陣列基板、液晶顯示面板、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置的制作方法

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在有源平面顯示面板中，一般采用開關(guān)晶體管來控制像素電極的充放電，當(dāng)開關(guān)晶體管打開時(shí)，像素電極在打開時(shí)間內(nèi)充電，開關(guān)晶體管關(guān)斷后，像素電極的電壓降維持到下一次掃描時(shí)重新充電。

目前，在陣列基板中一般采用雙柵結(jié)構(gòu)(Dule Gate)來將數(shù)據(jù)線(Data)的數(shù)目減半，這樣可以將源極驅(qū)動(dòng)芯片(Source IC)的管腳數(shù)量減半，從而降低成本。但雙柵結(jié)構(gòu)會帶來像素電極充電不足的問題，因此限制了雙柵結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品難以應(yīng)用在高分辨率產(chǎn)品中。以刷新頻率60Hz為例，當(dāng)顯示面板的分辨率為a×b時(shí)，對于普通(Normal)產(chǎn)品，每一幀的顯示時(shí)間為1/60s，而一幀內(nèi)有b行柵線，為了不引起信號串?dāng)_，數(shù)據(jù)線加載的單個(gè)像素信號脈寬應(yīng)為1/60/b s；而對于雙柵結(jié)構(gòu)產(chǎn)品，每一幀內(nèi)有2b行柵線，則數(shù)據(jù)線加載的單個(gè)像素信號脈寬應(yīng)為1/60/2b s，即充電時(shí)間為Normal產(chǎn)品的一半。這樣，在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中像素電極在充電時(shí)間減半的情況下充電率會發(fā)生大幅下降，甚至不能正常顯示。

因此，如何改善雙柵結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的像素電極充電率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板、電致 發(fā)光顯示面板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有的雙柵結(jié)構(gòu)像素電極充電率低的問題。

因此，一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：呈陣列排布的多個(gè)像素電極，多條柵線，多條數(shù)據(jù)線，與各所述像素電極一一對應(yīng)且用于控制各所述像素電極充電的多個(gè)第一開關(guān)晶體管，以及用于所述像素電極預(yù)充電的多個(gè)第二開關(guān)晶體管；其中，

以每相鄰兩列所述像素電極為一像素電極組，各所述像素電極組之間的列間隙處和全部所述像素電極組的最外左右兩側(cè)均設(shè)置有數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一開關(guān)晶體管分別與相鄰所述像素電極連接；

每行所述像素電極分別對應(yīng)于兩條所述柵線，在每行所述像素電極中分別位于所述數(shù)據(jù)線不同側(cè)的兩個(gè)所述像素電極分別通過所述第一開關(guān)晶體管與對應(yīng)的不同所述柵線連接；

在各所述像素電極組中，除了與首行掃描的所述柵線連接所述像素電極之外，在每幀顯示時(shí)間內(nèi)極性不同的每兩個(gè)所述像素電極通過所述第二開關(guān)晶體管相互預(yù)充電。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，每行所述像素電極被分為采用導(dǎo)線連接的上下兩部分，在所述上下兩部分之間設(shè)置與該行所述像素電極對應(yīng)的一條所述柵線，在與該行所述像素電極相鄰的行間隙處設(shè)置有與該行所述像素電極對應(yīng)的另一條所述柵線。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，每行所述像素電極被分為所占面積相同的上下兩部分。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，各所述第一開關(guān)晶體管的朝向一致；或者，每相鄰兩條所述柵線中，一條柵線連接的各所述第一開關(guān)晶體管的朝向與另一條柵線連接的各所述第一開關(guān)晶體管的朝向相反。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中， 在每行所述像素電極的行間隙處設(shè)置有兩條與同一行所述像素電極對應(yīng)的兩條所述柵線。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，各所述第二開關(guān)晶體管的控制端與該第二開關(guān)晶體管連接的兩個(gè)所述像素電極中先掃描的上一行掃描的柵線連接。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，同一數(shù)據(jù)線連接的兩列所述像素電極中各所述像素電極的極性相同，相鄰的兩條數(shù)據(jù)線分別連接的像素電極的極性相反；

