施方式揭露如上,然其并非用以限定本揭露,任何熟悉此技藝者,在不脫離本揭露的精神和范圍內,當可作各種的更動與潤飾,因此本揭露的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。