在各所述像素電極組中，除了首行掃描的所述像素電極之外，其余各行所述像素電極中行相鄰的兩個(gè)所述像素電極通過所述第二開關(guān)晶體管相互預(yù)充電；或，除了與首行掃描的所述柵線連接的所述像素電極之外，每位于相鄰行且不同列的極性不同的兩個(gè)所述像素電極通過所述第二開關(guān)晶體管相互預(yù)充電。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，同一行所述像素電極中各所述像素電極的極性相同，相鄰行所述像素電極之間的極性相反；

在各所述像素電極組中，除了與首行掃描的所述柵線連接的所述像素電極之外，每位于相鄰行的極性不同的兩個(gè)所述像素電極通過所述第二開關(guān)晶體管相互預(yù)充電。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，每相鄰的兩個(gè)所述像素電極的極性相反；

在各所述像素電極組中，除了首行掃描的所述像素電極之外，其余各行所述像素電極中行相鄰的兩個(gè)所述像素電極通過所述第二開關(guān)晶體管相互預(yù)充電；或，除了與首行掃描的所述柵線連接的所述像素電極之外，列相鄰的兩個(gè)所述像素電極通過所述第二開關(guān)晶體管相互預(yù)充電。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中， 與所述第二開關(guān)晶體管連接的所述柵線的線寬大于未與所述第二開關(guān)晶體管連接的所述柵線的線寬。

另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。

另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種電致發(fā)光顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。

另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板，或包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述電致發(fā)光顯示面板。

本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置，在雙柵結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，以未在像素電極列間隙處設(shè)置數(shù)據(jù)線的兩列像素電極為一像素電極組；在各像素電極組中設(shè)置多個(gè)第二開關(guān)晶體管，因此第二開關(guān)晶體管與數(shù)據(jù)線無交疊而不會引起串?dāng)_(Crosstalk)不良的問題；除了與首行掃描的柵線連接像素電極之外，利用各第二開關(guān)晶體管對在每幀顯示時(shí)間內(nèi)極性不同的兩個(gè)像素電極相互預(yù)充電。這樣，在各像素電極通過第一開關(guān)晶體管進(jìn)行充電之前，開啟第二開關(guān)晶體管利用極性相反的兩個(gè)像素電極進(jìn)行相互電荷中和，以在各像素電極充電之前提升充電起點(diǎn)，從而縮短充電時(shí)間且節(jié)省功耗。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述產(chǎn)品，在使用雙柵結(jié)構(gòu)降低成本的基礎(chǔ)上，通過增加第二開關(guān)晶體管進(jìn)行預(yù)充電實(shí)現(xiàn)了快速充電和提高刷新頻率，且采用電荷共享的方式進(jìn)行預(yù)充電可以降低邏輯功耗。

附圖說明

圖1a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖1b為圖1a的時(shí)序圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板采用傳統(tǒng)雙柵結(jié)構(gòu)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意 圖；

圖3a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的電路局部布局俯視圖；

圖3b為傳統(tǒng)雙柵結(jié)構(gòu)的電路局部布局俯視圖；

圖4a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖4b為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之三；

圖5a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的實(shí)例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b為圖5a的時(shí)序圖；

圖6a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的實(shí)例二的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖6b為圖6a的時(shí)序圖；

圖7a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的實(shí)例二的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖7b為圖7a的時(shí)序圖

圖8a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的實(shí)例三的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖8b為圖8a的時(shí)序圖；

圖9a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的實(shí)例三的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖9b為圖9a的時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板、液晶顯示面板、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖1a所示，包括：呈陣列排布的多個(gè)像素電極Pixel，多條柵線Gate，多條數(shù)據(jù)線Data，與各像素電極Pixel一一對應(yīng)且用于控制各像素電極Pixel充電的多個(gè)第一開關(guān)晶體管T1，以及用于像素電極Pixel預(yù)充電的多個(gè)第二開關(guān)晶體管T2；其中，

以每相鄰兩列像素電極Pixel為一像素電極組100，各像素電極組100之間的列間隙處和全部所述像素電極組100的最外左右兩側(cè)均設(shè)置有數(shù)據(jù)線Data，數(shù)據(jù)線Data通過第一開關(guān)晶體管T1分別與相鄰像素電極Pixel連接；

每行像素電極Pixel分別對應(yīng)于兩條柵線Gate，在每行像素電極Pixel中分別位于數(shù)據(jù)線Data不同側(cè)的兩個(gè)像素電極Pixel分別通過第一開關(guān)晶體管T1與對應(yīng)的不同柵線Gate連接；

在各像素電極組100中，除了與首行掃描的柵線Gate連接像素電極Pixel之外，在每幀顯示時(shí)間內(nèi)極性不同的每兩個(gè)像素電極Pixel通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，在雙柵結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，以未在像素電極Pixel列間隙處設(shè)置數(shù)據(jù)線Data的兩列像素電極Pixel為一像素電極組100，在各像素電極組100中設(shè)置多個(gè)第二開關(guān)晶體管T2，因此第二開關(guān)晶體管T2與數(shù)據(jù)線Data無交疊而不會引起串?dāng)_(Crosstalk)不良的問題。在各像素電極組100中，除了與首行掃描的柵線Gate連接像素電極Pixel之外，利用各第二開關(guān)晶體管T2對在每幀顯示時(shí)間內(nèi)極性不同的兩個(gè)像素電極Pixel相互預(yù)充電。這樣，在各像素電極Pixel通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電之前，開啟第二開關(guān)晶體管T2利用極性相反的兩個(gè)像素電極Pixel進(jìn)行相互電荷中和，以在各像素電極Pixel充電之前提升充電起點(diǎn)，從而縮短充電時(shí)間且節(jié)省功耗。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，在使用雙柵結(jié)構(gòu)降低成本的基礎(chǔ)上，通過增加第二開關(guān)晶體管T2進(jìn)行預(yù)充電實(shí)現(xiàn)了快速充電和提高刷新頻率，且采用電荷共享的方式進(jìn)行預(yù)充電可以降低邏輯功耗。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中需要對傳統(tǒng)的雙柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行變形以便增加第二開關(guān)晶體管T2，具體地，由于傳統(tǒng)的雙柵結(jié)構(gòu)如圖2所示，位于同一像素電極Pixel行間隙處的兩條柵線Gate n和Gate n+1分別通過第一開關(guān)晶體管T1與上下兩行像素電極Pixel連接，在沿著箭頭方向進(jìn)行柵線Gate掃描時(shí)，此時(shí)，上一行柵線Gate n無法跨過下一行柵線Gate n+1與第二開關(guān)晶體管T2連接以對下一行的兩個(gè)像素電極Pixel n+1和Pixel n+2進(jìn)行電荷中和。

基于此，為避免上述問題，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中， 一種實(shí)施方式為如圖1a所示，可以采用將每行像素電極Pixel分割為采用導(dǎo)線連接的上下兩部分，在上下兩部分之間設(shè)置與該行像素電極Pixel對應(yīng)的一條柵線Gate，在與該行像素電極Pixel相鄰的行間隙處設(shè)置與該行像素電極Pixel對應(yīng)的另一條柵線Gate。

并且，在具體實(shí)施時(shí)，每行像素電極Pixel一般被分為所占面積相同的上下兩部分，這樣，通過將傳統(tǒng)的雙柵結(jié)構(gòu)中柵線Gate的配置從每行兩條變?yōu)槊?.5行一條，減少了在像素電極Pixel行間隙處設(shè)置的柵線Gate的數(shù)量，以便如圖1a所示，在相鄰的兩條柵線Gate之間設(shè)置一第二開關(guān)晶體管T2，從而避免第二開關(guān)晶體管T2需要跨過一條柵線Gate與另一條柵線Gate連接的情況。此時(shí)，如圖3a所示，由于陣列基板上沿豎方向的邊緣(Assy Margin)較大，當(dāng)將柵線Gate移位成每0.5行一條時(shí)需要額外增加黑矩陣(BM)進(jìn)行遮擋，因而需要損失一部分的透過率，相比于如圖3b所示的傳統(tǒng)的雙柵結(jié)構(gòu)的陣列基板，像素的開口率從68.1％下降到65.9％，下降了3.2％，但相比于邏輯功耗降低的負(fù)面效果較小。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，當(dāng)柵線Gate移位成每0.5行一條時(shí)，如圖1a所示，各第一開關(guān)晶體管T1的朝向可以設(shè)置成一致；或者，也可以如圖4a所示，每相鄰兩條柵線Gate n和Gate n+1中，一條柵線Gate n連接的各第一開關(guān)晶體管T1的朝向與另一條柵線Gate n+1連接的各第一開關(guān)晶體管T1的朝向相反。將相鄰兩條柵線Gate n和Gate n+1連接的第一開關(guān)晶體管T1設(shè)置為朝向相反最接近傳統(tǒng)的雙柵結(jié)構(gòu)，但由于增加了第一開關(guān)晶體管T1的朝向，會不利于工藝管控。

此外，為避免上述使用傳統(tǒng)的雙柵結(jié)構(gòu)出現(xiàn)第二開關(guān)晶體管T2無法跨過下一行柵線Gate的問題，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，另一種實(shí)施方式為如圖4b所示，可以將傳統(tǒng)的雙柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行變更，保留在每行像素電極Pixel的行間隙處設(shè)置兩條柵線Gate n-1和Gate n，但是該兩條柵線Gate n-1和Gate n對應(yīng)于同一行像素電極Pixel，即兩條柵線Gate n-1和Gate n分別 連接的第一開關(guān)晶體管T1的朝向相同，其中，與遠(yuǎn)離該行像素電極Pixel的柵線Gate n連接的第一薄膜晶體管T1的源極跨過另一條柵線Gate n-1與對應(yīng)的像素電極Pixel n連接。此種結(jié)構(gòu)相對于將像素電極Pixel分割為上下兩部分可以減少黑矩陣的面積，從而減少像素透過率的損失。但是，第一薄膜晶體管T1的源極會與跨過的柵線Gate n-1產(chǎn)生寄生電容，因此在設(shè)計(jì)時(shí)，需要通過其他手段抵消該寄生電容帶來的影響。

并且，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，與第二開關(guān)晶體管T2連接的柵線Gate并不是全部柵線Gate，這樣會帶來不同行的柵線Gate具有不同的電容值，一般地，與第二開關(guān)晶體管T2連接的柵線Gate的電容值要大于未與第二開關(guān)晶體管T2連接的柵線Gate的電容值，因此，為了平衡兩者的電容值差異，需要對電容值較小的柵線Gate增加電阻，即減小線寬來補(bǔ)償信號延遲(RC Delay)以保證不同行柵線Gate控制的像素的充電率無差異。具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，與第二開關(guān)晶體管T2連接的柵線Gate的線寬設(shè)置為大于未與第二開關(guān)晶體管T2連接的柵線Gate的線寬。

在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，為了通過第二開關(guān)晶體管T2對極性相反的兩個(gè)像素電極Pixel在充電之前進(jìn)行預(yù)充電，一般第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極分別連接的兩個(gè)像素電極Pixel會通過對應(yīng)的第一開關(guān)晶體管T1與不同行的柵線Gate連接，此時(shí)，為了使預(yù)充電保持的時(shí)間盡可能的小，即其引起的瞬態(tài)影響盡可能的小以便可以忽略，一般地，首先會使第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極分別連接在相鄰行進(jìn)行充電的兩個(gè)像素電極Pixel，其次，會將各第二開關(guān)晶體管T2的控制端(即柵極)與該第二開關(guān)晶體管T2連接的兩個(gè)像素電極Pixel中先掃描的上一行掃描的柵線Gate連接。例如，如圖1a所示，第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極分別連接像素電極Pixel n+1和Pixel n+2，且像素電極Pixel n+1與柵線Gate n+1連接，像素電極Pixel n+2與柵線Gate n+2連接，則第二開關(guān)晶體管T2的柵極與柵線Gate n 連接為佳。

在具體實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板在驅(qū)動(dòng)時(shí)不限于反轉(zhuǎn)方式，既可以應(yīng)用于列反轉(zhuǎn)，也可以應(yīng)用于行反轉(zhuǎn)，還可以應(yīng)用于點(diǎn)反轉(zhuǎn)，根據(jù)應(yīng)用的反轉(zhuǎn)類型，在陣列基板中第二開關(guān)晶體管T2具體連接的兩個(gè)極性相反的像素電極Pixel的位置會有所不同，下面均以每隔0.5行像素電極Pixel設(shè)置一條柵線Gate的雙柵結(jié)構(gòu)為例，以具體的實(shí)例分別進(jìn)行詳細(xì)介紹。

實(shí)例一：

在陣列基板中采用列反轉(zhuǎn)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，即在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，對同一數(shù)據(jù)線Data加載極性相同的信號，對相鄰的兩條數(shù)據(jù)線Data加載極性相反的信號。此時(shí)，同一數(shù)據(jù)線Data連接的兩列像素電極Pixel中各像素電極Pixel的極性相同，相鄰的兩條數(shù)據(jù)線Data分別連接的像素電極Pixel的極性相反。

在采用列反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式下，在陣列基板的各像素電極組100中，位于同一行的兩個(gè)像素電極Pixel極性相反，且通過相鄰行的柵線Gate進(jìn)行充電，因此，如圖1a所示，除了首行掃描的像素電極Pixel之外，其余各行像素電極Pixel中行相鄰的兩個(gè)像素電極Pixel通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，即在每個(gè)像素電極組100中，同一行的兩個(gè)像素電極Pixel分別與第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極相連，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與位于像素電極Pixel的行間隙處的上一行掃描的柵線Gate相連，例如像素電極Pixel n+1和Pixel n+2通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與柵線Gate n相連。從時(shí)序圖中可以看到，每個(gè)像素電極Pixel經(jīng)過正負(fù)極性中和以后才開啟充電，充電起點(diǎn)提高了一半，理論上邏輯功耗將降低50％，而充電時(shí)間亦可減少一半。

如圖1b所示的時(shí)序圖，以最高灰階純色畫面顯示為例對與同一第二開關(guān)晶體管T2連接的像素電極Pixel n+2和Pixel n+1進(jìn)行的充電情況進(jìn)行說明：在柵線Gate n處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+2和Pixel n+1為電荷共享狀態(tài)，即預(yù)充電狀態(tài)，電荷共享時(shí)長為t1；在柵線Gate n+1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此 時(shí)像素電極Pixel n+1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n開啟前的這段時(shí)間t2為像素電極Pixel n+1的電量保持時(shí)間，同時(shí)，像素電極Pixel n+2保持預(yù)充電時(shí)的電量；在柵線Gate n+2處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+2通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n開啟前的這段時(shí)間t3為像素電極Pixel n+2的電量保持時(shí)間，t3＝t1+t2，電荷共享時(shí)長t1極小，只有1/刷新頻率/柵線數(shù)量秒的時(shí)間，大約只占到保持時(shí)間t2的1/60000，因此其瞬態(tài)影響可以忽略。

或者，在采用列反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式下，在陣列基板的各像素電極組100中，位于相鄰行的通過相鄰行的柵線Gate進(jìn)行充電的兩個(gè)像素電極Pixel也極性相反，因此，如圖5a所示，除了與首行掃描的柵線Gate連接的像素電極Pixel之外，每位于相鄰行且不同列的極性不同的兩個(gè)像素電極Pixel也可以通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，即在每個(gè)像素電極組100中，位于不同行的兩個(gè)像素電極Pixel分別與第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極相連，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與位于像素電極Pixel的上下部分之間的間隙處的上一行掃描的柵線Gate相連，例如像素電極Pixel n和Pixel n+1通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與柵線Gate n-1相連。從時(shí)序圖5b中可以看到，每個(gè)像素電極Pixel經(jīng)過正負(fù)極性中和以后才開啟充電，充電起點(diǎn)提高了一半，理論上邏輯功耗將降低50％，而充電時(shí)間亦可減少一半。

如圖5b所示的時(shí)序圖，以最高灰階純色畫面顯示為例對與同一第二開關(guān)晶體管T2連接的像素電極Pixel n和Pixel n+1進(jìn)行的充電情況進(jìn)行說明：在柵線Gate n-1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n和Pixel n+1為電荷共享狀態(tài)，即預(yù)充電狀態(tài)，電荷共享時(shí)長為t1；在柵線Gate n處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-1開啟前的這段時(shí)間t2為像素電極Pixel n的電量保持時(shí)間，同時(shí)，像素電極Pixel n+1保持預(yù)充電時(shí)的電量；在柵線Gate n+1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2 處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-1開啟前的這段時(shí)間t3為像素電極Pixel n+1的電量保持時(shí)間，t3＝t1+t2，電荷共享時(shí)長t1極小，只有1/刷新頻率/柵線數(shù)量秒的時(shí)間，大約只占到保持時(shí)間t2的1/60000，因此其瞬態(tài)影響可以忽略。

實(shí)例二：

在陣列基板中采用行反轉(zhuǎn)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，即在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，在對同一行像素電極Pixel充電時(shí)，對各數(shù)據(jù)線Data加載極性相同且與上一行像素電極Pixel充電時(shí)加載的信號極性相反的信號。此時(shí)，如圖6a和圖7a所示，同一行像素電極Pixel中各像素電極Pixel的極性相同，相鄰行像素電極Pixel之間的極性相反，即第一行像素電極Pixel的極性為正，第二行像素電極Pixel的極性為負(fù)。

在采用行反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式下，在陣列基板的各像素電極組100中，除了與首行掃描的柵線Gate連接的像素電極Pixel之外，每位于相鄰行的極性不同的兩個(gè)像素電極Pixel可以通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電。具體地，第二開關(guān)晶體管T2的連接方式可以有兩種，一種如圖6a所示，位于斜對角的兩個(gè)像素電極Pixel通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，即在每個(gè)像素電極組100中，相鄰列且相鄰行的兩個(gè)像素電極Pixel分別與第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極相連，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與先掃描的像素電的上一行掃描的柵線Gate相連，例如像素電極Pixel n和Pixel n+1通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電。第二開關(guān)晶體管T2的柵極與柵線Gate n-1相連。從時(shí)序圖中可以看到，每個(gè)像素電極Pixel經(jīng)過正負(fù)極性中和以后才開啟充電，充電起點(diǎn)提高了一半，理論上邏輯功耗將降低50％，而充電時(shí)間亦可減少一半。

如圖6b所示的時(shí)序圖，以最高灰階純色畫面顯示為例對與同一第二開關(guān)晶體管T2連接的像素電極Pixel n和Pixel n+1進(jìn)行的充電情況進(jìn)行說明：在柵線Gate n-1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n和Pixel n+1為電荷共享狀態(tài)，即預(yù)充電狀態(tài)，電荷共享時(shí)長為t1；在柵線Gate n處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素 電極Pixel n通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-1開啟前的這段時(shí)間t2為像素電極Pixel n的電量保持時(shí)間，同時(shí)，像素電極Pixel n+1保持預(yù)充電時(shí)的電量；在柵線Gate n+1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-1開啟前的這段時(shí)間t3為像素電極Pixel n+1的電量保持時(shí)間，t3＝t1+t2，電荷共享時(shí)長t1極小，只有1/刷新頻率/柵線數(shù)量秒的時(shí)間，大約只占到保持時(shí)間t2的1/60000，因此其瞬態(tài)影響可以忽略。

或者，在采用行反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式下，第二開關(guān)晶體管T2的連接方式的第二種如圖7a所示，每列相鄰的兩個(gè)像素電極Pixel也可以通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，即在每個(gè)像素電極組100中，位于同一列的兩個(gè)像素電極Pixel分別與第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極相連，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與先掃描的像素電極Pixel的上一行掃描的柵線Gate相連，例如像素電極Pixel n-1和Pixel n+1通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電。第二開關(guān)晶體管T2的柵極與柵線Gate n-2相連。從時(shí)序圖7b中可以看到，每個(gè)像素電極Pixel經(jīng)過正負(fù)極性中和以后才開啟充電，充電起點(diǎn)提高了一半，理論上邏輯功耗將降低50％，而充電時(shí)間亦可減少一半。

如圖7b所示的時(shí)序圖，以最高灰階純色畫面顯示為例對與同一第二開關(guān)晶體管T2連接的像素電極Pixel n-1和Pixel n+1進(jìn)行的充電情況進(jìn)行說明：在柵線Gate n-2處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n-1和Pixel n+1為電荷共享狀態(tài)，即預(yù)充電狀態(tài)，電荷共享時(shí)長為t1；在柵線Gate n-1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n-1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-2開啟前的這段時(shí)間t2為像素電極Pixel n-1的電量保持時(shí)間，同時(shí)，像素電極Pixel n+1保持預(yù)充電時(shí)的電量；在柵線Gate n+1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-2開啟前的這段時(shí)間t3為像素電極Pixel n+1的 電量保持時(shí)間，t3＝2*t1+t2，電荷共享時(shí)長t1極小，只有1/刷新頻率/柵線數(shù)量秒的時(shí)間，大約只占到保持時(shí)間t2的1/60000，因此其瞬態(tài)影響可以忽略。

實(shí)例三：

在陣列基板中采用點(diǎn)反轉(zhuǎn)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，即在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，在對同一行像素電極Pixel充電時(shí)，對各數(shù)據(jù)線Data加載與上一行像素電極Pixel充電時(shí)加載的信號極性相反的信號，且對相鄰的兩條數(shù)據(jù)線Data加載極性相反的信號。此時(shí)，如圖8a和圖9a所示，每相鄰的兩個(gè)像素電極Pixel的極性相反，即行相鄰的兩個(gè)像素電極Pixel的極性相反，列相鄰的兩個(gè)像素電極Pixel的極性也相反。

在采用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式下，在陣列基板的各像素電極組100中，除了與首行掃描的柵線Gate連接的像素電極Pixel之外，每相鄰的極性不同的兩個(gè)像素電極Pixel可以通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電。具體地，第二開關(guān)晶體管T2的連接方式可以有兩種，一種如圖8a所示，位于行相鄰的兩個(gè)像素電極Pixel通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，即在每個(gè)像素電極組100中，同一行的兩個(gè)像素電極Pixel分別與第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極相連，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與先掃描的像素電的上一行掃描的柵線Gate相連，例如像素電極Pixel n+1和Pixel n+2通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電。第二開關(guān)晶體管T2的柵極與柵線Gate n相連。從時(shí)序圖中可以看到，每個(gè)像素電極Pixel經(jīng)過正負(fù)極性中和以后才開啟充電，充電起點(diǎn)提高了一半，理論上邏輯功耗將降低50％，而充電時(shí)間亦可減少一半。

如圖8b所示的時(shí)序圖，以最高灰階純色畫面顯示為例對與同一第二開關(guān)晶體管T2連接的像素電極Pixel n+1和Pixel n+2進(jìn)行的充電情況進(jìn)行說明：在柵線Gate n處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+1和Pixel n+2為電荷共享狀態(tài)，即預(yù)充電狀態(tài)，電荷共享時(shí)長為t1；在柵線Gate n+1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n 開啟前的這段時(shí)間t2為像素電極Pixel n+1的電量保持時(shí)間，同時(shí)，像素電極Pixel n+2保持預(yù)充電時(shí)的電量；在柵線Gate n+2處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+2通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n開啟前的這段時(shí)間t3為像素電極Pixel n+2的電量保持時(shí)間，t3＝t1+t2，電荷共享時(shí)長t1極小，只有1/刷新頻率/柵線數(shù)量秒的時(shí)間，大約只占到保持時(shí)間t2的1/60000，因此其瞬態(tài)影響可以忽略。

或者，在采用點(diǎn)反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式下，第二開關(guān)晶體管T2的連接方式的第二種如圖9a所示，每列相鄰的兩個(gè)像素電極Pixel也可以通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，即在每個(gè)像素電極組100中，位于同一列的兩個(gè)像素電極Pixel分別與第二開關(guān)晶體管T2的源極和漏極相連，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與先掃描的像素電極Pixel的上一行掃描的柵線Gate相連，例如像素電極Pixel n-1和Pixel n+1通過第二開關(guān)晶體管T2相互預(yù)充電，第二開關(guān)晶體管T2的柵極與柵線Gate n-2相連。從時(shí)序圖9b中可以看到，每個(gè)像素電極Pixel經(jīng)過正負(fù)極性中和以后才開啟充電，充電起點(diǎn)提高了一半，理論上邏輯功耗將降低50％，而充電時(shí)間亦可減少一半。

如圖9b所示的時(shí)序圖，以最高灰階純色畫面顯示為例對與同一第二開關(guān)晶體管T2連接的像素電極Pixel n-1和Pixel n+1進(jìn)行的充電情況進(jìn)行說明：在柵線Gate n-2處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n-1和Pixel n+1為電荷共享狀態(tài)，即預(yù)充電狀態(tài)，電荷共享時(shí)長為t1；在柵線Gate n-1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n-1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-2開啟前的這段時(shí)間t2為像素電極Pixel n-1的電量保持時(shí)間，同時(shí)，像素電極Pixel n+1保持預(yù)充電時(shí)的電量；在柵線Gate n+1處于開啟狀態(tài)時(shí)，第二開關(guān)晶體管T2處于關(guān)閉狀態(tài)，此時(shí)像素電極Pixel n+1通過第一開關(guān)晶體管T1進(jìn)行充電，直至下次柵線Gate n-2開啟前的這段時(shí)間t3為像素電極Pixel n+1的電量保持時(shí)間，t3＝2*t1+t2，電荷共享時(shí)長t1極小，只有1/刷新頻率/柵線數(shù) 量秒的時(shí)間，大約只占到保持時(shí)間t2的1/60000，因此其瞬態(tài)影響可以忽略。

從上述三個(gè)實(shí)例的時(shí)序圖中可以看出，在列反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式下，每條數(shù)據(jù)線的信號反轉(zhuǎn)最少，可以節(jié)省功耗。

基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種上述陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，包括：

采用列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)：在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，對同一數(shù)據(jù)線加載極性相同的信號，對相鄰的兩條數(shù)據(jù)線加載極性相反的信號；或，

采用行反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)：在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，在對同一行像素電極充電時(shí)，對各數(shù)據(jù)線加載極性相同且與上一行像素電極充電時(shí)加載的信號極性相反的信號；或，

采用點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)：在每幀顯示時(shí)間內(nèi)，在對同一行像素電極充電時(shí)，對各數(shù)據(jù)線加載與上一行像素電極充電時(shí)加載的信號極性相反的信號，且對相鄰的兩條數(shù)據(jù)線加載極性相反的信號。

基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。

基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種電致發(fā)光顯示面板，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。具體地，電致發(fā)光顯示面板可以采用有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(OLED)實(shí)現(xiàn)其發(fā)光功能。

基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板，或包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述電致發(fā)光顯示面板，該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述陣列基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板、液晶顯示面板、電致發(fā)光顯示面板及顯示裝置，在雙柵結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，以未在像素電極列間隙處設(shè)置數(shù)據(jù)線的 兩列像素電極為一像素電極組100；在各像素電極組100中設(shè)置多個(gè)第二開關(guān)晶體管，因此第二開關(guān)晶體管與數(shù)據(jù)線無交疊而不會引起串?dāng)_(Crosstalk)不良的問題；除了與首行掃描的柵線連接像素電極之外，利用各第二開關(guān)晶體管對在每幀顯示時(shí)間內(nèi)極性不同的兩個(gè)像素電極相互預(yù)充電。這樣，在各像素電極通過第一開關(guān)晶體管進(jìn)行充電之前，開啟第二開關(guān)晶體管利用極性相反的兩個(gè)像素電極進(jìn)行相互電荷中和，以在各像素電極充電之前提升充電起點(diǎn)，從而縮短充電時(shí)間且節(jié)省功耗。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述產(chǎn)品，在使用雙柵結(jié)構(gòu)降低成本的基礎(chǔ)上，通過增加第二開關(guān)晶體管進(jìn)行預(yù)充電實(shí)現(xiàn)了快速充電和提高刷新頻率，且采用電荷共享的方式進(jìn)行預(yù)充電可以降低邏輯功耗。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。